JPH11209115A - 高純度ｃ／ｃコンポジットおよびその製造方法 - Google Patents

高純度ｃ／ｃコンポジットおよびその製造方法

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JPH11209115A JP10011596A JP1159698A JPH11209115A JP H11209115 A JPH11209115 A JP H11209115A JP 10011596 A JP10011596 A JP 10011596A JP 1159698 A JP1159698 A JP 1159698A JP H11209115 A JPH11209115 A JP H11209115A
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Toshiji Hiraoka
利治 平岡
Kiyousuke Matsumoto
強資 松本
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Toyo Tanso Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高温下で十分に大きな機械的強度を有すると
共に不純物が極めて低減された高純度Ｃ／Ｃコンポジッ
トとする。 【解決手段】 炭素繊維の成形体にマトリックスを充填
して黒鉛化することにより形成されたものである。黒鉛
化前に少なくとも炭素繊維が高純度化処理され、黒鉛化
後にマトリックスを充填された成形体が高純度化処理さ
れている。そして、マトリックスは、高純度樹脂または
化学蒸着法により充填される熱分解炭素である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高純度化処理によ
り不純物が極めて低減された高純度Ｃ／Ｃコンポジット
およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体用ウエハ等の材料となるバルク結
晶を製造するＣＺ装置は、図２に示すように、石英るつ
ぼ１の周囲に配置されたヒーター２で石英るつぼ１内の
原料を高温に加熱して原料融液３とし、この原料融液３
を高真空下で引き上げながらバルク結晶４とするもので
ある。
【０００３】従って、石英るつぼ１を支持するルツボ５
やヒーター２の輻射熱を受けるアッパーリング６、イン
ナーシールド７等の構造部材は、バルク結晶４の作成時
に高温になるため、高温になっても所定の機械的強度を
維持する材料で形成する必要がある。さらに、上記の構
造部材は、部材中に含まれた金属等の不純物が製造時に
漏洩すると、バルク結晶４の純度を低下させる要因にな
るため、不純物の少ない材料で形成する必要もある。そ
こで、ＣＺ装置の構造部材には、通常、高温時の機械的
特性が優れ、且つ不純物の少ない高純度黒鉛材が使用さ
れている（特公平６−３５３２５号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
高純度黒鉛材では、機械的強度に限界があるため、近年
におけるウエハの大面積化に対応するようにＣＺ装置を
大型化させようとした場合、ルツボ５等の構造部材が高
純度黒鉛材の機械的強度の制限を受けることによって、
ウエハの大面積化に十分に対応したＣＺ装置とすること
が困難であるという問題がある。
【０００５】また、高純度黒鉛材に代えて極めて大きな
機械的強度を有したＣ／ＣコンポジットをＣＺ装置の構
造部材に適用することも考えられているが、この場合に
は、Ｃ／Ｃコンポジット中の不純物の漏洩量が構造部材
の大型化に比例して増大するため、不純物の発生量を許
容範囲内に収めるように構造部材の大型化を制限するこ
とが必要となって、ウエハの大面積化に十分に対応した
ＣＺ装置とすることが困難であるという問題がある。
尚、このような問題は、高温下で十分に大きな機械的強
度を有しながら不純物の漏洩量を低減された材料で構成
されることを必要とする例えば原子力や航空宇宙等の各
種の分野で生じている。
【０００６】そこで、本発明は、高温下で十分に大きな
機械的強度を有すると共に不純物が極めて低減された高
純度Ｃ／Ｃコンポジットおよびその製造方法を提供しよ
うとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の高純度Ｃ／Ｃコンポジットは、炭素繊維の
成形体にマトリックスを充填して黒鉛化することにより
形成されたものであって、前記黒鉛化前に少なくとも前
記炭素繊維が高純度化処理され、前記黒鉛化後に前記マ
トリックスを充填された成形体が高純度化処理されてい
ることを特徴としている。
【０００８】上記の構成において、炭素繊維の成形体に
マトリックスを充填して黒鉛化すると、炭素繊維が繊維
状の黒鉛になり、この繊維状の黒鉛からなる繊維部分の
周囲には、マトリックス中の炭素が膜状の黒鉛として付
着した状態となる。即ち、高純度Ｃ／Ｃコンポジット
は、黒鉛からなる繊維部分とこの繊維部分を覆う膜部分
とを備えた構成となる。そして、この構成によれば、黒
鉛自体が不純物を外部に放出し難い緻密な構造であり、
さらに、このような構造の黒鉛からなる繊維部分が膜部
分で覆われて外部と遮断された状態になるため、外側の
膜部分側から中心側の繊維部分側にかけて不純物を放出
し難い状態となる。
【０００９】従って、例えば黒鉛化後に高純度化処理し
ただけであると、黒鉛からなる外側の膜部分の表層部に
存在する不純物が主に除去され、中心側に位置する膜部
分の深部から繊維部分にかけての不純物の除去が困難に
なるが、黒鉛化前に少なくとも炭素繊維を高純度化処理
しておけば、黒鉛化した繊維部分を極めて高純度化した
状態で得ることができる。これにより、繊維部分を予め
炭素繊維の状態で高純度化処理し、黒鉛化後の高純度化
処理により膜部分を主に高純度化処理することによっ
て、これら繊維部分および膜部分からなる高純度Ｃ／Ｃ
コンポジットを全体として極めて高純度化（不純物が２
０ｐｐｍ以下）した状態で得ることができる。
【００１０】ここで、上記の炭素繊維には、ＰＡＮ系お
よびＰｉｃｈ系の炭素繊維を使用することができるが、
Ｐｉｃｈ系の炭素繊維を使用することが好ましい。この
理由は、Ｐｉｃｈ系の炭素繊維は、元々の純度が高いか
らであると共に、高純度化処理で使用されるハロゲン系
ガスと反応し易いラジアル構造であるため、高純度化さ
れ易いという性質を有しているからである。また、黒鉛
化前に高純度化処理された炭素繊維は、全体として極め
て高純度化（不純物が２０ｐｐｍ以下）した状態を確実
に得ることができるように、不純物が６０ｐｐｍ以下で
あることが望ましい。また、炭素繊維は、マトリックス
を充填する前に単独で高純度化処理されても良いし、マ
トリックスを充填した成形体の状態で黒鉛化前にマトリ
ックスと共に高純度化処理されても良い。
【００１１】また、マトリックスは、高純度樹脂または
化学蒸着法により充填される熱分解炭素であることが望
ましい。この理由は、高純度樹脂や熱分解炭素をマトリ
ックスに使用すると、このマトリックスにより形成され
た膜部分の深層部に存在する不純物が黒鉛化前に予め低
減された状態になるため、高純度Ｃ／Ｃコンポジットを
より一層高純度化した状態で得ることができるからであ
る。そして、マトリックスに高純度樹脂を用いた場合に
は、高純度Ｃ／Ｃコンポジットの不純物を１０ｐｐｍ以
下にすることができ、マトリックスに熱分解炭素を用い
た場合には、高純度Ｃ／Ｃコンポジットの不純物を５ｐ
ｐｍ以下にすることができる。尚、高純度樹脂には、フ
ェノール（レゾール，ノボラック）、フラン、ポリイミ
ド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリカル
ボジイミド、ビスアリルナジイミド等の樹脂群から選ば
れた１つまたは特性を損なわない範囲で組み合わせて使
用することができる。尚、必要に応じて溶剤を用いて使
用する。また、熱分解炭素には、メタンやプロパン等の
脂肪族系の炭化水素、ベンゼンやトルエン、キシレン等
の芳香族系の炭化水素、ジクロロエチレンやジクロロメ
タン、トリクロロメタン、トリクロロエチレン等の含塩
素炭化水素から選ばれた１つまたはこれらの組み合わせ
を用いることができる。
【００１２】上記の高純度Ｃ／Ｃコンポジットは、図２
に示すように、バルク結晶を製造するＣＺ装置の構造部
材に用いることができる。具体的には、ルツボ５やアッ
パーリング６、インナーシールド７、ロアーリング８、
下部ヒーター９、断熱板１０、スピルトレイ１１等の構
造部材に用いることができる。さらに、高純度Ｃ／Ｃコ
ンポジットは、原子力用の核融合装置のプラズマ対向第
１壁やダイバータタイル、宇宙航空用のアプレーション
材等に用いることができる。
【００１３】次に、本発明の高純度Ｃ／Ｃコンポジット
の製造方法を説明する。高純度Ｃ／Ｃコンポジットは、
炭素繊維を所定の成形体に形成する成形工程と、成形体
にマトリックスを充填する充填工程と、マトリックスが
充填された成形体を炭化する炭化工程と、黒鉛化処理す
る黒鉛化工程と、黒鉛化工程の前工程中に設けられ、炭
素繊維を高純度化処理する第１高純度化工程と、黒鉛化
工程の後工程中に設けられ、黒鉛化された成形体を高純
度化処理する第２高純度化工程とを有した製造方法によ
り作成されている。
【００１４】ここで、第１高純度化工程は、加熱温度が
１８００〜２２００℃の範囲で２０００℃の平均温度、
加熱時間が５〜３０時間、不純物を除去するための反応
ガスがハロゲンガスを高純度化処理の条件としている。
また、第２高純度化工程は、第１高純度化工程の加熱温
度（１８００〜２２００℃）よりも少し高い温度（＋１
００〜２００℃）とし、加熱温度が２０００〜２４００
℃の範囲で２１００℃の平均温度、加熱時間が５〜３０
時間、不純物を除去するための反応ガスがハロゲンを高
純度化処理の条件としている。
【００１５】上記の製造方法によれば、黒鉛化工程の前
工程中に設けられた第１高純度化工程において、予め炭
素繊維が高純度化処理されるため、黒鉛化工程で黒鉛化
した炭素繊維による繊維部分が極めて高純度化した状態
となる。従って、黒鉛化後の第２高純度化工程において
マトリックスによる膜部分を主に高純度化処理すること
によって、これら繊維部分および膜部分からなる高純度
Ｃ／Ｃコンポジットを全体として極めて高純度化した状
態で得ることができる。
【００１６】尚、上記の製造方法における充填工程は、
熱分解炭素からなるマトリックスを化学蒸着法（ＣＶＩ
法）により成形体に付着させながら充填するようになっ
ていることが望ましい。この理由は、化学蒸着法により
炭素をガス状にしてから成形体に付着させると、マトリ
ックスを樹脂からなる場合よりも不純物の少ない状態で
マトリックスを炭素繊維の成形体に充填させることがで
きる。従って、マトリックスによる膜部分の深層部に存
在する不純物が黒鉛化前に予め低減された状態になるた
め、高純度Ｃ／Ｃコンポジットをより一層高純度化した
状態で得ることができるからである。
【００１７】また、上記の製造方法においては、充填工
程と黒鉛化工程と第２高純度化工程とを繰り返すことに
よって、成形体をマトリックスで緻密化する緻密化工程
を有していることが望ましい。この理由は、緻密化工程
中に第２高純度化工程を含ませると、マトリックスの膜
部分が黒鉛化される一層毎に、各層の膜部分を第２高純
度化工程において高純度化させることができる。従っ
て、全層の膜部分を黒鉛化した緻密化の完了後に高純度
化処理する場合よりも膜部分の不純物を低減させること
ができるため、高純度Ｃ／Ｃコンポジットをより一層高
純度化した状態で得ることができるからである。
【００１８】以上の製造方法を図１のフローチャートに
基づいて詳細に説明する。先ず、ＰＡＮ系やピッチ系の
炭素繊維を準備し（Ｓ１）、この炭素繊維を高純度化処
理（第１高純度化工程）する。即ち、炭素繊維を反応容
器内に投入し、常圧下でハロゲン系ガスと接触させる。
尚、ハロゲン系ガスとは、ハロゲンまたはその化合物の
ガスのことであり、例えば塩素や塩素化合物、フッ素、
フッ素化合物を用いることができると共に、塩素とフッ
素とを同一分子内に含む化合物（モノクロロトリフルオ
ルメタン、トリクロロモノフルオルメタン、ジクロルフ
ルオルエタン、トリクロロモノフルオルエタン等）を用
いることができる。
【００１９】そして、ハロゲン系ガスとの接触により炭
素繊維に含まれる不純物、特に金属不純物がハロゲン化
物として析出すると、反応容器内を減圧することにより
ハロゲン化物の蒸気圧を上昇させることによって、ハロ
ゲン化物を蒸発および揮散させて炭素繊維から除去す
る。この後、水素ガスを反応容器内に供給し、硫黄分等
の不純物を水素化物として析出させることにより除去す
る（Ｓ２）。
【００２０】上記の高純度化処理により炭素繊維の不純
物を除去すると、次いで、炭素繊維を所定形状の成形体
となるように成形する（Ｓ３）。そして、この成形体に
対するマトリックスの充填処理を選択する（Ｓ４）。含
浸法による充填処理を選択した場合には、熱硬化性樹脂
や熱可塑性ピッチをマトリックスとして準備し、このマ
トリックスを液状にして成形体の隙間に充填する（Ｓ
５）。
【００２１】次に、マトリックスの充填された成形体を
加熱炉に収容する。尚、加熱炉は、成形体を収容する収
容チャンバと、収容チャンバを真空状態に減圧可能な真
空系と、収容チャンバに対してハロゲン系ガス等の各種
のガスを給排出可能なガス給排出系と、収容チャンバに
収容された成形体を任意の温度に加熱可能な高周波コイ
ルおよび黒鉛ヒータを備えた加熱装置とを有している。
【００２２】そして、収容チャンバに窒素ガスを供給
し、収容チャンバ内の空気を窒素ガスで置換した後、真
空状態に減圧することによって、チャンバ内を非酸化性
の雰囲気にする。この後、加熱装置を作動させることに
より成形体を加熱し、成形体を例えば８００〜１０００
℃の温度で焼成することによって、成形体の炭素化処理
を行う（Ｓ７）。炭素化処理が終了すると、黒鉛化処理
するか否かを判断し（Ｓ８）、黒鉛化処理しないのであ
れば（Ｓ８，ＮＯ）、上述のＳ４における充填処理を選
択してマトリックスの充填を行うことにより成形体を緻
密化する。一方、黒鉛化処理するのであれば（Ｓ８，Ｙ
ＥＳ）、成形体を徐々に昇温させ、例えば２０００〜２
５００℃の温度で所定時間保持することによって、成形
体の黒鉛化処理（黒鉛化工程）を行う（Ｓ９）。
【００２３】一方、Ｓ４において、ＣＶＩ（Chemical V
apor Impregnation ）法による充填処理を選択した場合
には、炭化水素（メタンやプロパン、ベンゼン、ジクロ
ロエチレン等）をマトリックスとして準備する。そし
て、炭化水素を７００〜２０００℃に加熱してガス状の
熱分解炭素とし、この熱分解炭素を成形体の炭素繊維に
付着させることにより充填する（Ｓ６）。この後、成形
体を加熱炉に収容し、上述と同様の動作で黒鉛化処理
（黒鉛化工程）を行う（Ｓ９）。
【００２４】黒鉛化処理が終了すると、収容チャンバ内
の真空状態を維持しながら、ハロゲン系ガスを供給し、
ハロゲン系ガスとの接触により成形体に含まれる不純
物、特に金属不純物をハロゲン化物として析出させる。
そして、ハロゲン化物を収容チャンバ内に蒸発させ、ハ
ロゲン系ガス等と共にハロゲン化物を収容チャンバから
排出することによって、成形体の高純度化処理（第２高
純度化工程）を行う（Ｓ１０）。尚、高純度化処理にお
いて、ハロゲン化物の除去を終了した後、ハロゲン系ガ
スから水素ガスに切り換えて供給することによって、硫
黄分等の不純物をさらに除去するようになっていても良
い。
【００２５】次に、製品仕様に基づいて、成形体の緻密
化処理を行うか否かを判断する（Ｓ１１）。緻密化処理
を行うのであれば（Ｓ１１，ＮＯ）、上述の緻密化処理
（Ｓ４〜Ｓ１１）を繰り返し、高純度化処理（Ｓ１０）
において、新たに充填されたマトリックスによる層部分
の不純物を除去する。そして、製品仕様に対応した緻密
な成形体が得られた場合には、緻密化処理を行わないと
判断し（Ｓ１１，ＹＥＳ）、所望の高純度Ｃ／Ｃコンポ
ジットを作成する。
【００２６】尚、上述の製造方法においては、緻密化処
理（Ｓ４〜Ｓ１１）中に黒鉛化処理（Ｓ９）および高純
度化処理（Ｓ１０）を行っているが、緻密化処理の終了
後に黒鉛化処理および高純度化処理を行うようになって
いても良い。
【００２７】
【実施例】本発明を以下の実施例により具体的に説明す
るが、本発明の実施態様は、以下の実施例に限定される
ものではない。
【００２８】実施例１ 先ず、ピッチ系の炭素繊維（ダイヤリードＫ３２１）を
準備し、炭素繊維の不純物を２０００℃の雰囲気下でハ
ロゲンガスと反応させて除去することにより高純度化処
理を行った後、高純度化した炭素繊維を所定形状の成形
体とした。次に、マトリックスとしてピッチを準備し、
成形体への含浸と焼成とを繰り返すことにより緻密化処
理を行った。そして、２０００℃で黒鉛化させた後、上
述と同様の方法で高純度化処理を行うことにより高純度
Ｃ／Ｃコンポジットを得た。この後、高純度Ｃ／Ｃコン
ポジットの不純物を灰化法により測定したところ、２０
ｐｐｍ以下の測定結果が得られた。また、ＩＣＰ−ＭＡ
ＳＳで不純物（Ｖ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｂ，Ａｌ）を測定した
ところ、検出下限以下であった。
【００２９】実施例２ マトリックスとして高純度樹脂（ポリイミド）を用いた
ことを除いて、実施例１と同様の手順で高純度Ｃ／Ｃコ
ンポジットを作成した。そして、高純度Ｃ／Ｃコンポジ
ットの不純物を灰化法により測定したところ、１０ｐｐ
ｍ以下の測定結果が得られた。また、ＩＣＰ−ＭＡＳＳ
で不純物（Ｖ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｂ，Ａｌ）を測定したとこ
ろ、検出下限以下であった。
【００３０】実施例３ 実施例１と同様にして成形体にＣＶＩ法により熱分解炭
素を充填し、２０００℃で黒鉛化する一連の処理により
緻密化した後、高純度化処理を行った。そして、高純度
Ｃ／Ｃコンポジットの不純物を灰化法により測定したと
ころ、５ｐｐｍ以下の測定結果が得られた。また、ＩＣ
Ｐ−ＭＡＳＳで不純物（Ｖ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｂ，Ａｌ）を
測定したところ、検出下限以下であった。
【００３１】実施例４ 実施例１と同様にして成形体を作成した後、成形体に対
してマトリックス（ピッチ）の含浸と焼成とを繰り返す
ことにより緻密化処理を行った。そして、この緻密化処
理中に高純度化処理を１回行うと共に、黒鉛化後にも高
純度化処理を行うことにより高純度Ｃ／Ｃコンポジット
を得た。この後、高純度Ｃ／Ｃコンポジットの不純物を
灰化法により測定したところ、０ｐｐｍ以下の測定結果
が得られた。また、ＩＣＰ−ＭＡＳＳで不純物（Ｖ，Ｔ
ｉ，Ｆｅ，Ｂ，Ａｌ）を測定したところ、検出下限以下
であった。
【００３２】比較例１ 先ず、ＰＡＮ系の炭素繊維（トレカＴ−３００）の平織
を準備した後、マトリックスとしての熱硬化性樹脂（Ｐ
Ｒ５０２７３）を含浸し、熱処理および揮発分を調整し
てＢステージ化した。この後、２００ｍｍ×２００ｍｍ
に裁断し、この裁断したものを５０層積層して熱圧プレ
ス成形を行った後、窒素ガス雰囲気中において１０００
℃で焼成した。そして、ピッチ含浸および焼成を３回繰
り返して緻密化した後、窒素ガス雰囲気中において２０
００℃で黒鉛化することによって、α＝１．６のＣ／Ｃ
コンポジットを得た。次に、ハロゲンガス雰囲気中に放
置して高純度Ｃ／Ｃコンポジット中の不純物を除去して
高純度化した後、このＣ／Ｃコンポジットの不純物を灰
化法により測定したところ、２０〜５０ｐｐｍの測定結
果が得られた。また、ＩＣＰ−ＭＡＳＳで不純物（Ｖ，
Ｔｉ，Ｆｅ，Ｂ，Ａｌ）を測定したところ、Ｆｅが０．
１２ｐｐｍ，Ｂが０．６ｐｐｍ，Ａｌが０．６ｐｐｍ，
Ｖが１ｐｐｍ，Ｔｉが０．２ｐｐｍの測定結果が得られ
た。
【００３３】
【発明の効果】本発明の高純度Ｃ／Ｃコンポジットおよ
びその製造方法によれば、以上のように、高温下で十分
に大きな機械的強度を有すると共に不純物が極めて低減
されたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】高純度Ｃ／Ｃコンポジットの製造手順を示すフ
ローチャートである。
【図２】ＣＺ装置の概略構成図である。
【符号の説明】
１ 石英るつぼ ２ ヒーター ３ 原料融液 ４ バルク結晶 ５ ルツボ ６ アッパーリング ７ インナーシールド ８ ロアーリング ９ 下部ヒーター １０ 断念板

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 炭素繊維の成形体にマトリックスを充填
    して黒鉛化することにより形成されたものであって、 前記黒鉛化前に少なくとも前記炭素繊維が高純度化処理
    され、前記黒鉛化後に前記マトリックスを充填された成
    形体が高純度化処理されていることを特徴とする高純度
    Ｃ／Ｃコンポジット。
  2. 【請求項２】 前記黒鉛化前に高純度化処理された炭素
    繊維は、不純物が６０ｐｐｍ以下であることを特徴とす
    る請求項１記載の高純度Ｃ／Ｃコンポジット。
  3. 【請求項３】 前記マトリックスが、高純度樹脂である
    ことを特徴とする請求項１または２記載の高純度Ｃ／Ｃ
    コンポジット。
  4. 【請求項４】 前記高純度樹脂は、フェノール（レゾー
    ル，ノボラック）、フラン、ポリイミド、ポリカルボジ
    イミド、ビスアリルナジイミド、ポリアミドイミド、ポ
    リエーテルイミド等から選ばれた１つまたはこれらの組
    み合わせであることを特徴とする請求項３記載の高純度
    Ｃ／Ｃコンポジット。
  5. 【請求項５】 前記マトリックスが、化学蒸着法により
    充填される熱分解炭素であることを特徴とする請求項１
    または２記載の高純度Ｃ／Ｃコンポジット。
  6. 【請求項６】 前記熱分解炭素は、メタンやプロパン等
    の脂肪族系の炭化水素、ベンゼンやトルエン、キシレン
    等の芳香族系の炭化水素、ジクロロエチレンやジクロロ
    メタン、トリクロロメタン、トリクロロエチレン等の含
    塩素炭化水素から選ばれた１つまたはこれらの組み合わ
    せであることを特徴とする請求項５記載の高純度Ｃ／Ｃ
    コンポジット。
  7. 【請求項７】 炭素繊維を所定の成形体に形成する成形
    工程と、 前記成形体にマトリックスを充填する充填工程と、 前記請求項４に記載のマトリックスが充填された成形体
    を炭化する焼成工程と、 黒鉛化する黒鉛化工程と、 前記黒鉛化工程の前工程中に設けられ、前記炭素繊維を
    高純度化する第１高純度化工程と、 前記黒鉛化工程の後工程中に設けられ、黒鉛化された成
    形体を高純度化する第２高純度化工程とを有しているこ
    とを特徴とする高純度Ｃ／Ｃコンポジットの製造方法。
  8. 【請求項８】 前記充填工程は、熱分解炭素からなるマ
    トリックスを化学蒸着法により成形体に付着させながら
    充填することを特徴とする請求項７記載の高純度Ｃ／Ｃ
    コンポジットの製造方法。
  9. 【請求項９】 前記充填工程と前記黒鉛化工程と前記第
    ２高純度化工程とを繰り返すことによって、前記成形体
    を前記マトリックスで緻密化する緻密化工程を有してい
    ることを特徴とする請求項７または８記載の高純度Ｃ／
    Ｃコンポジットの製造方法。
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