JPH01298681A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPH01298681A JPH01298681A JP63128291A JP12829188A JPH01298681A JP H01298681 A JPH01298681 A JP H01298681A JP 63128291 A JP63128291 A JP 63128291A JP 12829188 A JP12829188 A JP 12829188A JP H01298681 A JPH01298681 A JP H01298681A
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- Japan
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- dielectric layer
- layer
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
- C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
- C09K11/57—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing manganese or rhenium
- C09K11/572—Chalcogenides
- C09K11/574—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/305—Sulfides, selenides, or tellurides
- C23C16/306—AII BVI compounds, where A is Zn, Cd or Hg and B is S, Se or Te
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電極間に電圧を印加することにより発光するｎ
膜エレクトロルミネッセンス素子（以下、薄膜ＥＬ素子
と略称する）に係わり、特に発光体層を硫化亜鉛にマン
ガンをドープした膜（以下ＺｎＳ：Ｍｎ膜と略称する）
とするＥＬ素子に関する。
膜エレクトロルミネッセンス素子（以下、薄膜ＥＬ素子
と略称する）に係わり、特に発光体層を硫化亜鉛にマン
ガンをドープした膜（以下ＺｎＳ：Ｍｎ膜と略称する）
とするＥＬ素子に関する。
近年、分散型ＥＬ素子に代わり、高輝度の薄膜ＥＬ素子
が注目されてきている。
が注目されてきている。
従来このようなＥＬ素子の発光層は、ＥＢ蒸着法、スパ
ッタリング法などにより製膜されているが、ＥＢ蒸着法
においては（１）蒸発ルツボからクラスター状のものが
飛びだし、膜中に１〜１０μｍの欠陥が生じる。（２）
膜中にピンホールなどの欠陥が生じる。（３）蒸発源が
点なので、膜ムラができる等の欠点があり、スパッタリ
ング法においては、（１）ターゲット２次電子によりＺ
ｎＳ ：Ｍｎ膜（発光体層）が損傷を受ける。（２）ス
パッタガスが膜中に混入する。（３）ターゲット表面の
組成がスパッタリング中に変化するなどの欠点があった
。
ッタリング法などにより製膜されているが、ＥＢ蒸着法
においては（１）蒸発ルツボからクラスター状のものが
飛びだし、膜中に１〜１０μｍの欠陥が生じる。（２）
膜中にピンホールなどの欠陥が生じる。（３）蒸発源が
点なので、膜ムラができる等の欠点があり、スパッタリ
ング法においては、（１）ターゲット２次電子によりＺ
ｎＳ ：Ｍｎ膜（発光体層）が損傷を受ける。（２）ス
パッタガスが膜中に混入する。（３）ターゲット表面の
組成がスパッタリング中に変化するなどの欠点があった
。
また、有機亜鉛化合物と有機マンガン化合物と有機硫黄
化合物としてのジメチル硫黄、ジエチル硫黄、硫化水素
などの一種以上を含む原料ガスを気相成長させる、いわ
ゆるＭＯＣＶＤ法により製膜する方法が提案されている
（特開昭６２−９８５９６号）。しかしながら、ジメチ
ル硫黄やジエチル硫黄を用いると基板温度が５００℃以
下では成膜できず、５００℃以上とする必要があるが、
成膜速度が遅いという欠点があり、硫化水素を用いると
気相中で、ジエチルジンク（（Ｃ２Ｈｓ） ｚＺｎ）な
どの有機亜鉛化合物と反応し粉を生じ膜質に悪影響を与
えることは避けられないものであった。
化合物としてのジメチル硫黄、ジエチル硫黄、硫化水素
などの一種以上を含む原料ガスを気相成長させる、いわ
ゆるＭＯＣＶＤ法により製膜する方法が提案されている
（特開昭６２−９８５９６号）。しかしながら、ジメチ
ル硫黄やジエチル硫黄を用いると基板温度が５００℃以
下では成膜できず、５００℃以上とする必要があるが、
成膜速度が遅いという欠点があり、硫化水素を用いると
気相中で、ジエチルジンク（（Ｃ２Ｈｓ） ｚＺｎ）な
どの有機亜鉛化合物と反応し粉を生じ膜質に悪影響を与
えることは避けられないものであった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたもので従来の薄
膜ＥＬ素子の欠点を解消し、製膜時の基板温度が低く、
しかも発光層の結晶配向が良好で、膜の均一性が良好な
ＥＬ素子を提供することを目的とする。
膜ＥＬ素子の欠点を解消し、製膜時の基板温度が低く、
しかも発光層の結晶配向が良好で、膜の均一性が良好な
ＥＬ素子を提供することを目的とする。
本発明は、発光体層の両方の面に、少なくとも一方の面
には誘電体層を介して、一対の電極を設けた薄膜ＥＬ素
子において、発光体層は有機亜鉛化合物と、有機硫黄化
合物としてのメチルメルカプタンかエチルメルカプタン
の一種と、ジシクロペンタジェニルマンガンとを含む原
料ガスを化学的に気相成長させて形成したことを、さら
には、発光体層はこの方法で形成するとともに、誘電体
層はプラズマＣＶＤ法により形成したことを特徴とする
。
には誘電体層を介して、一対の電極を設けた薄膜ＥＬ素
子において、発光体層は有機亜鉛化合物と、有機硫黄化
合物としてのメチルメルカプタンかエチルメルカプタン
の一種と、ジシクロペンタジェニルマンガンとを含む原
料ガスを化学的に気相成長させて形成したことを、さら
には、発光体層はこの方法で形成するとともに、誘電体
層はプラズマＣＶＤ法により形成したことを特徴とする
。
本発明の薄膜ＥＬ素子において、発光体層は特定の原料
ガスを化学的に気相成長させて形成するので、後述する
ように結晶配向性が優れており、発光駆動電圧、すなわ
ちしきい値電圧を低減させ、発光効率を向上させる。ま
た、均一で緻密な膜を精度よく成膜できるということ以
外にも、透明電極をストライプ状に形成した場合の段差
部におけるステップカバレッジが良いので絶縁耐圧を高
め、その結果、膜厚を薄（でき、しきい値電圧を低減さ
せることができる。
ガスを化学的に気相成長させて形成するので、後述する
ように結晶配向性が優れており、発光駆動電圧、すなわ
ちしきい値電圧を低減させ、発光効率を向上させる。ま
た、均一で緻密な膜を精度よく成膜できるということ以
外にも、透明電極をストライプ状に形成した場合の段差
部におけるステップカバレッジが良いので絶縁耐圧を高
め、その結果、膜厚を薄（でき、しきい値電圧を低減さ
せることができる。
さらに、誘電体層をプラズマＣＶＤ法により形成するこ
とにより、真空蒸着法、スパッタ法などのＰＶＤ法に比
較し、膜圧の均一性が良好であり、原料ガスをプラズマ
励起しない熱ＣＶＤ法に比較し、基板温度を低くできる
ので、耐熱性基板を用いる必要がなく、耐熱温度の低い
透明電極に悪影響を与えることもない。また、透明電極
をストライプ状に形成した場合の段差部におけるステッ
プカバレッジが良いので、絶縁耐圧を高め特定原料をＭ
ＯＣＶＤ法で形成した発光体層との組み合わせにより、
−段と発光のしきい値電圧を低減させる作用をする。
とにより、真空蒸着法、スパッタ法などのＰＶＤ法に比
較し、膜圧の均一性が良好であり、原料ガスをプラズマ
励起しない熱ＣＶＤ法に比較し、基板温度を低くできる
ので、耐熱性基板を用いる必要がなく、耐熱温度の低い
透明電極に悪影響を与えることもない。また、透明電極
をストライプ状に形成した場合の段差部におけるステッ
プカバレッジが良いので、絶縁耐圧を高め特定原料をＭ
ＯＣＶＤ法で形成した発光体層との組み合わせにより、
−段と発光のしきい値電圧を低減させる作用をする。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の薄膜ＥＬ素子を示す断面図、第２図、
第３図は本発明のＥＬ素子において、それぞれ誘電体層
、発光体層を形成するための装置の概略図、第４図、第
５図は、それぞれ本発明のＥＬ素子の電圧−輝度特性お
よび発光体層のＸ線回折パターンである。
第３図は本発明のＥＬ素子において、それぞれ誘電体層
、発光体層を形成するための装置の概略図、第４図、第
５図は、それぞれ本発明のＥＬ素子の電圧−輝度特性お
よび発光体層のＸ線回折パターンである。
大豊■工
無アルカリガラスなどの透明基板１上に有機錫化合物と
フッ素化合物を含む加熱蒸気を原料としてＣＶＤ法によ
りＳＳｎ０ｚ１を形成させて、その後ＨＣＩ水溶液にコ
ーンスターチを懸濁させ、亜鉛粉末を添加したスラリー
によりエツチングしてストライプ状の透明電極２とする
。
フッ素化合物を含む加熱蒸気を原料としてＣＶＤ法によ
りＳＳｎ０ｚ１を形成させて、その後ＨＣＩ水溶液にコ
ーンスターチを懸濁させ、亜鉛粉末を添加したスラリー
によりエツチングしてストライプ状の透明電極２とする
。
次に、第２図にしめずプラズマＣＶＤ装置３を用いて、
まず、ＳｉＨ，ガスとＮ２０ガスを原料として、基板温
度３７５℃、ガス圧力０．３Ｔｏｒｒ、放電ハ’７−０
．４４ｗ／ａｄなる条件テ５０ＯＡ厚さ）ＳｉＯ２膜４
を形成、さらに同装置によりＳｉＨ，ガスとＮ２ガスを
原料として、基板温度３７５℃、ガス圧力０．２６〜０
．２８Ｔｏｒｒ、放電パワー０．４４ｗ／ａ（なる条件
で、１５００Ａ厚さのＳｉ３Ｎ４膜５を形成、２層から
なる第１誘電体層６とする。
まず、ＳｉＨ，ガスとＮ２０ガスを原料として、基板温
度３７５℃、ガス圧力０．３Ｔｏｒｒ、放電ハ’７−０
．４４ｗ／ａｄなる条件テ５０ＯＡ厚さ）ＳｉＯ２膜４
を形成、さらに同装置によりＳｉＨ，ガスとＮ２ガスを
原料として、基板温度３７５℃、ガス圧力０．２６〜０
．２８Ｔｏｒｒ、放電パワー０．４４ｗ／ａ（なる条件
で、１５００Ａ厚さのＳｉ３Ｎ４膜５を形成、２層から
なる第１誘電体層６とする。
そして、第３図に示すＭＯＣＶＤ装置７を用いて、有機
亜鉛化合物としてジエチル亜鉛（（Ｃ２Ｉｓ） ｚＺｎ
） （以下、ＤＥＺと略称する）と有機硫黄化合物と
してのメチルメルカプタン（Ｃ）１．ＳＨ）かエチルメ
ルカプタン（ＣｚＨｓＳＨ） （以下、ＥＭＣと略称す
る）の一種と有機マンガン化合物としてのジシクロペン
タジェニルマンガン（（ｃｓｎｓ）ｚＭｎ）を含む原料
ガスを基板温度４５０℃、反応圧力９ ＴｏｒｒＳＤ
Ｅ Ｚ流量２．２Ｘ１０−５ｍｏｌ／ｍｉｎ、 ＥＭＣ
流量４．５Ｘ１０−’ｍｏｌ／ｍｉｎ、 （ＣｓＨｓ）
ｚＭｎは昇華温度８０℃、キャリアガス流量４０１Ｒ１
／ｍｉｎなる条件で５００ＯＡ厚さのＭｎがドープされ
たＺｎＳ膜（ＺｎＳ：Ｍｎ）を′形成、発光体層８とす
る。
亜鉛化合物としてジエチル亜鉛（（Ｃ２Ｉｓ） ｚＺｎ
） （以下、ＤＥＺと略称する）と有機硫黄化合物と
してのメチルメルカプタン（Ｃ）１．ＳＨ）かエチルメ
ルカプタン（ＣｚＨｓＳＨ） （以下、ＥＭＣと略称す
る）の一種と有機マンガン化合物としてのジシクロペン
タジェニルマンガン（（ｃｓｎｓ）ｚＭｎ）を含む原料
ガスを基板温度４５０℃、反応圧力９ ＴｏｒｒＳＤ
Ｅ Ｚ流量２．２Ｘ１０−５ｍｏｌ／ｍｉｎ、 ＥＭＣ
流量４．５Ｘ１０−’ｍｏｌ／ｍｉｎ、 （ＣｓＨｓ）
ｚＭｎは昇華温度８０℃、キャリアガス流量４０１Ｒ１
／ｍｉｎなる条件で５００ＯＡ厚さのＭｎがドープされ
たＺｎＳ膜（ＺｎＳ：Ｍｎ）を′形成、発光体層８とす
る。
さらに、Ｓｉ３Ｎ４膜９．５ｔｏｔ膜１０の順に前述の
ＣＶＤ法によりそれぞれ１５００Ａ厚さ、５００Ａ厚さ
に積層、第２誘電体層１１とし、この上にＡＩ等よりな
る背面電極１２を透明電極２とクロスするようにストラ
イブ状に形成してｔａｌｌ！ＪＥＬ素子とする。
ＣＶＤ法によりそれぞれ１５００Ａ厚さ、５００Ａ厚さ
に積層、第２誘電体層１１とし、この上にＡＩ等よりな
る背面電極１２を透明電極２とクロスするようにストラ
イブ状に形成してｔａｌｌ！ＪＥＬ素子とする。
このようにして得られたＥＬ素子の透明電極２と背面電
極１２の間にＩＫＩ（ｚの交流電圧を印加して発光させ
たところ第４図■に示すような電圧−輝度特性が得られ
、輝度１ｃｄ／ ｒｄにおける駆動電圧（しきい値電圧
）が９０Ｖとなり極めて低いことが、また傾き（輝度／
電圧）も急であり、１０００ｃｄ／ ｒｄ程度までの電
圧−輝度特性が優れていることがわかる。
極１２の間にＩＫＩ（ｚの交流電圧を印加して発光させ
たところ第４図■に示すような電圧−輝度特性が得られ
、輝度１ｃｄ／ ｒｄにおける駆動電圧（しきい値電圧
）が９０Ｖとなり極めて低いことが、また傾き（輝度／
電圧）も急であり、１０００ｃｄ／ ｒｄ程度までの電
圧−輝度特性が優れていることがわかる。
また、ガラス基板上に形成した発光体層として機能する
ＺｎＳ：Ｍｎ膜の結晶構造をＸ線回折法によって調べた
ところ、第５図に示すようなＸ線回折パターンが得られ
ピークが一個所だけにしかも鋭く現われており、膜面に
対して垂直方向に柱状に配向し、結晶配向性が優れてい
ることがわかる。
ＺｎＳ：Ｍｎ膜の結晶構造をＸ線回折法によって調べた
ところ、第５図に示すようなＸ線回折パターンが得られ
ピークが一個所だけにしかも鋭く現われており、膜面に
対して垂直方向に柱状に配向し、結晶配向性が優れてい
ることがわかる。
実施例２
第１誘電体６と第２誘電体層１１における５ｉＪｎ１５
．９をそれぞれ反応時間を長（して２５０ＯＡとした以
外は実施例１と同じ構成にしたもので、このようにして
得られたＥＬ素子の電圧−輝度特性を測定したところ、
第４図■に示すようになり、良好な特性を奏することが
わかる。
．９をそれぞれ反応時間を長（して２５０ＯＡとした以
外は実施例１と同じ構成にしたもので、このようにして
得られたＥＬ素子の電圧−輝度特性を測定したところ、
第４図■に示すようになり、良好な特性を奏することが
わかる。
以上、好適な実施例により説明したが、本発明はこれら
に限定されるものではなく、種々の応用が可能である。
に限定されるものではなく、種々の応用が可能である。
発光体層のＺｎＳ ： Ｍｎ膜について、有機亜鉛化合
物としてジエチル亜鉛以外にも、ジメチル亜鉛（ＣＨｓ
）ｚＺｎを用いても同等の特性を有する薄膜ＥＬ素子を
得ることができる。
物としてジエチル亜鉛以外にも、ジメチル亜鉛（ＣＨｓ
）ｚＺｎを用いても同等の特性を有する薄膜ＥＬ素子を
得ることができる。
誘電体層について、第１、第２誘電体とも５ｉ３ＮＪＩ
とＳｉＯ□膜の２層構造にすると、互いにピンホール、
クラスターなどを埋め合うことにより １絶縁耐圧が
向上するので好ましいが、どちらか−層としてもよく、
あるいはその他の誘電体層、例えばＴｉ１ｔＳＡｈ０３
などを用いてもよい。また、第１誘電体層と第２誘電体
層を設けて発光体層を挟持する構造にする方が絶縁上好
ましいが、第２誘電体層を省いて、第１誘電体層のみと
する構造とすることも可能である。
とＳｉＯ□膜の２層構造にすると、互いにピンホール、
クラスターなどを埋め合うことにより １絶縁耐圧が
向上するので好ましいが、どちらか−層としてもよく、
あるいはその他の誘電体層、例えばＴｉ１ｔＳＡｈ０３
などを用いてもよい。また、第１誘電体層と第２誘電体
層を設けて発光体層を挟持する構造にする方が絶縁上好
ましいが、第２誘電体層を省いて、第１誘電体層のみと
する構造とすることも可能である。
本発明に係るｌ！ＷＭＥＬ素子は発光体層（ＺｎＳ：Ｍ
ｎ膜）を特定の原料ガスを化学的に気相成長させて形成
することによりＺｎＳ ： ＭｎＷＡの結晶配向性が優
れ、透明電極をストライプ状にしたときのカバレッジの
良さ、さらには、誘電体層をプラズマＣＶＤ法により形
成したときのカバレッジの良さとあいまってしきい値電
圧を低減させ、発光効率を向上させることができる。
ｎ膜）を特定の原料ガスを化学的に気相成長させて形成
することによりＺｎＳ ： ＭｎＷＡの結晶配向性が優
れ、透明電極をストライプ状にしたときのカバレッジの
良さ、さらには、誘電体層をプラズマＣＶＤ法により形
成したときのカバレッジの良さとあいまってしきい値電
圧を低減させ、発光効率を向上させることができる。
また、発光体層、誘電体層とも膜の均一性、緻密性が良
好であり、絶縁耐圧が高いなどの効果を奏するものであ
る。
好であり、絶縁耐圧が高いなどの効果を奏するものであ
る。
第１図は本発明の薄膜ＥＬ素子を示す断面図、第２図、
第３図は本発明のＥＬ素子において、それぞれ誘電体層
、発光体層を形成するための装置の概略図、第４図、第
５図は、それぞれ本発のＥＬ素子の電圧−輝度特性およ
び発光体層のＸ線回折パターンである。 １−〜−−透明基板、 ２−一一一透明電極、６−
−−−第１誘電体層、８−−−一発光体層、１１〜−−
一第２誘電体層、１２−−−一背面電極特許出願人 セ
ントラル硝子株式会社 第１図 第２図 第３図
第３図は本発明のＥＬ素子において、それぞれ誘電体層
、発光体層を形成するための装置の概略図、第４図、第
５図は、それぞれ本発のＥＬ素子の電圧−輝度特性およ
び発光体層のＸ線回折パターンである。 １−〜−−透明基板、 ２−一一一透明電極、６−
−−−第１誘電体層、８−−−一発光体層、１１〜−−
一第２誘電体層、１２−−−一背面電極特許出願人 セ
ントラル硝子株式会社 第１図 第２図 第３図
Claims (2)
- （１） 発光体層の両方の面に、少なくとも一方の面に
は誘電体層を介して、一対の電極を設けた薄膜ＥＬ素子
において、発光体層は有機亜鉛化合物と、有機硫黄化合
物としてのメチルメルカプタンかエチルメルカプタンの
一種と、ジシクロペンタジエニルマンガンとを含む原料
ガスを化学的に気相成長させて形成したことを特徴とす
る薄膜ＥＬ素子。 - （２） 発光体層の両方の面に、少なくとも一方の面に
は誘電体層を介して、一対の電極を設けた薄膜ＥＬ素子
において、発光体層は有機亜鉛化合物と、有機硫黄化合
物としてのメチルメルカプタンかエチルメルカプタンの
一種と、ジシクロペンタジエニルマンガンとを含む原料
ガスを化学的に気相成長させて形成するとともに、誘電
体層はプラズマＣＶＤ法により形成したことを特徴とす
る薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63128291A JPH077713B2 (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 薄膜ｅｌ素子 |
| US07/357,218 US4981712A (en) | 1988-05-27 | 1989-05-26 | Method of producing thin-film electroluminescent device using CVD process to form phosphor layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63128291A JPH077713B2 (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01298681A true JPH01298681A (ja) | 1989-12-01 |
| JPH077713B2 JPH077713B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=14981178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63128291A Expired - Lifetime JPH077713B2 (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4981712A (ja) |
| JP (1) | JPH077713B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5300316A (en) * | 1991-12-11 | 1994-04-05 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Method of forming thin oxysulfide film |
| US5432015A (en) * | 1992-05-08 | 1995-07-11 | Westaim Technologies, Inc. | Electroluminescent laminate with thick film dielectric |
| JP3618110B2 (ja) * | 1993-08-30 | 2005-02-09 | 株式会社デンソー | エレクトロルミネッセンス素子の製法 |
| JP3564737B2 (ja) * | 1994-06-24 | 2004-09-15 | 株式会社デンソー | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および製造装置 |
| US5837320A (en) * | 1996-02-27 | 1998-11-17 | The University Of New Mexico | Chemical vapor deposition of metal sulfide films from metal thiocarboxylate complexes with monodenate or multidentate ligands |
| CN1960811A (zh) * | 2004-05-27 | 2007-05-09 | 亚利桑那西格玛实验室公司 | 大面积电致发光光发射设备 |
| FR2931087B1 (fr) * | 2008-05-19 | 2011-01-14 | Eurocopter France | Procede pour fabriquer un substrat electriquement non conducteur peint |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0666153B2 (ja) * | 1985-10-25 | 1994-08-24 | 日本電信電話株式会社 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
| JPH0744069B2 (ja) * | 1985-12-18 | 1995-05-15 | キヤノン株式会社 | 電場発光素子の製造方法 |
-
1988
- 1988-05-27 JP JP63128291A patent/JPH077713B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-05-26 US US07/357,218 patent/US4981712A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH077713B2 (ja) | 1995-01-30 |
| US4981712A (en) | 1991-01-01 |
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