JPH11214341A - 被洗浄体のすすぎ方法 - Google Patents
被洗浄体のすすぎ方法Info
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- JPH11214341A JPH11214341A JP2901898A JP2901898A JPH11214341A JP H11214341 A JPH11214341 A JP H11214341A JP 2901898 A JP2901898 A JP 2901898A JP 2901898 A JP2901898 A JP 2901898A JP H11214341 A JPH11214341 A JP H11214341A
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Landscapes
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＱＤＲ（クイックダンプリンス）法におい
て、純水の急速排水時に発生する被洗浄体表面の帯電を
なくし、静電気による被洗浄体表面へのパーティクル付
着を防止した被洗浄体のすすぎ方法を提供する。 【解決手段】 薬液洗浄後の被洗浄体Ｗを純水５を満た
したすすぎ槽１内に浸漬した後、一旦すすぎ槽１内の純
水５の全量を急速排水し、その後再び純水１を純水噴流
パイプ４から注水して所定のすすぎ処理を行なうように
した被洗浄体のすすぎ方法において、前記急速排水時
に、すすぎ槽１内の被洗浄体Ｗに向けて除電装置６から
イオンを放出しあるいは軟Ｘ線を照射することによっ
て、急速排水時に槽壁や被洗浄体の表面と純水との間の
摩擦帯電により発生する静電気を除電する。
て、純水の急速排水時に発生する被洗浄体表面の帯電を
なくし、静電気による被洗浄体表面へのパーティクル付
着を防止した被洗浄体のすすぎ方法を提供する。 【解決手段】 薬液洗浄後の被洗浄体Ｗを純水５を満た
したすすぎ槽１内に浸漬した後、一旦すすぎ槽１内の純
水５の全量を急速排水し、その後再び純水１を純水噴流
パイプ４から注水して所定のすすぎ処理を行なうように
した被洗浄体のすすぎ方法において、前記急速排水時
に、すすぎ槽１内の被洗浄体Ｗに向けて除電装置６から
イオンを放出しあるいは軟Ｘ線を照射することによっ
て、急速排水時に槽壁や被洗浄体の表面と純水との間の
摩擦帯電により発生する静電気を除電する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薬液洗浄後の半導
体ウェーハやＬＣＤ用ガラスなどの被洗浄体のすすぎ方
法に関する。
体ウェーハやＬＣＤ用ガラスなどの被洗浄体のすすぎ方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハやＬＣＤ用ガラスなどの
ためのすすぎ方法の１つに、薬液洗浄後の半導体ウェー
ハやＬＣＤ用ガラスを純水を満たしたすすぎ槽内に浸漬
した後、一旦すすぎ槽内の純水の全量を急速排水し、そ
の後再び純水を注水して所定のすすぎ処理を行なうよう
にしたすすぎ方法が知られている。このようなすすぎ方
法は、通常、クイックダンプリンス（ＱＤＲ）法と呼ば
れている（以下、「ＱＤＲ法」と略称する）。
ためのすすぎ方法の１つに、薬液洗浄後の半導体ウェー
ハやＬＣＤ用ガラスを純水を満たしたすすぎ槽内に浸漬
した後、一旦すすぎ槽内の純水の全量を急速排水し、そ
の後再び純水を注水して所定のすすぎ処理を行なうよう
にしたすすぎ方法が知られている。このようなすすぎ方
法は、通常、クイックダンプリンス（ＱＤＲ）法と呼ば
れている（以下、「ＱＤＲ法」と略称する）。
【０００３】図６に、このＱＤＲ法の原理を示す。図に
おいて、１はＱＤＲ用のすすぎ槽、２は純水回収槽、３
はＱＤＲ用の排水弁、４は純水噴流パイプ、５はすすぎ
用の純水、Ｗは半導体ウェーハやＬＣＤ用ガラスなどの
被洗浄体であって、すすぎ用の純水５で満たされたすす
ぎ槽１内に薬液洗浄後の被洗浄体Ｗを浸漬した後、排水
弁３を開いて純水５の全量を急速排水する。次いで、純
水噴流パイプ４から純水の注水を再開し、再びすすぎ槽
１内をすすぎ用の純水で満たした後、純水噴流パイプ４
から被洗浄体Ｗに向けてさらに純水を噴射しながら、被
洗浄体Ｗの表面に付着している薬液をすすぎ落とすもの
である。なお、すすぎ槽１から溢れ出たすすぎ後の純水
は純水回収槽２で回収され、槽外へ排出される。
おいて、１はＱＤＲ用のすすぎ槽、２は純水回収槽、３
はＱＤＲ用の排水弁、４は純水噴流パイプ、５はすすぎ
用の純水、Ｗは半導体ウェーハやＬＣＤ用ガラスなどの
被洗浄体であって、すすぎ用の純水５で満たされたすす
ぎ槽１内に薬液洗浄後の被洗浄体Ｗを浸漬した後、排水
弁３を開いて純水５の全量を急速排水する。次いで、純
水噴流パイプ４から純水の注水を再開し、再びすすぎ槽
１内をすすぎ用の純水で満たした後、純水噴流パイプ４
から被洗浄体Ｗに向けてさらに純水を噴射しながら、被
洗浄体Ｗの表面に付着している薬液をすすぎ落とすもの
である。なお、すすぎ槽１から溢れ出たすすぎ後の純水
は純水回収槽２で回収され、槽外へ排出される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記ＱＤＲ法の場合、
被洗浄体Ｗに付着して持ち込まれた薬液によって汚れた
純水を一旦急速排水して排液するので、その後に続く通
常のすすぎ処理において純水中に拡散する薬液の絶対量
が少なくなり、リンス効率が上がるという優れた効果を
奏する。
被洗浄体Ｗに付着して持ち込まれた薬液によって汚れた
純水を一旦急速排水して排液するので、その後に続く通
常のすすぎ処理において純水中に拡散する薬液の絶対量
が少なくなり、リンス効率が上がるという優れた効果を
奏する。
【０００５】しかしながら、その反面、急速排水時に、
急速に下降していく純水と槽璧や被洗浄体との間の摩擦
によって被洗浄体の表面に静電気が発生し、この静電気
によって純水の液面、槽壁、すすぎ槽の内部空間などに
存在するゴミ粒子（パーティクル）が被洗浄体表面に静
電付着してしまい、すすぎ槽に持ち込んだ時よりも被洗
浄体表面の付着パーティクル数が増加してしまうことが
あるという問題があった。
急速に下降していく純水と槽璧や被洗浄体との間の摩擦
によって被洗浄体の表面に静電気が発生し、この静電気
によって純水の液面、槽壁、すすぎ槽の内部空間などに
存在するゴミ粒子（パーティクル）が被洗浄体表面に静
電付着してしまい、すすぎ槽に持ち込んだ時よりも被洗
浄体表面の付着パーティクル数が増加してしまうことが
あるという問題があった。
【０００６】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、純水の急速排水時に発生する被洗浄体表面
の帯電をなくし、静電気による被洗浄体表面へのパーテ
ィクル付着を防止した被洗浄体のすすぎ方法を提供する
ことを目的とする。
れたもので、純水の急速排水時に発生する被洗浄体表面
の帯電をなくし、静電気による被洗浄体表面へのパーテ
ィクル付着を防止した被洗浄体のすすぎ方法を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に係る被洗浄体のすすぎ方法は、ＱＤＲ法
において、すすぎ槽内の被洗浄体に向けた除電装置から
のイオン放出または軟Ｘ線の照射による雰囲気のイオン
化によって、前記急速排水時に槽壁や被洗浄体の表面と
純水との間の摩擦帯電により発生する静電気を除電する
ようにしたものである。
め、請求項１に係る被洗浄体のすすぎ方法は、ＱＤＲ法
において、すすぎ槽内の被洗浄体に向けた除電装置から
のイオン放出または軟Ｘ線の照射による雰囲気のイオン
化によって、前記急速排水時に槽壁や被洗浄体の表面と
純水との間の摩擦帯電により発生する静電気を除電する
ようにしたものである。
【０００８】請求項２および３に係る被洗浄体のすすぎ
方法は、ＱＤＲ法において、すすぎ槽を満たす純水に有
機溶剤（例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）な
ど）を添加し、前記急速排水時に槽璧や被洗浄体の表面
と純水との間の摩擦帯電により発生する静電気を前記有
機溶剤を添加した純水を通じて緩和するようにしたもの
である。なお、この有機溶剤の添加量は、すすぎ槽を満
たす純水の０．１重量％以下とすることが好ましい。
方法は、ＱＤＲ法において、すすぎ槽を満たす純水に有
機溶剤（例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）な
ど）を添加し、前記急速排水時に槽璧や被洗浄体の表面
と純水との間の摩擦帯電により発生する静電気を前記有
機溶剤を添加した純水を通じて緩和するようにしたもの
である。なお、この有機溶剤の添加量は、すすぎ槽を満
たす純水の０．１重量％以下とすることが好ましい。
【０００９】請求項４に係る被洗浄体のすすぎ方法は、
ＱＤＲ法において、少なくとも急速排水時にすすぎ槽の
上部空間を密閉し、該密閉空間内に有機溶剤を混合した
窒素ガスを送給し、前記急速排水時に槽璧や被洗浄体の
表面と純水とのの摩擦帯電により発生する静電気を前記
有機溶剤の溶け込んだ純水を通じて緩和するようにした
ものである。
ＱＤＲ法において、少なくとも急速排水時にすすぎ槽の
上部空間を密閉し、該密閉空間内に有機溶剤を混合した
窒素ガスを送給し、前記急速排水時に槽璧や被洗浄体の
表面と純水とのの摩擦帯電により発生する静電気を前記
有機溶剤の溶け込んだ純水を通じて緩和するようにした
ものである。
【００１０】請求項５に係る被洗浄体のすすぎ方法は、
ＱＤＲ法において、少なくとも急速排水時にすすぎ槽の
上部空間を密閉し、該密閉空間内に窒素ガスを送給しな
がらすすぎ槽内の被洗浄体に向けた除電装置からのイオ
ン放出または軟Ｘ線の照射による雰囲気のイオン化によ
って、前記急速排水時に槽壁や被洗浄体の表面と純水と
の間の摩擦帯電により発生する静電気を除電するように
したものである。
ＱＤＲ法において、少なくとも急速排水時にすすぎ槽の
上部空間を密閉し、該密閉空間内に窒素ガスを送給しな
がらすすぎ槽内の被洗浄体に向けた除電装置からのイオ
ン放出または軟Ｘ線の照射による雰囲気のイオン化によ
って、前記急速排水時に槽壁や被洗浄体の表面と純水と
の間の摩擦帯電により発生する静電気を除電するように
したものである。
【００１１】
【作用】請求項１に係る被洗浄体のすすぎ方法の場合、
除電装置からのイオン放出または軟Ｘ線の照射による雰
囲気のイオン化によって、急速排水時に被洗浄体の表面
に発生する静電気を除電する。この結果、静電気によっ
て被洗浄体の表面にパーティクルが吸着されるようなこ
とがなくなり、付着パーティクル数の増加を防止でき
る。
除電装置からのイオン放出または軟Ｘ線の照射による雰
囲気のイオン化によって、急速排水時に被洗浄体の表面
に発生する静電気を除電する。この結果、静電気によっ
て被洗浄体の表面にパーティクルが吸着されるようなこ
とがなくなり、付着パーティクル数の増加を防止でき
る。
【００１２】請求項２および３に係る被洗浄体のすすぎ
方法の場合、添加された有機溶剤によって純水が導電性
を有するようになるので、被洗浄体表面に発生した静電
気はこの導電性の純水を通じて緩和され、静電気が帯電
することがなくなる。この結果、静電気によって被洗浄
体の表面にパーティクルが吸着されるようなことがなく
なり、付着パーティクル数の増加を防止できる。さら
に、有機溶剤を添加することによって純水の表面張力も
小さくなるので、パーティクルを抱き込んだ水滴が被洗
浄体表面にそのまま付着して残るというようなこともな
くなる。
方法の場合、添加された有機溶剤によって純水が導電性
を有するようになるので、被洗浄体表面に発生した静電
気はこの導電性の純水を通じて緩和され、静電気が帯電
することがなくなる。この結果、静電気によって被洗浄
体の表面にパーティクルが吸着されるようなことがなく
なり、付着パーティクル数の増加を防止できる。さら
に、有機溶剤を添加することによって純水の表面張力も
小さくなるので、パーティクルを抱き込んだ水滴が被洗
浄体表面にそのまま付着して残るというようなこともな
くなる。
【００１３】請求項４に係る被洗浄体のすすぎ方法の場
合、すすぎ槽上部の密閉空間を満たす有機溶剤を混合し
たＮ2 ガス中の有機溶剤が純水表面から純水中に溶け込
むので、被洗浄体表面に発生した静電気は有機溶剤によ
って導電性を帯びた純水を通じて緩和され、静電気が帯
電することがなくなる。この結果、静電気によって被洗
浄体の表面にパーティクルが吸着されるようなことがな
くなり、付着パーティクル数の増加を防止できる。
合、すすぎ槽上部の密閉空間を満たす有機溶剤を混合し
たＮ2 ガス中の有機溶剤が純水表面から純水中に溶け込
むので、被洗浄体表面に発生した静電気は有機溶剤によ
って導電性を帯びた純水を通じて緩和され、静電気が帯
電することがなくなる。この結果、静電気によって被洗
浄体の表面にパーティクルが吸着されるようなことがな
くなり、付着パーティクル数の増加を防止できる。
【００１４】また、有機溶剤（例えば、イソプロピルア
ルコール（ＩＰＡ）など）の表面張力は純水よりも小さ
いので、有機溶剤が溶け込むことによって純水の表面張
力が小さくなる。このため、パーティクルを抱き込んだ
水滴が被洗浄体の表面にそのまま付着して残るというよ
うなことがなくなり、付着パーティクル数の増加を防止
できる。さらに、すすぎ槽の上部空間が有機溶剤を混合
したＮ2 ガスによって満たされるので、開放時の上部空
間の雰囲気気体をすすぎ槽内へ巻き込むことがなくな
り、より清浄なすすぎを実現できる。
ルコール（ＩＰＡ）など）の表面張力は純水よりも小さ
いので、有機溶剤が溶け込むことによって純水の表面張
力が小さくなる。このため、パーティクルを抱き込んだ
水滴が被洗浄体の表面にそのまま付着して残るというよ
うなことがなくなり、付着パーティクル数の増加を防止
できる。さらに、すすぎ槽の上部空間が有機溶剤を混合
したＮ2 ガスによって満たされるので、開放時の上部空
間の雰囲気気体をすすぎ槽内へ巻き込むことがなくな
り、より清浄なすすぎを実現できる。
【００１５】請求項５に係る被洗浄体のすすぎ方法の場
合、除電装置からのイオン放出または軟Ｘ線の照射によ
る雰囲気のイオン化によって、前記急速排水時に槽壁や
被洗浄体の表面と純水との間の摩擦帯電により発生する
静電気が除電され、静電気によって被洗浄体Ｗの表面に
パーティクルが吸着されるようなことがなくなる。ま
た、すすぎ槽の上部の密閉空間がＮ2 ガスで満たされる
ので、開放時の上部空間の雰囲気気体をすすぎ槽内へ巻
き込むことがなくなり、より清浄なすすぎを実現でき
る。
合、除電装置からのイオン放出または軟Ｘ線の照射によ
る雰囲気のイオン化によって、前記急速排水時に槽壁や
被洗浄体の表面と純水との間の摩擦帯電により発生する
静電気が除電され、静電気によって被洗浄体Ｗの表面に
パーティクルが吸着されるようなことがなくなる。ま
た、すすぎ槽の上部の密閉空間がＮ2 ガスで満たされる
ので、開放時の上部空間の雰囲気気体をすすぎ槽内へ巻
き込むことがなくなり、より清浄なすすぎを実現でき
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１に本発明の第１の実施
の形態を示す。この第１の実施の形態は、請求項１に係
るすすぎ方法の一例を示すもので、被洗浄体に向けて除
電装置からイオンを放出し、あるいは除電装置から軟Ｘ
線を照射して雰囲気をイオン化することにより、被洗浄
体表面の静電気を除電するようにしたものである。
て図面を参照して説明する。図１に本発明の第１の実施
の形態を示す。この第１の実施の形態は、請求項１に係
るすすぎ方法の一例を示すもので、被洗浄体に向けて除
電装置からイオンを放出し、あるいは除電装置から軟Ｘ
線を照射して雰囲気をイオン化することにより、被洗浄
体表面の静電気を除電するようにしたものである。
【００１７】図１において、１はＱＤＲ用のすすぎ槽、
２は純水回収槽、３はＱＤＲ用の排水弁、４は純水噴流
パイプ、５はすすぎ用の純水、６はイオナイザーまたは
軟Ｘ線源などから構成された除電装置、Ｗは半導体ウェ
ーハやＬＣＤ用ガラスなどの被洗浄体である。なお、従
来例（図６）と同一もしくは相当部分には同一の符号を
付して示した。
２は純水回収槽、３はＱＤＲ用の排水弁、４は純水噴流
パイプ、５はすすぎ用の純水、６はイオナイザーまたは
軟Ｘ線源などから構成された除電装置、Ｗは半導体ウェ
ーハやＬＣＤ用ガラスなどの被洗浄体である。なお、従
来例（図６）と同一もしくは相当部分には同一の符号を
付して示した。
【００１８】この第１の実施の形態の場合、純水５で満
たされたすすぎ槽１内に薬液洗浄後の被洗浄体Ｗを浸漬
した後、排水弁３を開いて純水５の全量を急速排水する
際に、除電装置６から被洗浄体Ｗに向けて、被洗浄装置
Ｗの表面に帯電する電荷と反対の極性からなるイオンを
放出するか、あるいは軟Ｘ線を照射する。この除電装置
からのイオン放出または軟Ｘ線の照射によって、急速排
水時に被洗浄体Ｗの表面に発生する静電気が除電され、
静電気によって被洗浄体Ｗの表面にパーティクルが吸着
されるようなことがなくなる。
たされたすすぎ槽１内に薬液洗浄後の被洗浄体Ｗを浸漬
した後、排水弁３を開いて純水５の全量を急速排水する
際に、除電装置６から被洗浄体Ｗに向けて、被洗浄装置
Ｗの表面に帯電する電荷と反対の極性からなるイオンを
放出するか、あるいは軟Ｘ線を照射する。この除電装置
からのイオン放出または軟Ｘ線の照射によって、急速排
水時に被洗浄体Ｗの表面に発生する静電気が除電され、
静電気によって被洗浄体Ｗの表面にパーティクルが吸着
されるようなことがなくなる。
【００１９】図２に本発明の第２の実施の形態を示す。
この第２の実施の形態は、請求項２に係るすすぎ方法の
第１の例を示すもので、すすぎ槽に純水を注水する際に
有機溶剤、例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を
注入添加するようにしたものである。
この第２の実施の形態は、請求項２に係るすすぎ方法の
第１の例を示すもので、すすぎ槽に純水を注水する際に
有機溶剤、例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を
注入添加するようにしたものである。
【００２０】図２において、１はＱＤＲ用のすすぎ槽、
２は純水回収槽、３はＱＤＲ用の排水弁、４は純水噴流
パイプ、５はすすぎ用の純水、７は添加用のＩＰＡを貯
蔵したＩＰＡ槽、８はＩＰＡを純水供給路９へ注入する
ためのＩＰＡ供給ポンプ、１０はポンプコントローラで
ある。なお、従来例（図６）と同一もしくは相当部分に
は同一の符号を付して示した。
２は純水回収槽、３はＱＤＲ用の排水弁、４は純水噴流
パイプ、５はすすぎ用の純水、７は添加用のＩＰＡを貯
蔵したＩＰＡ槽、８はＩＰＡを純水供給路９へ注入する
ためのＩＰＡ供給ポンプ、１０はポンプコントローラで
ある。なお、従来例（図６）と同一もしくは相当部分に
は同一の符号を付して示した。
【００２１】この第２の実施の形態の場合、被洗浄体Ｗ
のすすぎを行うために純水供給路９，純水噴流パイプ４
を通じて純水をすすぎ槽１に注水する際に、ポンプコン
トローラ１０の制御の下に、ＩＰＡ供給ポンプ８によっ
てＩＰＡをＩＰＡ槽７から純水供給路９に注入添加する
ようにしたものである。なお、ＩＰＡの添加量は、すす
ぎ槽１を満たす純水５の０．１重量％以下で十分であ
る。
のすすぎを行うために純水供給路９，純水噴流パイプ４
を通じて純水をすすぎ槽１に注水する際に、ポンプコン
トローラ１０の制御の下に、ＩＰＡ供給ポンプ８によっ
てＩＰＡをＩＰＡ槽７から純水供給路９に注入添加する
ようにしたものである。なお、ＩＰＡの添加量は、すす
ぎ槽１を満たす純水５の０．１重量％以下で十分であ
る。
【００２２】このＩＰＡの添加によって、すすぎ槽１内
に満たされた純水は導電性を持つようになり、急速排水
時に被洗浄体表面に発生する静電気はこのＩＰＡを含ん
だ導電性の純水を通じて外部へ緩和され、被洗浄体Ｗの
表面に静電気が帯電することがなくなる。このため、静
電気によって被洗浄体Ｗの表面にパーティクルが吸着さ
れるようなことがなくなる。また、ＩＰＡの表面張力は
純水よりも小さいので、ＩＰＡを添加することによって
純水５の表面張力が小さくなる。このため、パーティク
ルを抱き込んだ水滴が被洗浄体Ｗの表面にそのまま付着
して残るというようなことがなくなり、付着パーティク
ル数の増加を防止できる。
に満たされた純水は導電性を持つようになり、急速排水
時に被洗浄体表面に発生する静電気はこのＩＰＡを含ん
だ導電性の純水を通じて外部へ緩和され、被洗浄体Ｗの
表面に静電気が帯電することがなくなる。このため、静
電気によって被洗浄体Ｗの表面にパーティクルが吸着さ
れるようなことがなくなる。また、ＩＰＡの表面張力は
純水よりも小さいので、ＩＰＡを添加することによって
純水５の表面張力が小さくなる。このため、パーティク
ルを抱き込んだ水滴が被洗浄体Ｗの表面にそのまま付着
して残るというようなことがなくなり、付着パーティク
ル数の増加を防止できる。
【００２３】図３に本発明の第３の実施の形態を示す。
この第３の実施の形態は、請求項２に係るすすぎ方法の
第２の例を示すもので、すすぎ槽に純水を注水し終わっ
た後に、ＩＰＡを純水とは別系統で独立に注入するよう
に構成したものである。
この第３の実施の形態は、請求項２に係るすすぎ方法の
第２の例を示すもので、すすぎ槽に純水を注水し終わっ
た後に、ＩＰＡを純水とは別系統で独立に注入するよう
に構成したものである。
【００２４】図３において、１はＱＤＲ用のすすぎ槽、
２は純水回収槽、３はＱＤＲ用の排水弁、４は純水噴流
パイプ、５はすすぎ用の純水、９は純水供給路、１１は
添加用のＩＰＡを貯蔵したＩＰＡ槽、１２はＩＰＡをす
すぎ槽１へ直接注入するためのＩＰＡ供給ポンプ、１３
はＩＰＡ噴流パイプ、１４はポンプコントローラであ
る。なお、従来例（図６）と同一もしくは相当部分には
同一の符号を付して示した。
２は純水回収槽、３はＱＤＲ用の排水弁、４は純水噴流
パイプ、５はすすぎ用の純水、９は純水供給路、１１は
添加用のＩＰＡを貯蔵したＩＰＡ槽、１２はＩＰＡをす
すぎ槽１へ直接注入するためのＩＰＡ供給ポンプ、１３
はＩＰＡ噴流パイプ、１４はポンプコントローラであ
る。なお、従来例（図６）と同一もしくは相当部分には
同一の符号を付して示した。
【００２５】この第３の実施の形態の場合、被洗浄体Ｗ
のすすぎを行うために純水供給路９，純水噴流パイプ４
を通じて純水をすすぎ槽１内に注水した後、ポンプコン
トローラ１４の制御の下に、ＩＰＡ供給ポンプ１２、Ｉ
ＰＡ噴流パイプ１３を通じて、ＩＰＡ槽１１のＩＰＡを
すすぎ槽１内の純水中に添加する。なお、ＩＰＡの添加
量は、前述した第２の実施の形態と同様に、すすぎ槽１
を満たす純水５の０．１重量％以下で十分である。
のすすぎを行うために純水供給路９，純水噴流パイプ４
を通じて純水をすすぎ槽１内に注水した後、ポンプコン
トローラ１４の制御の下に、ＩＰＡ供給ポンプ１２、Ｉ
ＰＡ噴流パイプ１３を通じて、ＩＰＡ槽１１のＩＰＡを
すすぎ槽１内の純水中に添加する。なお、ＩＰＡの添加
量は、前述した第２の実施の形態と同様に、すすぎ槽１
を満たす純水５の０．１重量％以下で十分である。
【００２６】このＩＰＡの添加によって、前記第２の実
施の形態と同様に、すすぎ槽１内に満たされた純水は導
電性を持つようになり、急速排水時に槽壁や被洗浄体の
表面と純水との間の摩擦帯電により発生する静電気はこ
のＩＰＡを含んだ導電性の純水を通じて外部へ緩和さ
れ、被洗浄体Ｗの表面に静電気が帯電することがなくな
る。このため、静電気によって被洗浄体Ｗの表面にパー
ティクルが吸着されるようなことがなくなる。また、前
記第２の実施の形態と同様に、ＩＰＡの表面張力は純水
よりも小さいので、ＩＰＡを添加することによって純水
５の表面張力が小さくなる。このため、パーティクルを
抱き込んだ水滴が被洗浄体Ｗの表面にそのまま付着して
残るというようなことがなくなり、付着パーティクル数
の増加を防止できる。
施の形態と同様に、すすぎ槽１内に満たされた純水は導
電性を持つようになり、急速排水時に槽壁や被洗浄体の
表面と純水との間の摩擦帯電により発生する静電気はこ
のＩＰＡを含んだ導電性の純水を通じて外部へ緩和さ
れ、被洗浄体Ｗの表面に静電気が帯電することがなくな
る。このため、静電気によって被洗浄体Ｗの表面にパー
ティクルが吸着されるようなことがなくなる。また、前
記第２の実施の形態と同様に、ＩＰＡの表面張力は純水
よりも小さいので、ＩＰＡを添加することによって純水
５の表面張力が小さくなる。このため、パーティクルを
抱き込んだ水滴が被洗浄体Ｗの表面にそのまま付着して
残るというようなことがなくなり、付着パーティクル数
の増加を防止できる。
【００２７】図４に本発明の第４の実施の形態を示す。
この第４の実施の形態は、請求項４に係るすすぎ方法の
一例を示すもので、すすぎ槽１の上部空間を密閉する開
閉式の上蓋１５，１５を設け、急速排水時にすすぎ槽１
の上部空間を密閉した状態でＩＰＡを含んだＮ2 ガスを
送給するようにしたものである。
この第４の実施の形態は、請求項４に係るすすぎ方法の
一例を示すもので、すすぎ槽１の上部空間を密閉する開
閉式の上蓋１５，１５を設け、急速排水時にすすぎ槽１
の上部空間を密閉した状態でＩＰＡを含んだＮ2 ガスを
送給するようにしたものである。
【００２８】図４において、１はＱＤＲ用のすすぎ槽、
２は純水回収槽、３はＱＤＲ用の排水弁、４は純水噴流
パイプ、５はすすぎ用の純水、９は純水供給路、１５，
１５は開閉式の上蓋、１６は（ＩＰＡ＋Ｎ2 ）混合ガス
の送給パイプ、１７はＩＰＡバブリング槽、１８はＮ2
ガス供給パイプである。なお、従来例（図６）と同一も
しくは相当部分には同一の符号を付して示した。
２は純水回収槽、３はＱＤＲ用の排水弁、４は純水噴流
パイプ、５はすすぎ用の純水、９は純水供給路、１５，
１５は開閉式の上蓋、１６は（ＩＰＡ＋Ｎ2 ）混合ガス
の送給パイプ、１７はＩＰＡバブリング槽、１８はＮ2
ガス供給パイプである。なお、従来例（図６）と同一も
しくは相当部分には同一の符号を付して示した。
【００２９】この第４の実施の形態の場合、被洗浄体Ｗ
をすすぎ槽１内に搬入載置した後、上蓋１５を閉じ、す
すぎ槽１の上部空間を密閉する。そして、この密閉状態
において、被洗浄体Ｗのすすぎを行うために純水供給路
９，純水噴流パイプ４を通じて純水をすすぎ槽１内に注
水した後、Ｎ2 ガス供給パイプ１８からＮ2 ガスを送給
し、このＮ2 ガスによってＩＰＡバブリング槽１７内の
ＩＰＡをバブリングしてＮ2 ガスに混合し、この（ＩＰ
Ａ＋Ｎ2 ）混合ガスを送給パイプ１６を通じてすすぎ槽
１の上部空間に送給しながら排水弁３から純水５を急速
排水する。上蓋１５はその下部側プレートをパンチング
板で構成し、このパンチング板に穿たれた多数のパンチ
ング孔を通して（ＩＰＡ＋Ｎ2 ）混合ガスをすすぎ槽１
の上部空間および液面に均等に供給することが望まし
い。
をすすぎ槽１内に搬入載置した後、上蓋１５を閉じ、す
すぎ槽１の上部空間を密閉する。そして、この密閉状態
において、被洗浄体Ｗのすすぎを行うために純水供給路
９，純水噴流パイプ４を通じて純水をすすぎ槽１内に注
水した後、Ｎ2 ガス供給パイプ１８からＮ2 ガスを送給
し、このＮ2 ガスによってＩＰＡバブリング槽１７内の
ＩＰＡをバブリングしてＮ2 ガスに混合し、この（ＩＰ
Ａ＋Ｎ2 ）混合ガスを送給パイプ１６を通じてすすぎ槽
１の上部空間に送給しながら排水弁３から純水５を急速
排水する。上蓋１５はその下部側プレートをパンチング
板で構成し、このパンチング板に穿たれた多数のパンチ
ング孔を通して（ＩＰＡ＋Ｎ2 ）混合ガスをすすぎ槽１
の上部空間および液面に均等に供給することが望まし
い。
【００３０】この（ＩＰＡ＋Ｎ2 ）混合ガスの送給によ
ってＩＰＡが純水５の表面から溶け込み、これによって
すすぎ槽１内に満たされた純水は前記第２の実施の形態
と同様に導電性を持つようになり、急速排水時に槽壁や
被洗浄体の表面と純水との間の摩擦帯電により発生する
静電気はこのＩＰＡを含んだ導電性の純水を通じて外部
へ緩和され、被洗浄体Ｗの表面に静電気が帯電すること
がなくなる。このため、静電気によって被洗浄体Ｗの表
面にパーティクルが吸着されるようなことがなくなる。
また、前記第２の実施の形態と同様に、ＩＰＡの表面張
力は純水よりも小さいので、ＩＰＡを添加することによ
って純水５の表面張力が小さくなる。このため、パーテ
ィクルを抱き込んだ水滴が被洗浄体Ｗの表面にそのまま
付着して残るというようなことがなくなり、付着パーテ
ィクル数の増加を防止できる。
ってＩＰＡが純水５の表面から溶け込み、これによって
すすぎ槽１内に満たされた純水は前記第２の実施の形態
と同様に導電性を持つようになり、急速排水時に槽壁や
被洗浄体の表面と純水との間の摩擦帯電により発生する
静電気はこのＩＰＡを含んだ導電性の純水を通じて外部
へ緩和され、被洗浄体Ｗの表面に静電気が帯電すること
がなくなる。このため、静電気によって被洗浄体Ｗの表
面にパーティクルが吸着されるようなことがなくなる。
また、前記第２の実施の形態と同様に、ＩＰＡの表面張
力は純水よりも小さいので、ＩＰＡを添加することによ
って純水５の表面張力が小さくなる。このため、パーテ
ィクルを抱き込んだ水滴が被洗浄体Ｗの表面にそのまま
付着して残るというようなことがなくなり、付着パーテ
ィクル数の増加を防止できる。
【００３１】また、純水５が急速排水される際に、すす
ぎ槽１の上部空間は（ＩＰＡ＋Ｎ2）混合ガスによって
満たされるので、開放時の上部空間の雰囲気気体をすす
ぎ槽内へ巻き込むことがなくなり、より清浄なすすぎを
実現できる。さらに、前述した第２および第３の実施の
形態（図２、図３）のように純水噴流パイプ４やＩＰＡ
噴流パイプ１３によってＩＰＡを供給する場合に比べ
て、効率的に純水５の表面近くにＩＰＡを供給すること
ができるので、ＩＰＡの使用量を低減することができ
る。
ぎ槽１の上部空間は（ＩＰＡ＋Ｎ2）混合ガスによって
満たされるので、開放時の上部空間の雰囲気気体をすす
ぎ槽内へ巻き込むことがなくなり、より清浄なすすぎを
実現できる。さらに、前述した第２および第３の実施の
形態（図２、図３）のように純水噴流パイプ４やＩＰＡ
噴流パイプ１３によってＩＰＡを供給する場合に比べ
て、効率的に純水５の表面近くにＩＰＡを供給すること
ができるので、ＩＰＡの使用量を低減することができ
る。
【００３２】図５に本発明の第５の実施の形態を示す。
この第５の実施の形態は、請求項５に係るすすぎ方法の
一例を示すもので、すすぎ槽１の上部空間を密閉する開
閉式の上蓋１５，１５を設けるとともに、この上蓋１
５，１５のいずれか一方の内壁面にイオナイザーまたは
軟Ｘ線源などから構成された除電装置６を設け、急速排
水時にすすぎ槽１の上部空間に密閉した状態でＮ2 ガス
を送給しながら除電装置６によって除電するようにした
ものである。
この第５の実施の形態は、請求項５に係るすすぎ方法の
一例を示すもので、すすぎ槽１の上部空間を密閉する開
閉式の上蓋１５，１５を設けるとともに、この上蓋１
５，１５のいずれか一方の内壁面にイオナイザーまたは
軟Ｘ線源などから構成された除電装置６を設け、急速排
水時にすすぎ槽１の上部空間に密閉した状態でＮ2 ガス
を送給しながら除電装置６によって除電するようにした
ものである。
【００３３】図５において、１はＱＤＲ用のすすぎ槽、
２は純水回収槽、３はＱＤＲ用の排水弁、４は純水噴流
パイプ、５はすすぎ用の純水、６はイオナイザーまたは
軟Ｘ線源などから構成された除電装置、９は純水供給
路、１５，１５は開閉式の上蓋、１９はＮ2 ガスの送給
パイプである。なお、前記第４の実施の形態（図４）と
同一もしくは相当部分には同一の符号を付して示した。
２は純水回収槽、３はＱＤＲ用の排水弁、４は純水噴流
パイプ、５はすすぎ用の純水、６はイオナイザーまたは
軟Ｘ線源などから構成された除電装置、９は純水供給
路、１５，１５は開閉式の上蓋、１９はＮ2 ガスの送給
パイプである。なお、前記第４の実施の形態（図４）と
同一もしくは相当部分には同一の符号を付して示した。
【００３４】この第５の実施の形態の場合、被洗浄体Ｗ
をすすぎ槽１内に搬入載置した後、上蓋１５，１５を閉
じ、すすぎ槽１の上部空間を密閉する。そして、この密
閉状態において、被洗浄体Ｗのすすぎを行うために純水
供給路９，純水噴流パイプ４を通じて純水をすすぎ槽１
内に注水した後、Ｎ2 ガス供給パイプ１９からＮ2 ガス
を密閉空間内に送給開始し、除電装置６を作動させなが
ら排水弁３から純水５を急速排水する。上蓋１５はその
下部側プレートをパンチング板で構成し、このパンチン
グ板に穿たれた多数のパンチング孔を通して（ＩＰＡ＋
Ｎ2 ）混合ガスをすすぎ槽１の上部空間および液面に均
等に供給することが望ましい。
をすすぎ槽１内に搬入載置した後、上蓋１５，１５を閉
じ、すすぎ槽１の上部空間を密閉する。そして、この密
閉状態において、被洗浄体Ｗのすすぎを行うために純水
供給路９，純水噴流パイプ４を通じて純水をすすぎ槽１
内に注水した後、Ｎ2 ガス供給パイプ１９からＮ2 ガス
を密閉空間内に送給開始し、除電装置６を作動させなが
ら排水弁３から純水５を急速排水する。上蓋１５はその
下部側プレートをパンチング板で構成し、このパンチン
グ板に穿たれた多数のパンチング孔を通して（ＩＰＡ＋
Ｎ2 ）混合ガスをすすぎ槽１の上部空間および液面に均
等に供給することが望ましい。
【００３５】除電装置６から被洗浄体Ｗに向けてイオン
が放出されあるいは軟Ｘ線が照射されると、急速排水時
に槽壁や被洗浄体の表面と純水との間の摩擦帯電により
発生する静電気が除電され、静電気によって被洗浄体Ｗ
の表面にパーティクルが吸着されるようなことがなくな
る。また、この急速排水の際、すすぎ槽１の上部空間は
不活性ガスたるＮ2 ガスによって満たされるので、開放
時の上部空間の雰囲気気体をすすぎ槽内へ巻き込むこと
がなくなり、より清浄なすすぎを実現できる。さらに、
イオン放出や軟Ｘ線を照射する除電装置６の作動時には
上蓋１５，１５が閉じられてすすぎ槽１の上部空間が密
閉されるので、安全性が向上するとともに除電効果も向
上する。
が放出されあるいは軟Ｘ線が照射されると、急速排水時
に槽壁や被洗浄体の表面と純水との間の摩擦帯電により
発生する静電気が除電され、静電気によって被洗浄体Ｗ
の表面にパーティクルが吸着されるようなことがなくな
る。また、この急速排水の際、すすぎ槽１の上部空間は
不活性ガスたるＮ2 ガスによって満たされるので、開放
時の上部空間の雰囲気気体をすすぎ槽内へ巻き込むこと
がなくなり、より清浄なすすぎを実現できる。さらに、
イオン放出や軟Ｘ線を照射する除電装置６の作動時には
上蓋１５，１５が閉じられてすすぎ槽１の上部空間が密
閉されるので、安全性が向上するとともに除電効果も向
上する。
【００３６】なお、上記実施の形態においては、添加す
る有機溶剤としてＩＰＡを用いた場合を例示したが、使
用する有機溶剤はこれに限定されるものではなく、例え
ばこの他に、エタノール、メタノール、エチレングリコ
ール、エチルグリコール、、オクタン、１−プロパノー
ル、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノー
ルなどを用いることができる。
る有機溶剤としてＩＰＡを用いた場合を例示したが、使
用する有機溶剤はこれに限定されるものではなく、例え
ばこの他に、エタノール、メタノール、エチレングリコ
ール、エチルグリコール、、オクタン、１−プロパノー
ル、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノー
ルなどを用いることができる。
【００３７】
【実施例】上記図１〜図３に示した本発明になるすすぎ
装置と、図６の従来構成になるすすぎ装置を用い、１２
インチウェーハのすすぎ処理を行なった場合のパーティ
クル増加の測定結果を表１に示す。
装置と、図６の従来構成になるすすぎ装置を用い、１２
インチウェーハのすすぎ処理を行なった場合のパーティ
クル増加の測定結果を表１に示す。
【００３８】
【表１】
【００３９】上記表１から明らかなように、本発明によ
るときは静電気の発生とパーティクルの増加を効果的に
防止できることが分かる。
るときは静電気の発生とパーティクルの増加を効果的に
防止できることが分かる。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１に係る発
明によれば、急速排水時に、すすぎ槽内の被洗浄体に向
けて除電装置からイオンを放出しあるいは軟Ｘ線を照射
することにより、被洗浄体の表面に発生する静電気を除
電するようにしたので、静電気によって被洗浄体の表面
にパーティクルが吸着されるようなことがなくなり、付
着パーティクル数の増加を防止できる。このため、従来
方法にに比べてより清浄なすすぎを実現できる。
明によれば、急速排水時に、すすぎ槽内の被洗浄体に向
けて除電装置からイオンを放出しあるいは軟Ｘ線を照射
することにより、被洗浄体の表面に発生する静電気を除
電するようにしたので、静電気によって被洗浄体の表面
にパーティクルが吸着されるようなことがなくなり、付
着パーティクル数の増加を防止できる。このため、従来
方法にに比べてより清浄なすすぎを実現できる。
【００４１】また、請求項２および３に係る発明によれ
ば、すすぎ槽を満たす純水に有機溶剤を添加し、急速排
水時に槽璧や被洗浄体の表面と純水との間の摩擦帯電に
より発生する静電気を有機溶剤を添加した純水を通じて
緩和するようにしたので、静電気によって被洗浄体の表
面にパーティクルが吸着されるようなことがなくなり、
付着パーティクル数の増加を防止できる。また、有機溶
剤添加によって純水の表面張力が小さくなるので、パー
ティクルを抱き込んだ水滴が被洗浄体表面にそのまま付
着して残るというようなこともなくなり、付着パーティ
クル数の増加を防止できる。このため、従来方法に比べ
てより清浄なすすぎを実現できる。
ば、すすぎ槽を満たす純水に有機溶剤を添加し、急速排
水時に槽璧や被洗浄体の表面と純水との間の摩擦帯電に
より発生する静電気を有機溶剤を添加した純水を通じて
緩和するようにしたので、静電気によって被洗浄体の表
面にパーティクルが吸着されるようなことがなくなり、
付着パーティクル数の増加を防止できる。また、有機溶
剤添加によって純水の表面張力が小さくなるので、パー
ティクルを抱き込んだ水滴が被洗浄体表面にそのまま付
着して残るというようなこともなくなり、付着パーティ
クル数の増加を防止できる。このため、従来方法に比べ
てより清浄なすすぎを実現できる。
【００４２】また、請求項４に係る発明によれば、少な
くとも急速排水時にすすぎ槽の上部空間を密閉し、該密
閉空間内に有機溶剤を混合した窒素ガスを送給し、急速
排水時に槽璧や被洗浄体の表面と純水とのの摩擦帯電に
より発生する静電気を有機溶剤の溶け込んだ純水を通じ
て放電するようにしたので、静電気によって被洗浄体の
表面にパーティクルが吸着されるようなことがなくな
り、付着パーティクル数の増加を防止できる。また、有
機溶剤が溶け込むことによって純水の表面張力が小さく
なるので、パーティクルを抱き込んだ水滴が被洗浄体の
表面にそのまま付着して残るというようなこともなくな
り、付着パーティクル数の増加を防止できる。また、す
すぎ槽の上部空間が有機溶剤を混合したＮ2 ガスによっ
て満たされるので、開放時の上部空間の雰囲気気体をす
すぎ槽内へ巻き込むことがなくなり、より清浄なすすぎ
を実現できる。さらに、効率的に純水の表面近くに有機
溶剤を供給できるので、有機溶剤の使用量を低減するこ
とができ、より経済的である。
くとも急速排水時にすすぎ槽の上部空間を密閉し、該密
閉空間内に有機溶剤を混合した窒素ガスを送給し、急速
排水時に槽璧や被洗浄体の表面と純水とのの摩擦帯電に
より発生する静電気を有機溶剤の溶け込んだ純水を通じ
て放電するようにしたので、静電気によって被洗浄体の
表面にパーティクルが吸着されるようなことがなくな
り、付着パーティクル数の増加を防止できる。また、有
機溶剤が溶け込むことによって純水の表面張力が小さく
なるので、パーティクルを抱き込んだ水滴が被洗浄体の
表面にそのまま付着して残るというようなこともなくな
り、付着パーティクル数の増加を防止できる。また、す
すぎ槽の上部空間が有機溶剤を混合したＮ2 ガスによっ
て満たされるので、開放時の上部空間の雰囲気気体をす
すぎ槽内へ巻き込むことがなくなり、より清浄なすすぎ
を実現できる。さらに、効率的に純水の表面近くに有機
溶剤を供給できるので、有機溶剤の使用量を低減するこ
とができ、より経済的である。
【００４３】請求項５に係る被洗浄体のすすぎ方法の場
合、少なくとも急速排水時にすすぎ槽の上部空間を密閉
し、該密閉空間内に窒素ガスを送給しながらすすぎ槽内
の被洗浄体に向けた除電装置からのイオン放出または軟
Ｘ線の照射による雰囲気のイオン化によって、前記急速
排水時に槽壁や被洗浄体の表面と純水との間の摩擦帯電
により発生する静電気を除電するようにしたので、静電
気によって被洗浄体の表面にパーティクルが吸着される
ようなことがなくなり、付着パーティクル数の増加を防
止できる。また、すすぎ槽の上部の密閉空間がＮ2 ガス
で満たされるので、開放時の上部空間の雰囲気気体をす
すぎ槽内へ巻き込むことがなくなり、より清浄なすすぎ
を実現できる。さらに、イオン放出や軟Ｘ線を照射する
除電装置の作動時にはすすぎ槽の上部空間が密閉される
ので、安全性が向上するとともに除電効果も向上する。
合、少なくとも急速排水時にすすぎ槽の上部空間を密閉
し、該密閉空間内に窒素ガスを送給しながらすすぎ槽内
の被洗浄体に向けた除電装置からのイオン放出または軟
Ｘ線の照射による雰囲気のイオン化によって、前記急速
排水時に槽壁や被洗浄体の表面と純水との間の摩擦帯電
により発生する静電気を除電するようにしたので、静電
気によって被洗浄体の表面にパーティクルが吸着される
ようなことがなくなり、付着パーティクル数の増加を防
止できる。また、すすぎ槽の上部の密閉空間がＮ2 ガス
で満たされるので、開放時の上部空間の雰囲気気体をす
すぎ槽内へ巻き込むことがなくなり、より清浄なすすぎ
を実現できる。さらに、イオン放出や軟Ｘ線を照射する
除電装置の作動時にはすすぎ槽の上部空間が密閉される
ので、安全性が向上するとともに除電効果も向上する。
【図１】第１の実施の形態の略示構造図である。
【図２】第２の実施の形態の略示構造図である。
【図３】第３の実施の形態の略示構造図である。
【図４】第４の実施の形態の略示構造図である。
【図５】第５の実施の形態の略示構造図である。
【図６】従来例の略示構造図である。
１ ＱＤＲ用のすすぎ槽 ２ 純水回収槽 ３ ＱＤＲ用の排水弁 ４ 純水噴流パイプ ５ 純水 ６ 除電装置 ７ ＩＰＡ槽 ８ ＩＰＡ供給ポンプ ９ 純水供給路 １０ ポンプコントローラ １１ ＩＰＡ槽 １２ ＩＰＡ供給ポンプ １３ ＩＰＡ噴流パイプ １４ ポンプコントローラ １５ 開閉式の上蓋 １６ （ＩＰＡ＋Ｎ2 ）混合ガスの送給パイプ １７ ＩＰＡバブリング槽 １８ Ｎ2 ガス供給パイプ １９ Ｎ2 ガス送給パイプ Ｗ 被洗浄体
Claims (5)
- 【請求項１】 薬液洗浄後の被洗浄体を純水を満たした
すすぎ槽内に浸漬した後、一旦すすぎ槽内の純水の全量
を急速排水し、その後再び純水を注水して所定のすすぎ
処理を行なうようにした被洗浄体のすすぎ方法におい
て、 すすぎ槽内の被洗浄体に向けた除電装置からのイオン放
出または軟Ｘ線の照射による雰囲気のイオン化によっ
て、前記急速排水時に槽壁や被洗浄体の表面と純水との
間の摩擦帯電により発生する静電気を除電することを特
徴とする被洗浄体のすすぎ方法。 - 【請求項２】 薬液洗浄後の被洗浄体を純水を満たした
すすぎ槽内に浸漬した後、一旦すすぎ槽内の純水の全量
を急速排水し、その後再び純水を注水して所定のすすぎ
処理を行なうようにした被洗浄体のすすぎ方法におい
て、 すすぎ槽を満たす純水に有機溶剤を添加し、前記急速排
水時に槽璧や被洗浄体の表面と純水との間の摩擦帯電に
より発生する静電気を前記有機溶剤を添加した純水を通
じて緩和することを特徴とする被洗浄体のすすぎ方法。 - 【請求項３】 前記有機溶剤の添加量をすすぎ槽を満た
す純水の０．１重量％以下としたことを特徴とする請求
項２記載の被洗浄体のすすぎ方法。 - 【請求項４】 薬液洗浄後の被洗浄体を純水を満たした
すすぎ槽内に浸漬した後、一旦すすぎ槽内の純水の全量
を急速排水し、その後再び純水を注水して所定のすすぎ
処理を行なうようにした被洗浄体のすすぎ方法におい
て、 少なくとも急速排水時にすすぎ槽の上部空間を密閉し、
該密閉空間内に有機溶剤を混合した窒素ガスを送給し、
前記急速排水時に槽璧や被洗浄体の表面と純水とのの摩
擦帯電により発生する静電気を前記有機溶剤の溶け込ん
だ純水を通じて緩和することを特徴とする被洗浄体のす
すぎ方法。 - 【請求項５】 薬液洗浄後の被洗浄体を純水を満たした
すすぎ槽内に浸漬した後、一旦すすぎ槽内の純水の全量
を急速排水し、その後再び純水を注水して所定のすすぎ
処理を行なうようにした被洗浄体のすすぎ方法におい
て、 少なくとも急速排水時にすすぎ槽の上部空間を密閉し、
該密閉空間内に窒素ガスを送給しながらすすぎ槽内の被
洗浄体に向けた除電装置からのイオン放出または軟Ｘ線
の照射による雰囲気のイオン化によって、前記急速排水
時に槽壁や被洗浄体の表面と純水との間の摩擦帯電によ
り発生する静電気を除電することを特徴とする被洗浄体
のすすぎ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2901898A JPH11214341A (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | 被洗浄体のすすぎ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2901898A JPH11214341A (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | 被洗浄体のすすぎ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214341A true JPH11214341A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=12264682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2901898A Pending JPH11214341A (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | 被洗浄体のすすぎ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11214341A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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