JPH11214314A - 気相エピタキシャル成長方法及び装置 - Google Patents
気相エピタキシャル成長方法及び装置Info
- Publication number
- JPH11214314A JPH11214314A JP1522198A JP1522198A JPH11214314A JP H11214314 A JPH11214314 A JP H11214314A JP 1522198 A JP1522198 A JP 1522198A JP 1522198 A JP1522198 A JP 1522198A JP H11214314 A JPH11214314 A JP H11214314A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- heater
- substrate
- downstream
- epitaxial growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 64
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 51
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 39
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 34
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 20
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 10
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】気相エピタキシャル成長法において、膜厚分布
及び成長速度を変化させることなく、キャリア濃度分布
をコントロールすることを可能にする。 【解決手段】反応管２内にサセプタ３により水平に保持
されて回転する結晶成長用基板４に対する加熱源とし
て、サセプタ３の上方に、原料ガスの流通方向にメイン
ヒータ１３と下流ヒータ１４を順次配設し、前記メイン
ヒータ１３は、サセプタ３の領域のうち原料ガスの流通
方向上流側からサセプタの半分以上の領域を被う大きさ
で設け、前記下流ヒータ１４はサセプタ３の残りの領域
を被う大きさで設け、メインヒータ１３の領域で熱分解
反応により原料を消費させ、膜厚分布及び成長速度に変
化を与えない状態下で、前記下流ヒータ１４の温度を変
化させることにより、キャリア濃度分布をコントロール
する。
及び成長速度を変化させることなく、キャリア濃度分布
をコントロールすることを可能にする。 【解決手段】反応管２内にサセプタ３により水平に保持
されて回転する結晶成長用基板４に対する加熱源とし
て、サセプタ３の上方に、原料ガスの流通方向にメイン
ヒータ１３と下流ヒータ１４を順次配設し、前記メイン
ヒータ１３は、サセプタ３の領域のうち原料ガスの流通
方向上流側からサセプタの半分以上の領域を被う大きさ
で設け、前記下流ヒータ１４はサセプタ３の残りの領域
を被う大きさで設け、メインヒータ１３の領域で熱分解
反応により原料を消費させ、膜厚分布及び成長速度に変
化を与えない状態下で、前記下流ヒータ１４の温度を変
化させることにより、キャリア濃度分布をコントロール
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造に用
いられる気相エピタキシャル成長方法及び装置に関する
ものである。
いられる気相エピタキシャル成長方法及び装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】横型気相エピタキシャル成長法は、反応
炉内のサセプタを回転しつつ、これに保持したウェハ上
に原料ガスを流して薄膜を形成するものであり、ＧａＡ
ｓやＡｌＧａＡｓなどの化合物半導体の薄膜単結晶を成
長するのに用いられる。原料ガスとして、高純度の有機
金属・水素化物・キャリアガスを用いており、分子線エ
ピタキシーのような超高真空を必要としないので量産性
に優れている。
炉内のサセプタを回転しつつ、これに保持したウェハ上
に原料ガスを流して薄膜を形成するものであり、ＧａＡ
ｓやＡｌＧａＡｓなどの化合物半導体の薄膜単結晶を成
長するのに用いられる。原料ガスとして、高純度の有機
金属・水素化物・キャリアガスを用いており、分子線エ
ピタキシーのような超高真空を必要としないので量産性
に優れている。
【０００３】典型的な横型気相エピタキシャル成長装置
にあっては、ウェハを支持するサセプタを回転しつつ、
ヒータによりサセプタを介してウェハを加熱し、サセプ
タと平行に原料ガスを流してウェハ上に薄膜を形成す
る。
にあっては、ウェハを支持するサセプタを回転しつつ、
ヒータによりサセプタを介してウェハを加熱し、サセプ
タと平行に原料ガスを流してウェハ上に薄膜を形成す
る。
【０００４】図６は、従来の気相エピタキシャル成長装
置を示した縦断面図、図７はその横断面図である。
置を示した縦断面図、図７はその横断面図である。
【０００５】気相エピタキシャル成長装置１の上下方向
の中間部には、片側に原料ガス供給口２ａ、反対側にガ
ス排気口２ｂを備えた横型反応管２が配置されており、
その横型反応管２の中心部には、複数の半導体基板４を
保持するサセプタ３が回転可能に配設されている。
の中間部には、片側に原料ガス供給口２ａ、反対側にガ
ス排気口２ｂを備えた横型反応管２が配置されており、
その横型反応管２の中心部には、複数の半導体基板４を
保持するサセプタ３が回転可能に配設されている。
【０００６】サセプタ３は図８に示すように円板形をし
ており、その円板面内には同一円上に均等に６つの円形
の開口５が設けられ、各々の開口５内には、半導体基板
４がその表面を下にして収納配置され、さらにその上に
均熱板７が重ねて収納配置される。この半導体基板４を
開口５内に載置し支持する構造を得るため、開口５の下
面周縁部には、図９に示すように開口５の中心方向に張
り出した段差から成る基板支持部６が一体に形成されて
おり、半導体基板４は、この基板支持部６に外周部が支
えられて開口５の下面に保持される。
ており、その円板面内には同一円上に均等に６つの円形
の開口５が設けられ、各々の開口５内には、半導体基板
４がその表面を下にして収納配置され、さらにその上に
均熱板７が重ねて収納配置される。この半導体基板４を
開口５内に載置し支持する構造を得るため、開口５の下
面周縁部には、図９に示すように開口５の中心方向に張
り出した段差から成る基板支持部６が一体に形成されて
おり、半導体基板４は、この基板支持部６に外周部が支
えられて開口５の下面に保持される。
【０００７】上記サセプタ３は、その回転軸８が上方に
延在して反応管２の外に露出しており、この回転軸８に
磁気シールドユニット９を介して接続されたモータ１０
により回転される。サセプタ３を回転しつつ薄膜を形成
するのは、サセプタ３が静止していると、半導体基板つ
まりウェハに成長する結晶の膜厚が、原料ガスの流れ方
向にばらつきをもつためであり、サセプタ３を回転して
膜厚ばらつきを少なくしている。
延在して反応管２の外に露出しており、この回転軸８に
磁気シールドユニット９を介して接続されたモータ１０
により回転される。サセプタ３を回転しつつ薄膜を形成
するのは、サセプタ３が静止していると、半導体基板つ
まりウェハに成長する結晶の膜厚が、原料ガスの流れ方
向にばらつきをもつためであり、サセプタ３を回転して
膜厚ばらつきを少なくしている。
【０００８】一方、反応管２の内部には、サセプタ３の
上方を被うようにカーボン製のメインヒータ２１が配置
されると共に、このメインヒータ２１とサセプタ３との
間においてサセプタ３の両側に位置するように２つの外
周ヒータ２２が配設され、両ヒータ２１、２２により、
反応管２、半導体基板４及びサセプタ３が加熱される。
なお、上記開口５内において、半導体基板４の上面（非
処理面）上には、ヒータ２１、２２の熱を半導体基板４
に均一に付与するための均熱板７が装着される。
上方を被うようにカーボン製のメインヒータ２１が配置
されると共に、このメインヒータ２１とサセプタ３との
間においてサセプタ３の両側に位置するように２つの外
周ヒータ２２が配設され、両ヒータ２１、２２により、
反応管２、半導体基板４及びサセプタ３が加熱される。
なお、上記開口５内において、半導体基板４の上面（非
処理面）上には、ヒータ２１、２２の熱を半導体基板４
に均一に付与するための均熱板７が装着される。
【０００９】このような構成の気相エピタキシャル成長
装置にあって、ガス供給口２ａからは、原料ガスである
トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム（ＴＭＧ
ａ、ＴＭＡｌ：有機金属）やアルシン（ＡｓＨ3 ）、又
はドーパントガスであるジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）等が反
応管２に供給される。つまり、ＧａＡｓを成長する場
合、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）とアルシン（Ａｓ
Ｈ3 ）を反応管２内へ送り込むことによって、ＧａＡｓ
基板４上でトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）とアルシン
（ＡｓＨ3 ）の熱分解が生じ、ＧａＡｓ結晶が成長す
る。ＡｌＧａＡｓ結晶の場合には、トリメチルガリウム
（ＴＭＧａ），トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ），
アルシン（ＡｓＨ3 ）を同時に流す。そして化合物半導
体のｎ型の結晶成長時には、同時に、Ｓｉの原料となる
ジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）をｎ型ドーパントとして反応管
２へごく微量流す。
装置にあって、ガス供給口２ａからは、原料ガスである
トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム（ＴＭＧ
ａ、ＴＭＡｌ：有機金属）やアルシン（ＡｓＨ3 ）、又
はドーパントガスであるジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）等が反
応管２に供給される。つまり、ＧａＡｓを成長する場
合、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）とアルシン（Ａｓ
Ｈ3 ）を反応管２内へ送り込むことによって、ＧａＡｓ
基板４上でトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）とアルシン
（ＡｓＨ3 ）の熱分解が生じ、ＧａＡｓ結晶が成長す
る。ＡｌＧａＡｓ結晶の場合には、トリメチルガリウム
（ＴＭＧａ），トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ），
アルシン（ＡｓＨ3 ）を同時に流す。そして化合物半導
体のｎ型の結晶成長時には、同時に、Ｓｉの原料となる
ジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）をｎ型ドーパントとして反応管
２へごく微量流す。
【００１０】半導体基板４はヒータ２１、２２によって
加熱されているため、基板近傍に到達した原料ガスは熱
分解反応を起こし、エピタキシャル成長が行われる。こ
の際、過剰になった原料ガスは、ガス排気口２ｂから排
気される。熱分解反応中はモータ１０によってサセプタ
３を回転し、半導体基板４上に膜厚の均一なエピタキシ
ャル層が形成されるようにする。
加熱されているため、基板近傍に到達した原料ガスは熱
分解反応を起こし、エピタキシャル成長が行われる。こ
の際、過剰になった原料ガスは、ガス排気口２ｂから排
気される。熱分解反応中はモータ１０によってサセプタ
３を回転し、半導体基板４上に膜厚の均一なエピタキシ
ャル層が形成されるようにする。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
気相エピタキシャル成長装置でＧａＡｓ基板上にｎ型の
ＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓを成長させる場合、以下
（１）（２）に述べる問題があった。
気相エピタキシャル成長装置でＧａＡｓ基板上にｎ型の
ＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓを成長させる場合、以下
（１）（２）に述べる問題があった。
【００１２】（ｌ）膜厚（成長速度）分布 一般に成長機構については以下のように説明される。
【００１３】充分加熱されていない反応管２の上流部で
は、表面での反応種の反応により成長速度が決まる反応
律速モデルに従う。この領域はヒータ２１、２２から離
れており充分に加熱されていないので原料分解が促進さ
れない。そのため成長速度は小さくなる。ヒータ２１、
２２に近づくほど分解は促進されて成長速度は大きくな
り、充分に加熱されたヒータ付近では原料分子の気相中
での拡散により成長速度が決まる輸送律速モデルに従
う。この温度域での成長速度は原料の供給量で制御でき
る。原料は反応菅２の下流側に行くほど熱分解反応で消
費されて気相中の濃度が低下するため、成長速度が低下
していく。
は、表面での反応種の反応により成長速度が決まる反応
律速モデルに従う。この領域はヒータ２１、２２から離
れており充分に加熱されていないので原料分解が促進さ
れない。そのため成長速度は小さくなる。ヒータ２１、
２２に近づくほど分解は促進されて成長速度は大きくな
り、充分に加熱されたヒータ付近では原料分子の気相中
での拡散により成長速度が決まる輸送律速モデルに従
う。この温度域での成長速度は原料の供給量で制御でき
る。原料は反応菅２の下流側に行くほど熱分解反応で消
費されて気相中の濃度が低下するため、成長速度が低下
していく。
【００１４】外周ヒータ２２の温度を上昇させると、輻
射熱の影響により反応菅２の上流側の温度が上昇し、特
に反応管２の両サイド部の上流部で温度が上昇しやすく
なる。よって特に反応管２の両サイド部の上流部で温度
の低い領域がさらに上流側ヘシフトするため、反応律速
モードから輸送律速モードヘ遷移する領域は上流側ヘシ
フトする。すなわち外周ヒータ２２の温度が高いほど、
反応管２の両サイド部の上流部で特に原料が熱分解反応
で消費され、エピタキシャル層の膜厚はサセプタ３の中
心から周縁方向であるほど小さく（成長速度小）なる。
射熱の影響により反応菅２の上流側の温度が上昇し、特
に反応管２の両サイド部の上流部で温度が上昇しやすく
なる。よって特に反応管２の両サイド部の上流部で温度
の低い領域がさらに上流側ヘシフトするため、反応律速
モードから輸送律速モードヘ遷移する領域は上流側ヘシ
フトする。すなわち外周ヒータ２２の温度が高いほど、
反応管２の両サイド部の上流部で特に原料が熱分解反応
で消費され、エピタキシャル層の膜厚はサセプタ３の中
心から周縁方向であるほど小さく（成長速度小）なる。
【００１５】（２）キャリア濃度分布 ｎ型ドーパントであるジシランは、温度の上昇に伴い熱
分解が促進されるため、エピタキシャル層のキャリア濃
度はサセプタ３の温度分布で決まる。よって外周ヒータ
温度を上昇させるとサセプタ３の中心から周縁方向の温
度勾配が変化し、これに伴ってエピタキシャル層のキャ
リア濃度はサセプタ３の中心から周縁方向であるほど高
くなっていく。
分解が促進されるため、エピタキシャル層のキャリア濃
度はサセプタ３の温度分布で決まる。よって外周ヒータ
温度を上昇させるとサセプタ３の中心から周縁方向の温
度勾配が変化し、これに伴ってエピタキシャル層のキャ
リア濃度はサセプタ３の中心から周縁方向であるほど高
くなっていく。
【００１６】上記（１）、（２）で述べた通り、外周ヒ
ータ温度を上昇させると、膜厚分布とキャリア濃度分布
の両方が変化することになるが、膜厚分布及び成長速度
を変化させることなくキャリア濃度分布をコントロール
できる方が望ましい。
ータ温度を上昇させると、膜厚分布とキャリア濃度分布
の両方が変化することになるが、膜厚分布及び成長速度
を変化させることなくキャリア濃度分布をコントロール
できる方が望ましい。
【００１７】そこで本発明は、膜厚分布及び成長速度を
変化させることなく、キャリア濃度分布をコントロール
できる気相エピタキシャル成長方法及び装置を提供する
ことを目的としている。
変化させることなく、キャリア濃度分布をコントロール
できる気相エピタキシャル成長方法及び装置を提供する
ことを目的としている。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明による気相エピタキシャル成長方法は、反
応管内にサセプタにより水平に設置した結晶成長用基板
をヒータにより加熱し、反応管に原料ガスを供給して、
結晶成長用基板上に化合物半導体結晶を気相エピタキシ
ャル成長させる方法において、前記サセプタの上方にお
いて、前記原料ガスの上流側を高温領域とし下流側を低
温領域としたものである（請求項１）。
めに、本発明による気相エピタキシャル成長方法は、反
応管内にサセプタにより水平に設置した結晶成長用基板
をヒータにより加熱し、反応管に原料ガスを供給して、
結晶成長用基板上に化合物半導体結晶を気相エピタキシ
ャル成長させる方法において、前記サセプタの上方にお
いて、前記原料ガスの上流側を高温領域とし下流側を低
温領域としたものである（請求項１）。
【００１９】また、本発明による気相エピタキシャル成
長方法は、反応管内にサセプタにより水平に設置した結
晶成長用基板をヒータにより加熱し、反応管にIII 族原
料ガス及びＶ族原料ガスを供給して、結晶成長用基板上
にIII −Ｖ族化合物半導体結晶を気相エピタキシャル成
長させる方法において、前記ヒータを、前記サセプタの
上方で、メインヒータとサブの下流ヒータとに分けて順
次配設し、ジシランをドーピングしてｎ型III −Ｖ族化
合物半導体結晶を成長する際に、前記メインヒータの領
域で熱分解反応により原料を消費させ、膜厚分布及び成
長速度に変化を与えない状態下で、前記サブの下流ヒー
タの温度を変化させることにより、キャリア濃度分布を
コントロールするものである（請求項２）。
長方法は、反応管内にサセプタにより水平に設置した結
晶成長用基板をヒータにより加熱し、反応管にIII 族原
料ガス及びＶ族原料ガスを供給して、結晶成長用基板上
にIII −Ｖ族化合物半導体結晶を気相エピタキシャル成
長させる方法において、前記ヒータを、前記サセプタの
上方で、メインヒータとサブの下流ヒータとに分けて順
次配設し、ジシランをドーピングしてｎ型III −Ｖ族化
合物半導体結晶を成長する際に、前記メインヒータの領
域で熱分解反応により原料を消費させ、膜厚分布及び成
長速度に変化を与えない状態下で、前記サブの下流ヒー
タの温度を変化させることにより、キャリア濃度分布を
コントロールするものである（請求項２）。
【００２０】具体的には、前記結晶成長用基板がＧａＡ
ｓ基板であり、このＧａＡｓ基板上に前記III −Ｖ族化
合物半導体結晶としてｎ型のＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓ
を成長させる（請求項３）。
ｓ基板であり、このＧａＡｓ基板上に前記III −Ｖ族化
合物半導体結晶としてｎ型のＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓ
を成長させる（請求項３）。
【００２１】原料は反応菅２の下流側に行くほど熱分解
反応で消費されて気相中の濃度が低下する。反応管の上
流部及びサセプタにおいて、つまりメインヒータの領域
を通過する間に、原料が熱分解反応で消費されるため、
下流ヒータ温度を変化させても膜厚分布及び成長速度は
ほとんど変化しない。一方、ｎ型ドーパントであるジシ
ランは、温度の上昇に伴い熱分解が促進される。このた
め、下流ヒータの温度を変化させると、膜厚分布及び成
長速度を変化させることなく、エピタキシャル層のキャ
リア濃度をコントロールすることができる。
反応で消費されて気相中の濃度が低下する。反応管の上
流部及びサセプタにおいて、つまりメインヒータの領域
を通過する間に、原料が熱分解反応で消費されるため、
下流ヒータ温度を変化させても膜厚分布及び成長速度は
ほとんど変化しない。一方、ｎ型ドーパントであるジシ
ランは、温度の上昇に伴い熱分解が促進される。このた
め、下流ヒータの温度を変化させると、膜厚分布及び成
長速度を変化させることなく、エピタキシャル層のキャ
リア濃度をコントロールすることができる。
【００２２】次に、本発明による気相エピタキシャル成
長装置は、原料ガスが流通する反応管と、この反応管内
に回転可能に設置されてエピタキシャル成長の対象であ
る基板を水平に保持するサセプタと、前記基板を加熱す
る加熱源と、この加熱源に面して前記基板に装着される
均熱板とを備える気相エピタキシャル成長装置におい
て、前記加熱源として、前記サセプタの上方に、メイン
ヒータとサブの下流ヒータを原料ガスの流通方向に順次
配設し、前記メインヒータは、前記サセプタの領域のう
ち原料ガスの流通方向上流側から前記サセプタの半分以
上の領域を被う大きさで設け、前記下流ヒータは前記サ
セプタの残りの領域を被う大きさで設けたものである
（請求項４）。
長装置は、原料ガスが流通する反応管と、この反応管内
に回転可能に設置されてエピタキシャル成長の対象であ
る基板を水平に保持するサセプタと、前記基板を加熱す
る加熱源と、この加熱源に面して前記基板に装着される
均熱板とを備える気相エピタキシャル成長装置におい
て、前記加熱源として、前記サセプタの上方に、メイン
ヒータとサブの下流ヒータを原料ガスの流通方向に順次
配設し、前記メインヒータは、前記サセプタの領域のう
ち原料ガスの流通方向上流側から前記サセプタの半分以
上の領域を被う大きさで設け、前記下流ヒータは前記サ
セプタの残りの領域を被う大きさで設けたものである
（請求項４）。
【００２３】具体的には、前記メインヒータが、前記サ
セプタの領域のうちの原料ガス流通方向上流側から、前
記サセプタ上で最も下流側に位置する基板の中心部付近
まで延在する大きさを有し、前記下流ヒータが、前記サ
セプタ上で最も下流側に位置する基板の中心部付近から
さらにサセプタの領域外の下流側まで延在する大きさを
有する構成とする（請求項５）。
セプタの領域のうちの原料ガス流通方向上流側から、前
記サセプタ上で最も下流側に位置する基板の中心部付近
まで延在する大きさを有し、前記下流ヒータが、前記サ
セプタ上で最も下流側に位置する基板の中心部付近から
さらにサセプタの領域外の下流側まで延在する大きさを
有する構成とする（請求項５）。
【００２４】そして、前記メインヒータと下流ヒータは
独立に通電して温度をコントロールできるようにする
（請求項６）。
独立に通電して温度をコントロールできるようにする
（請求項６）。
【００２５】上記構成により従来の外周ヒータでドーピ
ング分布をコントロールする必要がなくなるため、外周
ヒータは設置しない。
ング分布をコントロールする必要がなくなるため、外周
ヒータは設置しない。
【００２６】このようにメインヒータと下流ヒータに分
けてヒータを設置することにより、サセプタの中心方向
から周縁方向に対してのエピタキシャル層のキャリア濃
度分布がコントロール可能となる。即ち、外周ヒータが
ないため、エピタキシャル層の成長において反応管の両
サイド部の上流部で反応律速モードから輸送律速モード
ヘ遷移する領域のシフトがなくなる。また反応管の上流
部及びサセプタにおいて原料が熱分解反応で消費される
ため、下流ヒータ温度を変化させても膜厚分布及び成長
速度はほとんど変化しない。
けてヒータを設置することにより、サセプタの中心方向
から周縁方向に対してのエピタキシャル層のキャリア濃
度分布がコントロール可能となる。即ち、外周ヒータが
ないため、エピタキシャル層の成長において反応管の両
サイド部の上流部で反応律速モードから輸送律速モード
ヘ遷移する領域のシフトがなくなる。また反応管の上流
部及びサセプタにおいて原料が熱分解反応で消費される
ため、下流ヒータ温度を変化させても膜厚分布及び成長
速度はほとんど変化しない。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施形態に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００２８】図１は本発明による気相エピタキシャル成
長装置の実施の形態を示す縦断面図、図２はその横断面
図である。
長装置の実施の形態を示す縦断面図、図２はその横断面
図である。
【００２９】本発明はジシランを反応管の下流側で分解
させることを目的として、加熱すべきサセプタの領域
を、原料ガスの流通方向に大小２つの領域に分け、その
上流側の面積の大きい領域にメインヒータを設置し、こ
れに続く下流側の面積の小さい領域に別のサブのヒータ
（下流ヒータ）を設置する。
させることを目的として、加熱すべきサセプタの領域
を、原料ガスの流通方向に大小２つの領域に分け、その
上流側の面積の大きい領域にメインヒータを設置し、こ
れに続く下流側の面積の小さい領域に別のサブのヒータ
（下流ヒータ）を設置する。
【００３０】図１において、気相エピタキシャル成長装
置１の上下方向の中間部には、片側に原料ガス供給口２
ａ、反対側にガス排気口２ｂを備えた横型反応管２が配
置されており、その横型反応管２の中心部には、複数の
半導体基板４を保持するサセプタ３が回転可能に配設さ
れている。
置１の上下方向の中間部には、片側に原料ガス供給口２
ａ、反対側にガス排気口２ｂを備えた横型反応管２が配
置されており、その横型反応管２の中心部には、複数の
半導体基板４を保持するサセプタ３が回転可能に配設さ
れている。
【００３１】サセプタ３は図２に示すように円板形をし
ており、その円板面内には同一円上に均等に６つの円形
の開口５が設けられ、各々の開口５内には、エピタキシ
ャル成長の対象である結晶成長用基板としての半導体基
板（ウェハ）４がその表面を下にして収納配置され、さ
らにその上に均熱板７が重ねて収納配置される。この半
導体基板４を開口５内に載置し支持する構造を得るた
め、開口５の下面周縁部には、図３に示すように開口５
の中心方向に一部が張り出した金属製の爪１１から成る
基板支持部６が設けられており、半導体基板４は、この
基板支持部６に外周部が支えられて開口５の下面に保持
される。
ており、その円板面内には同一円上に均等に６つの円形
の開口５が設けられ、各々の開口５内には、エピタキシ
ャル成長の対象である結晶成長用基板としての半導体基
板（ウェハ）４がその表面を下にして収納配置され、さ
らにその上に均熱板７が重ねて収納配置される。この半
導体基板４を開口５内に載置し支持する構造を得るた
め、開口５の下面周縁部には、図３に示すように開口５
の中心方向に一部が張り出した金属製の爪１１から成る
基板支持部６が設けられており、半導体基板４は、この
基板支持部６に外周部が支えられて開口５の下面に保持
される。
【００３２】この金属製の爪１１は、底部開口５の端面
にサセプタ３とは別体に取り付けた厚さの薄い基板支持
片から成る。ツメ１１の本数は、底部開口端面の周方向
に沿って等間隔に例えば４本設けられるが、３本あるい
は５本以上でもよい。これらのツメ１１には、予めねじ
を切ったロッド１２をツメ１１の面に対して垂直に固着
しておき、ツメ１１の取り付け箇所の容器壁に軸方向に
ロッド挿通穴を明け、その挿通穴にツメのロッド１２を
通し、ナット１３で締め付けることにより、サセプタ３
の底部開口端面にツメ１１を固定する。サセプタ３内に
納めた半導体基板４は、その底部のツメ１１に基板外周
部を支えられてサセプタ３に保持される。このときエピ
タキシャル成長させる表面を下にして、基板表面がサセ
プタ３の底部開口より下方を臨むようにする。半導体基
板４を支えるツメ１１は原料ガスと反応しない金属で構
成することが好ましく、本例ではモリブデンで製作して
ある。
にサセプタ３とは別体に取り付けた厚さの薄い基板支持
片から成る。ツメ１１の本数は、底部開口端面の周方向
に沿って等間隔に例えば４本設けられるが、３本あるい
は５本以上でもよい。これらのツメ１１には、予めねじ
を切ったロッド１２をツメ１１の面に対して垂直に固着
しておき、ツメ１１の取り付け箇所の容器壁に軸方向に
ロッド挿通穴を明け、その挿通穴にツメのロッド１２を
通し、ナット１３で締め付けることにより、サセプタ３
の底部開口端面にツメ１１を固定する。サセプタ３内に
納めた半導体基板４は、その底部のツメ１１に基板外周
部を支えられてサセプタ３に保持される。このときエピ
タキシャル成長させる表面を下にして、基板表面がサセ
プタ３の底部開口より下方を臨むようにする。半導体基
板４を支えるツメ１１は原料ガスと反応しない金属で構
成することが好ましく、本例ではモリブデンで製作して
ある。
【００３３】しかし、この基板支持部６は、従来の第９
図で述べたように、開口５の中心方向に張り出した段差
によって一体に形成することもできる。
図で述べたように、開口５の中心方向に張り出した段差
によって一体に形成することもできる。
【００３４】上記サセプタ３は、その回転軸８が上方に
延在して反応管２の外に露出しており、この回転軸８に
磁気シールドユニット９を介して接続されたモータ１０
により回転される。
延在して反応管２の外に露出しており、この回転軸８に
磁気シールドユニット９を介して接続されたモータ１０
により回転される。
【００３５】一方、反応管２の内部には、サセプタ３の
上方に、メインヒータ１３とサブの下流ヒータ１４と
が、原料ガスの流通方向に順次配設される。メインヒー
タ１３は、サセプタ３の領域のうち、原料ガスの流通方
向上流側から前記サセプタの半分以上の領域を被う大き
さで設けられ、下流ヒータ１４はサセプタ３の残りの領
域を被う大きさで設けられる。ここでは、メインヒータ
１３は、サセプタ３の領域のうちの原料ガス流通方向上
流側から、サセプタ３上で最も下流側に位置する半導体
基板４ｄの中心部付近まで延在する大きさで設けられ、
また下流ヒータは、サセプタ３上で最も下流側に位置す
る半導体基板４ｄの中心部付近からさらにサセプタの領
域外の下流側まで延在する大きさで設けられている。
上方に、メインヒータ１３とサブの下流ヒータ１４と
が、原料ガスの流通方向に順次配設される。メインヒー
タ１３は、サセプタ３の領域のうち、原料ガスの流通方
向上流側から前記サセプタの半分以上の領域を被う大き
さで設けられ、下流ヒータ１４はサセプタ３の残りの領
域を被う大きさで設けられる。ここでは、メインヒータ
１３は、サセプタ３の領域のうちの原料ガス流通方向上
流側から、サセプタ３上で最も下流側に位置する半導体
基板４ｄの中心部付近まで延在する大きさで設けられ、
また下流ヒータは、サセプタ３上で最も下流側に位置す
る半導体基板４ｄの中心部付近からさらにサセプタの領
域外の下流側まで延在する大きさで設けられている。
【００３６】そしてこのメインヒータ１３と下流ヒータ
１４は独立に通電して温度をコントロールできるように
なっている。
１４は独立に通電して温度をコントロールできるように
なっている。
【００３７】なお、上記開口５内において、半導体基板
４の上面（非処理面）上には、ヒータ２１、２２の熱を
半導体基板４に均一に付与するための均熱板７が装着さ
れる。
４の上面（非処理面）上には、ヒータ２１、２２の熱を
半導体基板４に均一に付与するための均熱板７が装着さ
れる。
【００３８】このように、片側に原料ガス供給口２ａ、
反対側にガス排気口２ｂを備える反応管２の内部の中心
部に、回転する円板型のサセプタ３が配設され、このサ
セプタ３に図２で示した複数の半導体基板４がセットさ
れて、半導体基板４が回転される。また反応菅２の上部
に配設したメインヒータ１３及び下流ヒータ１４によ
り、反応管２、半導体基板４、サセプタ３が加熱され
る。サブヒータとしてメインヒータ１３に続けてサセプ
タ３の下流領域に下流ヒータ１４を設置し、この下流ヒ
ータ１４を独立に通電可能に構成しているので、膜厚分
布及び成長速度を変化させることなく、キャリア濃度分
布をコントロールすることができる。
反対側にガス排気口２ｂを備える反応管２の内部の中心
部に、回転する円板型のサセプタ３が配設され、このサ
セプタ３に図２で示した複数の半導体基板４がセットさ
れて、半導体基板４が回転される。また反応菅２の上部
に配設したメインヒータ１３及び下流ヒータ１４によ
り、反応管２、半導体基板４、サセプタ３が加熱され
る。サブヒータとしてメインヒータ１３に続けてサセプ
タ３の下流領域に下流ヒータ１４を設置し、この下流ヒ
ータ１４を独立に通電可能に構成しているので、膜厚分
布及び成長速度を変化させることなく、キャリア濃度分
布をコントロールすることができる。
【００３９】
【実施例】次に、本発明の実施例として、ＧａＡｓ基板
上にｎ型のＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓをエピタキシャル
成長させた場合について説明する。
上にｎ型のＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓをエピタキシャル
成長させた場合について説明する。
【００４０】本発明による気相エピタキシャル成長装置
で、ＧａＡｓを成長する場合は、トリメチルガリウム
（ＴＭＧａ）とアルシン（ＡｓＨ3 ）を反応管２内へ送
り込むことによって、ＧａＡｓ基板４上でトリメチルガ
リウム（ＴＭＧａ）とアルシン（ＡｓＨ3 ）の熱分解を
生じさせ、ＧａＡｓ結晶を成長させた。ＡｌＧａＡｓ結
晶の場合には、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ），トリ
メチルアルミニウム（ＴＭＡｌ），アルシン（Ａｓ
Ｈ3 ）を同時に流した。そして化合物半導体のｎ型の結
晶成長時には、同時に、Ｓｉの原料となるジシラン（Ｓ
ｉ2 Ｈ6 ）をｎ型ドーパントとして反応管２へごく微量
流した。
で、ＧａＡｓを成長する場合は、トリメチルガリウム
（ＴＭＧａ）とアルシン（ＡｓＨ3 ）を反応管２内へ送
り込むことによって、ＧａＡｓ基板４上でトリメチルガ
リウム（ＴＭＧａ）とアルシン（ＡｓＨ3 ）の熱分解を
生じさせ、ＧａＡｓ結晶を成長させた。ＡｌＧａＡｓ結
晶の場合には、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ），トリ
メチルアルミニウム（ＴＭＡｌ），アルシン（Ａｓ
Ｈ3 ）を同時に流した。そして化合物半導体のｎ型の結
晶成長時には、同時に、Ｓｉの原料となるジシラン（Ｓ
ｉ2 Ｈ6 ）をｎ型ドーパントとして反応管２へごく微量
流した。
【００４１】図４は、本発明による気相エピタキシャル
成長装置で、上記ｎ型のＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓをエ
ピタキシャル成長させたときの膜厚分布の下流ヒータ温
度依存性を示す特性図である。また、図５は、本発明に
よる気相エピタキシャル成長装置で同エピタキシャル成
長を行ったときのキャリア濃度分布の下流ヒータ温度依
存性を示す特性図である。横軸のウェハ中心からの距離
（mm）は、サセプタ３の中心側になる方向の距離をプラ
スとし、サセプタ３の外周側になる方向の距離をマイナ
スとして示した。メインヒータ１３の温度は８２５℃と
し、下流ヒータ１４の温度については、９５０℃、１０
００℃、１０５０℃に変化させた。成長後の膜厚（nm）
についてはウェハの中心から５mmピッチ、キャリア濃度
（×１０18cm-3）については１５mmピッチで測定した。
成長装置で、上記ｎ型のＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓをエ
ピタキシャル成長させたときの膜厚分布の下流ヒータ温
度依存性を示す特性図である。また、図５は、本発明に
よる気相エピタキシャル成長装置で同エピタキシャル成
長を行ったときのキャリア濃度分布の下流ヒータ温度依
存性を示す特性図である。横軸のウェハ中心からの距離
（mm）は、サセプタ３の中心側になる方向の距離をプラ
スとし、サセプタ３の外周側になる方向の距離をマイナ
スとして示した。メインヒータ１３の温度は８２５℃と
し、下流ヒータ１４の温度については、９５０℃、１０
００℃、１０５０℃に変化させた。成長後の膜厚（nm）
についてはウェハの中心から５mmピッチ、キャリア濃度
（×１０18cm-3）については１５mmピッチで測定した。
【００４２】また、図１０、図１１は、従来の気相エピ
タキシャル成長装置でエピタキシャル成長を行ったとき
の、膜厚分布及びキャリア濃度分布の外周ヒータ温度依
存性を示す特性図であり、本発明との比較のために示し
た。図４、図５の場合と同じく、メインヒータ２１の温
度は８２５℃とし、下流ヒータ１４の温度については、
９５０℃、１０００℃、１０５０℃に変化させた。また
成長後の膜厚についても、図４、図５の場合と同じと
し、ウェハの中心から５mmピッチ、キャリア濃度につい
ては１５mmピッチで測定した。
タキシャル成長装置でエピタキシャル成長を行ったとき
の、膜厚分布及びキャリア濃度分布の外周ヒータ温度依
存性を示す特性図であり、本発明との比較のために示し
た。図４、図５の場合と同じく、メインヒータ２１の温
度は８２５℃とし、下流ヒータ１４の温度については、
９５０℃、１０００℃、１０５０℃に変化させた。また
成長後の膜厚についても、図４、図５の場合と同じと
し、ウェハの中心から５mmピッチ、キャリア濃度につい
ては１５mmピッチで測定した。
【００４３】図４、図５に示すように、本発明による気
相エピタキシャル成長装置では、下流ヒータ１４の温度
を９５０℃〜１０５０℃に上昇させても膜厚分布にほと
んど変化がなく、キャリア濃度のみがサセプタの周縁側
で高くなる。これに対し従来の気相エピタキシャル成長
装置では、図１０、図１１に示すように外周ヒータ２２
を上昇させるとエピタキシャル層の膜厚はサセプタ３の
中心部から周縁方向に向かって徐々に低くなり、キャリ
ア濃度は逆の分布になる。
相エピタキシャル成長装置では、下流ヒータ１４の温度
を９５０℃〜１０５０℃に上昇させても膜厚分布にほと
んど変化がなく、キャリア濃度のみがサセプタの周縁側
で高くなる。これに対し従来の気相エピタキシャル成長
装置では、図１０、図１１に示すように外周ヒータ２２
を上昇させるとエピタキシャル層の膜厚はサセプタ３の
中心部から周縁方向に向かって徐々に低くなり、キャリ
ア濃度は逆の分布になる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように本発明の気相エピタ
キシャル成長方法によれば、ヒータを、前記サセプタの
上方で、メインヒータとサブの下流ヒータとに分けて順
次配設し、ジシランをドーピングしてｎ型III −Ｖ族化
合物半導体結晶を成長する際に、メインヒータの領域で
熱分解反応により原料を消費させ、膜厚分布及び成長速
度に変化を与えない状態下で、サブの下流ヒータの温度
を変化させるものであるため、膜厚分布及び成長速度を
変化させることなく、エピタキシャル層のキャリア濃度
をコントロールすることができる。
キシャル成長方法によれば、ヒータを、前記サセプタの
上方で、メインヒータとサブの下流ヒータとに分けて順
次配設し、ジシランをドーピングしてｎ型III −Ｖ族化
合物半導体結晶を成長する際に、メインヒータの領域で
熱分解反応により原料を消費させ、膜厚分布及び成長速
度に変化を与えない状態下で、サブの下流ヒータの温度
を変化させるものであるため、膜厚分布及び成長速度を
変化させることなく、エピタキシャル層のキャリア濃度
をコントロールすることができる。
【００４５】また、本発明の気相エピタキシャル成長装
置によれば、サセプタ上に設置するヒータをメインヒー
タと下流ヒータに分けているので、膜厚分布及び成長速
度を変化させることなく、サセプタの中心方向から周縁
方向に対してのエピタキシャル層のキャリア濃度分布が
コントロール可能となる。即ち、外周ヒータがないた
め、エピタキシャル層の成長において反応管の両サイド
部の上流部で反応律速モードから輸送律速モードヘ遷移
する領域のシフトがなくなる。また反応管の上流部及び
サセプタにおいて原料が熱分解反応で消費されるため、
下流ヒータ温度を変化させても膜厚分布及び成長速度は
ほとんど変化しない。よって、本発明によれば、反応管
下流側に設けた下流ヒータの温度を制御することによ
り、膜厚分布及び成長速度に変化を与えることなく、キ
ャリア濃度分布をコントロールすることができ、製品の
生産性を向上させることができる。
置によれば、サセプタ上に設置するヒータをメインヒー
タと下流ヒータに分けているので、膜厚分布及び成長速
度を変化させることなく、サセプタの中心方向から周縁
方向に対してのエピタキシャル層のキャリア濃度分布が
コントロール可能となる。即ち、外周ヒータがないた
め、エピタキシャル層の成長において反応管の両サイド
部の上流部で反応律速モードから輸送律速モードヘ遷移
する領域のシフトがなくなる。また反応管の上流部及び
サセプタにおいて原料が熱分解反応で消費されるため、
下流ヒータ温度を変化させても膜厚分布及び成長速度は
ほとんど変化しない。よって、本発明によれば、反応管
下流側に設けた下流ヒータの温度を制御することによ
り、膜厚分布及び成長速度に変化を与えることなく、キ
ャリア濃度分布をコントロールすることができ、製品の
生産性を向上させることができる。
【図１】本発明の気相エピタキシャル成長装置の実施の
形態を示す縦断面図である。
形態を示す縦断面図である。
【図２】本発明の気相エピタキシャル成長装置の実施の
形態を示す横断面図である。
形態を示す横断面図である。
【図３】本発明の気相エピタキシャル成長装置における
サセプタの開口部分の断面図である。
サセプタの開口部分の断面図である。
【図４】本発明による気相エピタキシャル成長装置でエ
ピタキシャル成長を行ったときの膜厚分布の下流ヒータ
温度依存性を示す特性図である。
ピタキシャル成長を行ったときの膜厚分布の下流ヒータ
温度依存性を示す特性図である。
【図５】本発明による気相エピタキシャル成長装置でエ
ピタキシャル成長を行ったときのキャリア濃度分布の下
流ヒータ温度依存性を示す特性図である。
ピタキシャル成長を行ったときのキャリア濃度分布の下
流ヒータ温度依存性を示す特性図である。
【図６】従来の気相エピタキシャル成長装置を示す縦断
面図である。
面図である。
【図７】従来の気相エピタキシャル成長装置を示す横断
面図である。
面図である。
【図８】図７のサセプタの詳細を半導体基板及び均熱板
を装着した状態で示した平面図である。
を装着した状態で示した平面図である。
【図９】従来の気相エピタキシャル成長装置におけるサ
セプタの開口部分の断面図である。
セプタの開口部分の断面図である。
【図１０】従来の気相エピタキシャル成長装置でエピタ
キシャル成長を行ったときの膜厚分布の下流ヒータ温度
依存性を示す特性図である。
キシャル成長を行ったときの膜厚分布の下流ヒータ温度
依存性を示す特性図である。
【図１１】従来の気相エピタキシャル成長装置でエピタ
キシャル成長を行ったときのキャリア濃度分布の下流ヒ
ータ温度依存性を示す特性図である。
キシャル成長を行ったときのキャリア濃度分布の下流ヒ
ータ温度依存性を示す特性図である。
１ 気相エピタキシャル成長装置 ２ 反応管 ２ａ 原料ガス供給口 ２ｂ ガス排気口 ３ サセプタ ４ 半導体基板 ５ 開口 ６ 基板支持部 ７ 均熱板 ８ 回転軸 ９ 磁気シールドユニット １０ モータ １１ ツメ １２ ロッド １３ メインヒータ １４ 下流ヒータ（サブヒータ）
Claims (6)
- 【請求項１】反応管内にサセプタにより水平に設置した
結晶成長用基板をヒータにより加熱し、反応管に原料ガ
スを前記結晶成長用基板と水平に供給して、結晶成長用
基板上に化合物半導体結晶を気相エピタキシャル成長さ
せる方法において、前記サセプタの上方において、前記
原料ガスの上流側を高温領域とし下流側を低温領域とし
たことを特徴とする気相エピタキシャル成長方法。 - 【請求項２】反応管内にサセプタにより水平に設置した
結晶成長用基板をヒータにより加熱し、反応管にIII 族
原料ガス及びＶ族原料ガスを供給して、結晶成長用基板
上にIII −Ｖ族化合物半導体結晶を気相エピタキシャル
成長させる方法において、前記ヒータを、前記サセプタ
の上方で、メインヒータとサブの下流ヒータとに分けて
順次配設し、ジシランをドーピングしてｎ型III −Ｖ族
化合物半導体結晶を成長する際に、前記メインヒータの
領域で熱分解反応により原料を消費させ、膜厚分布及び
成長速度に変化を与えない状態下で、前記サブの下流ヒ
ータの温度を変化させることにより、キャリア濃度分布
をコントロールすることを特徴とする気相エピタキシャ
ル成長方法。 - 【請求項３】前記結晶成長用基板がＧａＡｓ基板であ
り、このＧａＡｓ基板上に前記III −Ｖ族化合物半導体
結晶としてｎ型のＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓを成長させ
ることを特徴とする請求項２記載の気相エピタキシャル
成長方法。 - 【請求項４】原料ガスが流通する反応管と、この反応管
内に回転可能に設置されてエピタキシャル成長の対象で
ある基板を水平に保持するサセプタと、前記基板を加熱
する加熱源と、この加熱源に面して前記基板に装着され
る均熱板とを備える気相エピタキシャル成長装置におい
て、前記加熱源として、前記サセプタの上方に、メイン
ヒータとサブの下流ヒータを原料ガスの流通方向に順次
配設し、前記メインヒータは、前記サセプタの領域のう
ち原料ガスの流通方向上流側から前記サセプタの半分以
上の領域を被う大きさで設け、前記下流ヒータは前記サ
セプタの残りの領域を被う大きさで設けたことを特徴と
する気相エピタキシャル成長装置。 - 【請求項５】前記メインヒータは、前記サセプタの領域
のうちの原料ガス流通方向上流側から、前記サセプタ上
で最も下流側に位置する基板の中心部付近まで延在する
大きさを有し、前記下流ヒータは、前記サセプタ上で最
も下流側に位置する基板の中心部付近からさらにサセプ
タの領域外の下流側まで延在する大きさを有することを
特徴とする請求項４記載の気相エピタキシャル成長装
置。 - 【請求項６】前記メインヒータと下流ヒータは独立に通
電して温度をコントロールできるようにしたことを特徴
とする請求項４又は５記載の気相エピタキシャル成長装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1522198A JPH11214314A (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | 気相エピタキシャル成長方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1522198A JPH11214314A (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | 気相エピタキシャル成長方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214314A true JPH11214314A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=11882823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1522198A Pending JPH11214314A (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | 気相エピタキシャル成長方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11214314A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010219225A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Japan Pionics Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物半導体の気相成長装置 |
-
1998
- 1998-01-28 JP JP1522198A patent/JPH11214314A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010219225A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Japan Pionics Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物半導体の気相成長装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5421288A (en) | Process for growing silicon epitaxial layer | |
| US7699604B2 (en) | Manufacturing apparatus for semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device | |
| US20120272892A1 (en) | Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy System and Process | |
| JP2505777B2 (ja) | 半導体物質のエピタキシャル層堆積法 | |
| JPH097953A (ja) | 単結晶薄膜の製造方法 | |
| JPH11214314A (ja) | 気相エピタキシャル成長方法及び装置 | |
| JP2000031064A (ja) | 横型気相エピタキシャル成長方法及びその装置 | |
| US6916373B2 (en) | Semiconductor manufacturing method | |
| JP2004207545A (ja) | 半導体気相成長装置 | |
| JP3772621B2 (ja) | 気相成長方法および気相成長装置 | |
| JPH0754802B2 (ja) | ＧａＡｓ薄膜の気相成長法 | |
| JPH0547674A (ja) | 気相成長装置および気相成長方法 | |
| JP3221318B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の気相成長方法 | |
| JPH04364719A (ja) | 半導体成膜装置 | |
| JP3071591U (ja) | 気相エピタキシャル成長装置 | |
| JP3104677B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物結晶成長装置 | |
| JPH03110829A (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JP2007042899A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2001068418A (ja) | エピタキシャル成長装置及びそれを用いた化合物半導体薄膜結晶の製造方法 | |
| JP2007173417A (ja) | 化合物半導体製造装置 | |
| JPH06151339A (ja) | 半導体結晶成長装置及び半導体結晶成長方法 | |
| JP2003257867A (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
| JP2793239B2 (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JP2003243318A (ja) | 気相エピタキシャル成長装置 | |
| JPS6273618A (ja) | 気相成長装置 |