JPH03125428A - 半導体基板洗浄装置 - Google Patents
半導体基板洗浄装置Info
- Publication number
- JPH03125428A JPH03125428A JP1263207A JP26320789A JPH03125428A JP H03125428 A JPH03125428 A JP H03125428A JP 1263207 A JP1263207 A JP 1263207A JP 26320789 A JP26320789 A JP 26320789A JP H03125428 A JPH03125428 A JP H03125428A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- semiconductor substrate
- jig
- ionized
- carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体素子の歩留りを上げるための半導体基板
洗浄装置に関するものである。
洗浄装置に関するものである。
従来の技術
従来 半導体基板を保持する治具はテフロン製であるた
嵌 静電気が帯びやす％ｓ、 そのためく基板上に０
．１〜２μｍのパーティクルが付着する。
嵌 静電気が帯びやす％ｓ、 そのためく基板上に０
．１〜２μｍのパーティクルが付着する。
静電気を除去するためへ 電極間の放電によって生じた
イオンを治具に照射する方法がある。
イオンを治具に照射する方法がある。
発明が解決しようとする課題
しかし 放電によるイオン照射（よ 電極間の放電によ
りパーティクルが発生するた敦 治具に帯電した静電気
は除去できる力丈 放電時に生じたパーティクルが付着
するため半導体素子の歩留りが低下するという課題があ
る。本発明は かかる問題点に鑑みてなされたもので、
パーティクルの発生なしにイオンを発生させ、そのイオ
ンにより治具に帯電した静電気を除去することができる
半導体基板洗浄装置を提供することを目的とする。
りパーティクルが発生するた敦 治具に帯電した静電気
は除去できる力丈 放電時に生じたパーティクルが付着
するため半導体素子の歩留りが低下するという課題があ
る。本発明は かかる問題点に鑑みてなされたもので、
パーティクルの発生なしにイオンを発生させ、そのイオ
ンにより治具に帯電した静電気を除去することができる
半導体基板洗浄装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明（戴 光によってイオン化されやすいガスに光を
照射し ガスをイオン化させ、前記イオン化されたガス
を半導体基板および治具に照射することを特徴とする半
導体基板洗浄装置である。
照射し ガスをイオン化させ、前記イオン化されたガス
を半導体基板および治具に照射することを特徴とする半
導体基板洗浄装置である。
作用
本発明は上述の構成により、パーティクルの発生なしに
イオン化したガスを治具に照射することができるので、
治具に帯電した静電気を除去するとともにそのため半導
体基板にパーティクルが付着することなく高い歩留りの
半導体素子を得ることができる。また 所望のイオンと
半導体基板表面との化学反応により基板表面の安定化お
よび清浄化が可能となる。
イオン化したガスを治具に照射することができるので、
治具に帯電した静電気を除去するとともにそのため半導
体基板にパーティクルが付着することなく高い歩留りの
半導体素子を得ることができる。また 所望のイオンと
半導体基板表面との化学反応により基板表面の安定化お
よび清浄化が可能となる。
実施例
第１図は本発明の一実施例における半導体基板洗浄装置
の断面構造図である。洗浄、乾燥が終了し 搬送器１を
用いて電気炉工程へ搬送される途中に容器２が設けられ
ていて、容器２の一方から半導体基板５を保持するテフ
ロン製の治具３ （キャリヤー）を容器２内に入れるた
めのシャッター４が開き、基板５が入ったキャリヤー３
が容器２内に納められる。そしてキセノンランプ６は集
光用レンズ７で集光された光がゴス導入口８近く照射さ
れる構造になっている。そしてガス導入口８からはイオ
ン化しやすいガスを含んだガスを導入する。そうすると
光で励起されたガスはイオン化される。イオン化された
ガス９は半導体基板５およびキャリヤー３に照射され
帯電している電荷が中和される。その後、 シャッター
１０を開き、キャリヤー３を容器２外へ出し 電気炉工
程の半導体基板をボートに移す場所まで搬送する。１１
は排気口である。上記構造において、ガス導入口８は第
２図に示すように内面は鏡面研磨し 光の反射率を高く
する。そして多面形にする。そうするとガス導入口８内
で何回か光が反射してガスのイオン化率が向上する。ま
た 上記構造において、イオン化したガスは反応性が高
いため置 半導体基板表面に付着している有機物の微粒
子は０°や０−と反応して除去される。ま？、Ａ１配線
のような場合ハＡＩが酸化されて、Ａｌ配線表面に安定
なＡＩｔ。
の断面構造図である。洗浄、乾燥が終了し 搬送器１を
用いて電気炉工程へ搬送される途中に容器２が設けられ
ていて、容器２の一方から半導体基板５を保持するテフ
ロン製の治具３ （キャリヤー）を容器２内に入れるた
めのシャッター４が開き、基板５が入ったキャリヤー３
が容器２内に納められる。そしてキセノンランプ６は集
光用レンズ７で集光された光がゴス導入口８近く照射さ
れる構造になっている。そしてガス導入口８からはイオ
ン化しやすいガスを含んだガスを導入する。そうすると
光で励起されたガスはイオン化される。イオン化された
ガス９は半導体基板５およびキャリヤー３に照射され
帯電している電荷が中和される。その後、 シャッター
１０を開き、キャリヤー３を容器２外へ出し 電気炉工
程の半導体基板をボートに移す場所まで搬送する。１１
は排気口である。上記構造において、ガス導入口８は第
２図に示すように内面は鏡面研磨し 光の反射率を高く
する。そして多面形にする。そうするとガス導入口８内
で何回か光が反射してガスのイオン化率が向上する。ま
た 上記構造において、イオン化したガスは反応性が高
いため置 半導体基板表面に付着している有機物の微粒
子は０°や０−と反応して除去される。ま？、Ａ１配線
のような場合ハＡＩが酸化されて、Ａｌ配線表面に安定
なＡＩｔ。
３膜が形成される。さらに容器内温度を上げれば反応が
促進される。また キセノンランプ６の光のエネルギー
は最大６．２ｅＶである力丈 光源として、高圧水銀ラ
ンプやエキシマレーザ−のような短波長の光が発する光
源ならば何でも良（〜 導入するガスの種類として低エ
ネルギーでイオン化されやすいガスを用いる。例えば
水蒸気および酸素を導入すれば下記のエネルギーでイオ
ン化する。ＨＯｓ・、 Ｈ（Ｈ２Ｏ）ｍ” ＋６．２ｅ
Ｖ以上 Ｏａ−＋０．１５〜０．９ｅＶ Ｏ−：１．４
６ｅＶまた 第３図に示すように光源６の本体は容器２
の外側に設置しても良い。
促進される。また キセノンランプ６の光のエネルギー
は最大６．２ｅＶである力丈 光源として、高圧水銀ラ
ンプやエキシマレーザ−のような短波長の光が発する光
源ならば何でも良（〜 導入するガスの種類として低エ
ネルギーでイオン化されやすいガスを用いる。例えば
水蒸気および酸素を導入すれば下記のエネルギーでイオ
ン化する。ＨＯｓ・、 Ｈ（Ｈ２Ｏ）ｍ” ＋６．２ｅ
Ｖ以上 Ｏａ−＋０．１５〜０．９ｅＶ Ｏ−：１．４
６ｅＶまた 第３図に示すように光源６の本体は容器２
の外側に設置しても良い。
発明の効果
本発明によれば 帯電電荷を除去することにより、半導
体基板表面に異物が付着せず、高い歩留りの半導体素子
を得ることができる。さらに 有機物等の異物を除去す
ることができるので高い歩留りの半導体素子を得ること
ができる。
体基板表面に異物が付着せず、高い歩留りの半導体素子
を得ることができる。さらに 有機物等の異物を除去す
ることができるので高い歩留りの半導体素子を得ること
ができる。
第１図は本発明の基板洗浄装置の断面構造医第２図は本
発明のガス導入口の内面の詳細医 第３図は本発明の光
源本体を容器の外側に設置した場合の平面図である。 １・・・・搬送器 ２・・・・容器 ３・・・・キャリ
ヤー、５・・・・半導体基板、 ６・・・ ８・・・・ガス導入ｌ ９・・・ ４．１０・・・・シャッター、 ・光＃ ７・・・・レンＸ ・イオン化されたガス
発明のガス導入口の内面の詳細医 第３図は本発明の光
源本体を容器の外側に設置した場合の平面図である。 １・・・・搬送器 ２・・・・容器 ３・・・・キャリ
ヤー、５・・・・半導体基板、 ６・・・ ８・・・・ガス導入ｌ ９・・・ ４．１０・・・・シャッター、 ・光＃ ７・・・・レンＸ ・イオン化されたガス
Claims (2)
- （１）容器内の一方から半導体基板を保持する治具を入
れる構造、他方から前記半導体基板を保持する治具を出
す構造が設けてあって、容器内のガスをイオン化できる
波長を発する光源ランプが設けてあり、前記光源はレン
ズにより、ガス導入口側に照射される構造になっていて
、前記ガス導入口から入ったガスは前記半導体基板及び
治具に当たる構造を有していることを特徴とする半導体
基板洗浄装置 - （２）ガス導入口の内面は光の反射率が高く、多面形に
なっていることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載の半導体基板洗浄装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1263207A JPH03125428A (ja) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | 半導体基板洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1263207A JPH03125428A (ja) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | 半導体基板洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03125428A true JPH03125428A (ja) | 1991-05-28 |
Family
ID=17386271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1263207A Pending JPH03125428A (ja) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | 半導体基板洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03125428A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993004210A1 (fr) * | 1991-08-19 | 1993-03-04 | Tadahiro Ohmi | Procede de formation d'un film d'oxyde |
| EP0597103A4 (en) * | 1991-07-25 | 1994-08-17 | Takasago Thermal Engineering | Apparatus for neutralizing charged body. |
| EP0792090A3 (en) * | 1992-08-14 | 1999-03-24 | Takasago Netsugaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for producing gaseous ions by use of x-rays |
| US6146135A (en) * | 1991-08-19 | 2000-11-14 | Tadahiro Ohmi | Oxide film forming method |
| US6647998B2 (en) * | 2001-06-20 | 2003-11-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Electrostatic charge-free solvent-type dryer for semiconductor wafers |
-
1989
- 1989-10-09 JP JP1263207A patent/JPH03125428A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0597103A4 (en) * | 1991-07-25 | 1994-08-17 | Takasago Thermal Engineering | Apparatus for neutralizing charged body. |
| WO1993004210A1 (fr) * | 1991-08-19 | 1993-03-04 | Tadahiro Ohmi | Procede de formation d'un film d'oxyde |
| US6146135A (en) * | 1991-08-19 | 2000-11-14 | Tadahiro Ohmi | Oxide film forming method |
| US6949478B2 (en) | 1991-08-19 | 2005-09-27 | Tadahiro Ohmi | Oxide film forming method |
| EP0792090A3 (en) * | 1992-08-14 | 1999-03-24 | Takasago Netsugaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for producing gaseous ions by use of x-rays |
| US6647998B2 (en) * | 2001-06-20 | 2003-11-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Electrostatic charge-free solvent-type dryer for semiconductor wafers |
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