JPH11211678A - 試料高温装置及びそれを用いたｘ線装置 - Google Patents
試料高温装置及びそれを用いたｘ線装置Info
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- JPH11211678A JPH11211678A JP10027708A JP2770898A JPH11211678A JP H11211678 A JPH11211678 A JP H11211678A JP 10027708 A JP10027708 A JP 10027708A JP 2770898 A JP2770898 A JP 2770898A JP H11211678 A JPH11211678 A JP H11211678A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 試料を１５００℃以上の高温、望ましくは２
０００℃程度の高温度まで昇温させることができる試料
高温装置を提供する。 【解決手段】 試料Ｓの温度を変化させるための試料高
温装置１である。この装置は、試料Ｓを包囲する筒状の
ヒータボビン４と、そのヒータボビン４を加熱するヒー
タ線１２とを有し、ヒータボビン４はボロンナイトライ
ド（ＢＮ）又は炭化珪素（ＳｉＣ）によって形成され
る。ＢＮの融点は約３０００℃であり、ＳｉＣの融点は
約２２００℃であるので、試料Ｓを問題なく２０００℃
程度の高温度まで昇温できる。
０００℃程度の高温度まで昇温させることができる試料
高温装置を提供する。 【解決手段】 試料Ｓの温度を変化させるための試料高
温装置１である。この装置は、試料Ｓを包囲する筒状の
ヒータボビン４と、そのヒータボビン４を加熱するヒー
タ線１２とを有し、ヒータボビン４はボロンナイトライ
ド（ＢＮ）又は炭化珪素（ＳｉＣ）によって形成され
る。ＢＮの融点は約３０００℃であり、ＳｉＣの融点は
約２２００℃であるので、試料Ｓを問題なく２０００℃
程度の高温度まで昇温できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種の測定装置に
おいて測定対象となる試料の温度を変化させるために用
いられる試料高温装置に関する。また本発明は、その試
料高温装置を用いたＸ線装置に関する。
おいて測定対象となる試料の温度を変化させるために用
いられる試料高温装置に関する。また本発明は、その試
料高温装置を用いたＸ線装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線回折装置その他の測定装置において
は、試料の温度を変化させながら測定を行うことがあ
り、そのように試料の温度を変化させるために試料高温
装置が用いられる。このような試料高温装置として、従
来、ヒータボビンによって試料を包囲し、そのヒータボ
ビンを加熱することによって試料温度を変化させるよう
にした装置が知られている。この従来装置では、ヒータ
ボビンはアルミナによって形成されることが多かった。
は、試料の温度を変化させながら測定を行うことがあ
り、そのように試料の温度を変化させるために試料高温
装置が用いられる。このような試料高温装置として、従
来、ヒータボビンによって試料を包囲し、そのヒータボ
ビンを加熱することによって試料温度を変化させるよう
にした装置が知られている。この従来装置では、ヒータ
ボビンはアルミナによって形成されることが多かった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】アルミナの融点は１８
００〜１９００℃程度と高いので、従来、ほとんどの測
定ではこのアルミナによって形成したヒータボビンを用
いることにより、試料温度を十分に高い温度まで昇温す
ることができた。具体的には、１５００℃程度の高温に
まで試料を昇温できた。しかしながら、セラミックス類
の試料を測定対象とする場合を考えると、この試料は１
８００℃程度の温度まで昇温したいことがある。ところ
が、アルミナによって形成したヒータボビンを用いる場
合には、試料をそのような高温に昇温させることができ
ず、よって従来は、そのような高温状態での測定が不可
能であった。
００〜１９００℃程度と高いので、従来、ほとんどの測
定ではこのアルミナによって形成したヒータボビンを用
いることにより、試料温度を十分に高い温度まで昇温す
ることができた。具体的には、１５００℃程度の高温に
まで試料を昇温できた。しかしながら、セラミックス類
の試料を測定対象とする場合を考えると、この試料は１
８００℃程度の温度まで昇温したいことがある。ところ
が、アルミナによって形成したヒータボビンを用いる場
合には、試料をそのような高温に昇温させることができ
ず、よって従来は、そのような高温状態での測定が不可
能であった。
【０００４】本発明は、上記の問題点に鑑みて成された
ものであって、試料を１５００℃以上の高温、望ましく
は２０００℃程度の高温度まで昇温させることができる
試料高温装置を提供することを目的とする。
ものであって、試料を１５００℃以上の高温、望ましく
は２０００℃程度の高温度まで昇温させることができる
試料高温装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】（１） 上記の目的を達
成するため、本発明に係る試料高温装置は、試料の温度
を変化させるための試料高温装置において、前記試料を
包囲する筒状のヒータボビンと、そのヒータボビンを加
熱する加熱手段とを有し、前記ヒータボビンはボロンナ
イトライド（ＢＮ）によって形成されることを特徴とす
る。
成するため、本発明に係る試料高温装置は、試料の温度
を変化させるための試料高温装置において、前記試料を
包囲する筒状のヒータボビンと、そのヒータボビンを加
熱する加熱手段とを有し、前記ヒータボビンはボロンナ
イトライド（ＢＮ）によって形成されることを特徴とす
る。
【０００６】（２） また、本発明に係る他の試料高温
装置は、試料の温度を変化させるための試料高温装置に
おいて、前記試料を包囲する筒状のヒータボビンと、そ
のヒータボビンを加熱する加熱手段とを有し、前記ヒー
タボビンは炭化珪素（ＳｉＣ）によって形成されること
を特徴とする。
装置は、試料の温度を変化させるための試料高温装置に
おいて、前記試料を包囲する筒状のヒータボビンと、そ
のヒータボビンを加熱する加熱手段とを有し、前記ヒー
タボビンは炭化珪素（ＳｉＣ）によって形成されること
を特徴とする。
【０００７】上記の各試料高温装置によれば、ヒータボ
ビンを構成するＢＮの融点が３０００℃程度であり、ま
た、ＳｉＣの融点が２２００℃程度であるので、試料温
度を１５００℃以上、望ましくは２０００℃程度まで問
題なく昇温できる。特に、ＢＮを用いれば余裕を持って
試料を昇温できる。
ビンを構成するＢＮの融点が３０００℃程度であり、ま
た、ＳｉＣの融点が２２００℃程度であるので、試料温
度を１５００℃以上、望ましくは２０００℃程度まで問
題なく昇温できる。特に、ＢＮを用いれば余裕を持って
試料を昇温できる。
【０００８】また、筒状のヒータボビンを用いる加熱構
造は、試料の全体を包囲する試料包囲部材からの熱によ
ってその試料を加熱するという、いわゆる傍熱タイプの
加熱構造であるので、発熱体それ自体に試料を接触させ
てその試料を加熱するという、いわゆる直熱タイプの加
熱構造に比べて、試料の全体を均一な温度分布状態で温
度制御することができる。特に、大型の試料に関しても
均一な温度分布を得ることができる。
造は、試料の全体を包囲する試料包囲部材からの熱によ
ってその試料を加熱するという、いわゆる傍熱タイプの
加熱構造であるので、発熱体それ自体に試料を接触させ
てその試料を加熱するという、いわゆる直熱タイプの加
熱構造に比べて、試料の全体を均一な温度分布状態で温
度制御することができる。特に、大型の試料に関しても
均一な温度分布を得ることができる。
【０００９】（３） 上記の各試料高温装置において、
前記加熱手段はヒータボビンの外周面に巻き付けられる
ヒータ線とすることができる。ヒータ線はヒータボビン
の外周面に緊密に巻き付けることができ、しかもヒータ
ボビンの長手方向、すなわち軸線方向に等間隔で均一に
巻き付けることができるので、ヒータボビンを長手方向
に関して均一に加熱できる。
前記加熱手段はヒータボビンの外周面に巻き付けられる
ヒータ線とすることができる。ヒータ線はヒータボビン
の外周面に緊密に巻き付けることができ、しかもヒータ
ボビンの長手方向、すなわち軸線方向に等間隔で均一に
巻き付けることができるので、ヒータボビンを長手方向
に関して均一に加熱できる。
【００１０】（４） 上記（３）記載の試料高温装置に
おいて、前記ヒータ線はＷ（タングステン）又はＭｏ
（モリブデン）によって形成することができる。Ｗの融
点は約３３８７℃であり、Ｍｏの融点は約２６１０℃で
あるので、ヒータボビンを余裕をもって高温度に加熱で
きる。なお、ＷやＭｏは空気中で高温に加熱されると酸
化するので、望ましくは、Ｈｅ（ヘリウム）、Ａｒ（ア
ルゴン）等といった不活性ガスの雰囲気下や、水素ガ
ス、ＣＯガス等といった還元ガスの雰囲気下等で使用す
る。
おいて、前記ヒータ線はＷ（タングステン）又はＭｏ
（モリブデン）によって形成することができる。Ｗの融
点は約３３８７℃であり、Ｍｏの融点は約２６１０℃で
あるので、ヒータボビンを余裕をもって高温度に加熱で
きる。なお、ＷやＭｏは空気中で高温に加熱されると酸
化するので、望ましくは、Ｈｅ（ヘリウム）、Ａｒ（ア
ルゴン）等といった不活性ガスの雰囲気下や、水素ガ
ス、ＣＯガス等といった還元ガスの雰囲気下等で使用す
る。
【００１１】（５） 上記の各試料高温装置において、
試料に入射するＸ線及び試料で回折したＸ線を通過させ
るためのＸ線通過用窓を前記ヒータボビンに形成すると
共に、そのＸ線通過用窓をＸ線透過膜で覆うことができ
る。この構成により、ヒータボビンの中に収納された試
料に対してＸ線を用いた測定を行うことができる。
試料に入射するＸ線及び試料で回折したＸ線を通過させ
るためのＸ線通過用窓を前記ヒータボビンに形成すると
共に、そのＸ線通過用窓をＸ線透過膜で覆うことができ
る。この構成により、ヒータボビンの中に収納された試
料に対してＸ線を用いた測定を行うことができる。
【００１２】上記のＸ線透過膜は、例えばＢＮによって
形成した薄膜を用いることができる。このＸ線透過膜の
膜厚は、高強度のＸ線が必要とされる場合には、Ｘ線を
減衰させない程度に薄い寸法に設定される。ＢＮは、そ
れ自体がＸ線透過率が高い物質であるので、場合によっ
ては特別なＸ線透過窓を設けなくてもその内部に収納し
た試料に対してＸ線測定を行うことが可能である。しか
しながら、Ｘ線を透過させるための専用のＸ線通過用窓
を設ければ、十分に強度の強いＸ線を用いて測定を行う
ことができる。
形成した薄膜を用いることができる。このＸ線透過膜の
膜厚は、高強度のＸ線が必要とされる場合には、Ｘ線を
減衰させない程度に薄い寸法に設定される。ＢＮは、そ
れ自体がＸ線透過率が高い物質であるので、場合によっ
ては特別なＸ線透過窓を設けなくてもその内部に収納し
た試料に対してＸ線測定を行うことが可能である。しか
しながら、Ｘ線を透過させるための専用のＸ線通過用窓
を設ければ、十分に強度の強いＸ線を用いて測定を行う
ことができる。
【００１３】（６） 次に、本発明に係るＸ線装置は、
試料を収納する試料高温装置と、その試料へ向けてＸ線
を放射するＸ線源と、その試料で回折したＸ線を検出す
るＸ線検出手段とを有するＸ線装置において、前記試料
高温装置を上述した構成の試料高温装置によって構成し
たことを特徴とする。
試料を収納する試料高温装置と、その試料へ向けてＸ線
を放射するＸ線源と、その試料で回折したＸ線を検出す
るＸ線検出手段とを有するＸ線装置において、前記試料
高温装置を上述した構成の試料高温装置によって構成し
たことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】（第１実施形態）図１及び図２
は、本発明に係る試料高温装置を用いたＸ線装置の一実
施形態を示している。また、図１は側面断面図を示し、
図２は正面断面図を示している。ここに示すＸ線装置は
Ｘ線回折装置であり、Ｘ線を放射するＸ線源Ｆと、試料
Ｓ収納する試料高温装置１と、試料Ｓで回折したＸ線を
検出するＸ線カウンタ２とを含んで構成される。
は、本発明に係る試料高温装置を用いたＸ線装置の一実
施形態を示している。また、図１は側面断面図を示し、
図２は正面断面図を示している。ここに示すＸ線装置は
Ｘ線回折装置であり、Ｘ線を放射するＸ線源Ｆと、試料
Ｓ収納する試料高温装置１と、試料Ｓで回折したＸ線を
検出するＸ線カウンタ２とを含んで構成される。
【００１５】Ｘ線源Ｆは、例えば、通電によって熱電子
を放出するフィラメントと、その熱電子が高速度で衝突
するターゲットとを含んで構成できる。Ｘ線カウンタ２
は、例えばＰＣ（Proportional Counter：比例計数管）
やＳＣ（Scintillation Counter ：シンチレーションカ
ウンタ）等を用いることができる。Ｘ線源Ｆ及びＸ線カ
ウンタ２は、それぞれ独自に、試料Ｓの表面を通る試料
軸線Ｌ0 を中心として一定の角速度で間欠的又は連続的
に回転移動する。一般的なＸ線回折測定の場合には、Ｘ
線源ＦとＸ線カウンタ２とが試料軸線Ｌ0 を中心として
互いに等しい角速度で互いに反対方向へ間欠的又は連続
的に回転する。
を放出するフィラメントと、その熱電子が高速度で衝突
するターゲットとを含んで構成できる。Ｘ線カウンタ２
は、例えばＰＣ（Proportional Counter：比例計数管）
やＳＣ（Scintillation Counter ：シンチレーションカ
ウンタ）等を用いることができる。Ｘ線源Ｆ及びＸ線カ
ウンタ２は、それぞれ独自に、試料Ｓの表面を通る試料
軸線Ｌ0 を中心として一定の角速度で間欠的又は連続的
に回転移動する。一般的なＸ線回折測定の場合には、Ｘ
線源ＦとＸ線カウンタ２とが試料軸線Ｌ0 を中心として
互いに等しい角速度で互いに反対方向へ間欠的又は連続
的に回転する。
【００１６】試料高温装置１は、内部を気密に保持する
ケーシング３と、そのケーシング３の内部に収納された
円筒形状のヒータボビン４と、そのヒータボビン４の内
部に収納された試料台６とを有する。試料台６は、例え
ば図２に示すように、ヒータボビン４の内周面に設けた
切欠き溝７にはめ込むことによって所定位置に装着され
る。試料Ｓは、試料台６の上に載置される。本実施形態
ではヒータボビン４及び試料台６の両方を、共に、ＢＮ
（ボロンナイトライド：窒化ホウ素）によって形成す
る。
ケーシング３と、そのケーシング３の内部に収納された
円筒形状のヒータボビン４と、そのヒータボビン４の内
部に収納された試料台６とを有する。試料台６は、例え
ば図２に示すように、ヒータボビン４の内周面に設けた
切欠き溝７にはめ込むことによって所定位置に装着され
る。試料Ｓは、試料台６の上に載置される。本実施形態
ではヒータボビン４及び試料台６の両方を、共に、ＢＮ
（ボロンナイトライド：窒化ホウ素）によって形成す
る。
【００１７】ヒータボビン４は、図３に示すように両端
が開口である円筒形状に形成され、そして、試料台６及
び試料Ｓに対応するほぼ中央部分にＸ線通過用窓として
作用する一対の開口９ａ及び９ｂが形成される。これら
のＸ線通過用窓９ａ及び９ｂは、Ｘ線が透過できる物質
によって形成されたＸ線透過膜１１によって覆われる。
本実施形態では、このＸ線透過膜１１もＢＮよって形成
する。ＢＮはそれ自体がＸ線を透過できる物質である
が、Ｘ線透過膜１１はできる限りＸ線を減衰させないよ
うに、必要な機械的強度を維持できる限りにおいて、で
きる限り薄い膜厚寸法に形成する。
が開口である円筒形状に形成され、そして、試料台６及
び試料Ｓに対応するほぼ中央部分にＸ線通過用窓として
作用する一対の開口９ａ及び９ｂが形成される。これら
のＸ線通過用窓９ａ及び９ｂは、Ｘ線が透過できる物質
によって形成されたＸ線透過膜１１によって覆われる。
本実施形態では、このＸ線透過膜１１もＢＮよって形成
する。ＢＮはそれ自体がＸ線を透過できる物質である
が、Ｘ線透過膜１１はできる限りＸ線を減衰させないよ
うに、必要な機械的強度を維持できる限りにおいて、で
きる限り薄い膜厚寸法に形成する。
【００１８】ヒータボビン４の外周面にはヒータ線１２
が長手方向すなわち軸線方向の全面にわたって一定の間
隔で巻き付けられる。このヒータ線１２は、ヒータボビ
ン４の外周面の全面にわたって設けられるが、図３では
ヒータボビン４の中央部分に存在するヒータ線の図示を
省略してある。なお、図４に示すように、試料台６の外
周面にもヒータ線１３が巻き付けられ、そのヒータ線１
３の上に試料Ｓが載せられる。ヒータ線１２及び１３
は、Ｗ又はＭｏによって形成する。
が長手方向すなわち軸線方向の全面にわたって一定の間
隔で巻き付けられる。このヒータ線１２は、ヒータボビ
ン４の外周面の全面にわたって設けられるが、図３では
ヒータボビン４の中央部分に存在するヒータ線の図示を
省略してある。なお、図４に示すように、試料台６の外
周面にもヒータ線１３が巻き付けられ、そのヒータ線１
３の上に試料Ｓが載せられる。ヒータ線１２及び１３
は、Ｗ又はＭｏによって形成する。
【００１９】図１及び図２において、ケーシング３のう
ちヒータボビン４に形成したＸ線通過用窓９ａ及び９ｂ
に対向する部分に、Ｘ線通過用窓として作用する開口１
４ａ及び１４ｂが形成され、それらのＸ線通過用窓１４
ａ及び１４ｂはＸ線透過膜１６によって覆われる。ま
た、図１においてケーシング３の左右両端にはガス通流
口８ａ及び８ｂが設けられる。
ちヒータボビン４に形成したＸ線通過用窓９ａ及び９ｂ
に対向する部分に、Ｘ線通過用窓として作用する開口１
４ａ及び１４ｂが形成され、それらのＸ線通過用窓１４
ａ及び１４ｂはＸ線透過膜１６によって覆われる。ま
た、図１においてケーシング３の左右両端にはガス通流
口８ａ及び８ｂが設けられる。
【００２０】以下、上記構成より成る試料高温装置１及
びそれを用いたＸ線回折装置に関してそれらの動作を説
明する。まず、図１においてガス通流口８ａ及び８ｂを
通してヒータ線１２及びヒータ線１３のまわりに不活性
ガス又は還元ガスを流す。不活性ガスとしてはＨｅ（ヘ
リウム）ガス、Ａｒ（アルゴン）ガス等を使用できる。
また、還元ガスとしては水素ガス、ＣＯ（一酸化炭素）
ガス等を使用できる。このガス通流により、高温に発熱
するヒータ線１２及び１３の酸化を防止する。
びそれを用いたＸ線回折装置に関してそれらの動作を説
明する。まず、図１においてガス通流口８ａ及び８ｂを
通してヒータ線１２及びヒータ線１３のまわりに不活性
ガス又は還元ガスを流す。不活性ガスとしてはＨｅ（ヘ
リウム）ガス、Ａｒ（アルゴン）ガス等を使用できる。
また、還元ガスとしては水素ガス、ＣＯ（一酸化炭素）
ガス等を使用できる。このガス通流により、高温に発熱
するヒータ線１２及び１３の酸化を防止する。
【００２１】次に、ヒータ線１２及び１３に電流を流し
てそれらを発熱させ、ヒータボビン４及び試料台６を加
熱する。加熱されたヒータボビン４及び試料台６は試料
Ｓをまわりから加熱し、これにより、試料Ｓの温度を所
定温度、例えば１８００℃まで昇温し、そしてその温度
に保持する。本実施形態ではヒータボビン４及び試料台
６が共にＢＮによって形成され、そしてそのＢＮの融点
は約３０００℃であるので、試料Ｓを１８００℃程度の
高温に昇温する場合でもヒータボビン４及び試料台６が
溶けて変形することはない。
てそれらを発熱させ、ヒータボビン４及び試料台６を加
熱する。加熱されたヒータボビン４及び試料台６は試料
Ｓをまわりから加熱し、これにより、試料Ｓの温度を所
定温度、例えば１８００℃まで昇温し、そしてその温度
に保持する。本実施形態ではヒータボビン４及び試料台
６が共にＢＮによって形成され、そしてそのＢＮの融点
は約３０００℃であるので、試料Ｓを１８００℃程度の
高温に昇温する場合でもヒータボビン４及び試料台６が
溶けて変形することはない。
【００２２】試料Ｓが所定温度に昇温してその温度に保
持された後、図２において、Ｘ線源Ｆが試料軸線Ｌ0 を
中心として所定の角速度で図の正時計方向へ間欠的又は
連続的に回転、いわゆるθ回転する。そしてそれと同時
に、Ｘ線カウンタ２が試料軸線Ｌ0 を中心としてＸ線源
Ｆと同じ角速度で反対方向、すなわち反時計方向へ間欠
的又は連続的に回転、いわゆるθ回転する。
持された後、図２において、Ｘ線源Ｆが試料軸線Ｌ0 を
中心として所定の角速度で図の正時計方向へ間欠的又は
連続的に回転、いわゆるθ回転する。そしてそれと同時
に、Ｘ線カウンタ２が試料軸線Ｌ0 を中心としてＸ線源
Ｆと同じ角速度で反対方向、すなわち反時計方向へ間欠
的又は連続的に回転、いわゆるθ回転する。
【００２３】Ｘ線源Ｆ及びＸ線カウンタ２が互いに同期
してθ回転するとき、Ｘ線源Ｆから放射されたＸ線が、
ケーシング３のＸ線通過用窓１４ａ及びヒータボビン４
のＸ線通過用窓９ａを通過して試料Ｓへ入射する。こう
してＸ線に入射するＸ線と試料Ｓの結晶格子面との間で
Ｘ線の回折条件が満足されるとき、試料ＳでＸ線が回折
し、その回折Ｘ線がＸ線源Ｆと同期してθ回転するＸ線
カウンタ２によって検出され、さらにその回折Ｘ線のＸ
線強度が求められる。こうして個々の回折角度２θに関
する回折Ｘ線の強度が測定され、その測定結果に基づい
て試料Ｓの特性を判別する。
してθ回転するとき、Ｘ線源Ｆから放射されたＸ線が、
ケーシング３のＸ線通過用窓１４ａ及びヒータボビン４
のＸ線通過用窓９ａを通過して試料Ｓへ入射する。こう
してＸ線に入射するＸ線と試料Ｓの結晶格子面との間で
Ｘ線の回折条件が満足されるとき、試料ＳでＸ線が回折
し、その回折Ｘ線がＸ線源Ｆと同期してθ回転するＸ線
カウンタ２によって検出され、さらにその回折Ｘ線のＸ
線強度が求められる。こうして個々の回折角度２θに関
する回折Ｘ線の強度が測定され、その測定結果に基づい
て試料Ｓの特性を判別する。
【００２４】（第２実施形態）図１に示した構造の試料
高温装置１において、ヒータボビン４及び試料台６の材
質を、ＢＮに代えてＳｉＣとした。そして、この試料高
温装置１によって試料Ｓを１８００℃程度の高温に昇温
した。ＳｉＣの融点は約２２００℃であるので、試料Ｓ
を１８００℃程度の高温に昇温する場合でもヒータボビ
ン４及び試料台６が溶けて変形することはなかった。
高温装置１において、ヒータボビン４及び試料台６の材
質を、ＢＮに代えてＳｉＣとした。そして、この試料高
温装置１によって試料Ｓを１８００℃程度の高温に昇温
した。ＳｉＣの融点は約２２００℃であるので、試料Ｓ
を１８００℃程度の高温に昇温する場合でもヒータボビ
ン４及び試料台６が溶けて変形することはなかった。
【００２５】（その他の実施形態）以上、好ましい実施
形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形
態に限定されるものではなく、請求の範囲に記載した発
明の範囲内で種々に改変できる。例えば、本発明に係る
試料高温装置はＸ線装置に用いることに限られず、他の
任意の測定装置に適用できる。
形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形
態に限定されるものではなく、請求の範囲に記載した発
明の範囲内で種々に改変できる。例えば、本発明に係る
試料高温装置はＸ線装置に用いることに限られず、他の
任意の測定装置に適用できる。
【００２６】
【発明の効果】本発明に係る試料高温装置及びＸ線装置
によれば、ヒータボビンがＢＮ又はＳｉＣを用いて構成
される。ＢＮの融点は約３０００℃であり、また、Ｓｉ
Ｃの融点は約２２００℃であるので、試料温度を１５０
０℃以上、望ましくは２０００℃程度まで問題なく昇温
できる。特に、ＢＮを用いれば余裕を持って試料を高温
に昇温できる。
によれば、ヒータボビンがＢＮ又はＳｉＣを用いて構成
される。ＢＮの融点は約３０００℃であり、また、Ｓｉ
Ｃの融点は約２２００℃であるので、試料温度を１５０
０℃以上、望ましくは２０００℃程度まで問題なく昇温
できる。特に、ＢＮを用いれば余裕を持って試料を高温
に昇温できる。
【００２７】また、筒状のヒータボビンを用いる加熱構
造は、試料の全体を包囲する試料包囲部材からの熱によ
ってその試料を加熱するという、いわゆる傍熱タイプの
加熱構造であるので、発熱体それ自体に試料を接触させ
てその試料を加熱するという、いわゆる直熱タイプの加
熱構造に比べて、試料の全体を均一な温度分布状態で温
度制御することができる。特に、大型の試料に関しても
均一な温度分布を得ることができる。
造は、試料の全体を包囲する試料包囲部材からの熱によ
ってその試料を加熱するという、いわゆる傍熱タイプの
加熱構造であるので、発熱体それ自体に試料を接触させ
てその試料を加熱するという、いわゆる直熱タイプの加
熱構造に比べて、試料の全体を均一な温度分布状態で温
度制御することができる。特に、大型の試料に関しても
均一な温度分布を得ることができる。
【００２８】
【図１】本発明に係る試料高温装置及びＸ線装置の一実
施形態を示す側面断面図である。
施形態を示す側面断面図である。
【図２】図１に示す試料高温装置及びＸ線装置の正面断
面図である。
面図である。
【図３】図１に示す試料高温装置の要部であるヒータボ
ビン及びその近傍の構造を示す斜視図である。
ビン及びその近傍の構造を示す斜視図である。
【図４】図１に示す試料高温装置の要部である試料台を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
１ 試料高温装置 ２ Ｘ線カウンタ ３ ケーシング ４ ヒータボビン ６ 試料台 ７ 切欠き溝 ８ａ，８ｂ ガス通流口 ９ａ，９ｂ Ｘ線通過用窓 １１ Ｘ線透過膜 １２ ヒータ線 １３ ヒータ線 １４ａ，１４ｂＸ線通過用窓 １６ Ｘ線通過膜 Ｆ Ｘ線源 Ｓ 試料
Claims (6)
- 【請求項１】 試料の温度を変化させるための試料高温
装置において、前記試料を包囲する筒状のヒータボビン
と、そのヒータボビンを加熱する加熱手段とを有し、前
記ヒータボビンはボロンナイトライド（ＢＮ）によって
形成されることを特徴とする試料高温装置。 - 【請求項２】 試料の温度を変化させるための試料高温
装置において、前記試料を包囲する筒状のヒータボビン
と、そのヒータボビンを加熱する加熱手段とを有し、前
記ヒータボビンは炭化珪素（ＳｉＣ）によって形成され
ることを特徴とする試料高温装置。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２記載の試料高温装
置において、前記加熱手段はヒータボビンの外周面に巻
き付けられたヒータ線であることを特徴とする試料高温
装置。 - 【請求項４】 請求項３記載の試料高温装置において、
前記ヒータ線はタングステン（Ｗ）又はモリブデン（Ｍ
ｏ）によって形成されることを特徴とする試料高温装
置。 - 【請求項５】 請求項１から請求項４のうちの少なくと
もいずれか１つに記載の試料高温装置において、前記ヒ
ータボビンは、試料に入射するＸ線及び試料で回折した
Ｘ線を通過させるためのＸ線通過用窓を有し、そのＸ線
通過用窓はＸ線透過膜で覆われることを特徴とする試料
高温装置。 - 【請求項６】 試料を収納する試料高温装置と、その試
料へ向けてＸ線を放射するＸ線源と、その試料で回折し
たＸ線を検出するＸ線検出手段とを有するＸ線装置にお
いて、前記試料高温装置は請求項５に記載の試料高温装
置であることを特徴とするＸ線装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10027708A JPH11211678A (ja) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | 試料高温装置及びそれを用いたｘ線装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10027708A JPH11211678A (ja) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | 試料高温装置及びそれを用いたｘ線装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11211678A true JPH11211678A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=12228507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10027708A Pending JPH11211678A (ja) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | 試料高温装置及びそれを用いたｘ線装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11211678A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100969652B1 (ko) * | 2008-12-11 | 2010-07-14 | 한국원자력연구원 | 내산성 고온가열기 |
| JP2011220776A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Noritake Co Ltd | 酸素分離膜材料の製造と該材料の還元膨張率測定方法 |
| CN102854206A (zh) * | 2012-08-03 | 2013-01-02 | 丹东浩元仪器有限公司 | X射线衍射仪用高温附件 |
| CN106645237A (zh) * | 2016-11-09 | 2017-05-10 | 丹东浩元仪器有限公司 | 一种x射线衍射仪用高温测量装置 |
| JP2018046847A (ja) * | 2012-02-22 | 2018-03-29 | アルトリア クライアント サービシーズ エルエルシー | 電子喫煙品及び改良したヒータ素子 |
| CN110865090A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-03-06 | 陕西师范大学 | 一种粉末衍射仪的便携式变温模具及应用 |
-
1998
- 1998-01-26 JP JP10027708A patent/JPH11211678A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN102854206B (zh) * | 2012-08-03 | 2015-01-07 | 丹东浩元仪器有限公司 | X射线衍射仪用高温附件 |
| CN106645237A (zh) * | 2016-11-09 | 2017-05-10 | 丹东浩元仪器有限公司 | 一种x射线衍射仪用高温测量装置 |
| CN106645237B (zh) * | 2016-11-09 | 2023-08-25 | 丹东浩元仪器有限公司 | 一种x射线衍射仪用高温测量装置 |
| CN110865090A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-03-06 | 陕西师范大学 | 一种粉末衍射仪的便携式变温模具及应用 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050613 |
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| A02 | Decision of refusal |
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