JPH11213429A - 相変化型光ディスクの記録装置及び記録方法 - Google Patents
相変化型光ディスクの記録装置及び記録方法Info
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- JPH11213429A JPH11213429A JP10019957A JP1995798A JPH11213429A JP H11213429 A JPH11213429 A JP H11213429A JP 10019957 A JP10019957 A JP 10019957A JP 1995798 A JP1995798 A JP 1995798A JP H11213429 A JPH11213429 A JP H11213429A
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- Japan
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- pulse
- recording
- signal
- output control
- semiconductor laser
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
- G11B7/00454—Recording involving phase-change effects
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1372—Lenses
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高転送レートの場合であっても半導体レーザ
のレーザパワーを正確に制御することができる相変化型
光ディスクの記録装置及び記録方法を提供する。 【解決手段】 データセレクタ５９は、記録信号Data1
をＬＤ記録信号LD Data1とし、出力制御信号Data3'をＬ
Ｄ記録信号LD Data3として出力し、ＬＤ記録信号LD Dat
a2をＨレベルに固定する。Ｓ＆Ｈセレクト回路５８は、
サンプルホールド回路５３のイネーブル端子にＮＲＺＩ
信号の反転信号を供給する。サンプルホールド回路５３
は、Ｂｉａｓ Ｐｏｗｅｒ１の部分の出力をサンプリン
グし、これをＬＤコントロール信号LDC2としてＡＰＣ回
路５５に供給する。マルチパルス間のレーザパワーであ
るＢｉａｓ Ｐｏｗｅｒ１は、サンプルホールド回路５
３によってサンプルホールドホールドされて、ＡＰＣ回
路５５によってパワー制御される。
のレーザパワーを正確に制御することができる相変化型
光ディスクの記録装置及び記録方法を提供する。 【解決手段】 データセレクタ５９は、記録信号Data1
をＬＤ記録信号LD Data1とし、出力制御信号Data3'をＬ
Ｄ記録信号LD Data3として出力し、ＬＤ記録信号LD Dat
a2をＨレベルに固定する。Ｓ＆Ｈセレクト回路５８は、
サンプルホールド回路５３のイネーブル端子にＮＲＺＩ
信号の反転信号を供給する。サンプルホールド回路５３
は、Ｂｉａｓ Ｐｏｗｅｒ１の部分の出力をサンプリン
グし、これをＬＤコントロール信号LDC2としてＡＰＣ回
路５５に供給する。マルチパルス間のレーザパワーであ
るＢｉａｓ Ｐｏｗｅｒ１は、サンプルホールド回路５
３によってサンプルホールドホールドされて、ＡＰＣ回
路５５によってパワー制御される。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高転送レートの相
変化型光ディスクの記録装置に関し、特に、半導体レー
ザのパワー制御を行う相変化型光ディスクの記録装置に
関する。
変化型光ディスクの記録装置に関し、特に、半導体レー
ザのパワー制御を行う相変化型光ディスクの記録装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】相変化型記録媒体を用いた情報の書換え
可能な光ディスクの代表例としては、いわゆるＤＶＤ−
ＲＡＭが挙げられる。ＤＶＤ−ＲＡＭにおいては、信号
変調方式としてＥＦＭ（Eight-to-Fourteen Modulatio
n）変調が用いられ、３Ｔ〜１１Ｔの各マークに対して
半導体レーザの発光パルスをマルチパルス化することに
より記録波形を生成する。
可能な光ディスクの代表例としては、いわゆるＤＶＤ−
ＲＡＭが挙げられる。ＤＶＤ−ＲＡＭにおいては、信号
変調方式としてＥＦＭ（Eight-to-Fourteen Modulatio
n）変調が用いられ、３Ｔ〜１１Ｔの各マークに対して
半導体レーザの発光パルスをマルチパルス化することに
より記録波形を生成する。
【０００３】ＤＶＤ−ＲＡＭにおける記録波形の例を図
８に示す。この図８に示す通り、３Ｔマークは単一の発
光パルスによって記録され、また、１１Ｔマークは９つ
のマルチパルスによって記録されている。また、各々の
パルスの直後には消去パワーに相当するＢｉａｓ Ｐｏ
ｗｅｒ１よりも低い値に設定されたＢｉａｓ Ｐｏｗｅ
ｒ２の部分を持たせ、相変化記録媒体の結晶化速度を制
御している。更に、先頭パルス、並びに、終端パルス
は、共に１Ｔ程度の長さとし、それぞれの照射開始位置
は、クロックに対して一定量（図８中、ＴSFP ，
ＴSLP ）遅らせる構成としている。
８に示す。この図８に示す通り、３Ｔマークは単一の発
光パルスによって記録され、また、１１Ｔマークは９つ
のマルチパルスによって記録されている。また、各々の
パルスの直後には消去パワーに相当するＢｉａｓ Ｐｏ
ｗｅｒ１よりも低い値に設定されたＢｉａｓ Ｐｏｗｅ
ｒ２の部分を持たせ、相変化記録媒体の結晶化速度を制
御している。更に、先頭パルス、並びに、終端パルス
は、共に１Ｔ程度の長さとし、それぞれの照射開始位置
は、クロックに対して一定量（図８中、ＴSFP ，
ＴSLP ）遅らせる構成としている。
【０００４】ＤＶＤ−ＲＡＭにおいては、２９ＭＨｚの
クロック周波数（ユーザー転送レートで１１Ｍｂｐｓ）
が用いられている。このとき、先頭パルス及び終端パル
スのパルス幅はともに約３５ｎｓである。これらの発光
パルスの記録パワーは、発光パワーモニター用ディテク
タによって検出された後にサンプリングされてこの値を
所定値にすることによって、常に一定の記録パワーにな
るように制御される。例えば、ピークパワーは、先頭パ
ルス又は終端パルスの発光値をサンプリングすることに
よって制御され、また、Ｂｉａｓ Ｐｏｗｅｒ１は、マ
ルチパルス間の発光出力をサンプリングすることによっ
て制御される。なお、Ｂｉａｓ Ｐｏｗｅｒ２は、ＲＦ
信号用ディテクタによって検出される再生出力をサンプ
リングすることによって制御される。
クロック周波数（ユーザー転送レートで１１Ｍｂｐｓ）
が用いられている。このとき、先頭パルス及び終端パル
スのパルス幅はともに約３５ｎｓである。これらの発光
パルスの記録パワーは、発光パワーモニター用ディテク
タによって検出された後にサンプリングされてこの値を
所定値にすることによって、常に一定の記録パワーにな
るように制御される。例えば、ピークパワーは、先頭パ
ルス又は終端パルスの発光値をサンプリングすることに
よって制御され、また、Ｂｉａｓ Ｐｏｗｅｒ１は、マ
ルチパルス間の発光出力をサンプリングすることによっ
て制御される。なお、Ｂｉａｓ Ｐｏｗｅｒ２は、ＲＦ
信号用ディテクタによって検出される再生出力をサンプ
リングすることによって制御される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ＤＶＤ−Ｒ
ＡＭの通常の転送レートを超える高転送レートの相変化
光ディスク装置を実現する場合、クロック周波数を増加
させることが必要である。例えばクロック周波数を１０
０ＭＨｚ（ユーザー転送レートは３８Ｍｂｐｓ）にする
と、上記先頭パルス及び終端パルス幅は１０ｎｓ以下に
なってしまうため、発光値を正確にサンプリングし、記
録パワーを制御することが困難になる。さらに、発光パ
ルスが１０ｎｓ以下になると、ノイズ成分の影響を受け
易く、光学系の帯域の確保も難しくなるという問題が生
じるため、記録パワーを制御することができなくなる。
ＡＭの通常の転送レートを超える高転送レートの相変化
光ディスク装置を実現する場合、クロック周波数を増加
させることが必要である。例えばクロック周波数を１０
０ＭＨｚ（ユーザー転送レートは３８Ｍｂｐｓ）にする
と、上記先頭パルス及び終端パルス幅は１０ｎｓ以下に
なってしまうため、発光値を正確にサンプリングし、記
録パワーを制御することが困難になる。さらに、発光パ
ルスが１０ｎｓ以下になると、ノイズ成分の影響を受け
易く、光学系の帯域の確保も難しくなるという問題が生
じるため、記録パワーを制御することができなくなる。
【０００６】本発明は、このような実情に鑑みて提案さ
れたものであり、高転送レートの場合であっても半導体
レーザのレーザパワーを正確に制御することができる相
変化型光ディスクの記録装置及び記録方法を提供するこ
とを目的とする。
れたものであり、高転送レートの場合であっても半導体
レーザのレーザパワーを正確に制御することができる相
変化型光ディスクの記録装置及び記録方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、本発明に係る相変化型光ディスクの記録装置は、
パルス幅がｎＴのデータに対して（ｎ−１）個のパルス
数からなり少なくとも３レベル間を遷移するマルチパル
スを半導体レーザから出射させて記録する相変化型光デ
ィスクの記録装置において、半導体レーザの出射光のレ
ーザパワーを検出する検出手段と、パワー制御モードに
なると、マルチパルスよりもパルス幅の大きい出力制御
パルスを生成し、出力制御パルスに基づいて半導体レー
ザに照射パルスを出射させ、検出手段で検出されたレー
ザパワーを出力制御パルスに基づいてサンプルホールド
し、サンプルホールドされたレーザパワーが所定値にな
るように半導体レーザのレーザパワーを制御する半導体
レーザ制御手段とを備える。
めに、本発明に係る相変化型光ディスクの記録装置は、
パルス幅がｎＴのデータに対して（ｎ−１）個のパルス
数からなり少なくとも３レベル間を遷移するマルチパル
スを半導体レーザから出射させて記録する相変化型光デ
ィスクの記録装置において、半導体レーザの出射光のレ
ーザパワーを検出する検出手段と、パワー制御モードに
なると、マルチパルスよりもパルス幅の大きい出力制御
パルスを生成し、出力制御パルスに基づいて半導体レー
ザに照射パルスを出射させ、検出手段で検出されたレー
ザパワーを出力制御パルスに基づいてサンプルホールド
し、サンプルホールドされたレーザパワーが所定値にな
るように半導体レーザのレーザパワーを制御する半導体
レーザ制御手段とを備える。
【０００８】そして、上記相変化型光ディスクの記録装
置では、パワー制御モードになると、マルチパルスより
もパルス幅の大きい出力制御パルスを生成し、出力制御
パルスに基づいて半導体レーザに照射パルスを出射さ
せ、検出手段で検出されたレーザパワーを出力制御パル
スに基づいてサンプルホールドし、サンプルホールドさ
れたレーザパワーが所定値になるように半導体レーザの
レーザパワーを制御する。
置では、パワー制御モードになると、マルチパルスより
もパルス幅の大きい出力制御パルスを生成し、出力制御
パルスに基づいて半導体レーザに照射パルスを出射さ
せ、検出手段で検出されたレーザパワーを出力制御パル
スに基づいてサンプルホールドし、サンプルホールドさ
れたレーザパワーが所定値になるように半導体レーザの
レーザパワーを制御する。
【０００９】本発明に係る相変化型光ディスクの記録方
法は、パルス幅がｎＴのデータに対して（ｎ−１）個の
パルス数からなり少なくとも３レベル間を遷移するマル
チパルスを半導体レーザから出射させて記録する相変化
型光ディスクの記録方法において、パワー制御モードに
なると、マルチパルスよりもパルス幅の大きい出力制御
パルスを生成し、出力制御パルスに基づいて半導体レー
ザに照射パルスを出射させ、照射パルスのレーザパワー
を検出し、検出されたレーザパワーを出力制御パルスに
基づいてサンプルホールドし、サンプルホールドされた
レーザパワーが所定値になるように半導体レーザのレー
ザパワーを制御することを特徴とする。
法は、パルス幅がｎＴのデータに対して（ｎ−１）個の
パルス数からなり少なくとも３レベル間を遷移するマル
チパルスを半導体レーザから出射させて記録する相変化
型光ディスクの記録方法において、パワー制御モードに
なると、マルチパルスよりもパルス幅の大きい出力制御
パルスを生成し、出力制御パルスに基づいて半導体レー
ザに照射パルスを出射させ、照射パルスのレーザパワー
を検出し、検出されたレーザパワーを出力制御パルスに
基づいてサンプルホールドし、サンプルホールドされた
レーザパワーが所定値になるように半導体レーザのレー
ザパワーを制御することを特徴とする。
【００１０】そして、相変化型光ディスクの記録方法で
は、パワー制御モードになると、マルチパルスよりもパ
ルス幅の大きい出力制御パルスを生成し、出力制御パル
スに基づいて半導体レーザに照射パルスを出射させ、検
出手段で検出されたレーザパワーを出力制御パルスに基
づいてサンプルホールドし、サンプルホールドされたレ
ーザパワーが所定値になるように半導体レーザのレーザ
パワーを制御する。
は、パワー制御モードになると、マルチパルスよりもパ
ルス幅の大きい出力制御パルスを生成し、出力制御パル
スに基づいて半導体レーザに照射パルスを出射させ、検
出手段で検出されたレーザパワーを出力制御パルスに基
づいてサンプルホールドし、サンプルホールドされたレ
ーザパワーが所定値になるように半導体レーザのレーザ
パワーを制御する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【００１２】本発明は、例えば図１に示すような高開口
数２群対物レンズ２１，２３を用いた情報の書換え可能
な相変化型光ディスク記録／再生装置に適用される。
数２群対物レンズ２１，２３を用いた情報の書換え可能
な相変化型光ディスク記録／再生装置に適用される。
【００１３】相変化型光ディスク記録／再生装置は、光
学ヘッド１０と、記録パルスを発生する記録パルス発生
回路３０と、上記記録パルスの出力を制御する記録出力
制御回路５０と、後述する半導体レーザ３を駆動させる
半導体レーザ駆動回路７０とを備える。
学ヘッド１０と、記録パルスを発生する記録パルス発生
回路３０と、上記記録パルスの出力を制御する記録出力
制御回路５０と、後述する半導体レーザ３を駆動させる
半導体レーザ駆動回路７０とを備える。
【００１４】上記相変化型光ディスク記録／再生装置
は、光ディスク１をスピンドルモータ２により例えば角
速度一定で回転駆動しながら、上記光ディスク１の情報
記録面を光学ヘッド１０によりレーザ光で走査して、
（１，７）変調で情報の記録／再生を光学的に行う。
は、光ディスク１をスピンドルモータ２により例えば角
速度一定で回転駆動しながら、上記光ディスク１の情報
記録面を光学ヘッド１０によりレーザ光で走査して、
（１，７）変調で情報の記録／再生を光学的に行う。
【００１５】光学ヘッド１０は、光ディスク１に照射す
る記録／再生用のレーザ光を放射する光源として半導体
レーザ（ＬＤ）３を備える。半導体レーザ３からの出射
光は、コリメータレンズ４で平行光とされ、サイドスポ
ット生成用の回折格子５を通過した後、ビームスプリッ
タ６及び１／４波長板７を介して非球面２群対物レンズ
ユニット２０に入射され、この非球面２群対物レンズユ
ニット２０により光ディスク１の情報記録面上に集光さ
れる。上記半導体レーザ３からの出射光の一部は、ビー
ムスプリッタ６によって反射され集光レンズ８を介して
発光パワーモニター用ディテクタ９へ導かれる。光ディ
スク１からの反射光（すなわち再生信号）はビームスプ
リッタ６で反射されて検出光路へ導かれ、その一部はビ
ームスプリッタ１１によって反射され集光レンズ１２及
びシリンドリカルレンズ１３を介してサーボ信号用ディ
テクタ１４に入射されて光電変換され、残りはレンズ１
５，１６を介してＲＦ信号用ディテクタ１７に入射され
て光電変換される。光学ヘッド１０においては、非点収
差法を用いてフォーカス誤差信号が生成され、また、差
動プッシュプル法を用いてトラッキング誤差信号が生成
されている。ここでは、２つの信号検出ディテクタ１
４，１７によってサーボ誤差信号と再生ＲＦ信号を検出
しているが、１つの検出器でまかなうことも可能であ
る。
る記録／再生用のレーザ光を放射する光源として半導体
レーザ（ＬＤ）３を備える。半導体レーザ３からの出射
光は、コリメータレンズ４で平行光とされ、サイドスポ
ット生成用の回折格子５を通過した後、ビームスプリッ
タ６及び１／４波長板７を介して非球面２群対物レンズ
ユニット２０に入射され、この非球面２群対物レンズユ
ニット２０により光ディスク１の情報記録面上に集光さ
れる。上記半導体レーザ３からの出射光の一部は、ビー
ムスプリッタ６によって反射され集光レンズ８を介して
発光パワーモニター用ディテクタ９へ導かれる。光ディ
スク１からの反射光（すなわち再生信号）はビームスプ
リッタ６で反射されて検出光路へ導かれ、その一部はビ
ームスプリッタ１１によって反射され集光レンズ１２及
びシリンドリカルレンズ１３を介してサーボ信号用ディ
テクタ１４に入射されて光電変換され、残りはレンズ１
５，１６を介してＲＦ信号用ディテクタ１７に入射され
て光電変換される。光学ヘッド１０においては、非点収
差法を用いてフォーカス誤差信号が生成され、また、差
動プッシュプル法を用いてトラッキング誤差信号が生成
されている。ここでは、２つの信号検出ディテクタ１
４，１７によってサーボ誤差信号と再生ＲＦ信号を検出
しているが、１つの検出器でまかなうことも可能であ
る。
【００１６】上記非球面２群対物レンズユニット２０
は、例えば図２に示すように、第１のレンズ２１を駆動
する第１の電磁アクチュエータ２２と、第２のレンズ２
３を駆動する第２の電磁アクチュエータ２４を備える。
第２のレンズ２３は光軸方向及びトラック方向に可動な
第２の電磁アクチュエータ２４上に搭載され、その開口
数が約０．５となっている。また、第１のレンズ２１
は、第２のレンズ２３の上方において、第２の電磁アク
チュエータ２４とは別の第１の電磁アクチュエータ２２
上に搭載され、光軸上の任意の位置に制御可能な構成に
なっている。
は、例えば図２に示すように、第１のレンズ２１を駆動
する第１の電磁アクチュエータ２２と、第２のレンズ２
３を駆動する第２の電磁アクチュエータ２４を備える。
第２のレンズ２３は光軸方向及びトラック方向に可動な
第２の電磁アクチュエータ２４上に搭載され、その開口
数が約０．５となっている。また、第１のレンズ２１
は、第２のレンズ２３の上方において、第２の電磁アク
チュエータ２４とは別の第１の電磁アクチュエータ２２
上に搭載され、光軸上の任意の位置に制御可能な構成に
なっている。
【００１７】なお、第１のレンズ２１は、トラック方向
に関して第２のレンズ２３と一体で動き、トラッキング
サーボに追従する。そして、半導体レーザ３からの光ビ
ームがこれら２つの対物レンズ２３，２１を通過するこ
とによって光ディスク１の相変化型情報記録面上に集光
される。この際、２群対物レンズ２３，２１の実効的な
対物レンズ開口数は約０．８５となる。
に関して第２のレンズ２３と一体で動き、トラッキング
サーボに追従する。そして、半導体レーザ３からの光ビ
ームがこれら２つの対物レンズ２３，２１を通過するこ
とによって光ディスク１の相変化型情報記録面上に集光
される。この際、２群対物レンズ２３，２１の実効的な
対物レンズ開口数は約０．８５となる。
【００１８】ここで、対物レンズの開口数が大きくなる
と、一般に光ディスク記録再生装置におけるスキュート
レランスが減少する。ディスクスキュー（Ｘ方向）によ
る波面収差をザイデルの多項式で表すと Ｗ（ｘ，ｙ）＝Ｗ22ｘ2＋Ｗ31ｘ（ｘ2＋ｙ2）＋Ｗ51ｘ
（ｘ2＋ｙ2）２ となる。ここで Ｗ２２は非点収差、Ｗ31は３次のコマ
収差、Ｗ51は５次のコマ収差である。このうち、支配的
である３次のコマ収差Ｗ31は、ｎをディスク基板の屈折
率として、次式で与えられ、スキュー角θが１度以下の
小さな場合には、概ね開口数ＮＡの３乗とディスク基板
厚ｔに比例する。
と、一般に光ディスク記録再生装置におけるスキュート
レランスが減少する。ディスクスキュー（Ｘ方向）によ
る波面収差をザイデルの多項式で表すと Ｗ（ｘ，ｙ）＝Ｗ22ｘ2＋Ｗ31ｘ（ｘ2＋ｙ2）＋Ｗ51ｘ
（ｘ2＋ｙ2）２ となる。ここで Ｗ２２は非点収差、Ｗ31は３次のコマ
収差、Ｗ51は５次のコマ収差である。このうち、支配的
である３次のコマ収差Ｗ31は、ｎをディスク基板の屈折
率として、次式で与えられ、スキュー角θが１度以下の
小さな場合には、概ね開口数ＮＡの３乗とディスク基板
厚ｔに比例する。
【００１９】Ｗ31＝（ｎ2−１）ｎ2sinθcosθ／２（ｎ
2−sin2θ）2/5・ｔＮＡ3／λ したがって、非球面２群レンズ２３，２１を用い、その
開口数の値を０．８５まで高めた光ディスク記録／再生
装置において、ＤＶＤ−ＲＡＭと同等のスキュートレラ
ンスを確保するためには、基板厚さを０．１ｍｍ程度ま
で薄くする必要が生じる。
2−sin2θ）2/5・ｔＮＡ3／λ したがって、非球面２群レンズ２３，２１を用い、その
開口数の値を０．８５まで高めた光ディスク記録／再生
装置において、ＤＶＤ−ＲＡＭと同等のスキュートレラ
ンスを確保するためには、基板厚さを０．１ｍｍ程度ま
で薄くする必要が生じる。
【００２０】一方、ディスク基板に相変化型記録媒体を
成膜する際、通常は第１誘電体膜（ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2）、記録膜（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）、第２誘電体膜（Ｚ
ｎＳ−ＳｉＯ2 ）、アルミ合金反射膜の順に膜付けを行
うが、厚さ０．１ｍｍの基板にアドレスやセクターマー
ク等のプリフォーマットをエンボス加工によって施し、
上記手順に従い成膜を行うことは工程上困難である。そ
こで、この光ディスク記録／再生装置で使用する光ディ
スク１は、図３に示すように、プリフォーマットされた
厚さ１．２ｍｍのディスク基板１Ａに、通常とは逆に、
アルミ合金反射膜１Ｂ、第２誘電体膜（ＺｎＳ−ＳｉＯ
2）１Ｃ、記録膜（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）１Ｄ、第１誘電体
膜（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ）１Ｅの手順に膜付けを行い、最
後に厚さ０．１ｍｍのディスク保護膜１Ｆを付加してな
る。
成膜する際、通常は第１誘電体膜（ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2）、記録膜（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）、第２誘電体膜（Ｚ
ｎＳ−ＳｉＯ2 ）、アルミ合金反射膜の順に膜付けを行
うが、厚さ０．１ｍｍの基板にアドレスやセクターマー
ク等のプリフォーマットをエンボス加工によって施し、
上記手順に従い成膜を行うことは工程上困難である。そ
こで、この光ディスク記録／再生装置で使用する光ディ
スク１は、図３に示すように、プリフォーマットされた
厚さ１．２ｍｍのディスク基板１Ａに、通常とは逆に、
アルミ合金反射膜１Ｂ、第２誘電体膜（ＺｎＳ−ＳｉＯ
2）１Ｃ、記録膜（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）１Ｄ、第１誘電体
膜（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ）１Ｅの手順に膜付けを行い、最
後に厚さ０．１ｍｍのディスク保護膜１Ｆを付加してな
る。
【００２１】一方、記録パルス発生回路３０は、発光パ
ルスを生成するための記録信号Data1，記録信号Data2，
記録信号Data3，出力制御信号Data3'を生成する。
ルスを生成するための記録信号Data1，記録信号Data2，
記録信号Data3，出力制御信号Data3'を生成する。
【００２２】記録パルス発生回路３０は、具体的には図
４に示すように、上記記録信号Data1，ＮＲＺＩ・パル
ス・イネーブル信号，先頭パルス・イネーブル信号，パ
ルス・トレイン・イネーブル信号，終端パルス・イネー
ブル信号の５つの記録信号を発生する記録信号発生回路
３１を備える。
４に示すように、上記記録信号Data1，ＮＲＺＩ・パル
ス・イネーブル信号，先頭パルス・イネーブル信号，パ
ルス・トレイン・イネーブル信号，終端パルス・イネー
ブル信号の５つの記録信号を発生する記録信号発生回路
３１を備える。
【００２３】上記記録信号発生回路３１は、図示しない
ＣＰＵによって記録／再生モードの切り換えが行われ
る。記録信号発生回路３１は、記録モードのときに、図
５（Ａ）に示す例えば１００ＭＨｚマスタークロック及
び図５（Ｂ）に示すＮＲＺＩ（No Return to Zero Inve
rse）信号に基づいて、上記５つの記録信号を発生す
る。記録信号発生回路３１内のチャンネルクロック同期
パターン検出回路３１ａは、ＮＲＺＩ信号に基づいて３
Ｔ〜１１Ｔの記録マーク長を判定して、可変遅延素子３
４，３７，４０，４２の遅延時間を調整して各パルスの
パルス幅を決定する。また、上記チャンネルクロック同
期パターン検出回路３１ａは、同様に、判定した記録マ
ーク長に応じて可変遅延素子３２，３５，３８，４３の
遅延時間を調整して、各パルスの位置を設定する。そし
て、記録信号発生回路３１は、記録信号Data1を可変遅
延素子３２に、ＮＲＺＩパルス・イネーブル信号をＤ−
フリップフロップ３３及び可変遅延素子３４に、先頭パ
ルス・イネーブル信号をＤ−フリップフロップ３６及び
可変遅延素子３７に、パルス・トレイン・イネーブル信
号をＤ−フリップフロップ３９に、終端パルス・イネー
ブル信号をＤ−フリップフロップ４１及び可変遅延素子
４２に供給する。
ＣＰＵによって記録／再生モードの切り換えが行われ
る。記録信号発生回路３１は、記録モードのときに、図
５（Ａ）に示す例えば１００ＭＨｚマスタークロック及
び図５（Ｂ）に示すＮＲＺＩ（No Return to Zero Inve
rse）信号に基づいて、上記５つの記録信号を発生す
る。記録信号発生回路３１内のチャンネルクロック同期
パターン検出回路３１ａは、ＮＲＺＩ信号に基づいて３
Ｔ〜１１Ｔの記録マーク長を判定して、可変遅延素子３
４，３７，４０，４２の遅延時間を調整して各パルスの
パルス幅を決定する。また、上記チャンネルクロック同
期パターン検出回路３１ａは、同様に、判定した記録マ
ーク長に応じて可変遅延素子３２，３５，３８，４３の
遅延時間を調整して、各パルスの位置を設定する。そし
て、記録信号発生回路３１は、記録信号Data1を可変遅
延素子３２に、ＮＲＺＩパルス・イネーブル信号をＤ−
フリップフロップ３３及び可変遅延素子３４に、先頭パ
ルス・イネーブル信号をＤ−フリップフロップ３６及び
可変遅延素子３７に、パルス・トレイン・イネーブル信
号をＤ−フリップフロップ３９に、終端パルス・イネー
ブル信号をＤ−フリップフロップ４１及び可変遅延素子
４２に供給する。
【００２４】可変遅延素子３２は、記録信号Data1に所
定時間の遅延を与えて記録出力制御回路５０に供給す
る。記録出力制御回路５０に供給される記録信号Data1
は、図５（Ｃ）に示すように再生時及び記録時はＨ（Hi
gh）レベルであり、また、レーザオフのときはＬ（Lo
w）レベルになるロジック信号である。
定時間の遅延を与えて記録出力制御回路５０に供給す
る。記録出力制御回路５０に供給される記録信号Data1
は、図５（Ｃ）に示すように再生時及び記録時はＨ（Hi
gh）レベルであり、また、レーザオフのときはＬ（Lo
w）レベルになるロジック信号である。
【００２５】Ｄ−フリップフロップ３３は、可変遅延素
子３４からのＮＲＺＩパルス・イネーブル信号をリセッ
ト信号とし、記録信号発生回路３１からのＮＲＺＩパル
ス・イネーブル信号をクリアして可変遅延素子３５に供
給する。可変遅延素子３５は、ＮＲＺＩパルス・イネー
ブル信号に所定の遅延を与えて、出力制御信号Data3'
（ＮＲＺＩパルス）としてＯＲゲート４５及び記録出力
制御回路５０に供給する。出力制御信号Data3'、すなわ
ちＮＲＺＩパルスは、図５（Ｆ）及び図５（Ｇ）に示す
ように、図５（Ｂ）に示すＮＲＺＩ信号に対して所定時
間の遅延が施されている。ＮＲＺＩパルスのパルス幅
は、２Ｔ，３Ｔ，８Ｔのときはそれぞれ２ＴNRZIPW，３
ＴNRZIPW，８ＴNRZIPWであり、上述のように、可変遅延
素子３４によって決定される。ＮＲＺＩパルスの立ち上
がり時間は、例えば２Ｔ，３Ｔ，８ＴのときのＮＲＺＩ
信号に対してそれぞれ２ＴNRZIPS，３ＴNRZIPS，８Ｔ
NRZIPS遅れており、可変遅延素子３５によって決定され
る。これらのＮＲＺＩパルスは、出力制御パルスとして
用いられる。
子３４からのＮＲＺＩパルス・イネーブル信号をリセッ
ト信号とし、記録信号発生回路３１からのＮＲＺＩパル
ス・イネーブル信号をクリアして可変遅延素子３５に供
給する。可変遅延素子３５は、ＮＲＺＩパルス・イネー
ブル信号に所定の遅延を与えて、出力制御信号Data3'
（ＮＲＺＩパルス）としてＯＲゲート４５及び記録出力
制御回路５０に供給する。出力制御信号Data3'、すなわ
ちＮＲＺＩパルスは、図５（Ｆ）及び図５（Ｇ）に示す
ように、図５（Ｂ）に示すＮＲＺＩ信号に対して所定時
間の遅延が施されている。ＮＲＺＩパルスのパルス幅
は、２Ｔ，３Ｔ，８Ｔのときはそれぞれ２ＴNRZIPW，３
ＴNRZIPW，８ＴNRZIPWであり、上述のように、可変遅延
素子３４によって決定される。ＮＲＺＩパルスの立ち上
がり時間は、例えば２Ｔ，３Ｔ，８ＴのときのＮＲＺＩ
信号に対してそれぞれ２ＴNRZIPS，３ＴNRZIPS，８Ｔ
NRZIPS遅れており、可変遅延素子３５によって決定され
る。これらのＮＲＺＩパルスは、出力制御パルスとして
用いられる。
【００２６】Ｄ−フリップフロップ３６は、可変遅延素
子３７からの先頭パルス・イネーブル信号をリセット信
号とし、記録信号発生回路３１からの先頭パルス・イネ
ーブル信号をクリアして可変遅延素子３８に供給する。
可変遅延素子３８は、この先頭パルス・イネーブル信号
に所定の遅延を与えてＯＲゲート４４に供給する。
子３７からの先頭パルス・イネーブル信号をリセット信
号とし、記録信号発生回路３１からの先頭パルス・イネ
ーブル信号をクリアして可変遅延素子３８に供給する。
可変遅延素子３８は、この先頭パルス・イネーブル信号
に所定の遅延を与えてＯＲゲート４４に供給する。
【００２７】Ｄ−フリップフロップ３９は、可変遅延素
子４０からのマスタークロックをリセット信号とし、記
録信号発生回路３１からのパルス・トレイン・イネーブ
ル信号をクリアしてＯＲゲート４４に供給する。なお、
可変遅延素子４０は、記録信号発生回路３１から供給さ
れるマスタークロックに所定の遅延を与えてＤ−フリッ
プフロップ３９に供給している。
子４０からのマスタークロックをリセット信号とし、記
録信号発生回路３１からのパルス・トレイン・イネーブ
ル信号をクリアしてＯＲゲート４４に供給する。なお、
可変遅延素子４０は、記録信号発生回路３１から供給さ
れるマスタークロックに所定の遅延を与えてＤ−フリッ
プフロップ３９に供給している。
【００２８】Ｄ−フリップフロップ４１は、可変遅延素
子４２からの終端パルス・イネーブル信号をリセット信
号とし、記録信号発生回路３１からの終端パルス・イネ
ーブル信号をクリアして可変遅延素子４３に供給する。
可変遅延素子４３は、この終端パルス・イネーブル信号
に所定の遅延を与えてＯＲゲート４４に供給する。
子４２からの終端パルス・イネーブル信号をリセット信
号とし、記録信号発生回路３１からの終端パルス・イネ
ーブル信号をクリアして可変遅延素子４３に供給する。
可変遅延素子４３は、この終端パルス・イネーブル信号
に所定の遅延を与えてＯＲゲート４４に供給する。
【００２９】ＯＲゲート４４は、各パルス信号の論理和
を記録信号Data3として出力し、これをＯＲゲート４５
及び記録出力制御回路５０に供給する。記録信号Data3
は、図５（Ｅ）に示すように、ｎＴ（ｎ：２から８まで
の整数、Ｔ：チャンネルクロック幅）の記録マークに対
して、先頭パルス，（ｎ−１）個のパルストレイン，終
端パルスからなる。なお、記録マークが２Ｔのときは、
記録信号Data3は先頭パルスのみからなる。
を記録信号Data3として出力し、これをＯＲゲート４５
及び記録出力制御回路５０に供給する。記録信号Data3
は、図５（Ｅ）に示すように、ｎＴ（ｎ：２から８まで
の整数、Ｔ：チャンネルクロック幅）の記録マークに対
して、先頭パルス，（ｎ−１）個のパルストレイン，終
端パルスからなる。なお、記録マークが２Ｔのときは、
記録信号Data3は先頭パルスのみからなる。
【００３０】ＯＲゲート４５は、出力制御信号Data3'を
反転したパルスと記録信号Data3との論理和を出力し、
これを記録信号Data2として記録出力制御回路５０に供
給する。記録信号Data2は、図５（Ｄ）に示すようにな
る。
反転したパルスと記録信号Data3との論理和を出力し、
これを記録信号Data2として記録出力制御回路５０に供
給する。記録信号Data2は、図５（Ｄ）に示すようにな
る。
【００３１】なお、半導体レーザ駆動回路７０は、記録
出力制御回路５０を介してこれらの記録信号Data1，Dat
a2，Data3が供給されると、図５（Ｈ）に示すマルチパ
ルスに従ってレーザ光を出射するように半導体レーザ３
を駆動させる。
出力制御回路５０を介してこれらの記録信号Data1，Dat
a2，Data3が供給されると、図５（Ｈ）に示すマルチパ
ルスに従ってレーザ光を出射するように半導体レーザ３
を駆動させる。
【００３２】また、記録パルス発生回路３０の回路構成
は一例であり、図５（Ｃ）〜（Ｆ）に示す記録信号Data
1，記録信号Data2，記録信号Data3，出力制御信号Data
3'を発生することができれば他の回路構成でもよい。
は一例であり、図５（Ｃ）〜（Ｆ）に示す記録信号Data
1，記録信号Data2，記録信号Data3，出力制御信号Data
3'を発生することができれば他の回路構成でもよい。
【００３３】記録出力制御回路５０は、図６に示すよう
に、図１に示す発光パワーモニター用ディテクタ９で検
出された電流を電圧に変換してＬＤコントロール信号LD
Cを出力する光電変換回路５１と、ＬＤコントロール信
号LDCをサンプルホールドするサンプルホールド回路５
２，５３，５４と、ＬＤコントロール信号LDCの信号レ
ベルを制御するＡＰＣ回路５５と、所定の信号に遅延を
施す遅延素子５６，５７と、上記所定の信号からのサン
プルホールドパルスを選択して出力するサンプルホール
ドパルスセレクト回路（以下、「Ｓ＆Ｈセレクト回路」
という。）５８と、記録信号Data1〜出力制御信号Data
3'から所望のものを選択して半導体レーザ駆動回路７０
に供給するデータセレクタ５９と、各回路を制御するＣ
ＰＵ（Central Processing Unit）６０とを備える。
に、図１に示す発光パワーモニター用ディテクタ９で検
出された電流を電圧に変換してＬＤコントロール信号LD
Cを出力する光電変換回路５１と、ＬＤコントロール信
号LDCをサンプルホールドするサンプルホールド回路５
２，５３，５４と、ＬＤコントロール信号LDCの信号レ
ベルを制御するＡＰＣ回路５５と、所定の信号に遅延を
施す遅延素子５６，５７と、上記所定の信号からのサン
プルホールドパルスを選択して出力するサンプルホール
ドパルスセレクト回路（以下、「Ｓ＆Ｈセレクト回路」
という。）５８と、記録信号Data1〜出力制御信号Data
3'から所望のものを選択して半導体レーザ駆動回路７０
に供給するデータセレクタ５９と、各回路を制御するＣ
ＰＵ（Central Processing Unit）６０とを備える。
【００３４】光電変換回路５１は、光電変換により得ら
れたＬＤコントロール信号LDCをサンプルホールド回路
５２，５３，５４に供給する。上記ＬＤコントロール信
号LDCは、発光パワーモニター用ディテクタ９で得られ
たマルチパルスの検出出力である。
れたＬＤコントロール信号LDCをサンプルホールド回路
５２，５３，５４に供給する。上記ＬＤコントロール信
号LDCは、発光パワーモニター用ディテクタ９で得られ
たマルチパルスの検出出力である。
【００３５】サンプルホールド回路５２，５３，５４
は、Ｓ＆Ｈセレクト回路５８から供給されるサンプルホ
ールドパルスがＨレベルのときにＬＤコントロール信号
LDCのサンプリングを行い、それがＬレベルになったと
きに上記ＬＤコントロール信号LDCをホールドする。サ
ンプルホールド回路５２，５３，５４は、かかるＬＤコ
ントロール信号LDC（それぞれＬＤコントロール信号LDC
1，LDC2，LDC3とする。）をＡＰＣ回路５５に供給す
る。
は、Ｓ＆Ｈセレクト回路５８から供給されるサンプルホ
ールドパルスがＨレベルのときにＬＤコントロール信号
LDCのサンプリングを行い、それがＬレベルになったと
きに上記ＬＤコントロール信号LDCをホールドする。サ
ンプルホールド回路５２，５３，５４は、かかるＬＤコ
ントロール信号LDC（それぞれＬＤコントロール信号LDC
1，LDC2，LDC3とする。）をＡＰＣ回路５５に供給す
る。
【００３６】ＡＰＣ回路５５は、ＬＤコントロール信号
LDC1，LDC2，LDC3の信号レベルが所定のレベルになるよ
うにそれぞれ独立に制御し、かかるＬＤコントロール信
号LDC1，LDC2，LDC3を半導体レーザ駆動回路７０に供給
する。なお、ＬＤコントロール信号LDC1，LDC2，LDC3の
信号レベルの設定は、ＣＰＵ６０によって制御される。
LDC1，LDC2，LDC3の信号レベルが所定のレベルになるよ
うにそれぞれ独立に制御し、かかるＬＤコントロール信
号LDC1，LDC2，LDC3を半導体レーザ駆動回路７０に供給
する。なお、ＬＤコントロール信号LDC1，LDC2，LDC3の
信号レベルの設定は、ＣＰＵ６０によって制御される。
【００３７】ここで、ＬＤコントロール信号LDC1は、再
生時における再生パワー（図５における「Ｒｅａｄ Ｐ
ｏｗｅｒ」）並びに記録時におけるデータを消去するた
めの消去パワー（図５における「Ｂｉａｓ Ｐｏｗｅｒ
１」）を指示する信号である。また、ＬＤコントロール
信号LDC2は、記録時における冷却パワー（図５における
Ｂｉａｓ Ｐｏｗｅｒ２）を指示する信号である。ＬＤ
コントロール信号LDC3は、記録時におけるピークパワー
（図５における「Ｐｅａｋ Ｐｏｗｅｒ」）を指定する
信号である。
生時における再生パワー（図５における「Ｒｅａｄ Ｐ
ｏｗｅｒ」）並びに記録時におけるデータを消去するた
めの消去パワー（図５における「Ｂｉａｓ Ｐｏｗｅｒ
１」）を指示する信号である。また、ＬＤコントロール
信号LDC2は、記録時における冷却パワー（図５における
Ｂｉａｓ Ｐｏｗｅｒ２）を指示する信号である。ＬＤ
コントロール信号LDC3は、記録時におけるピークパワー
（図５における「Ｐｅａｋ Ｐｏｗｅｒ」）を指定する
信号である。
【００３８】Ｓ＆Ｈセレクト回路５８は、ＣＰＵ６０の
制御に基づき、サンプルホールド回路５２，５３，５４
に所定のサンプリングパルスを出力する。Ｓ＆Ｈセレク
ト回路５８は、例えば、サンプルホールド回路５２，５
３，５４にＬレベル又はＨレベルのサンプリングパルス
を供給したり、また、遅延素子５６を介して供給される
ＮＲＺＩ信号を反転してサンプルホールド回路５３に供
給したり、また、遅延素子５６，５７を介して供給され
る出力制御信号Data3'（ＮＲＺＩパルス）をサンプルホ
ールド回路５４に供給する。
制御に基づき、サンプルホールド回路５２，５３，５４
に所定のサンプリングパルスを出力する。Ｓ＆Ｈセレク
ト回路５８は、例えば、サンプルホールド回路５２，５
３，５４にＬレベル又はＨレベルのサンプリングパルス
を供給したり、また、遅延素子５６を介して供給される
ＮＲＺＩ信号を反転してサンプルホールド回路５３に供
給したり、また、遅延素子５６，５７を介して供給され
る出力制御信号Data3'（ＮＲＺＩパルス）をサンプルホ
ールド回路５４に供給する。
【００３９】データセレクタ５９は、ＣＰＵ６０の制御
に基づいて、記録信号Data1〜出力制御信号Data3'を選
択してＬＤ記録信号LD Data1，LD Data2，LD Data3とし
て出力したり、又は、所定のレベルに設定したＬＤ記録
信号LD Data1，LD Data2，LDData3を出力する。
に基づいて、記録信号Data1〜出力制御信号Data3'を選
択してＬＤ記録信号LD Data1，LD Data2，LD Data3とし
て出力したり、又は、所定のレベルに設定したＬＤ記録
信号LD Data1，LD Data2，LDData3を出力する。
【００４０】例えば、記録パワー制御モードにおいて
は、データセレクタ５９は、記録信号Data1をＬＤ記録
信号LD Data1として出力すると共に、ＬＤ記録信号LD D
ata2をＨレベルに設定して出力し、さらに、出力制御信
号Data3'をＬＤ記録信号LD Data3として出力する。通常
記録モードにおいては、データセレクタ５９は、記録信
号Data1をＬＤ記録信号LD Data1とし、記録信号Data2を
ＬＤ記録信号LD Data2とし、さらに、記録信号Data3を
ＬＤコントロール信号LDC3として出力する。再生モード
においては、データセレクタ５９は、記録信号Data1を
ＬＤ記録信号LD Data1として出力すると共に、ＬＤデー
タ信号２をＬレベルに設定して出力する。このとき、Ｌ
Ｄコントロール信号LDC3は出力しない。なお、レーザオ
フのときは、データセレクタ５９は、ＬＤ記録信号LD D
ata1，LD Data3を出力しないが、Ｌレベルに設定したＬ
Ｄ記録信号LD Data2を出力する。
は、データセレクタ５９は、記録信号Data1をＬＤ記録
信号LD Data1として出力すると共に、ＬＤ記録信号LD D
ata2をＨレベルに設定して出力し、さらに、出力制御信
号Data3'をＬＤ記録信号LD Data3として出力する。通常
記録モードにおいては、データセレクタ５９は、記録信
号Data1をＬＤ記録信号LD Data1とし、記録信号Data2を
ＬＤ記録信号LD Data2とし、さらに、記録信号Data3を
ＬＤコントロール信号LDC3として出力する。再生モード
においては、データセレクタ５９は、記録信号Data1を
ＬＤ記録信号LD Data1として出力すると共に、ＬＤデー
タ信号２をＬレベルに設定して出力する。このとき、Ｌ
Ｄコントロール信号LDC3は出力しない。なお、レーザオ
フのときは、データセレクタ５９は、ＬＤ記録信号LD D
ata1，LD Data3を出力しないが、Ｌレベルに設定したＬ
Ｄ記録信号LD Data2を出力する。
【００４１】そして、上記記録出力制御回路５０は、記
録パワーモードになると、具体的にはＬＤコントロール
信号LDC1，LDC2，LDC3を以下のように調整する。
録パワーモードになると、具体的にはＬＤコントロール
信号LDC1，LDC2，LDC3を以下のように調整する。
【００４２】最初に、データセレクタ５９は、記録信号
Data1をＬＤ記録信号LD Data1として出力し、ＬＤ記録
信号LD Data2及びＬＤ記録信号LD Data3をＬレベルに固
定する。Ｓ＆Ｈセレクト回路５８は、サンプルホールド
回路５２にＨレベルのサンプルホールドパルスを供給す
る。サンプルホールド回路５２は、光電変換回路５１か
らのＬＤコントロール信号LDCをスルーしてＡＰＣ回路
５５に供給する。ＡＰＣ回路５５は、サンプルホールド
回路５２からのＬＤコントロール信号LDC1をＣＰＵ６０
の制御に従って所定のレベルに設定する。ＬＤコントロ
ール信号LDC1のレベル設定が終了すると、Ｓ＆Ｈセレク
ト回路５８は、Ｌレベルのサンプルホールドパルスをサ
ンプルホールド回路５２のイネーブル端子に供給する。
これにより、ＬＤコントロール信号LDC1は固定される。
Data1をＬＤ記録信号LD Data1として出力し、ＬＤ記録
信号LD Data2及びＬＤ記録信号LD Data3をＬレベルに固
定する。Ｓ＆Ｈセレクト回路５８は、サンプルホールド
回路５２にＨレベルのサンプルホールドパルスを供給す
る。サンプルホールド回路５２は、光電変換回路５１か
らのＬＤコントロール信号LDCをスルーしてＡＰＣ回路
５５に供給する。ＡＰＣ回路５５は、サンプルホールド
回路５２からのＬＤコントロール信号LDC1をＣＰＵ６０
の制御に従って所定のレベルに設定する。ＬＤコントロ
ール信号LDC1のレベル設定が終了すると、Ｓ＆Ｈセレク
ト回路５８は、Ｌレベルのサンプルホールドパルスをサ
ンプルホールド回路５２のイネーブル端子に供給する。
これにより、ＬＤコントロール信号LDC1は固定される。
【００４３】つぎに、データセレクタ５９は、記録信号
Data1をＬＤ記録信号LD Data1とし、出力制御信号Data
3'をＬＤ記録信号LD Data3として出力するとともに、Ｌ
Ｄ記録信号LD Data2をＨレベルに固定する。Ｓ＆Ｈセレ
クト回路５８は、サンプルホールド回路５３のイネーブ
ル端子にＮＲＺＩ信号の反転信号を供給する。したがっ
て、サンプルホールド回路５３は、Ｂｉａｓ Ｐｏｗｅ
ｒ１の部分の出力をサンプリングし、これをＬＤコント
ロール信号LDC2としてＡＰＣ回路５５に供給する。これ
により、マルチパルス間のレーザパワーであるＢｉａｓ
Ｐｏｗｅｒ１は、サンプルホールド回路５３によって
サンプリングされて、後述のようにＡＰＣ回路５５によ
ってパワー制御される。
Data1をＬＤ記録信号LD Data1とし、出力制御信号Data
3'をＬＤ記録信号LD Data3として出力するとともに、Ｌ
Ｄ記録信号LD Data2をＨレベルに固定する。Ｓ＆Ｈセレ
クト回路５８は、サンプルホールド回路５３のイネーブ
ル端子にＮＲＺＩ信号の反転信号を供給する。したがっ
て、サンプルホールド回路５３は、Ｂｉａｓ Ｐｏｗｅ
ｒ１の部分の出力をサンプリングし、これをＬＤコント
ロール信号LDC2としてＡＰＣ回路５５に供給する。これ
により、マルチパルス間のレーザパワーであるＢｉａｓ
Ｐｏｗｅｒ１は、サンプルホールド回路５３によって
サンプリングされて、後述のようにＡＰＣ回路５５によ
ってパワー制御される。
【００４４】また、Ｓ＆Ｈセレクト回路５８は、このと
き、サンプルホールド回路５４のイネーブル端子に出力
制御信号Data3'（ＮＲＺＩパルス）の反転信号を供給す
る。したがって、サンプルホールド回路５４は、マルチ
パルスのＰｅａｋ Ｐｏｗｅｒのサンプリングして、こ
れをＬＤコントロール信号LDC3としてＡＰＣ回路５５に
供給する。すなわち、マルチパルスのレーザパワーであ
るＰｅａｋ Ｐｏｗｅｒは、サンプルホールド回路５４
によってサンプリングされて、後述のように、ＡＰＣ回
路５５によってパワー制御される。
き、サンプルホールド回路５４のイネーブル端子に出力
制御信号Data3'（ＮＲＺＩパルス）の反転信号を供給す
る。したがって、サンプルホールド回路５４は、マルチ
パルスのＰｅａｋ Ｐｏｗｅｒのサンプリングして、こ
れをＬＤコントロール信号LDC3としてＡＰＣ回路５５に
供給する。すなわち、マルチパルスのレーザパワーであ
るＰｅａｋ Ｐｏｗｅｒは、サンプルホールド回路５４
によってサンプリングされて、後述のように、ＡＰＣ回
路５５によってパワー制御される。
【００４５】なお、マルチパルス間のＢｉａｓ Ｐｏｗ
ｅｒ２は、Ｒｅａｄ Ｐｏｗｅｒと同じパワーであるの
で、再生時におけるＲＦ信号の検出出力に基づいてパワ
ー制御される。また、遅延素子５６，５７による遅延時
間は、図１に示す半導体レーザ３並びに発光パワーモニ
ター用ディテクタ９による時間遅れに相当する。
ｅｒ２は、Ｒｅａｄ Ｐｏｗｅｒと同じパワーであるの
で、再生時におけるＲＦ信号の検出出力に基づいてパワ
ー制御される。また、遅延素子５６，５７による遅延時
間は、図１に示す半導体レーザ３並びに発光パワーモニ
ター用ディテクタ９による時間遅れに相当する。
【００４６】ＡＰＣ回路５５は、ＣＰＵ６０の制御に基
づいて上記ＬＤコントロール信号LDC2及びＬＤコントロ
ール信号LDC3を所定のレベルに設定する。そして、Ｓ＆
Ｈセレクト回路５８は、サンプルホールド回路５３，５
４にＬレベルのサンプルホールドパルスを供給して、上
記ＬＤコントロール信号LDC2及びＬＤコントロール信号
LDC3のレベルを固定する。
づいて上記ＬＤコントロール信号LDC2及びＬＤコントロ
ール信号LDC3を所定のレベルに設定する。そして、Ｓ＆
Ｈセレクト回路５８は、サンプルホールド回路５３，５
４にＬレベルのサンプルホールドパルスを供給して、上
記ＬＤコントロール信号LDC2及びＬＤコントロール信号
LDC3のレベルを固定する。
【００４７】上記記録出力制御回路５０は、上述したよ
うにＬＤコントロール信号LDC1〜ＬＤコントロール信号
LDC3の設定が終了すると、通常記録モードに移行する。
このとき、データセレクタ５９は、記録信号Data1をＬ
Ｄ記録信号LD Data1とし、記録信号Data2をＬＤ記録信
号LD Data2とし、さらに、記録信号Data3をＬＤ記録信
号LD Data3として出力する。
うにＬＤコントロール信号LDC1〜ＬＤコントロール信号
LDC3の設定が終了すると、通常記録モードに移行する。
このとき、データセレクタ５９は、記録信号Data1をＬ
Ｄ記録信号LD Data1とし、記録信号Data2をＬＤ記録信
号LD Data2とし、さらに、記録信号Data3をＬＤ記録信
号LD Data3として出力する。
【００４８】以上のように、上記記録出力制御回路５０
は、記録パワー制御モードのときは、図５（Ｇ）に示す
ＮＲＺＩパルスをＬＤ記録信号LD Data３として半導体
レーザ駆動回路７０に供給することにより、上記ＮＲＺ
Ｉパルスに従ってレーザビームを出射させる。そして、
上記記録出力制御回路５０は、発光パワーモニター用デ
ィテクタ９で検出されるレーザビームのピークパワーを
上記ＮＲＺＩパルスに従ってピークパワーをサンプルホ
ールドするので、マルチパルスのパルス幅が例えば１０
ｎｓ以下になってもレーザビームのパワー制御をするこ
とができる。そして、レーザビームのパワー制御後にデ
ータが記録される。
は、記録パワー制御モードのときは、図５（Ｇ）に示す
ＮＲＺＩパルスをＬＤ記録信号LD Data３として半導体
レーザ駆動回路７０に供給することにより、上記ＮＲＺ
Ｉパルスに従ってレーザビームを出射させる。そして、
上記記録出力制御回路５０は、発光パワーモニター用デ
ィテクタ９で検出されるレーザビームのピークパワーを
上記ＮＲＺＩパルスに従ってピークパワーをサンプルホ
ールドするので、マルチパルスのパルス幅が例えば１０
ｎｓ以下になってもレーザビームのパワー制御をするこ
とができる。そして、レーザビームのパワー制御後にデ
ータが記録される。
【００４９】半導体レーザ駆動回路７０は、図７に示す
ように、半導体レーザ３に駆動電流を供給するための３
つの電流源７１，７２，７３を備える。半導体レーザ駆
動回路７０は、記録出力制御回路５０から供給される３
種類のＬＤ記録信号LD Data1，LD Data2，LD Data3及び
これらに対応するＬＤコントロール信号LDC1，LDC2，LD
C3に応じて各電流源７１，７２，７３が選択的に動作制
御され、半導体レーザ３の発光波形を形成する。
ように、半導体レーザ３に駆動電流を供給するための３
つの電流源７１，７２，７３を備える。半導体レーザ駆
動回路７０は、記録出力制御回路５０から供給される３
種類のＬＤ記録信号LD Data1，LD Data2，LD Data3及び
これらに対応するＬＤコントロール信号LDC1，LDC2，LD
C3に応じて各電流源７１，７２，７３が選択的に動作制
御され、半導体レーザ３の発光波形を形成する。
【００５０】ここで、ＬＤコントロール信号LDC1は、第
１の電流源７１の動作制御を行い、ＬＤコントロール信
号LDC2は、第２の電流源７２の動作制御を行い、さら
に、ＬＤコントロール信号LDC3は、第３の電流源７３の
動作制御を行う。各ＬＤコントロール信号LDCは記録出
力制御回路５０によって所定値になるように設定される
ので、第１乃至第３の電流源７１，７２，７３の電流も
一定値に設定される。そして、半導体レーザ駆動回路７
０は、ＬＤ記録信号LD Data1，LD Data2，LD Data3に従
って、半導体レーザ３をマルチパルス発光させる。
１の電流源７１の動作制御を行い、ＬＤコントロール信
号LDC2は、第２の電流源７２の動作制御を行い、さら
に、ＬＤコントロール信号LDC3は、第３の電流源７３の
動作制御を行う。各ＬＤコントロール信号LDCは記録出
力制御回路５０によって所定値になるように設定される
ので、第１乃至第３の電流源７１，７２，７３の電流も
一定値に設定される。そして、半導体レーザ駆動回路７
０は、ＬＤ記録信号LD Data1，LD Data2，LD Data3に従
って、半導体レーザ３をマルチパルス発光させる。
【００５１】以上のように、上記相変化型光ディスク記
録／再生装置は、ユーザ転送レートで３０Ｍｂｐｓを超
える高転送レート記録においても、記録パワー制御モー
ドの場合には、ＮＲＺＩパルスに基づいて発光パワーモ
ニター用ディテクタ９で検出されるレーザビームのピー
クパワーをサンプルホールドすることができ、これによ
りレーザパワーを制御することができる。従って、光デ
ィスク１からの戻り光の影響でレーザパワーの変動が想
定される記録動作中であっても、マルチパルスのピーク
パワー，バイアス・パワー１，バイアス・パワー２の各
出力を安定して制御することができる。
録／再生装置は、ユーザ転送レートで３０Ｍｂｐｓを超
える高転送レート記録においても、記録パワー制御モー
ドの場合には、ＮＲＺＩパルスに基づいて発光パワーモ
ニター用ディテクタ９で検出されるレーザビームのピー
クパワーをサンプルホールドすることができ、これによ
りレーザパワーを制御することができる。従って、光デ
ィスク１からの戻り光の影響でレーザパワーの変動が想
定される記録動作中であっても、マルチパルスのピーク
パワー，バイアス・パワー１，バイアス・パワー２の各
出力を安定して制御することができる。
【００５２】なお、本発明を実現するにあたり、適当な
ＮＲＺＩパルス（例えば３Ｔパターンの繰り返し等）で
発光させてマルチパルスの各出力値を制御するために、
光ディスク１に記録出力サンプリング領域を設ける必要
がある。
ＮＲＺＩパルス（例えば３Ｔパターンの繰り返し等）で
発光させてマルチパルスの各出力値を制御するために、
光ディスク１に記録出力サンプリング領域を設ける必要
がある。
【００５３】しかし、上記記録出力サンプリング領域を
通常の記録データ中に埋め込んで、特別の記録領域を設
けることなく記録パワーの設定並びに制御を行うことも
可能である。この場合、マルチパルスとＮＲＺＩパルス
は光ディスク１に対する昇温冷却速度が異なる。これら
の間で記録マークの立ち上がりエッジ及び立ち下がりエ
ッジを揃えるためには、それぞれに最適な温度補償が存
在する。ここで、上記相変化型光ディスク記録／再生装
置は、可変遅延素子３４，３７，４０，４２によって所
定パルス幅をそれぞれ独立制御することができ、また、
可変遅延素子３２，３５，３８，４３によって所定のパ
ルスの位置も独立に制御することができる。すなわち、
ＮＲＺＩパルス及びマルチパルスのパルス幅や照射位置
を、２Ｔから８Ｔまでの各記録マークに応じてそれぞれ
独立に制御することが可能であるので、これにより記録
マークの立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジを正確
に制御することができる。つまり、再生信号の質を劣化
させることがない。
通常の記録データ中に埋め込んで、特別の記録領域を設
けることなく記録パワーの設定並びに制御を行うことも
可能である。この場合、マルチパルスとＮＲＺＩパルス
は光ディスク１に対する昇温冷却速度が異なる。これら
の間で記録マークの立ち上がりエッジ及び立ち下がりエ
ッジを揃えるためには、それぞれに最適な温度補償が存
在する。ここで、上記相変化型光ディスク記録／再生装
置は、可変遅延素子３４，３７，４０，４２によって所
定パルス幅をそれぞれ独立制御することができ、また、
可変遅延素子３２，３５，３８，４３によって所定のパ
ルスの位置も独立に制御することができる。すなわち、
ＮＲＺＩパルス及びマルチパルスのパルス幅や照射位置
を、２Ｔから８Ｔまでの各記録マークに応じてそれぞれ
独立に制御することが可能であるので、これにより記録
マークの立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジを正確
に制御することができる。つまり、再生信号の質を劣化
させることがない。
【００５４】なお、本発明は、上述の実施の形態に限定
されるものではない。例えば、出力制御信号としてＮＲ
ＺＩパルスを用いていたが、マルチパルスより幅の大き
いパルスであれば適用することができる。また、本発明
を広帯域で高速のＡＰＣ回路と組み合わせてＬＳＩ化す
ることも容易にでき、これにより、回路規模の小型化を
実現することができる。
されるものではない。例えば、出力制御信号としてＮＲ
ＺＩパルスを用いていたが、マルチパルスより幅の大き
いパルスであれば適用することができる。また、本発明
を広帯域で高速のＡＰＣ回路と組み合わせてＬＳＩ化す
ることも容易にでき、これにより、回路規模の小型化を
実現することができる。
【００５５】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る相変化型光ディスクの記録装置及び記録方法によれ
ば、パワー制御モード時において、マルチパルスよりも
パルス幅の大きい出力制御パルスを生成してこれに基づ
いて半導体レーザに照射パルスを出射させ、検出手段で
検出されたレーザパワーを出力制御パルスに基づいてサ
ンプルホールドし、サンプルホールドされたレーザパワ
ーが所定値になるように半導体レーザのレーザパワーを
制御することにより、高速転送レートであっても、マル
チパルスのパワー制御を行うことができる。
る相変化型光ディスクの記録装置及び記録方法によれ
ば、パワー制御モード時において、マルチパルスよりも
パルス幅の大きい出力制御パルスを生成してこれに基づ
いて半導体レーザに照射パルスを出射させ、検出手段で
検出されたレーザパワーを出力制御パルスに基づいてサ
ンプルホールドし、サンプルホールドされたレーザパワ
ーが所定値になるように半導体レーザのレーザパワーを
制御することにより、高速転送レートであっても、マル
チパルスのパワー制御を行うことができる。
【図１】本発明を適用した相変化型光ディスク記録／再
生装置の構成を示すブロック図である。
生装置の構成を示すブロック図である。
【図２】上記相変化型光ディスク記録／再生装置の非球
面２群対物レンズユニットの構成を示す図である。
面２群対物レンズユニットの構成を示す図である。
【図３】上記相変化型光ディスク記録／再生装置で使用
される光ディスクの要部構造を模式的に示す図である。
される光ディスクの要部構造を模式的に示す図である。
【図４】上記相変化型光ディスク記録／再生装置の記録
パルス発生回路の構成を示すブロック図である。
パルス発生回路の構成を示すブロック図である。
【図５】マスタークロック，ＮＲＺＩ信号，記録信号Da
ta1，Data2，Data3，出力制御信号Data3'，ＮＲＺＩパ
ルス，マルチパルスの関係を説明するタイミングチャー
トである。
ta1，Data2，Data3，出力制御信号Data3'，ＮＲＺＩパ
ルス，マルチパルスの関係を説明するタイミングチャー
トである。
【図６】上記相変化型光ディスク記録／再生装置の記録
出力制御回路の構成を説明するブロック図である。
出力制御回路の構成を説明するブロック図である。
【図７】上記相変化型光ディスク記録／再生装置の半導
体レーザ駆動回路の構成を説明するブロック図である。
体レーザ駆動回路の構成を説明するブロック図である。
【図８】ＤＶＤ−ＲＡＭにおける記録波形の例を示すタ
イミングチャートである。
イミングチャートである。
３ 半導体レーザ、３０ 記録パルス発生回路、５０
記録出力制御回路、７０ 半導体レーザ駆動回路
記録出力制御回路、７０ 半導体レーザ駆動回路
Claims (8)
- 【請求項１】 パルス幅がｎＴのデータに対して（ｎ−
１）個のパルス数からなり少なくとも３レベル間を遷移
するマルチパルスを半導体レーザから出射させて記録す
る相変化型光ディスクの記録装置において、 上記半導体レーザの出射光のレーザパワーを検出する検
出手段と、 パワー制御モードになると、上記マルチパルスよりもパ
ルス幅の大きい出力制御パルスを生成し、上記出力制御
パルスに基づいて上記半導体レーザに照射パルスを出射
させ、上記検出手段で検出されたレーザパワーを上記出
力制御パルスに基づいてサンプルホールドし、サンプル
ホールドされたレーザパワーが所定値になるように半導
体レーザのレーザパワーを制御する半導体レーザ制御手
段とを備える相変化型光ディスクの記録装置。 - 【請求項２】 上記半導体レーザ制御手段は、上記出力
制御パルスとしてＮＲＺＩパルスを生成することを特徴
とする請求項１記載の相変化型光ディスクの記録装置。 - 【請求項３】 上記半導体レーザ制御手段は、上記出力
制御パルスの前縁及びそのパルス幅を記録マーク長に応
じて設定することを特徴とする請求項１記載の相変化型
光ディスクの記録装置。 - 【請求項４】 上記半導体レーザ制御手段は、上記マル
チパルスの前縁と異なるタイミングで上記出力制御パル
スを生成することを特徴とする請求項１記載の相変化型
光ディスクの記録装置。 - 【請求項５】 パルス幅がｎＴのデータに対して（ｎ−
１）個のパルス数からなり少なくとも３レベル間を遷移
するマルチパルスを半導体レーザから出射させて記録す
る相変化型光ディスクの記録方法において、 パワー制御モードになると、上記マルチパルスよりもパ
ルス幅の大きい出力制御パルスを生成し、 上記出力制御パルスに基づいて上記半導体レーザに照射
パルスを出射させ、 上記照射パルスのレーザパワーを検出し、 検出されたレーザパワーを上記出力制御パルスに基づい
てサンプルホールドし、 サンプルホールドされたレーザパワーが所定値になるよ
うに半導体レーザのレーザパワーを制御することを特徴
とする相変化型光ディスクの記録方法。 - 【請求項６】 上記出力制御パルスとしてＮＲＺＩパル
スを生成することを特徴とする請求項５記載の相変化型
光ディスクの記録方法。 - 【請求項７】 記録マーク長に応じて前縁及びそのパル
ス幅が設定された出力制御パルスを生成することを特徴
とする請求項５記載の相変化型光ディスクの記録方法。 - 【請求項８】 上記マルチパルスの前縁と異なるタイミ
ングで上記出力制御パルスを生成することを特徴とする
請求項５記載の相変化型光ディスクの記録方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10019957A JPH11213429A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 相変化型光ディスクの記録装置及び記録方法 |
| EP99300457A EP0933759A3 (en) | 1998-01-30 | 1999-01-21 | Data recording and optical disc drive |
| US09/237,531 US6222814B1 (en) | 1998-01-30 | 1999-01-27 | Recording/reproducing apparatus and method for phase-change optical disc |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10019957A JPH11213429A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 相変化型光ディスクの記録装置及び記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11213429A true JPH11213429A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=12013687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10019957A Withdrawn JPH11213429A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 相変化型光ディスクの記録装置及び記録方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6222814B1 (ja) |
| EP (1) | EP0933759A3 (ja) |
| JP (1) | JPH11213429A (ja) |
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| US6868053B2 (en) | 2000-04-12 | 2005-03-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording apparatus for stable recording |
| KR100493033B1 (ko) * | 2002-11-12 | 2005-06-07 | 삼성전자주식회사 | 레이저 파워 제어 장치 |
| KR100510544B1 (ko) * | 2003-08-28 | 2005-08-26 | 삼성전자주식회사 | 광 구동기에 있어서 레이저 다이오드 파워 제어 장치 |
| US7200091B2 (en) | 2001-10-22 | 2007-04-03 | Ricoh Company, Ltd. | Light source driving unit and optical storage apparatus |
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| US6925040B1 (en) | 1998-08-04 | 2005-08-02 | Hitachi, Ltd. | Information recording method, information recording medium and information recording apparatus |
| KR100364193B1 (ko) * | 1999-04-26 | 2002-12-11 | 샤프 가부시키가이샤 | 광기록 장치, 광재생 장치 및 광기록 매체 |
| KR100297789B1 (ko) * | 1999-06-03 | 2001-10-29 | 윤종용 | 다양한 형태의 광기록 매체에 적합한 기록 펄스 발생 방법 및이에 적합한 기록장치 |
| KR100699809B1 (ko) * | 1999-06-10 | 2007-03-27 | 삼성전자주식회사 | 광픽업장치 |
| KR100322601B1 (ko) * | 1999-06-18 | 2002-03-18 | 윤종용 | 광디스크 기록 방법, 광디스크 기록 장치의 제어 방법 및 이에 적합한 광디스크 기록 장치 |
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| EP1136992A3 (en) | 2000-03-24 | 2006-09-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method for controlling auto laser diode power |
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-
1998
- 1998-01-30 JP JP10019957A patent/JPH11213429A/ja not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-01-21 EP EP99300457A patent/EP0933759A3/en not_active Withdrawn
- 1999-01-27 US US09/237,531 patent/US6222814B1/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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|---|---|
| EP0933759A2 (en) | 1999-08-04 |
| US6222814B1 (en) | 2001-04-24 |
| EP0933759A3 (en) | 2001-01-10 |
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