JPH11214286A - 感光性樹脂膜の密着性強化材料の気化供給装置、および半導体ウエハの前処理方法 - Google Patents
感光性樹脂膜の密着性強化材料の気化供給装置、および半導体ウエハの前処理方法Info
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- JPH11214286A JPH11214286A JP10011774A JP1177498A JPH11214286A JP H11214286 A JPH11214286 A JP H11214286A JP 10011774 A JP10011774 A JP 10011774A JP 1177498 A JP1177498 A JP 1177498A JP H11214286 A JPH11214286 A JP H11214286A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハ表面に形成した感光性樹脂膜パ
ターンの倒壊、剥がれの発生がない感光性樹脂膜の密着
性強化材料の気化供給装置、および半導体ウエハの前処
理方法を提供する。 【解決手段】 液体状態の密着性強化材料が収容された
液体材料タンク１１を圧送ガス６で加圧し、該液体材料
を気化させる。気化したガスの濃度を、濃度検出器１７
で検知し、濃度比較制御装置１８で設定値と比較し、加
圧圧送ガス質量流量・加圧量制御装置１４で圧送ガス６
を調整し、気化ガス２３の濃度を制御する。
ターンの倒壊、剥がれの発生がない感光性樹脂膜の密着
性強化材料の気化供給装置、および半導体ウエハの前処
理方法を提供する。 【解決手段】 液体状態の密着性強化材料が収容された
液体材料タンク１１を圧送ガス６で加圧し、該液体材料
を気化させる。気化したガスの濃度を、濃度検出器１７
で検知し、濃度比較制御装置１８で設定値と比較し、加
圧圧送ガス質量流量・加圧量制御装置１４で圧送ガス６
を調整し、気化ガス２３の濃度を制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置にお
いて、特にリソグラフィー工程において剥がれがなく、
且つ、パターン倒れのない感光性樹脂膜パターンの形成
を可能にする密着性強化材料の気化供給装置、及び感光
性樹脂膜の形成に先立って行う半導体ウエハの前処理方
法に関するものである。
いて、特にリソグラフィー工程において剥がれがなく、
且つ、パターン倒れのない感光性樹脂膜パターンの形成
を可能にする密着性強化材料の気化供給装置、及び感光
性樹脂膜の形成に先立って行う半導体ウエハの前処理方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、拡散層
を形成するためのイオン注入マスクやゲート電極のエッ
チングマスクなどとして感光性樹脂膜（以下、レジスト
と称す）パターンが良く用いられており、レジストパタ
ーンの出来映えが半導体装置の特性や歩留りに大きく影
響を与える。このレジストパターンは、レジスト塗布工
程とレジストの露光工程と現像工程によって形成され、
特にレジストパターンの形状安定性の確保を図る上でレ
ジスト塗布工程が重要となってきている。
を形成するためのイオン注入マスクやゲート電極のエッ
チングマスクなどとして感光性樹脂膜（以下、レジスト
と称す）パターンが良く用いられており、レジストパタ
ーンの出来映えが半導体装置の特性や歩留りに大きく影
響を与える。このレジストパターンは、レジスト塗布工
程とレジストの露光工程と現像工程によって形成され、
特にレジストパターンの形状安定性の確保を図る上でレ
ジスト塗布工程が重要となってきている。
【０００３】以下、レジスト塗布工程において、その前
処理として使用されるレジストの密着性強化材料の気化
供給装置、及び該密着性強化材料を用いたレジスト塗布
の前処理（密着性強化処理）の方法を図を用いて説明す
る。
処理として使用されるレジストの密着性強化材料の気化
供給装置、及び該密着性強化材料を用いたレジスト塗布
の前処理（密着性強化処理）の方法を図を用いて説明す
る。
【０００４】図３は、従来のレジストの密着性強化を担
う密着性強化材料の気化供給装置の概略断面図である。
同図において１は液体材料タンク、２は液体材料供給ラ
イン、３は液体加圧圧送ガス供給管である。密着性強化
材料の気化供給は、液体加圧圧送ガス６で液体材料タン
ク１の液体を加圧あるいはバブリングして気化ガス送出
管５に気化した密着性強化材料７を送り出すことで行わ
れる。この時、送出される気化ガス７の質量流量は、液
体加圧圧送ガス６の質量流量を質量流量計４で一定に保
つ構成にしている。
う密着性強化材料の気化供給装置の概略断面図である。
同図において１は液体材料タンク、２は液体材料供給ラ
イン、３は液体加圧圧送ガス供給管である。密着性強化
材料の気化供給は、液体加圧圧送ガス６で液体材料タン
ク１の液体を加圧あるいはバブリングして気化ガス送出
管５に気化した密着性強化材料７を送り出すことで行わ
れる。この時、送出される気化ガス７の質量流量は、液
体加圧圧送ガス６の質量流量を質量流量計４で一定に保
つ構成にしている。
【０００５】上記気化供給装置を用いた場合のレジスト
塗布の前処理方法を説明する。まず、液体加圧圧送ガス
６で液体材料タンク１の液体を加圧あるいはバブリング
して気化ガス送出管５に気化した密着性強化材料７を送
り出す。この送出される気化ガスの質量流量は、液体加
圧圧送ガス６の質量流量を質量流量計４で一定に保つこ
とで制御する。こうして得られた気化ガス７を気化ガス
送出管５より別ユニットに送り、半導体ウエハ表面に均
一に供給し、所定温度、真空度のもと、密着性強化処理
を終了する。
塗布の前処理方法を説明する。まず、液体加圧圧送ガス
６で液体材料タンク１の液体を加圧あるいはバブリング
して気化ガス送出管５に気化した密着性強化材料７を送
り出す。この送出される気化ガスの質量流量は、液体加
圧圧送ガス６の質量流量を質量流量計４で一定に保つこ
とで制御する。こうして得られた気化ガス７を気化ガス
送出管５より別ユニットに送り、半導体ウエハ表面に均
一に供給し、所定温度、真空度のもと、密着性強化処理
を終了する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の気化供給装置及び前処理方法においては、
供給される気化ガスの濃度が管理制御されておらず、そ
れが薄くなったとき、レジストパターンの倒壊、剥がれ
が発生するという問題があった。
ような従来の気化供給装置及び前処理方法においては、
供給される気化ガスの濃度が管理制御されておらず、そ
れが薄くなったとき、レジストパターンの倒壊、剥がれ
が発生するという問題があった。
【０００７】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
のであり、レジストパターンの倒壊、剥がれの発生を低
減できる優れた密着性強化材料の気化供給装置及び半導
体ウエハの前処理方法を提供することを目的とする。
のであり、レジストパターンの倒壊、剥がれの発生を低
減できる優れた密着性強化材料の気化供給装置及び半導
体ウエハの前処理方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を解決するため
に、本発明の密着性強化材料の気化供給装置は、半導体
ウエハ表面に感光性樹脂膜を形成するのに先立って行う
密着性強化処理に使用する密着性強化材料の気化供給装
置であって、前記密着性強化材料の気化ガス濃度を測定
し、制御するユニットを備えたことを特徴とする。
に、本発明の密着性強化材料の気化供給装置は、半導体
ウエハ表面に感光性樹脂膜を形成するのに先立って行う
密着性強化処理に使用する密着性強化材料の気化供給装
置であって、前記密着性強化材料の気化ガス濃度を測定
し、制御するユニットを備えたことを特徴とする。
【０００９】また、本発明の半導体ウエハの前処理方法
は、半導体ウエハ表面に感光性樹脂膜を形成するのに先
立って行う前処理の方法であって、前記感光性樹脂膜の
密着性を強化する密着性強化材料を気化し、所定濃度に
維持してこれを供給する工程と、半導体ウエハを所定の
温度、真空度に維持した後、前記気化した密着性強化材
料を半導体ウエハ表面に供給する工程とを有することを
特徴とする。
は、半導体ウエハ表面に感光性樹脂膜を形成するのに先
立って行う前処理の方法であって、前記感光性樹脂膜の
密着性を強化する密着性強化材料を気化し、所定濃度に
維持してこれを供給する工程と、半導体ウエハを所定の
温度、真空度に維持した後、前記気化した密着性強化材
料を半導体ウエハ表面に供給する工程とを有することを
特徴とする。
【００１０】そして、気化した密着性強化材料の濃度の
制御は、気化ガス濃度を測定し、得られた測定値を設定
値と比較し、比較の結果に基づいて気化ガスを送出する
液体加圧圧送ガスの供給を調整することにより行う。
制御は、気化ガス濃度を測定し、得られた測定値を設定
値と比較し、比較の結果に基づいて気化ガスを送出する
液体加圧圧送ガスの供給を調整することにより行う。
【００１１】上記の構成によって、供給される密着性強
化材料の気化ガス濃度が一定に保たれるため、レジスト
パターンの倒壊、剥がれの発生を防止することが可能と
なる。
化材料の気化ガス濃度が一定に保たれるため、レジスト
パターンの倒壊、剥がれの発生を防止することが可能と
なる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の密着性強化材料の
気化供給装置及び半導体ウエハの前処理方法を実施例を
用いて詳しく説明する。
気化供給装置及び半導体ウエハの前処理方法を実施例を
用いて詳しく説明する。
【００１３】図１は本発明に係わる密着性強化材料の気
化供給装置の一実施例の概略断面図である。
化供給装置の一実施例の概略断面図である。
【００１４】この実施例の気化供給装置は、液体材料タ
ンク１１と、液体材料供給ライン１２と、液体加圧圧送
ガス供給管１３と、液体加圧圧送ガスの質量流量、加圧
量を制御する制御ユニット１４と、気化ガス送出管１５
と、気化ガスの質量流量計１６と、気化ガスの濃度検出
器１７と、濃度比較制御装置１８と、温度制御ヒーター
１９により構成される。
ンク１１と、液体材料供給ライン１２と、液体加圧圧送
ガス供給管１３と、液体加圧圧送ガスの質量流量、加圧
量を制御する制御ユニット１４と、気化ガス送出管１５
と、気化ガスの質量流量計１６と、気化ガスの濃度検出
器１７と、濃度比較制御装置１８と、温度制御ヒーター
１９により構成される。
【００１５】さて、その機構を説明する。液体材料タン
ク１１に液体加圧圧送ガス（Ｎ2、Ａｒ等の不活性ガ
ス）６を供給し、液体状態の密着性強化材料（ＨＭＤ
Ｓ、ＩＰＤＴＭＳ等）を加圧あるいはバブリングするこ
とにより気化させ、それを気化ガス送出管１５より製品
処理室の方へ送る。この時、液体加圧タンク１１は温度
制御ヒーター１９によって所定の温度に保っておくほう
が望ましい。この機構により気化したガスの濃度は気化
ガス送出管１５より一定時間間隔でサンプリングする方
法で、ＳｎＯ2等より構成される半導体センサーからな
る気化ガスの濃度検出器１７により測定し、その結果を
電気信号に変換し、濃度比較制御装置１８により設定値
との差を検出し、液体加圧圧送ガス６の質量流量、加圧
量を制御する制御ユニット１４により液体に加圧する不
活性ガス６の質量流量および加圧量を調整する。この
際、サンプリングした気化ガスは、有機排気系に送り密
着強化処理には使用しない。また、気化したガスの質量
流量は質量流量計１６により測定し、必要に応じてこれ
により質量流量を一定量に維持する。また、気化して減
少した液体は、その残量をリアルタイムに管理し不足分
は液体材料供給ライン１２より自動供給されるようにし
ている。こうすることで、気化に使用される液体の容量
を一定に保ち、気化ガスの濃度が変動しないようにして
いる。
ク１１に液体加圧圧送ガス（Ｎ2、Ａｒ等の不活性ガ
ス）６を供給し、液体状態の密着性強化材料（ＨＭＤ
Ｓ、ＩＰＤＴＭＳ等）を加圧あるいはバブリングするこ
とにより気化させ、それを気化ガス送出管１５より製品
処理室の方へ送る。この時、液体加圧タンク１１は温度
制御ヒーター１９によって所定の温度に保っておくほう
が望ましい。この機構により気化したガスの濃度は気化
ガス送出管１５より一定時間間隔でサンプリングする方
法で、ＳｎＯ2等より構成される半導体センサーからな
る気化ガスの濃度検出器１７により測定し、その結果を
電気信号に変換し、濃度比較制御装置１８により設定値
との差を検出し、液体加圧圧送ガス６の質量流量、加圧
量を制御する制御ユニット１４により液体に加圧する不
活性ガス６の質量流量および加圧量を調整する。この
際、サンプリングした気化ガスは、有機排気系に送り密
着強化処理には使用しない。また、気化したガスの質量
流量は質量流量計１６により測定し、必要に応じてこれ
により質量流量を一定量に維持する。また、気化して減
少した液体は、その残量をリアルタイムに管理し不足分
は液体材料供給ライン１２より自動供給されるようにし
ている。こうすることで、気化に使用される液体の容量
を一定に保ち、気化ガスの濃度が変動しないようにして
いる。
【００１６】上記本発明の密着性強化材料の気化供給装
置を用いた場合のレジスト塗布前の半導体ウエハの前処
理方法を説明する。
置を用いた場合のレジスト塗布前の半導体ウエハの前処
理方法を説明する。
【００１７】まず、図２に示すように、レジスト膜を塗
布する半導体ウエハ２０を熱板２１の上に固定し、排気
口２２から処理室２４内の空気を抜き、弱い真空状態に
し、且つ、所定の温度に保つ。
布する半導体ウエハ２０を熱板２１の上に固定し、排気
口２２から処理室２４内の空気を抜き、弱い真空状態に
し、且つ、所定の温度に保つ。
【００１８】次に、気化ガスの供給管１５より送られて
きた気化ガス２３を半導体ウエハ２０の表面に均一に供
給する。この時、供給時間が長いとレジスト膜と半導体
ウエハとの密着性は強くなるため、希望の密着性になる
ように供給時間を調整する。
きた気化ガス２３を半導体ウエハ２０の表面に均一に供
給する。この時、供給時間が長いとレジスト膜と半導体
ウエハとの密着性は強くなるため、希望の密着性になる
ように供給時間を調整する。
【００１９】次に、気化ガスの供給を止め、半導体ウエ
ハ２０の表面に付着した気化ガスを十分乾燥させる。こ
の乾燥が不十分であると、密着性が低下するため乾燥時
間は十分設けるようにする。
ハ２０の表面に付着した気化ガスを十分乾燥させる。こ
の乾燥が不十分であると、密着性が低下するため乾燥時
間は十分設けるようにする。
【００２０】次に、処理室２４内を大気状態に戻し、レ
ジスト塗布前の密着性強化処理を終了する。
ジスト塗布前の密着性強化処理を終了する。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、レジスト
膜の密着性強化材料の気化ガス濃度を一定に保つ制御装
置を装備することにより、レジスト膜の密着性を常に一
定に保つことができ、レジストパターンの倒壊、剥がれ
の発生を防止することができる。
膜の密着性強化材料の気化ガス濃度を一定に保つ制御装
置を装備することにより、レジスト膜の密着性を常に一
定に保つことができ、レジストパターンの倒壊、剥がれ
の発生を防止することができる。
【図１】 本発明の一実施例に係わる密着性強化材料の
気化供給装置の構成の概略を模式的に示した断面図であ
る。
気化供給装置の構成の概略を模式的に示した断面図であ
る。
【図２】 本発明の半導体ウエハの表面処理方法を実施
する密着性強化処理装置の一例の概略を模式的に示した
断面図である。
する密着性強化処理装置の一例の概略を模式的に示した
断面図である。
【図３】 従来の密着性強化材料の気化供給装置の一例
の構成の概略を模式的に示した断面図である。
の構成の概略を模式的に示した断面図である。
１ 液体材料タンク ２ 液体材料供給ライン ３ 液体加圧圧送ガス供給管 ４ 質量流量計 ５ 気化ガス送出管 ６ 液体加圧圧送ガス（キャリアガス） ７ 気化ガス（気化した密着性強化材料） ８ 廃ガス １１ 液体材料タンク １２ 液体材料供給ライン １３ 液体加圧圧送ガス供給管 １４ 液体加圧圧送ガスの質量流量・加圧量制御ユニッ
ト １５ 気化ガスの送出管 １６ 気化ガスの質量流量計 １７ 気化ガスの濃度検出器 １８ 濃度比較制御装置 １９ 温度制御ヒーター ２０ 半導体ウエハ ２１ 熱板 ２２ 排気口 ２３ 気化ガス（気化した密着性強化材料） ２４ 密着性強化処理室
ト １５ 気化ガスの送出管 １６ 気化ガスの質量流量計 １７ 気化ガスの濃度検出器 １８ 濃度比較制御装置 １９ 温度制御ヒーター ２０ 半導体ウエハ ２１ 熱板 ２２ 排気口 ２３ 気化ガス（気化した密着性強化材料） ２４ 密着性強化処理室
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体ウエハ表面に感光性樹脂膜を形成
するのに先立って行う密着性強化処理に使用する密着性
強化材料の気化供給装置であって、前記密着性強化材料
の気化ガス濃度を測定し、制御するユニットを備えたこ
とを特徴とする密着性強化材料の気化供給装置。 - 【請求項２】 前記密着性強化材料の気化ガス濃度を測
定し、制御するユニットが、気化ガス濃度を測定するユ
ニットと、得られた測定値を設定値と比較するユニット
と、前記比較の結果に基づいて前記気化ガスを送出する
液体加圧圧送ガスの供給を調整するユニットとを有する
ことを特徴とする請求項１に記載の密着性強化材料の気
化供給装置。 - 【請求項３】 半導体ウエハ表面に感光性樹脂膜を形成
するのに先立って行う前処理の方法であって、前記感光
性樹脂膜の密着性を強化する密着性強化材料を気化し、
所定濃度に維持してこれを供給する工程と、半導体ウエ
ハを所定の温度、真空度に維持した後、前記気化した密
着性強化材料を半導体ウエハ表面に供給する工程とを有
することを特徴とする半導体ウエハの前処理方法。 - 【請求項４】 前記気化した密着性強化材料の濃度を維
持する工程が、気化ガス濃度を測定するステップと、得
られた測定値を設定値と比較するステップと、前記比較
の結果に基づいて前記気化ガスを送出する液体加圧圧送
ガスの供給を調整するステップとからなることを特徴と
する請求項３に記載の半導体ウエハの前処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10011774A JPH11214286A (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 感光性樹脂膜の密着性強化材料の気化供給装置、および半導体ウエハの前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10011774A JPH11214286A (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 感光性樹脂膜の密着性強化材料の気化供給装置、および半導体ウエハの前処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214286A true JPH11214286A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=11787321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10011774A Pending JPH11214286A (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 感光性樹脂膜の密着性強化材料の気化供給装置、および半導体ウエハの前処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11214286A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006245593A (ja) * | 2001-08-28 | 2006-09-14 | Nec Kagoshima Ltd | 基板処理装置 |
| JP2006261683A (ja) * | 2001-08-28 | 2006-09-28 | Nec Kagoshima Ltd | 基板処理装置 |
| JP2009141329A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-06-25 | Applied Materials Inc | 液浸リソグラフィーにおけるパターン崩壊を防止するためのプラズマ表面処理 |
| JP2012038868A (ja) * | 2010-08-05 | 2012-02-23 | Tokyo Electron Ltd | 気化装置、基板処理装置、塗布現像装置、および基板処理方法 |
| CN114695192A (zh) * | 2020-12-30 | 2022-07-01 | 细美事有限公司 | 用于处理基板的设备和用于处理基板的方法 |
-
1998
- 1998-01-23 JP JP10011774A patent/JPH11214286A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006245593A (ja) * | 2001-08-28 | 2006-09-14 | Nec Kagoshima Ltd | 基板処理装置 |
| JP2006261683A (ja) * | 2001-08-28 | 2006-09-28 | Nec Kagoshima Ltd | 基板処理装置 |
| JP2009141329A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-06-25 | Applied Materials Inc | 液浸リソグラフィーにおけるパターン崩壊を防止するためのプラズマ表面処理 |
| JP2012038868A (ja) * | 2010-08-05 | 2012-02-23 | Tokyo Electron Ltd | 気化装置、基板処理装置、塗布現像装置、および基板処理方法 |
| CN114695192A (zh) * | 2020-12-30 | 2022-07-01 | 细美事有限公司 | 用于处理基板的设备和用于处理基板的方法 |
| JP2022104883A (ja) * | 2020-12-30 | 2022-07-12 | セメス カンパニー，リミテッド | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US11789364B2 (en) | 2020-12-30 | 2023-10-17 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate and method for treating substrate |
| CN114695192B (zh) * | 2020-12-30 | 2025-06-27 | 细美事有限公司 | 用于处理基板的设备和用于处理基板的方法 |
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