JPH11204254A - 防湿被膜付き蛍光体およびその製造方法 - Google Patents
防湿被膜付き蛍光体およびその製造方法Info
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- JPH11204254A JPH11204254A JP10005743A JP574398A JPH11204254A JP H11204254 A JPH11204254 A JP H11204254A JP 10005743 A JP10005743 A JP 10005743A JP 574398 A JP574398 A JP 574398A JP H11204254 A JPH11204254 A JP H11204254A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 全体を高価な防湿フィルムで被覆することな
く発光寿命特性の優れたＥＬ表示素子を実現することが
可能な防湿被膜付き蛍光体を提供する。 【解決手段】 エレクトロルミネッセンス蛍光体の粒子
表面に下層が酸化チタン薄膜、上層が酸化ケイ素薄膜か
らなる二層構造の防湿被膜を被覆したことを特徴とす
る。
く発光寿命特性の優れたＥＬ表示素子を実現することが
可能な防湿被膜付き蛍光体を提供する。 【解決手段】 エレクトロルミネッセンス蛍光体の粒子
表面に下層が酸化チタン薄膜、上層が酸化ケイ素薄膜か
らなる二層構造の防湿被膜を被覆したことを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス（ＥＬ）表示素子に用いる防湿被膜付き蛍光体
およびその製造方法に関する。
ッセンス（ＥＬ）表示素子に用いる防湿被膜付き蛍光体
およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＥＬ表示素子は、例えば携帯端末や携帯
ゲーム機のバックライトとして用いられている。ＥＬ表
示素子に用いられる蛍光体は、高湿度雰囲気に曝される
と輝度劣化を生じるというも問題があった。
ゲーム機のバックライトとして用いられている。ＥＬ表
示素子に用いられる蛍光体は、高湿度雰囲気に曝される
と輝度劣化を生じるというも問題があった。
【０００３】このようなことから、従来のＥＬ表示素子
は図４に示すように全体を防湿フィルムで被覆すること
により発光寿命を延ばすことが行われている。すなわ
ち、このＥＬ表示素子は背面電極1 上に絶縁層２、ＥＬ
蛍光体を含む蛍光層３、ＩＴＯのような透明電極４およ
び防湿層５をこの順序で積層し、全体を防湿フィルム６
で覆った構造を有する。なお、端子７，８は前記背面電
極１および透明電極４にそれぞれ接続されている。
は図４に示すように全体を防湿フィルムで被覆すること
により発光寿命を延ばすことが行われている。すなわ
ち、このＥＬ表示素子は背面電極1 上に絶縁層２、ＥＬ
蛍光体を含む蛍光層３、ＩＴＯのような透明電極４およ
び防湿層５をこの順序で積層し、全体を防湿フィルム６
で覆った構造を有する。なお、端子７，８は前記背面電
極１および透明電極４にそれぞれ接続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た図４に示す構造のＥＬ表示素子は防湿フィルムを別途
必要であるために高価になるという問題があった。本発
明は、全体を高価な防湿フィルムで被覆することなく発
光寿命特性の優れたＥＬ表示素子を実現することが可能
な防湿被膜付き蛍光体およびその製造方法を提供しよう
とするものである。
た図４に示す構造のＥＬ表示素子は防湿フィルムを別途
必要であるために高価になるという問題があった。本発
明は、全体を高価な防湿フィルムで被覆することなく発
光寿命特性の優れたＥＬ表示素子を実現することが可能
な防湿被膜付き蛍光体およびその製造方法を提供しよう
とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる防湿被膜
付き蛍光体は、エレクトロルミネッセンス蛍光体の粒子
表面に下層が酸化チタン薄膜、上層が酸化ケイ素薄膜か
らなる二層構造の防湿被膜を被覆したことを特徴とする
ものである。
付き蛍光体は、エレクトロルミネッセンス蛍光体の粒子
表面に下層が酸化チタン薄膜、上層が酸化ケイ素薄膜か
らなる二層構造の防湿被膜を被覆したことを特徴とする
ものである。
【０００６】本発明に係わる防湿被膜付き蛍光体の製造
方法は、エレクトロルミネッセンス蛍光体の粒子表面に
化学気相成長法により酸化チタン薄膜および酸化ケイ素
薄膜をこの順序で成膜することにより二層構造の防湿被
膜を形成することを特徴とするものである。
方法は、エレクトロルミネッセンス蛍光体の粒子表面に
化学気相成長法により酸化チタン薄膜および酸化ケイ素
薄膜をこの順序で成膜することにより二層構造の防湿被
膜を形成することを特徴とするものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明に係わる防湿被膜付き蛍光体は、エレクトロルミ
ネッセンス蛍光体の粒子表面に下層が酸化チタン薄膜、
上層が酸化ケイ素薄膜からなる二層構造の防湿被膜を被
覆した構造を有する。
本発明に係わる防湿被膜付き蛍光体は、エレクトロルミ
ネッセンス蛍光体の粒子表面に下層が酸化チタン薄膜、
上層が酸化ケイ素薄膜からなる二層構造の防湿被膜を被
覆した構造を有する。
【０００８】前記エレクトロルミネッセンス蛍光体とし
ては、例えばＺｎＳ：Ｃｕ，ＺｎＳ：Ｃｄ等を用いるこ
とができる。前記酸化チタン（ＴｉＯx ）薄膜は、厚さ
が１００〜５００ｎｍであることが好ましい。酸化チタ
ン薄膜の厚さを１００ｎｍ未満にすると、前記蛍光体の
防湿性を十分に高めることが困難になる。一方、前記酸
化チタン薄膜の厚さが５００ｎｍを超えるとこの薄膜に
よる遮光性が顕在化して蛍光体からの発光を効率よく外
部に放出することが困難になる。より好ましい前記酸化
チタン薄膜の厚さは、２００〜３００ｎｍである。
ては、例えばＺｎＳ：Ｃｕ，ＺｎＳ：Ｃｄ等を用いるこ
とができる。前記酸化チタン（ＴｉＯx ）薄膜は、厚さ
が１００〜５００ｎｍであることが好ましい。酸化チタ
ン薄膜の厚さを１００ｎｍ未満にすると、前記蛍光体の
防湿性を十分に高めることが困難になる。一方、前記酸
化チタン薄膜の厚さが５００ｎｍを超えるとこの薄膜に
よる遮光性が顕在化して蛍光体からの発光を効率よく外
部に放出することが困難になる。より好ましい前記酸化
チタン薄膜の厚さは、２００〜３００ｎｍである。
【０００９】前記酸化ケイ素（ＳｉＯx ）薄膜は、厚さ
が５〜５０ｎｍであることが好ましい。酸化ケイ素薄膜
の厚さを５ｎｍ未満にすると、前記蛍光体の防湿性を十
分に高めることが困難になる。一方、前記酸化ケイ素薄
膜の厚さが５０ｎｍを超えるとこの薄膜による遮光性が
顕在化して蛍光体からの発光を効率よく外部に放出する
ことが困難になる。より好ましい前記酸化ケイ素薄膜の
厚さは１０〜２０ｎｍである。
が５〜５０ｎｍであることが好ましい。酸化ケイ素薄膜
の厚さを５ｎｍ未満にすると、前記蛍光体の防湿性を十
分に高めることが困難になる。一方、前記酸化ケイ素薄
膜の厚さが５０ｎｍを超えるとこの薄膜による遮光性が
顕在化して蛍光体からの発光を効率よく外部に放出する
ことが困難になる。より好ましい前記酸化ケイ素薄膜の
厚さは１０〜２０ｎｍである。
【００１０】次に、前記防湿被膜付き蛍光体の製造方法
を説明する。エレクトロルミネッセンス蛍光体の粒子表
面に化学気相成長法により酸化チタン薄膜および酸化ケ
イ素薄膜をこの順序で成膜して二層構造の防湿被膜を形
成することにより防湿被膜付き蛍光体を製造する。
を説明する。エレクトロルミネッセンス蛍光体の粒子表
面に化学気相成長法により酸化チタン薄膜および酸化ケ
イ素薄膜をこの順序で成膜して二層構造の防湿被膜を形
成することにより防湿被膜付き蛍光体を製造する。
【００１１】前記酸化チタン薄膜の気相成長法として
は、例えば（１）前記エレクトロルミネッセンス蛍光体
の粒子表面で四塩化チタンを１５０〜２００℃の温度で
加水分解反応させることにより酸化チタン薄膜を成膜す
る方法、（２）前記エレクトロルミネッセンス蛍光体の
粒子表面でチタンアルコキシドと酸素とを１００〜１７
０℃の温度で反応させることにより酸化チタン薄膜を成
膜する方法を採用することができる。
は、例えば（１）前記エレクトロルミネッセンス蛍光体
の粒子表面で四塩化チタンを１５０〜２００℃の温度で
加水分解反応させることにより酸化チタン薄膜を成膜す
る方法、（２）前記エレクトロルミネッセンス蛍光体の
粒子表面でチタンアルコキシドと酸素とを１００〜１７
０℃の温度で反応させることにより酸化チタン薄膜を成
膜する方法を採用することができる。
【００１２】前記酸化ケイ素薄膜の気相成長法として
は、例えば前記酸化チタン薄膜が被覆されたエレクトロ
ルミネッセンス蛍光体の粒子表面で四塩化ケイ素を２５
〜７５℃の温度で加水分解反応させることにより酸化ケ
イ素薄膜を成膜する方法を採用することができる。
は、例えば前記酸化チタン薄膜が被覆されたエレクトロ
ルミネッセンス蛍光体の粒子表面で四塩化ケイ素を２５
〜７５℃の温度で加水分解反応させることにより酸化ケ
イ素薄膜を成膜する方法を採用することができる。
【００１３】以上説明した本発明によれば、エレクトロ
ルミネッセンス蛍光体の粒子表面に下層が酸化チタン薄
膜、上層が酸化ケイ素薄膜からなる二層構造の防湿被膜
を被覆することによって、防湿性を著しく向上された防
湿被膜付き蛍光体を得ることができる。その結果、この
ような防湿被膜付き蛍光体をＥＬ表示素子の蛍光層に適
用することによって、全体を防湿フィルムで被覆するこ
となく高湿度雰囲気の駆動において長期間に亘って良好
な輝度を維持できるため、優れた発光寿命特性を有す
る。
ルミネッセンス蛍光体の粒子表面に下層が酸化チタン薄
膜、上層が酸化ケイ素薄膜からなる二層構造の防湿被膜
を被覆することによって、防湿性を著しく向上された防
湿被膜付き蛍光体を得ることができる。その結果、この
ような防湿被膜付き蛍光体をＥＬ表示素子の蛍光層に適
用することによって、全体を防湿フィルムで被覆するこ
となく高湿度雰囲気の駆動において長期間に亘って良好
な輝度を維持できるため、優れた発光寿命特性を有す
る。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の好ましい実施例を図面を参照
して説明する。図１は、蛍光体表面に二層構造の防湿被
膜を形成するための化学気相成長装置を示す概略図、図
２は図１のＡ部の拡大図である。
して説明する。図１は、蛍光体表面に二層構造の防湿被
膜を形成するための化学気相成長装置を示す概略図、図
２は図１のＡ部の拡大図である。
【００１５】円筒状のリアクタ１１は、中間付近に蛍光
体に防湿被膜を形成するための化学気相成長がなされる
流動床１２が配置されている。この流動床１２は、図２
に示すように上部が開放され、底部にガス流通穴１３が
開口されたボックス部１４と、このボックス部１４を支
持するための支持部材１５と、このボックス部１４内の
中間付近に水平に配置されたメッシュ部１６と、前記ボ
ックス部１４の上部部開口部付近に互いに隣接して複数
配置された横置き三角柱体１７間に形成されたノズル部
１８とから構成される。ヒータ１９は、前記リアクタ１
１の周囲に配置されている。
体に防湿被膜を形成するための化学気相成長がなされる
流動床１２が配置されている。この流動床１２は、図２
に示すように上部が開放され、底部にガス流通穴１３が
開口されたボックス部１４と、このボックス部１４を支
持するための支持部材１５と、このボックス部１４内の
中間付近に水平に配置されたメッシュ部１６と、前記ボ
ックス部１４の上部部開口部付近に互いに隣接して複数
配置された横置き三角柱体１７間に形成されたノズル部
１８とから構成される。ヒータ１９は、前記リアクタ１
１の周囲に配置されている。
【００１６】四塩化チタン供給源２０は、四塩化チタン
（ＴｉＣｌ4 ）液２１が収容された第1 貯槽２２と、前
記四塩化チタン液２１にキャリアとしての窒素をバブリ
ンクグするための配管２３と、ガス状の四塩化チタンを
前記窒素と共に前記流動床１２下部の前記リアクタ１１
に供給するための供給管２４とから構成されている。
（ＴｉＣｌ4 ）液２１が収容された第1 貯槽２２と、前
記四塩化チタン液２１にキャリアとしての窒素をバブリ
ンクグするための配管２３と、ガス状の四塩化チタンを
前記窒素と共に前記流動床１２下部の前記リアクタ１１
に供給するための供給管２４とから構成されている。
【００１７】四塩化ケイ素供給源２５は、四塩化ケイ素
（ＳｉＣｌ4 ）液２６が収容された第２貯槽２７と、前
記四塩化ケイ素液２６にキャリアとしての窒素をバブリ
ンクグするための配管２８と、ガス状の四塩化ケイ素を
前記窒素と共に前記流動床１２下部の前記リアクタ１１
に前記供給管２４を経由して供給するための供給管２９
とから構成されている。
（ＳｉＣｌ4 ）液２６が収容された第２貯槽２７と、前
記四塩化ケイ素液２６にキャリアとしての窒素をバブリ
ンクグするための配管２８と、ガス状の四塩化ケイ素を
前記窒素と共に前記流動床１２下部の前記リアクタ１１
に前記供給管２４を経由して供給するための供給管２９
とから構成されている。
【００１８】水蒸気供給源３０は、水３１が収容された
第３貯槽３２と、前記水３１にキャリアとしてのアルゴ
ンをバブリンクグするための配管３３と、水蒸気を前記
アルゴンと共に前記流動床１２内に供給するための供給
管３４とから構成されている。
第３貯槽３２と、前記水３１にキャリアとしてのアルゴ
ンをバブリンクグするための配管３３と、水蒸気を前記
アルゴンと共に前記流動床１２内に供給するための供給
管３４とから構成されている。
【００１９】補助用アルゴン供給管３５は、先端が前記
流動床１２下部の前記リアクタ１１に連結されている。
ドライポンプ３６は、配管３７を介して前記リアクタ１
１上部に連結されている。このドライポンプ３６から排
出されたガスは排ガス処理設備（図示せず）に供給され
る。
流動床１２下部の前記リアクタ１１に連結されている。
ドライポンプ３６は、配管３７を介して前記リアクタ１
１上部に連結されている。このドライポンプ３６から排
出されたガスは排ガス処理設備（図示せず）に供給され
る。
【００２０】（実施例１）前述した図１および図２に示
す化学気相成長装置を用いて蛍光体表面に二層構造の防
湿被膜を形成する方法を説明する。
す化学気相成長装置を用いて蛍光体表面に二層構造の防
湿被膜を形成する方法を説明する。
【００２１】まず、図１および図２に示す流動床１２内
に例えばＺｎＳ：Ｃｕからなる１００g の蛍光体粒子３
８を充填した後、ドライポンプ３６を作動してリアクタ
１１内を減圧にした。つづいて、ヒータ１９により前記
流動床１２内の蛍光体粒子３８を加熱すると共に、アル
ゴンを２００℃に加熱された補助アルゴン供給管３５を
通して前記リアクタ１１に供給し、前記流動床１２のメ
ッシュ部１６を通して前記蛍光体粒子３８に供給し、流
動させた。同時に、四塩化チタン供給源２０の四塩化チ
タン液２１を３０℃に加熱し、この加熱四塩化チタン液
２１に窒素を配管２３を通してバブリングし、四塩化チ
タンと窒素の混合ガスを前記供給管２４を通して前記リ
アクタ１１に供給し、前記流動床１２のメッシュ部１６
を通して流動状態の前記蛍光体粒子３８に供給した。な
お、前記供給管２４内での四塩化チタンの液化を防ぐた
めに前記供給管２４を１５０℃に加熱した。また、水蒸
気供給源３０の水（温度；２５℃）３１にアルゴンを配
管３３を通してバブリングし、水蒸気とアルゴンの混合
ガスを供給管３４を通して前記流動床１２内の前記蛍光
体粒子３８に供給した。なお、前記供給管３４内での水
蒸気の液化を防ぐために前記供給管３４を６０℃に加熱
した。このような気相成長時の各条件を以下に示す。
に例えばＺｎＳ：Ｃｕからなる１００g の蛍光体粒子３
８を充填した後、ドライポンプ３６を作動してリアクタ
１１内を減圧にした。つづいて、ヒータ１９により前記
流動床１２内の蛍光体粒子３８を加熱すると共に、アル
ゴンを２００℃に加熱された補助アルゴン供給管３５を
通して前記リアクタ１１に供給し、前記流動床１２のメ
ッシュ部１６を通して前記蛍光体粒子３８に供給し、流
動させた。同時に、四塩化チタン供給源２０の四塩化チ
タン液２１を３０℃に加熱し、この加熱四塩化チタン液
２１に窒素を配管２３を通してバブリングし、四塩化チ
タンと窒素の混合ガスを前記供給管２４を通して前記リ
アクタ１１に供給し、前記流動床１２のメッシュ部１６
を通して流動状態の前記蛍光体粒子３８に供給した。な
お、前記供給管２４内での四塩化チタンの液化を防ぐた
めに前記供給管２４を１５０℃に加熱した。また、水蒸
気供給源３０の水（温度；２５℃）３１にアルゴンを配
管３３を通してバブリングし、水蒸気とアルゴンの混合
ガスを供給管３４を通して前記流動床１２内の前記蛍光
体粒子３８に供給した。なお、前記供給管３４内での水
蒸気の液化を防ぐために前記供給管３４を６０℃に加熱
した。このような気相成長時の各条件を以下に示す。
【００２２】蛍光体量；１００ｇ 気相成長温度；１５５℃ 気相成長圧力；４００〜５００Ｔｏｒｒ ＴｉＣｌ4 ＋Ｎ2 流量；４００ｓｃｃｍ（ ＴｉＣｌ4
液温３０℃） Ｈ2 Ｏ＋アルゴン流量；３００ｓｃｃｍ（ Ｈ2 Ｏ液温
２２℃） 流動補助用アルゴン流量；２００ｓｃｃｍ 気相成長時間；３ｈｒ 前述した四塩化チタンおよび水蒸気の供給により蛍光体
粒子表面で次式の反応が生じて厚さ２００ｎｍの酸化チ
タン薄膜が気相成長された。
液温３０℃） Ｈ2 Ｏ＋アルゴン流量；３００ｓｃｃｍ（ Ｈ2 Ｏ液温
２２℃） 流動補助用アルゴン流量；２００ｓｃｃｍ 気相成長時間；３ｈｒ 前述した四塩化チタンおよび水蒸気の供給により蛍光体
粒子表面で次式の反応が生じて厚さ２００ｎｍの酸化チ
タン薄膜が気相成長された。
【００２３】 ＴｉＣｌ4 ＋２Ｈ2 Ｏ→ＴｉＯ2 ＋４ＨＣｌ 次いで、ドライポンプ３６を再度作動してリアクタ１１
内を減圧にした。つづいて、アルゴンを１００℃に加熱
された補助アルゴン供給管３５を通して前記リアクタ１
１に供給し、前記流動床１２のメッシュ部１６を通して
前記蛍光体粒子３８に供給し、流動させた。同時に、四
塩化ケイ素供給源２５の液温８℃の四塩化ケイ素液２６
に窒素を配管２８を通してバブリングし、四塩化ケイ素
と窒素の混合ガスを前記供給管２９，２４を通して前記
リアクタ１１に供給し、前記流動床１２のメッシュ部１
６を通して表面に酸化チタン薄膜が被覆された流動状態
の蛍光体粒子に供給した。なお、前記供給管２９，２４
内での四塩化ケイ素の液化を防ぐために前記供給管２
９，２４をそれぞれ５０℃に加熱した。また、水蒸気供
給源３０の水（温度；２５℃）３１にアルゴンを配管３
３を通してバブリングし、水蒸気とアルゴンの混合ガス
を供給管３４を通して前記流動床１２内の前記蛍光体粒
子に供給した。なお、前記供給管３４内での水蒸気の液
化を防ぐために前記供給管３４を６０℃に加熱した。こ
のような気相成長時の各条件を以下に示す。
内を減圧にした。つづいて、アルゴンを１００℃に加熱
された補助アルゴン供給管３５を通して前記リアクタ１
１に供給し、前記流動床１２のメッシュ部１６を通して
前記蛍光体粒子３８に供給し、流動させた。同時に、四
塩化ケイ素供給源２５の液温８℃の四塩化ケイ素液２６
に窒素を配管２８を通してバブリングし、四塩化ケイ素
と窒素の混合ガスを前記供給管２９，２４を通して前記
リアクタ１１に供給し、前記流動床１２のメッシュ部１
６を通して表面に酸化チタン薄膜が被覆された流動状態
の蛍光体粒子に供給した。なお、前記供給管２９，２４
内での四塩化ケイ素の液化を防ぐために前記供給管２
９，２４をそれぞれ５０℃に加熱した。また、水蒸気供
給源３０の水（温度；２５℃）３１にアルゴンを配管３
３を通してバブリングし、水蒸気とアルゴンの混合ガス
を供給管３４を通して前記流動床１２内の前記蛍光体粒
子に供給した。なお、前記供給管３４内での水蒸気の液
化を防ぐために前記供給管３４を６０℃に加熱した。こ
のような気相成長時の各条件を以下に示す。
【００２４】蛍光体量；１００ｇ 気相成長温度；５０℃ 気相成長圧力；４００〜５００Ｔｏｒｒ ＳｉＣｌ4 ＋Ｎ2 流量；５０ｓｃｃｍ（ ＳｉＣｌ4 液
温８℃） Ｈ2 Ｏ＋アルゴン流量；３００ｓｃｃｍ（ Ｈ2 Ｏ液温
２２℃） 流動補助用アルゴン流量；２００ｓｃｃｍ 気相成長時間；５ｈｒ 前述した四塩化ケイ素および水蒸気の供給により予め酸
化チタン薄膜が成長された蛍光体粒子の表面で次式の反
応が生じて厚さ１０ｎｍの酸化ケイ素薄膜が気相成長さ
れた。
温８℃） Ｈ2 Ｏ＋アルゴン流量；３００ｓｃｃｍ（ Ｈ2 Ｏ液温
２２℃） 流動補助用アルゴン流量；２００ｓｃｃｍ 気相成長時間；５ｈｒ 前述した四塩化ケイ素および水蒸気の供給により予め酸
化チタン薄膜が成長された蛍光体粒子の表面で次式の反
応が生じて厚さ１０ｎｍの酸化ケイ素薄膜が気相成長さ
れた。
【００２５】 ＳｉＣｌ4 ＋２Ｈ2 Ｏ→ＳｉＯ2 ＋４ＨＣｌ 得られた表面に二層構造の防湿被膜が被覆された蛍光体
を用いて図３に示すストリップタイプのＥＬ表示素子を
組み立てた。図３のＥＬ表示素子は、アルミニウムから
なる背面電極４１上にＴｉＢａＯ3 からなる厚さ３０μ
m の絶縁層４２、表面に二層構造の防湿被膜が被覆され
た蛍光体をを含む厚さ５０μm の蛍光層４３およびＩＴ
Ｏのような透明電極４４をこの順序で積層した構造を有
する。端子４５，４６は前記背面電極４１および透明電
極４４にそれぞれ接続されている。
を用いて図３に示すストリップタイプのＥＬ表示素子を
組み立てた。図３のＥＬ表示素子は、アルミニウムから
なる背面電極４１上にＴｉＢａＯ3 からなる厚さ３０μ
m の絶縁層４２、表面に二層構造の防湿被膜が被覆され
た蛍光体をを含む厚さ５０μm の蛍光層４３およびＩＴ
Ｏのような透明電極４４をこの順序で積層した構造を有
する。端子４５，４６は前記背面電極４１および透明電
極４４にそれぞれ接続されている。
【００２６】（比較例１）前述した図１および図２に示
す化学気相成長装置を用いて下記条件でＺｎＳ：Ｃｕか
らなる１００g の蛍光体粒子の表面に厚さ２００ｎｍの
酸化チタン薄膜を気相成長した。
す化学気相成長装置を用いて下記条件でＺｎＳ：Ｃｕか
らなる１００g の蛍光体粒子の表面に厚さ２００ｎｍの
酸化チタン薄膜を気相成長した。
【００２７】蛍光体量；１００ｇ 気相成長温度；２００℃ 気相成長圧力；４００〜５００Ｔｏｒｒ ＴｉＣｌ4 ＋Ｎ2 流量；４００ｓｃｃｍ（ ＴｉＣｌ4
液温３０℃） Ｈ2 Ｏ＋アルゴン流量；３００ｓｃｃｍ（ Ｈ2 Ｏ液温
２２℃） 流動補助用アルゴン流量；２００ｓｃｃｍ 気相成長時間；４ｈｒ 得られた表面に酸化チタン薄膜が被覆された蛍光体を用
いて前述した図３に示すストリップタイプのＥＬ表示素
子を組み立てた。
液温３０℃） Ｈ2 Ｏ＋アルゴン流量；３００ｓｃｃｍ（ Ｈ2 Ｏ液温
２２℃） 流動補助用アルゴン流量；２００ｓｃｃｍ 気相成長時間；４ｈｒ 得られた表面に酸化チタン薄膜が被覆された蛍光体を用
いて前述した図３に示すストリップタイプのＥＬ表示素
子を組み立てた。
【００２８】（比較例２）ＺｎＳ：Ｃｕからなる蛍光体
を用いて前述した図３に示すストリップタイプのＥＬ表
示素子を組み立てた。
を用いて前述した図３に示すストリップタイプのＥＬ表
示素子を組み立てた。
【００２９】（比較例３）ＺｎＳ：Ｃｕからなる蛍光体
を用いて前述した図４に示す全体が防湿フィルムで覆わ
れたＥＬ表示素子を組み立てた。なお、図４の背面電極
１はアルミニウムからなり、絶縁層２はＴｉＢａＯ3 か
らなり、防湿フィルム６はポリクロロテトラフルオロエ
チレンからなる。
を用いて前述した図４に示す全体が防湿フィルムで覆わ
れたＥＬ表示素子を組み立てた。なお、図４の背面電極
１はアルミニウムからなり、絶縁層２はＴｉＢａＯ3 か
らなり、防湿フィルム６はポリクロロテトラフルオロエ
チレンからなる。
【００３０】得られた実施例１および比較例１〜３のＥ
Ｌ表示素子について、温度４０℃、湿度９０％の高温、
高湿雰囲気中、１００Ｖ，４００Ｈｚの条件で作動し、
作動時間と輝度低減率の関係を調べた。その結果を図５
に示す。
Ｌ表示素子について、温度４０℃、湿度９０％の高温、
高湿雰囲気中、１００Ｖ，４００Ｈｚの条件で作動し、
作動時間と輝度低減率の関係を調べた。その結果を図５
に示す。
【００３１】図５から明らかなように表面に二層構造の
防湿被膜が被覆された蛍光体を用いた実施例１の表示素
子（ストリップタイプ）は、表面が酸化チタン薄膜で覆
われた蛍光体を用いた比較例１の表示素子（ストリップ
タイプ）、表面非被覆の蛍光体を用いた比較例２の表示
素子（ストリップタイプ）に比べて高い輝度持続性を有
し、かつ全体が防湿フィルムで覆われた比較例３の表示
素子と同様な優れた輝度持続性を有することがわかる。
防湿被膜が被覆された蛍光体を用いた実施例１の表示素
子（ストリップタイプ）は、表面が酸化チタン薄膜で覆
われた蛍光体を用いた比較例１の表示素子（ストリップ
タイプ）、表面非被覆の蛍光体を用いた比較例２の表示
素子（ストリップタイプ）に比べて高い輝度持続性を有
し、かつ全体が防湿フィルムで覆われた比較例３の表示
素子と同様な優れた輝度持続性を有することがわかる。
【００３２】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、全
体を高価な防湿フィルムで被覆することなく発光寿命特
性の優れたＥＬ表示素子を実現することが可能な防湿被
膜付き蛍光体およびその製造方法を提供することができ
る。
体を高価な防湿フィルムで被覆することなく発光寿命特
性の優れたＥＬ表示素子を実現することが可能な防湿被
膜付き蛍光体およびその製造方法を提供することができ
る。
【図１】蛍光体表面に二層構造の防湿被膜を形成するた
めの化学気相成長装置を示す概略図。
めの化学気相成長装置を示す概略図。
【図２】図１のＡ部の拡大図。
【図３】ストリップタイプのＥＬ表示素子を示す断面
図。
図。
【図４】防湿フィルムで全体が覆われたＥＬ表示素子を
示す断面図。
示す断面図。
【図５】実施例１および比較例１〜３のＥＬ表示素子に
おける高温、高湿雰囲気中での作動時間と輝度低減率の
関係を示す特性図。
おける高温、高湿雰囲気中での作動時間と輝度低減率の
関係を示す特性図。
１１…リアクタ、 １２…流動床、 １９…ヒータ、 ２０…四塩化チタン供給源、 ２５…四塩化ケイ素供給源 ３０…水蒸気供給源、 ３６…ドライポンプ、 ３８…蛍光体粒子、 ４１…背面電極、 ４２…絶縁層、 ４３…蛍光体層、 ４４…透明電極。
Claims (5)
- 【請求項１】 エレクトロルミネッセンス蛍光体の粒子
表面に下層が酸化チタン薄膜、上層が酸化ケイ素薄膜か
らなる二層構造の防湿被膜を被覆したことを特徴とする
防湿被膜付き蛍光体。 - 【請求項２】 エレクトロルミネッセンス蛍光体の粒子
表面に化学気相成長法により酸化チタン薄膜および酸化
ケイ素薄膜をこの順序で成膜することにより二層構造の
防湿被膜を形成することを特徴とする防湿被膜付き蛍光
体の製造方法。 - 【請求項３】 前記粒子表面で四塩化チタンを１５０〜
２００℃の温度で加水分解反応させることにより酸化チ
タン薄膜を成膜することを特徴とする請求項２記載の防
湿被膜付き蛍光体の製造方法。 - 【請求項４】 前記粒子表面でチタンアルコキシドと酸
素とを１００〜１７０℃の温度で反応させることにより
酸化チタン薄膜を成膜することを特徴とする請求項２記
載の防湿被膜付き蛍光体の製造方法。 - 【請求項５】 前記粒子の前記酸化チタン薄膜が存在す
る表面で四塩化ケイ素を２５〜７５℃の温度で加水分解
反応させることにより酸化ケイ素薄膜を成膜することを
特徴とする請求項２ないし４いずれか記載の防湿被膜付
き蛍光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10005743A JPH11204254A (ja) | 1998-01-14 | 1998-01-14 | 防湿被膜付き蛍光体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10005743A JPH11204254A (ja) | 1998-01-14 | 1998-01-14 | 防湿被膜付き蛍光体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204254A true JPH11204254A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11619596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10005743A Pending JPH11204254A (ja) | 1998-01-14 | 1998-01-14 | 防湿被膜付き蛍光体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11204254A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006052250A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | エレクトロルミネッセンス蛍光体、その製造方法、及びエレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2014528657A (ja) * | 2011-10-13 | 2014-10-27 | インテマティックス・コーポレーションＩｎｔｅｍａｔｉｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 厚く均一な二酸化チタンコーティングを有する非常に信頼性の高い光ルミネセンス材料 |
-
1998
- 1998-01-14 JP JP10005743A patent/JPH11204254A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006052250A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | エレクトロルミネッセンス蛍光体、その製造方法、及びエレクトロルミネッセンス素子 |
| US7400085B2 (en) | 2004-08-10 | 2008-07-15 | Fujifilm Corporation | Electroluminescent phosphor, process for producing the same, and electroluminescent device containing the same |
| JP2014528657A (ja) * | 2011-10-13 | 2014-10-27 | インテマティックス・コーポレーションＩｎｔｅｍａｔｉｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 厚く均一な二酸化チタンコーティングを有する非常に信頼性の高い光ルミネセンス材料 |
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