JPH11214314A - Vapor phase epitaxial growth method and apparatus - Google Patents
Vapor phase epitaxial growth method and apparatusInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】気相エピタキシャル成長法において、膜厚分布
及び成長速度を変化させることなく、キャリア濃度分布
をコントロールすることを可能にする。
【解決手段】反応管２内にサセプタ３により水平に保持
されて回転する結晶成長用基板４に対する加熱源とし
て、サセプタ３の上方に、原料ガスの流通方向にメイン
ヒータ１３と下流ヒータ１４を順次配設し、前記メイン
ヒータ１３は、サセプタ３の領域のうち原料ガスの流通
方向上流側からサセプタの半分以上の領域を被う大きさ
で設け、前記下流ヒータ１４はサセプタ３の残りの領域
を被う大きさで設け、メインヒータ１３の領域で熱分解
反応により原料を消費させ、膜厚分布及び成長速度に変
化を与えない状態下で、前記下流ヒータ１４の温度を変
化させることにより、キャリア濃度分布をコントロール
する。
(57) Abstract: In a vapor phase epitaxial growth method, it is possible to control a carrier concentration distribution without changing a film thickness distribution and a growth rate. A main heater and a downstream heater are sequentially disposed above a susceptor in a flowing direction of a source gas above a susceptor as a heating source for a rotating crystal growth substrate held horizontally by a susceptor in a reaction tube. The main heater 13 is provided so as to cover at least half of the susceptor 3 in the region of the susceptor 3 from the upstream side in the flow direction of the source gas, and the downstream heater 14 covers the remaining region of the susceptor 3. The size of the carrier is reduced by changing the temperature of the downstream heater 14 in a state where the raw material is consumed by the thermal decomposition reaction in the area of the main heater 13 and the film thickness distribution and the growth rate are not changed. Control the concentration distribution.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造に用
いられる気相エピタキシャル成長方法及び装置に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vapor phase epitaxial growth method and apparatus used for manufacturing semiconductors.
【０００２】[0002]
【従来の技術】横型気相エピタキシャル成長法は、反応
炉内のサセプタを回転しつつ、これに保持したウェハ上
に原料ガスを流して薄膜を形成するものであり、ＧａＡ
ｓやＡｌＧａＡｓなどの化合物半導体の薄膜単結晶を成
長するのに用いられる。原料ガスとして、高純度の有機
金属・水素化物・キャリアガスを用いており、分子線エ
ピタキシーのような超高真空を必要としないので量産性
に優れている。2. Description of the Related Art In a horizontal vapor phase epitaxial growth method, a susceptor in a reactor is rotated while a source gas is flowed on a wafer held thereon to form a thin film.
It is used to grow a thin film single crystal of a compound semiconductor such as s or AlGaAs. As a raw material gas, a high-purity organic metal, hydride, or carrier gas is used, and since it does not require an ultra-high vacuum unlike molecular beam epitaxy, it is excellent in mass productivity.
【０００３】典型的な横型気相エピタキシャル成長装置
にあっては、ウェハを支持するサセプタを回転しつつ、
ヒータによりサセプタを介してウェハを加熱し、サセプ
タと平行に原料ガスを流してウェハ上に薄膜を形成す
る。In a typical lateral vapor phase epitaxial growth apparatus, a susceptor for supporting a wafer is rotated while rotating the susceptor.
A wafer is heated by a heater via a susceptor, and a raw material gas flows in parallel with the susceptor to form a thin film on the wafer.
【０００４】図６は、従来の気相エピタキシャル成長装
置を示した縦断面図、図７はその横断面図である。FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing a conventional vapor phase epitaxial growth apparatus, and FIG. 7 is a transverse sectional view thereof.
【０００５】気相エピタキシャル成長装置１の上下方向
の中間部には、片側に原料ガス供給口２ａ、反対側にガ
ス排気口２ｂを備えた横型反応管２が配置されており、
その横型反応管２の中心部には、複数の半導体基板４を
保持するサセプタ３が回転可能に配設されている。A horizontal reaction tube 2 having a raw material gas supply port 2a on one side and a gas exhaust port 2b on the other side is arranged at an intermediate portion in the vertical direction of the vapor phase epitaxial growth apparatus 1.
A susceptor 3 holding a plurality of semiconductor substrates 4 is rotatably disposed at the center of the horizontal reaction tube 2.
【０００６】サセプタ３は図８に示すように円板形をし
ており、その円板面内には同一円上に均等に６つの円形
の開口５が設けられ、各々の開口５内には、半導体基板
４がその表面を下にして収納配置され、さらにその上に
均熱板７が重ねて収納配置される。この半導体基板４を
開口５内に載置し支持する構造を得るため、開口５の下
面周縁部には、図９に示すように開口５の中心方向に張
り出した段差から成る基板支持部６が一体に形成されて
おり、半導体基板４は、この基板支持部６に外周部が支
えられて開口５の下面に保持される。The susceptor 3 has a disk shape as shown in FIG. 8, and in the disk surface, six circular openings 5 are provided evenly on the same circle. The semiconductor substrate 4 is stored and arranged with its surface facing down, and the heat equalizing plate 7 is further stored and arranged thereon. In order to obtain a structure for mounting and supporting the semiconductor substrate 4 in the opening 5, a substrate supporting portion 6 formed of a step projecting toward the center of the opening 5 as shown in FIG. The semiconductor substrate 4 is integrally formed, and the outer peripheral portion of the semiconductor substrate 4 is supported by the substrate supporting portion 6 and held on the lower surface of the opening 5.
【０００７】上記サセプタ３は、その回転軸８が上方に
延在して反応管２の外に露出しており、この回転軸８に
磁気シールドユニット９を介して接続されたモータ１０
により回転される。サセプタ３を回転しつつ薄膜を形成
するのは、サセプタ３が静止していると、半導体基板つ
まりウェハに成長する結晶の膜厚が、原料ガスの流れ方
向にばらつきをもつためであり、サセプタ３を回転して
膜厚ばらつきを少なくしている。The susceptor 3 has a rotating shaft 8 extending upward and exposed outside the reaction tube 2, and a motor 10 connected to the rotating shaft 8 via a magnetic shield unit 9.
Is rotated by The reason for forming the thin film while rotating the susceptor 3 is that when the susceptor 3 is stationary, the thickness of the crystal grown on the semiconductor substrate, that is, the wafer, varies in the flow direction of the source gas. Is rotated to reduce variations in film thickness.
【０００８】一方、反応管２の内部には、サセプタ３の
上方を被うようにカーボン製のメインヒータ２１が配置
されると共に、このメインヒータ２１とサセプタ３との
間においてサセプタ３の両側に位置するように２つの外
周ヒータ２２が配設され、両ヒータ２１、２２により、
反応管２、半導体基板４及びサセプタ３が加熱される。
なお、上記開口５内において、半導体基板４の上面（非
処理面）上には、ヒータ２１、２２の熱を半導体基板４
に均一に付与するための均熱板７が装着される。On the other hand, a main heater 21 made of carbon is arranged inside the reaction tube 2 so as to cover above the susceptor 3, and between the main heater 21 and the susceptor 3, on both sides of the susceptor 3. Two outer peripheral heaters 22 are disposed so as to be positioned, and both heaters 21 and 22
The reaction tube 2, the semiconductor substrate 4, and the susceptor 3 are heated.
In the opening 5, the heat of the heaters 21 and 22 is applied to the upper surface (non-processed surface) of the semiconductor substrate 4.
A heat equalizing plate 7 for uniformly applying the heat is mounted.
【０００９】このような構成の気相エピタキシャル成長
装置にあって、ガス供給口２ａからは、原料ガスである
トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム（ＴＭＧ
ａ、ＴＭＡｌ：有機金属）やアルシン（ＡｓＨ3 ）、又
はドーパントガスであるジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）等が反
応管２に供給される。つまり、ＧａＡｓを成長する場
合、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）とアルシン（Ａｓ
Ｈ3 ）を反応管２内へ送り込むことによって、ＧａＡｓ
基板４上でトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）とアルシン
（ＡｓＨ3 ）の熱分解が生じ、ＧａＡｓ結晶が成長す
る。ＡｌＧａＡｓ結晶の場合には、トリメチルガリウム
（ＴＭＧａ），トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ），
アルシン（ＡｓＨ3 ）を同時に流す。そして化合物半導
体のｎ型の結晶成長時には、同時に、Ｓｉの原料となる
ジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）をｎ型ドーパントとして反応管
２へごく微量流す。In the vapor phase epitaxial growth apparatus having such a structure, the gas supply port 2a supplies trimethylgallium and trimethylaluminum (TMG) as source gases.
a, TMAl: organic metal), arsine (AsH 3 ), or disilane (Si 2 H 6 ) as a dopant gas is supplied to the reaction tube 2. That is, when growing GaAs, trimethylgallium (TMGa) and arsine (As
H 3 ) is fed into the reaction tube 2 so that GaAs
Thermal decomposition of trimethylgallium (TMGa) and arsine (AsH 3 ) occurs on the substrate 4, and GaAs crystals grow. In the case of an AlGaAs crystal, trimethyl gallium (TMGa), trimethyl aluminum (TMAl),
Arsine (AsH 3 ) is flowed simultaneously. During the n-type crystal growth of the compound semiconductor, a very small amount of disilane (Si 2 H 6 ), which is a raw material of Si, is simultaneously flowed into the reaction tube 2 as an n-type dopant.
【００１０】半導体基板４はヒータ２１、２２によって
加熱されているため、基板近傍に到達した原料ガスは熱
分解反応を起こし、エピタキシャル成長が行われる。こ
の際、過剰になった原料ガスは、ガス排気口２ｂから排
気される。熱分解反応中はモータ１０によってサセプタ
３を回転し、半導体基板４上に膜厚の均一なエピタキシ
ャル層が形成されるようにする。Since the semiconductor substrate 4 is heated by the heaters 21 and 22, the source gas that has reached the vicinity of the substrate undergoes a thermal decomposition reaction and epitaxial growth is performed. At this time, the excess source gas is exhausted from the gas exhaust port 2b. During the thermal decomposition reaction, the susceptor 3 is rotated by the motor 10 so that an epitaxial layer having a uniform thickness is formed on the semiconductor substrate 4.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
気相エピタキシャル成長装置でＧａＡｓ基板上にｎ型の
ＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓを成長させる場合、以下
（１）（２）に述べる問題があった。However, when n-type GaAs or AlGaAs is grown on a GaAs substrate by a conventional vapor phase epitaxial growth apparatus, there are the following problems (1) and (2).
【００１２】（ｌ）膜厚（成長速度）分布 一般に成長機構については以下のように説明される。(L) Thickness (growth rate) distribution Generally, the growth mechanism is described as follows.
【００１３】充分加熱されていない反応管２の上流部で
は、表面での反応種の反応により成長速度が決まる反応
律速モデルに従う。この領域はヒータ２１、２２から離
れており充分に加熱されていないので原料分解が促進さ
れない。そのため成長速度は小さくなる。ヒータ２１、
２２に近づくほど分解は促進されて成長速度は大きくな
り、充分に加熱されたヒータ付近では原料分子の気相中
での拡散により成長速度が決まる輸送律速モデルに従
う。この温度域での成長速度は原料の供給量で制御でき
る。原料は反応菅２の下流側に行くほど熱分解反応で消
費されて気相中の濃度が低下するため、成長速度が低下
していく。In the upstream part of the reaction tube 2 that is not sufficiently heated, a reaction rate-determining model in which the growth rate is determined by the reaction of the reaction species on the surface follows. Since this region is separated from the heaters 21 and 22 and is not sufficiently heated, decomposition of the raw material is not promoted. Therefore, the growth rate decreases. Heater 21,
Decomposition is promoted and the growth rate is increased as the temperature approaches 22. In the vicinity of a sufficiently heated heater, the growth rate is determined by the diffusion rate of the source molecules in the gas phase. The growth rate in this temperature range can be controlled by the supply amount of the raw material. The raw material is consumed by the thermal decomposition reaction toward the downstream side of the reaction tube 2 and the concentration in the gas phase decreases, so that the growth rate decreases.
【００１４】外周ヒータ２２の温度を上昇させると、輻
射熱の影響により反応菅２の上流側の温度が上昇し、特
に反応管２の両サイド部の上流部で温度が上昇しやすく
なる。よって特に反応管２の両サイド部の上流部で温度
の低い領域がさらに上流側ヘシフトするため、反応律速
モードから輸送律速モードヘ遷移する領域は上流側ヘシ
フトする。すなわち外周ヒータ２２の温度が高いほど、
反応管２の両サイド部の上流部で特に原料が熱分解反応
で消費され、エピタキシャル層の膜厚はサセプタ３の中
心から周縁方向であるほど小さく（成長速度小）なる。When the temperature of the outer peripheral heater 22 is increased, the temperature on the upstream side of the reaction tube 2 increases due to the influence of radiant heat, and the temperature tends to increase particularly on the upstream portions of both sides of the reaction tube 2. Therefore, particularly in the upstream portion of both sides of the reaction tube 2, the region having a lower temperature is further shifted to the upstream side, so that the region where the transition from the reaction rate-limiting mode to the transport rate-limiting mode is shifted to the upstream side. That is, the higher the temperature of the outer peripheral heater 22 is,
In particular, the raw materials are consumed by the thermal decomposition reaction in the upstream portions of both side portions of the reaction tube 2, and the thickness of the epitaxial layer becomes smaller (the growth rate becomes smaller) from the center of the susceptor 3 toward the periphery.
【００１５】（２）キャリア濃度分布 ｎ型ドーパントであるジシランは、温度の上昇に伴い熱
分解が促進されるため、エピタキシャル層のキャリア濃
度はサセプタ３の温度分布で決まる。よって外周ヒータ
温度を上昇させるとサセプタ３の中心から周縁方向の温
度勾配が変化し、これに伴ってエピタキシャル層のキャ
リア濃度はサセプタ３の中心から周縁方向であるほど高
くなっていく。(2) Carrier Concentration Distribution Since the thermal decomposition of disilane, which is an n-type dopant, is promoted as the temperature rises, the carrier concentration of the epitaxial layer is determined by the temperature distribution of the susceptor 3. Therefore, when the outer peripheral heater temperature is increased, the temperature gradient in the peripheral direction from the center of the susceptor 3 changes, and accordingly, the carrier concentration of the epitaxial layer becomes higher from the center of the susceptor 3 to the peripheral direction.
【００１６】上記（１）、（２）で述べた通り、外周ヒ
ータ温度を上昇させると、膜厚分布とキャリア濃度分布
の両方が変化することになるが、膜厚分布及び成長速度
を変化させることなくキャリア濃度分布をコントロール
できる方が望ましい。As described in (1) and (2) above, when the temperature of the outer peripheral heater is increased, both the film thickness distribution and the carrier concentration distribution change, but the film thickness distribution and the growth rate are changed. It is desirable to be able to control the carrier concentration distribution without any problems.
【００１７】そこで本発明は、膜厚分布及び成長速度を
変化させることなく、キャリア濃度分布をコントロール
できる気相エピタキシャル成長方法及び装置を提供する
ことを目的としている。Accordingly, an object of the present invention is to provide a vapor phase epitaxial growth method and apparatus capable of controlling the carrier concentration distribution without changing the film thickness distribution and the growth rate.
【００１８】[0018]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明による気相エピタキシャル成長方法は、反
応管内にサセプタにより水平に設置した結晶成長用基板
をヒータにより加熱し、反応管に原料ガスを供給して、
結晶成長用基板上に化合物半導体結晶を気相エピタキシ
ャル成長させる方法において、前記サセプタの上方にお
いて、前記原料ガスの上流側を高温領域とし下流側を低
温領域としたものである（請求項１）。In order to achieve the above object, the present invention provides a vapor phase epitaxial growth method according to the present invention, wherein a substrate for crystal growth horizontally set by a susceptor in a reaction tube is heated by a heater, and the raw material is supplied to the reaction tube. Supply gas,
In the method for vapor-phase epitaxially growing a compound semiconductor crystal on a substrate for crystal growth, an upstream side of the source gas is a high-temperature region and a downstream side is a low-temperature region above the susceptor.
【００１９】また、本発明による気相エピタキシャル成
長方法は、反応管内にサセプタにより水平に設置した結
晶成長用基板をヒータにより加熱し、反応管にIII 族原
料ガス及びＶ族原料ガスを供給して、結晶成長用基板上
にIII −Ｖ族化合物半導体結晶を気相エピタキシャル成
長させる方法において、前記ヒータを、前記サセプタの
上方で、メインヒータとサブの下流ヒータとに分けて順
次配設し、ジシランをドーピングしてｎ型III −Ｖ族化
合物半導体結晶を成長する際に、前記メインヒータの領
域で熱分解反応により原料を消費させ、膜厚分布及び成
長速度に変化を与えない状態下で、前記サブの下流ヒー
タの温度を変化させることにより、キャリア濃度分布を
コントロールするものである（請求項２）。Further, in the vapor phase epitaxial growth method according to the present invention, a substrate for crystal growth horizontally set by a susceptor in a reaction tube is heated by a heater, and a group III source gas and a group V source gas are supplied to the reaction tube. In the method of vapor-phase epitaxially growing a group III-V compound semiconductor crystal on a substrate for crystal growth, the heater is divided into a main heater and a sub-downstream heater above the susceptor and is sequentially arranged, and is doped with disilane. In growing the n-type group III-V compound semiconductor crystal, the raw material is consumed by a thermal decomposition reaction in the region of the main heater, and the sub-type is grown under the condition that the film thickness distribution and the growth rate are not changed. The carrier concentration distribution is controlled by changing the temperature of the downstream heater (claim 2).
【００２０】具体的には、前記結晶成長用基板がＧａＡ
ｓ基板であり、このＧａＡｓ基板上に前記III −Ｖ族化
合物半導体結晶としてｎ型のＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓ
を成長させる（請求項３）。Specifically, the substrate for crystal growth is made of GaAs.
an n-type GaAs or AlGaAs as the III-V compound semiconductor crystal on the GaAs substrate.
Is grown (claim 3).
【００２１】原料は反応菅２の下流側に行くほど熱分解
反応で消費されて気相中の濃度が低下する。反応管の上
流部及びサセプタにおいて、つまりメインヒータの領域
を通過する間に、原料が熱分解反応で消費されるため、
下流ヒータ温度を変化させても膜厚分布及び成長速度は
ほとんど変化しない。一方、ｎ型ドーパントであるジシ
ランは、温度の上昇に伴い熱分解が促進される。このた
め、下流ヒータの温度を変化させると、膜厚分布及び成
長速度を変化させることなく、エピタキシャル層のキャ
リア濃度をコントロールすることができる。The raw material is consumed by the thermal decomposition reaction toward the downstream side of the reaction tube 2 and the concentration in the gas phase decreases. In the upstream part of the reaction tube and the susceptor, that is, while passing through the area of the main heater, the raw material is consumed by the thermal decomposition reaction,
Even if the downstream heater temperature is changed, the film thickness distribution and the growth rate hardly change. On the other hand, thermal decomposition of disilane, which is an n-type dopant, is promoted with an increase in temperature. Therefore, when the temperature of the downstream heater is changed, the carrier concentration of the epitaxial layer can be controlled without changing the film thickness distribution and the growth rate.
【００２２】次に、本発明による気相エピタキシャル成
長装置は、原料ガスが流通する反応管と、この反応管内
に回転可能に設置されてエピタキシャル成長の対象であ
る基板を水平に保持するサセプタと、前記基板を加熱す
る加熱源と、この加熱源に面して前記基板に装着される
均熱板とを備える気相エピタキシャル成長装置におい
て、前記加熱源として、前記サセプタの上方に、メイン
ヒータとサブの下流ヒータを原料ガスの流通方向に順次
配設し、前記メインヒータは、前記サセプタの領域のう
ち原料ガスの流通方向上流側から前記サセプタの半分以
上の領域を被う大きさで設け、前記下流ヒータは前記サ
セプタの残りの領域を被う大きさで設けたものである
（請求項４）。Next, a vapor phase epitaxial growth apparatus according to the present invention comprises a reaction tube through which a raw material gas flows, a susceptor rotatably installed in the reaction tube and horizontally holding a substrate to be subjected to epitaxial growth, In a vapor phase epitaxial growth apparatus comprising: a heating source for heating the susceptor; and a main heater and a sub-downstream heater above the susceptor as the heating source. Are sequentially arranged in the flow direction of the raw material gas, and the main heater is provided in such a size as to cover a half or more of the susceptor from the upstream side in the flow direction of the raw gas in the region of the susceptor, and the downstream heater is The susceptor is provided so as to cover the remaining area (claim 4).
【００２３】具体的には、前記メインヒータが、前記サ
セプタの領域のうちの原料ガス流通方向上流側から、前
記サセプタ上で最も下流側に位置する基板の中心部付近
まで延在する大きさを有し、前記下流ヒータが、前記サ
セプタ上で最も下流側に位置する基板の中心部付近から
さらにサセプタの領域外の下流側まで延在する大きさを
有する構成とする（請求項５）。Specifically, the size of the main heater extending from the upstream side of the susceptor region in the source gas flow direction to the vicinity of the center of the substrate located at the most downstream side on the susceptor is determined. Wherein the downstream heater has a size extending from near the center of the substrate located on the most downstream side on the susceptor to a downstream side outside the susceptor area (claim 5).
【００２４】そして、前記メインヒータと下流ヒータは
独立に通電して温度をコントロールできるようにする
（請求項６）。Then, the main heater and the downstream heater are independently energized so that the temperature can be controlled.
【００２５】上記構成により従来の外周ヒータでドーピ
ング分布をコントロールする必要がなくなるため、外周
ヒータは設置しない。With the above configuration, there is no need to control the doping distribution with the conventional peripheral heater, so that no peripheral heater is provided.
【００２６】このようにメインヒータと下流ヒータに分
けてヒータを設置することにより、サセプタの中心方向
から周縁方向に対してのエピタキシャル層のキャリア濃
度分布がコントロール可能となる。即ち、外周ヒータが
ないため、エピタキシャル層の成長において反応管の両
サイド部の上流部で反応律速モードから輸送律速モード
ヘ遷移する領域のシフトがなくなる。また反応管の上流
部及びサセプタにおいて原料が熱分解反応で消費される
ため、下流ヒータ温度を変化させても膜厚分布及び成長
速度はほとんど変化しない。By arranging the heaters separately for the main heater and the downstream heater in this manner, the carrier concentration distribution of the epitaxial layer from the center to the peripheral direction of the susceptor can be controlled. That is, since there is no outer peripheral heater, there is no shift in the region where the transition from the reaction rate-limiting mode to the transport rate-limiting mode occurs in the upstream portion of both sides of the reaction tube during the growth of the epitaxial layer. Further, since the raw material is consumed in the thermal decomposition reaction in the upstream part of the reaction tube and the susceptor, the film thickness distribution and the growth rate hardly change even if the downstream heater temperature is changed.
【００２７】[0027]
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施形態に
基づいて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below based on the illustrated embodiment.
【００２８】図１は本発明による気相エピタキシャル成
長装置の実施の形態を示す縦断面図、図２はその横断面
図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an embodiment of a vapor phase epitaxial growth apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a transverse sectional view thereof.
【００２９】本発明はジシランを反応管の下流側で分解
させることを目的として、加熱すべきサセプタの領域
を、原料ガスの流通方向に大小２つの領域に分け、その
上流側の面積の大きい領域にメインヒータを設置し、こ
れに続く下流側の面積の小さい領域に別のサブのヒータ
（下流ヒータ）を設置する。In order to decompose disilane on the downstream side of the reaction tube, the present invention divides the region of the susceptor to be heated into two regions, large and small, in the flow direction of the raw material gas. The main heater is installed in the area, and another sub-heater (downstream heater) is installed in a small area on the downstream side following the main heater.
【００３０】図１において、気相エピタキシャル成長装
置１の上下方向の中間部には、片側に原料ガス供給口２
ａ、反対側にガス排気口２ｂを備えた横型反応管２が配
置されており、その横型反応管２の中心部には、複数の
半導体基板４を保持するサセプタ３が回転可能に配設さ
れている。In FIG. 1, a raw material gas supply port 2 is provided on one side at an intermediate portion of the vapor phase epitaxial growth apparatus 1 in the vertical direction.
a, a horizontal reaction tube 2 having a gas exhaust port 2b on the opposite side is disposed, and a susceptor 3 holding a plurality of semiconductor substrates 4 is rotatably disposed at the center of the horizontal reaction tube 2. ing.
【００３１】サセプタ３は図２に示すように円板形をし
ており、その円板面内には同一円上に均等に６つの円形
の開口５が設けられ、各々の開口５内には、エピタキシ
ャル成長の対象である結晶成長用基板としての半導体基
板（ウェハ）４がその表面を下にして収納配置され、さ
らにその上に均熱板７が重ねて収納配置される。この半
導体基板４を開口５内に載置し支持する構造を得るた
め、開口５の下面周縁部には、図３に示すように開口５
の中心方向に一部が張り出した金属製の爪１１から成る
基板支持部６が設けられており、半導体基板４は、この
基板支持部６に外周部が支えられて開口５の下面に保持
される。The susceptor 3 has a disk shape as shown in FIG. 2, and in the disk surface, six circular openings 5 are provided evenly on the same circle. A semiconductor substrate (wafer) 4 as a substrate for crystal growth to be subjected to epitaxial growth is housed and arranged with its surface facing down, and a heat equalizing plate 7 is stacked and housed thereon. In order to obtain a structure in which the semiconductor substrate 4 is placed and supported in the opening 5, an opening 5 is formed on the lower peripheral edge of the opening 5 as shown in FIG.
The semiconductor substrate 4 is held by the lower surface of the opening 5 with the outer peripheral portion supported by the substrate supporting portion 6 and having a metal claw 11 partially projecting in the center direction of the semiconductor substrate 4. You.
【００３２】この金属製の爪１１は、底部開口５の端面
にサセプタ３とは別体に取り付けた厚さの薄い基板支持
片から成る。ツメ１１の本数は、底部開口端面の周方向
に沿って等間隔に例えば４本設けられるが、３本あるい
は５本以上でもよい。これらのツメ１１には、予めねじ
を切ったロッド１２をツメ１１の面に対して垂直に固着
しておき、ツメ１１の取り付け箇所の容器壁に軸方向に
ロッド挿通穴を明け、その挿通穴にツメのロッド１２を
通し、ナット１３で締め付けることにより、サセプタ３
の底部開口端面にツメ１１を固定する。サセプタ３内に
納めた半導体基板４は、その底部のツメ１１に基板外周
部を支えられてサセプタ３に保持される。このときエピ
タキシャル成長させる表面を下にして、基板表面がサセ
プタ３の底部開口より下方を臨むようにする。半導体基
板４を支えるツメ１１は原料ガスと反応しない金属で構
成することが好ましく、本例ではモリブデンで製作して
ある。The metal claw 11 is made of a thin substrate supporting piece attached to the end surface of the bottom opening 5 separately from the susceptor 3. The number of the claws 11 is, for example, four at equal intervals along the circumferential direction of the bottom opening end surface, but may be three or five or more. A rod 12 that has been threaded in advance is fixed to these claws 11 perpendicularly to the surface of the claws 11, and a rod insertion hole is formed in the container wall at the place where the claws 11 are attached in the axial direction. The susceptor 3 is passed through the rod 12 of the nail and tightened with the nut 13.
The claw 11 is fixed to the bottom end face of the opening. The semiconductor substrate 4 accommodated in the susceptor 3 is held by the susceptor 3 with the claw 11 at the bottom supporting the outer peripheral portion of the substrate. At this time, the surface to be epitaxially grown is directed downward so that the substrate surface faces downward from the bottom opening of the susceptor 3. The claw 11 supporting the semiconductor substrate 4 is preferably made of a metal that does not react with the source gas, and is made of molybdenum in this example.
【００３３】しかし、この基板支持部６は、従来の第９
図で述べたように、開口５の中心方向に張り出した段差
によって一体に形成することもできる。However, the substrate supporting portion 6 is a conventional ninth type.
As described in the figures, the openings 5 can be integrally formed by a step projecting in the center direction.
【００３４】上記サセプタ３は、その回転軸８が上方に
延在して反応管２の外に露出しており、この回転軸８に
磁気シールドユニット９を介して接続されたモータ１０
により回転される。The susceptor 3 has a rotating shaft 8 extending upward and exposed outside the reaction tube 2, and a motor 10 connected to the rotating shaft 8 via a magnetic shield unit 9.
Is rotated by
【００３５】一方、反応管２の内部には、サセプタ３の
上方に、メインヒータ１３とサブの下流ヒータ１４と
が、原料ガスの流通方向に順次配設される。メインヒー
タ１３は、サセプタ３の領域のうち、原料ガスの流通方
向上流側から前記サセプタの半分以上の領域を被う大き
さで設けられ、下流ヒータ１４はサセプタ３の残りの領
域を被う大きさで設けられる。ここでは、メインヒータ
１３は、サセプタ３の領域のうちの原料ガス流通方向上
流側から、サセプタ３上で最も下流側に位置する半導体
基板４ｄの中心部付近まで延在する大きさで設けられ、
また下流ヒータは、サセプタ３上で最も下流側に位置す
る半導体基板４ｄの中心部付近からさらにサセプタの領
域外の下流側まで延在する大きさで設けられている。On the other hand, inside the reaction tube 2, a main heater 13 and a sub downstream heater 14 are sequentially arranged above the susceptor 3 in the flow direction of the raw material gas. The main heater 13 is provided in a size that covers at least half of the susceptor 3 in the region of the susceptor 3 from the upstream side in the flow direction of the source gas, and the downstream heater 14 has a size that covers the remaining region of the susceptor 3. It is provided with. Here, the main heater 13 is provided with a size extending from the upstream side of the source gas flow direction in the region of the susceptor 3 to the vicinity of the center of the semiconductor substrate 4d located on the susceptor 3 at the most downstream side.
The downstream heater is provided in such a size that it extends from the vicinity of the center of the semiconductor substrate 4d located on the most downstream side on the susceptor 3 to the downstream side outside the susceptor region.
【００３６】そしてこのメインヒータ１３と下流ヒータ
１４は独立に通電して温度をコントロールできるように
なっている。The main heater 13 and the downstream heater 14 can be independently energized to control the temperature.
【００３７】なお、上記開口５内において、半導体基板
４の上面（非処理面）上には、ヒータ２１、２２の熱を
半導体基板４に均一に付与するための均熱板７が装着さ
れる。In the opening 5, a heat equalizing plate 7 for uniformly applying heat of the heaters 21 and 22 to the semiconductor substrate 4 is mounted on the upper surface (non-processed surface) of the semiconductor substrate 4. .
【００３８】このように、片側に原料ガス供給口２ａ、
反対側にガス排気口２ｂを備える反応管２の内部の中心
部に、回転する円板型のサセプタ３が配設され、このサ
セプタ３に図２で示した複数の半導体基板４がセットさ
れて、半導体基板４が回転される。また反応菅２の上部
に配設したメインヒータ１３及び下流ヒータ１４によ
り、反応管２、半導体基板４、サセプタ３が加熱され
る。サブヒータとしてメインヒータ１３に続けてサセプ
タ３の下流領域に下流ヒータ１４を設置し、この下流ヒ
ータ１４を独立に通電可能に構成しているので、膜厚分
布及び成長速度を変化させることなく、キャリア濃度分
布をコントロールすることができる。As described above, the material gas supply port 2a is provided on one side.
A rotating disk-shaped susceptor 3 is disposed at the center of the inside of the reaction tube 2 having the gas exhaust port 2b on the opposite side, and the plurality of semiconductor substrates 4 shown in FIG. Then, the semiconductor substrate 4 is rotated. Further, the reaction tube 2, the semiconductor substrate 4, and the susceptor 3 are heated by the main heater 13 and the downstream heater 14 disposed above the reaction tube 2. A downstream heater 14 is installed as a sub-heater in a downstream region of the susceptor 3 following the main heater 13 and the downstream heater 14 is configured to be independently energizable, so that the carrier thickness is maintained without changing the film thickness distribution and the growth rate. The concentration distribution can be controlled.
【００３９】[0039]
【実施例】次に、本発明の実施例として、ＧａＡｓ基板
上にｎ型のＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓをエピタキシャル
成長させた場合について説明する。Next, as an embodiment of the present invention, a case where n-type GaAs or AlGaAs is epitaxially grown on a GaAs substrate will be described.
【００４０】本発明による気相エピタキシャル成長装置
で、ＧａＡｓを成長する場合は、トリメチルガリウム
（ＴＭＧａ）とアルシン（ＡｓＨ3 ）を反応管２内へ送
り込むことによって、ＧａＡｓ基板４上でトリメチルガ
リウム（ＴＭＧａ）とアルシン（ＡｓＨ3 ）の熱分解を
生じさせ、ＧａＡｓ結晶を成長させた。ＡｌＧａＡｓ結
晶の場合には、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ），トリ
メチルアルミニウム（ＴＭＡｌ），アルシン（Ａｓ
Ｈ3 ）を同時に流した。そして化合物半導体のｎ型の結
晶成長時には、同時に、Ｓｉの原料となるジシラン（Ｓ
ｉ2 Ｈ6 ）をｎ型ドーパントとして反応管２へごく微量
流した。When GaAs is grown by the vapor phase epitaxial growth apparatus according to the present invention, trimethyl gallium (TMGa) and arsine (AsH 3 ) are fed into the reaction tube 2 so that trimethyl gallium (TMGa) is formed on the GaAs substrate 4. And arsine (AsH 3 ) were thermally decomposed to grow GaAs crystals. In the case of an AlGaAs crystal, trimethylgallium (TMGa), trimethylaluminum (TMAl), arsine (As)
H 3 ) was run simultaneously. During the n-type crystal growth of the compound semiconductor, the disilane (S
A very small amount of i 2 H 6 ) was flowed into the reaction tube 2 as an n-type dopant.
【００４１】図４は、本発明による気相エピタキシャル
成長装置で、上記ｎ型のＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓをエ
ピタキシャル成長させたときの膜厚分布の下流ヒータ温
度依存性を示す特性図である。また、図５は、本発明に
よる気相エピタキシャル成長装置で同エピタキシャル成
長を行ったときのキャリア濃度分布の下流ヒータ温度依
存性を示す特性図である。横軸のウェハ中心からの距離
（mm）は、サセプタ３の中心側になる方向の距離をプラ
スとし、サセプタ３の外周側になる方向の距離をマイナ
スとして示した。メインヒータ１３の温度は８２５℃と
し、下流ヒータ１４の温度については、９５０℃、１０
００℃、１０５０℃に変化させた。成長後の膜厚（nm）
についてはウェハの中心から５mmピッチ、キャリア濃度
（×１０18cm-3）については１５mmピッチで測定した。FIG. 4 is a characteristic diagram showing the downstream heater temperature dependence of the film thickness distribution when the n-type GaAs or AlGaAs is epitaxially grown by the vapor phase epitaxial growth apparatus according to the present invention. FIG. 5 is a characteristic diagram showing the downstream heater temperature dependence of the carrier concentration distribution when the epitaxial growth is performed by the vapor phase epitaxial growth apparatus according to the present invention. The distance (mm) from the wafer center on the abscissa indicates that the distance toward the center of the susceptor 3 is plus and the distance toward the outer periphery of the susceptor 3 is minus. The temperature of the main heater 13 is 825 ° C., and the temperature of the downstream heater 14 is 950 ° C., 10 ° C.
The temperature was changed to 00 ° C and 1050 ° C. Film thickness after growth (nm)
Was measured at a pitch of 5 mm from the center of the wafer, and the carrier concentration (× 10 18 cm −3 ) was measured at a pitch of 15 mm.
【００４２】また、図１０、図１１は、従来の気相エピ
タキシャル成長装置でエピタキシャル成長を行ったとき
の、膜厚分布及びキャリア濃度分布の外周ヒータ温度依
存性を示す特性図であり、本発明との比較のために示し
た。図４、図５の場合と同じく、メインヒータ２１の温
度は８２５℃とし、下流ヒータ１４の温度については、
９５０℃、１０００℃、１０５０℃に変化させた。また
成長後の膜厚についても、図４、図５の場合と同じと
し、ウェハの中心から５mmピッチ、キャリア濃度につい
ては１５mmピッチで測定した。FIGS. 10 and 11 are characteristic diagrams showing the peripheral heater temperature dependence of the film thickness distribution and the carrier concentration distribution when epitaxial growth is performed by a conventional vapor phase epitaxial growth apparatus. Shown for comparison. 4 and FIG. 5, the temperature of the main heater 21 is 825 ° C., and the temperature of the downstream heater 14 is
The temperature was changed to 950 ° C, 1000 ° C, and 1050 ° C. The film thickness after growth was the same as in FIGS. 4 and 5, and the measurement was performed at a pitch of 5 mm from the center of the wafer, and the carrier concentration was measured at a pitch of 15 mm.
【００４３】図４、図５に示すように、本発明による気
相エピタキシャル成長装置では、下流ヒータ１４の温度
を９５０℃〜１０５０℃に上昇させても膜厚分布にほと
んど変化がなく、キャリア濃度のみがサセプタの周縁側
で高くなる。これに対し従来の気相エピタキシャル成長
装置では、図１０、図１１に示すように外周ヒータ２２
を上昇させるとエピタキシャル層の膜厚はサセプタ３の
中心部から周縁方向に向かって徐々に低くなり、キャリ
ア濃度は逆の分布になる。As shown in FIGS. 4 and 5, in the vapor phase epitaxial growth apparatus according to the present invention, even if the temperature of the downstream heater 14 is raised to 950 ° C. to 1050 ° C., the film thickness distribution hardly changes, and only the carrier concentration is changed. Becomes higher on the peripheral side of the susceptor. On the other hand, in the conventional vapor phase epitaxial growth apparatus, as shown in FIGS.
Is increased, the thickness of the epitaxial layer gradually decreases from the center of the susceptor 3 toward the peripheral edge, and the carrier concentration has an opposite distribution.
【００４４】[0044]
【発明の効果】以上説明したように本発明の気相エピタ
キシャル成長方法によれば、ヒータを、前記サセプタの
上方で、メインヒータとサブの下流ヒータとに分けて順
次配設し、ジシランをドーピングしてｎ型III −Ｖ族化
合物半導体結晶を成長する際に、メインヒータの領域で
熱分解反応により原料を消費させ、膜厚分布及び成長速
度に変化を与えない状態下で、サブの下流ヒータの温度
を変化させるものであるため、膜厚分布及び成長速度を
変化させることなく、エピタキシャル層のキャリア濃度
をコントロールすることができる。As described above, according to the vapor phase epitaxial growth method of the present invention, a heater is disposed above the susceptor separately for a main heater and a sub-downstream heater, and is doped with disilane. In growing the n-type III-V compound semiconductor crystal, the raw material is consumed by a thermal decomposition reaction in the region of the main heater, and the film thickness distribution and the growth rate are not changed. Since the temperature is changed, the carrier concentration of the epitaxial layer can be controlled without changing the film thickness distribution and the growth rate.
【００４５】また、本発明の気相エピタキシャル成長装
置によれば、サセプタ上に設置するヒータをメインヒー
タと下流ヒータに分けているので、膜厚分布及び成長速
度を変化させることなく、サセプタの中心方向から周縁
方向に対してのエピタキシャル層のキャリア濃度分布が
コントロール可能となる。即ち、外周ヒータがないた
め、エピタキシャル層の成長において反応管の両サイド
部の上流部で反応律速モードから輸送律速モードヘ遷移
する領域のシフトがなくなる。また反応管の上流部及び
サセプタにおいて原料が熱分解反応で消費されるため、
下流ヒータ温度を変化させても膜厚分布及び成長速度は
ほとんど変化しない。よって、本発明によれば、反応管
下流側に設けた下流ヒータの温度を制御することによ
り、膜厚分布及び成長速度に変化を与えることなく、キ
ャリア濃度分布をコントロールすることができ、製品の
生産性を向上させることができる。Further, according to the vapor phase epitaxial growth apparatus of the present invention, the heater installed on the susceptor is divided into the main heater and the downstream heater, so that the film thickness distribution and the growth speed are not changed and the center direction of the susceptor is not changed. Therefore, the carrier concentration distribution of the epitaxial layer in the peripheral direction can be controlled. That is, since there is no outer peripheral heater, there is no shift in the region where the transition from the reaction rate-limiting mode to the transport rate-limiting mode occurs in the upstream portion of both sides of the reaction tube during the growth of the epitaxial layer. Also, since the raw material is consumed in the thermal decomposition reaction in the upstream part of the reaction tube and the susceptor,
Even if the downstream heater temperature is changed, the film thickness distribution and the growth rate hardly change. Therefore, according to the present invention, the carrier concentration distribution can be controlled without changing the film thickness distribution and the growth rate by controlling the temperature of the downstream heater provided on the downstream side of the reaction tube. Productivity can be improved.
【図１】本発明の気相エピタキシャル成長装置の実施の
形態を示す縦断面図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an embodiment of a vapor phase epitaxial growth apparatus of the present invention.
【図２】本発明の気相エピタキシャル成長装置の実施の
形態を示す横断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing an embodiment of a vapor phase epitaxial growth apparatus of the present invention.
【図３】本発明の気相エピタキシャル成長装置における
サセプタの開口部分の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of an opening of a susceptor in the vapor phase epitaxial growth apparatus of the present invention.
【図４】本発明による気相エピタキシャル成長装置でエ
ピタキシャル成長を行ったときの膜厚分布の下流ヒータ
温度依存性を示す特性図である。FIG. 4 is a characteristic diagram showing a downstream heater temperature dependence of a film thickness distribution when epitaxial growth is performed by the vapor phase epitaxial growth apparatus according to the present invention.
【図５】本発明による気相エピタキシャル成長装置でエ
ピタキシャル成長を行ったときのキャリア濃度分布の下
流ヒータ温度依存性を示す特性図である。FIG. 5 is a characteristic diagram showing a downstream heater temperature dependency of a carrier concentration distribution when epitaxial growth is performed by the vapor phase epitaxial growth apparatus according to the present invention.
【図６】従来の気相エピタキシャル成長装置を示す縦断
面図である。FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing a conventional vapor phase epitaxial growth apparatus.
【図７】従来の気相エピタキシャル成長装置を示す横断
面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a conventional vapor phase epitaxial growth apparatus.
【図８】図７のサセプタの詳細を半導体基板及び均熱板
を装着した状態で示した平面図である。FIG. 8 is a plan view showing details of the susceptor of FIG. 7 with a semiconductor substrate and a heat equalizing plate mounted thereon.
【図９】従来の気相エピタキシャル成長装置におけるサ
セプタの開口部分の断面図である。FIG. 9 is a sectional view of an opening of a susceptor in a conventional vapor phase epitaxial growth apparatus.
【図１０】従来の気相エピタキシャル成長装置でエピタ
キシャル成長を行ったときの膜厚分布の下流ヒータ温度
依存性を示す特性図である。FIG. 10 is a characteristic diagram showing downstream heater temperature dependence of a film thickness distribution when epitaxial growth is performed by a conventional vapor phase epitaxial growth apparatus.
【図１１】従来の気相エピタキシャル成長装置でエピタ
キシャル成長を行ったときのキャリア濃度分布の下流ヒ
ータ温度依存性を示す特性図である。FIG. 11 is a characteristic diagram showing a downstream heater temperature dependency of a carrier concentration distribution when epitaxial growth is performed by a conventional vapor phase epitaxial growth apparatus.
１ 気相エピタキシャル成長装置 ２ 反応管 ２ａ 原料ガス供給口 ２ｂ ガス排気口 ３ サセプタ ４ 半導体基板 ５ 開口 ６ 基板支持部 ７ 均熱板 ８ 回転軸 ９ 磁気シールドユニット １０ モータ １１ ツメ １２ ロッド １３ メインヒータ １４ 下流ヒータ（サブヒータ） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vapor phase epitaxial growth apparatus 2 Reaction tube 2a Source gas supply port 2b Gas exhaust port 3 Susceptor 4 Semiconductor substrate 5 Opening 6 Substrate support part 7 Heat equalizing plate 8 Rotation axis 9 Magnetic shield unit 10 Motor 11 Claw 12 Rod 13 Main heater 14 Downstream Heater (sub heater)
Claims (6)
結晶成長用基板をヒータにより加熱し、反応管に原料ガ
スを前記結晶成長用基板と水平に供給して、結晶成長用
基板上に化合物半導体結晶を気相エピタキシャル成長さ
せる方法において、前記サセプタの上方において、前記
原料ガスの上流側を高温領域とし下流側を低温領域とし
たことを特徴とする気相エピタキシャル成長方法。1. A substrate for crystal growth placed horizontally in a reaction tube by a susceptor is heated by a heater, and a raw material gas is supplied to the reaction tube horizontally with the substrate for crystal growth to form a compound semiconductor on the substrate for crystal growth. A method for growing a crystal by vapor phase epitaxial growth, wherein a high temperature region is set on the upstream side of the source gas and a low temperature region is set on the downstream side above the susceptor.
結晶成長用基板をヒータにより加熱し、反応管にIII 族
原料ガス及びＶ族原料ガスを供給して、結晶成長用基板
上にIII −Ｖ族化合物半導体結晶を気相エピタキシャル
成長させる方法において、前記ヒータを、前記サセプタ
の上方で、メインヒータとサブの下流ヒータとに分けて
順次配設し、ジシランをドーピングしてｎ型III −Ｖ族
化合物半導体結晶を成長する際に、前記メインヒータの
領域で熱分解反応により原料を消費させ、膜厚分布及び
成長速度に変化を与えない状態下で、前記サブの下流ヒ
ータの温度を変化させることにより、キャリア濃度分布
をコントロールすることを特徴とする気相エピタキシャ
ル成長方法。2. A substrate for crystal growth horizontally disposed by a susceptor in a reaction tube is heated by a heater, a group III source gas and a group V source gas are supplied to the reaction tube, and a III-V substrate is supplied onto the crystal growth substrate. In the method of growing a group III compound semiconductor crystal by vapor phase epitaxial growth, the heater is divided into a main heater and a sub-downstream heater sequentially above the susceptor, and the n-type group III-V compound is doped with disilane. When growing a semiconductor crystal, the raw material is consumed by a thermal decomposition reaction in a region of the main heater, and the temperature of the sub downstream heater is changed under a state where the thickness distribution and the growth rate are not changed. A vapor phase epitaxial growth method comprising controlling a carrier concentration distribution.
り、このＧａＡｓ基板上に前記III −Ｖ族化合物半導体
結晶としてｎ型のＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓを成長させ
ることを特徴とする請求項２記載の気相エピタキシャル
成長方法。3. The method according to claim 2, wherein said substrate for crystal growth is a GaAs substrate, and n-type GaAs or AlGaAs is grown on said GaAs substrate as said group III-V compound semiconductor crystal. Phase epitaxial growth method.
内に回転可能に設置されてエピタキシャル成長の対象で
ある基板を水平に保持するサセプタと、前記基板を加熱
する加熱源と、この加熱源に面して前記基板に装着され
る均熱板とを備える気相エピタキシャル成長装置におい
て、前記加熱源として、前記サセプタの上方に、メイン
ヒータとサブの下流ヒータを原料ガスの流通方向に順次
配設し、前記メインヒータは、前記サセプタの領域のう
ち原料ガスの流通方向上流側から前記サセプタの半分以
上の領域を被う大きさで設け、前記下流ヒータは前記サ
セプタの残りの領域を被う大きさで設けたことを特徴と
する気相エピタキシャル成長装置。4. A reaction tube through which a source gas flows, a susceptor rotatably installed in the reaction tube to horizontally hold a substrate to be epitaxially grown, a heating source to heat the substrate, and a heating source to heat the substrate. A main heater and a sub-downstream heater are sequentially disposed in the flowing direction of the source gas above the susceptor as the heating source. The main heater is provided in such a size that it covers at least half of the susceptor from the upstream side in the flow direction of the raw material gas in the susceptor area, and the downstream heater has a size that covers the remaining area of the susceptor. A vapor phase epitaxial growth apparatus characterized by being provided as described above.
のうちの原料ガス流通方向上流側から、前記サセプタ上
で最も下流側に位置する基板の中心部付近まで延在する
大きさを有し、前記下流ヒータは、前記サセプタ上で最
も下流側に位置する基板の中心部付近からさらにサセプ
タの領域外の下流側まで延在する大きさを有することを
特徴とする請求項４記載の気相エピタキシャル成長装
置。5. The main heater has a size extending from an upstream side of a source gas flow direction in a region of the susceptor to a vicinity of a center portion of a substrate located on a most downstream side on the susceptor, 5. The vapor phase epitaxial growth according to claim 4, wherein the downstream heater has a size extending from near the center of the substrate located most downstream on the susceptor to further downstream outside the susceptor region. apparatus.
電して温度をコントロールできるようにしたことを特徴
とする請求項４又は５記載の気相エピタキシャル成長装
置。6. The vapor phase epitaxial growth apparatus according to claim 4, wherein the main heater and the downstream heater are independently energized to control the temperature.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1522198A JPH11214314A (en) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | Vapor phase epitaxial growth method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1522198A JPH11214314A (en) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | Vapor phase epitaxial growth method and apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214314A true JPH11214314A (en) | 1999-08-06 |
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ID=11882823
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1522198A Pending JPH11214314A (en) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | Vapor phase epitaxial growth method and apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11214314A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010219225A (en) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Japan Pionics Co Ltd | Vapor growth apparatus of group iii nitride semiconductor |
-
1998
- 1998-01-28 JP JP1522198A patent/JPH11214314A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010219225A (en) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Japan Pionics Co Ltd | Vapor growth apparatus of group iii nitride semiconductor |
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