JPH11206183A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 複数個の半導体モジュールを含み形成されたインバータ回路を回転電機に内蔵して成る回転電機内蔵用インバータであって、
   前記半導体モジュールを構成するパワートランジスタ及びダイオードは、
   Ｔｊ＝160℃以上〜300℃以下のジャンクション温度特性を有していることを特徴とする回転電機内蔵用インバータ。
2. 請求項１記載の回転電機内蔵用インバータにおいて、
   前記パワートランジスタは、ＳｉＣ組成材を用いたＳＩＴ型半導体から成り、
   前記ダイオードは、ＳｉＣ組成材を用いたＳｉＣ形ダイオードから成ることを特徴とする回転電機内蔵用インバータ。
3. 複数個の半導体モジュールを含み形成されたインバータ回路を回転電機に内蔵して成る回転電機内蔵用インバータであって、
   前記半導体モジュールを構成するパワートランジスタは、ＳｉＣ組成材からなり、Ｔｊ＝ 160 ℃以上〜 300 ℃以下のジャンクション温度特性を有しており、
   前記パワートランジスタは、ＳＩＴ形半導体であり、
   前記半導体モジュールは、前記回転電機に熱的に接触してなることを特徴とする回転電機内蔵用インバータ。
4. 請求項３記載の回転電機内蔵用インバータにおいて、
   前記ＳＩＴ形半導体のオン抵抗は、両対数グラフ上において、定格電圧６００Ｖで１ｍΩ・ｃｍ２の点と定格電圧２０００Ｖで２０ｍΩ・ｃｍ２の点を結ぶ直線上の値以下であり、かつ、定格電圧６００Ｖで０．１ｍΩ・ｃｍ２の点と定格電圧２０００Ｖで１．２ｍΩ・ｃｍ２の点を結ぶ直線上の値以上であることを特徴とする回転電機内蔵用インバータ。
5. 請求項１乃至４のいずれか一に記載の回転電機内蔵用インバータにおいて、
   前記複数個の半導体モジュールは、前記回転電機の各相巻線に対して熱的に接触してなることを特徴とする回転電機内蔵用インバータ。
6. 請求項５記載の回転電機内蔵用インバータにおいて、
   前記複数個の半導体モジュールは、正極及び負極の電極によって圧設された圧設構造であり、該正極又は負極のいずれか一方が前記回転電機の前記各相巻線に対して熱的に接触してなることを特徴とする回転電機内蔵用インバータ。
7. 請求項６記載の回転電機内蔵用インバータにおいて、
   前記圧設構造をした前記半導体モジュールは、前記正極及び前記負極の間に平滑用コンデンサを一体化して組み立ててなることを特徴とする回転電機内蔵用インバータ。
8. 複数個の半導体モジュールを含み形成されたインバータ回路を回転電機に内蔵して成る回転電機内蔵用インバータであって、
   前記半導体モジュールを構成するパワートランジスタは、ＳｉＣ組成材からなり、Ｔｊ＝ 160 ℃以上〜 300 ℃以下のジャンクション温度特性を有しており、
   前記パワートランジスタは、ＳＩＴ型半導体であり、
   前記回転電機内蔵用インバータは、前記回転電機のステータコイルに直接接続されていることを特徴とする回転電機内蔵用インバータ。
9. 請求項３乃至８のいずれか一に記載の回転電機内蔵用インバータにおいて、
   前記半導体モジュールは、ダイオードを備えていることを特徴とする回転電機内蔵用イ ンバータ。
10. 複数個の半導体モジュールにより形成されたインバータを内蔵するインバータ内蔵形回転電機であって、
    前記インバータの前記半導体モジュールを構成するパワートランジスタ及びダイオードは、Ｔｊ＝160℃以上〜300℃以下のジャンクション温度特性を有していることを特徴とするインバータ内蔵形回転電機。
11. 請求項１０記載のインバータ内蔵形回転電機において、
    前記半導体モジュールの前記パワートランジスタ及び前記ダイオードの前記Ｔｊを、220℃以上〜300℃以下の範囲としたことを特徴とするインバータ内蔵形回転電機。
12. 請求項１１記載のインバータ内蔵形回転電機において、
    前記半導体モジュールは、前記インバータ内蔵形回転電機のステータコイルエンド近傍に配設されていることを特徴とするインバータ内蔵形回転電機。
13. 複数個の半導体モジュールにより形成されたインバータを内蔵するインバータ内蔵形回転電機であって、
    前記半導体モジュールを構成するパワートランジスタは、ＳｉＣ組成材からなり、Ｔｊ＝ 160 ℃以上〜 300 ℃以下のジャンクション温度特性を有しており、
    前記パワートランジスタは、ＳＩＴ形半導体であり、
    前記半導体モジュールは、前記回転電機に熱的に接触してなることを特徴とするインバータ内蔵形回転電機。