JPH11214364A - 半導体ウェハ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 真空室を有する半導体ウェハ処理装置におい
て、真空室内のダストの原因となる微粒子を積極的に帯
電させることにより、電気力線を発生させてイオンの流
れを形成し、微粒子を効率的に除去する。 【解決手段】 真空室１１を備えるとともに、この真空
室１１内には真空排気口１４が開設されている半導体ウ
ェハ処理装置において、真空室１１に、ガスまたは微粒
子を帯電させる電極２１，２２が設置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハの処
理装置において、放電を利用して微粒子を除去するため
の技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図５は従来の半導体ウェハ処理装置を平
面的に見た概略構成図である。

【０００３】この半導体ウェハ処理装置は、半導体ウェ
ハをエッチングなどの各種の処理をする一対の処理室
(ここでは反応室)１２、これらの反応室１２に連設され
た予備排気室であるロードロック室１１を備え、ロード
ロック室１１内には半導体ウェハの搬送系１３および一
対の真空排気口１４が設けられている。なお、１５は搬
送系１３を構成する半導体ウェハ載置用の一対のアーム
である。

【０００４】半導体ウェハについてエッチング等の各種
の処理を行う際には、反応室１２から微粒子が発生す
る。すなわち、反応室１２ではプロセスガスや反応生成
物によって微粒子が発生し、これがウェハ移載の時に反
応室１２側からロードロック室１１側に流入してダスト
の原因となる。

【０００５】そして、従来の微粒子除去装置では、例え
ば、ロードロック室１１に設けた真空排気口１４からガ
スの真空排気を行うとともに、反応室１２で発生した微
粒子を同時に排気するようにしている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成では、ただ単にロードロック室１１を真空排
気するだけであるため、ダストの原因となる微粒子(パ
ーティクル)の除去が不充分である。

【０００７】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明は、上記
問題点を解決するために、微粒子を積極的に帯電させる
ことにより、電気力線を発生させてイオンの流れを形成
し、微粒子を効率的に除去するようにしたものである。

【０００８】すなわち、請求項１記載の発明では、真空
室を備えるとともに、この真空室内には真空排気口が開
設されている半導体ウェハ処理装置において、真空室
に、ガスまたは微粒子を帯電させる電極が設置されてい
ることを特徴としている。

【０００９】請求項２記載の発明では、請求項１記載の
構成において、真空室に対して、その内部のガスまたは
微粒子を帯電させる紫外光源が設置されている。

【００１０】請求項３記載の発明では、請求項１または
請求項２記載の構成において、真空室は、半導体ウェハ
の処理室と、この処理室に接続されたロードロック室と
からなり、前記ロードロック室の処理室側に陰極が、前
記真空排気口側に陽極がそれぞれ配置されていることを
特徴としている。

【００１１】請求項４記載の発明では、請求項３記載の
構成において、陽極の近傍に微粒子捕獲用のフィルタが
設置されていることを特徴としている。

【００１２】

【発明の実施の形態】図１は本発明の実施形態に係る半
導体ウェハ処理装置を平面的に見た概略構成図、図２は
同装置を側面から見た概略構成図である。

【００１３】図１において、１１はロードロック室、１
２は一対の反応室、１３は半導体ウェハの搬送系、１４
は真空排気口、１５は搬送系１３を構成する半導体ウェ
ハ載置用の一対のアームであり、これらの構成は、図５
に示した従来技術の装置と同じであるから、詳しい説明
は省略する。

【００１４】この実施形態では、ロードロック室１１に
対して、ガスまたは微粒子を帯電させる電極としての陰
極２１および陽極２２、さらに紫外光源２３が設置され
ている。

【００１５】すなわち、図２に示すように、ロードロッ
ク室１１の各反応室１２側に陰極２１が、各真空排気口
１４側に陽極２２がそれぞれ配置され、陰極２１と陽極
２２には、それぞれ電源４１が電源線４２を介して接続
されており、電源４１から電源線４２を通じて陰極２１
および陽極２２にそれぞれ所定の電圧が印可されるよう
になっている。

【００１６】また、紫外光源２３は、ロードロック室１
１の外側に配置され、ガラスやアクリル樹脂でできた窓
２５を通して紫外光がロードロック室１１内部に照射さ
れるようになっている。

【００１７】いま、反応室１２でエッチングプロセスが
行われる場合、反応室１２ではプロセスガスや反応生成
物によって微粒子が発生し、これがウェハ移載の時に反
応室１２側からロードロック室１１側に流入する。例え
ば、エッチングガスが塩素であれば、ロードロック室１
１に塩素がたまり、ロードロック室１１内が汚染される
おそれがある。

【００１８】そこで、その場合には、電源４１から電源
線４２を通して陰極２１および陽極２２にそれぞれ所定
の電圧を印可する。すると、反応室１２から出るエッチ
ングガスは、反応室１２近傍に設置されている陰極２１
により負に帯電する。その際、紫外光源２３によって、
ロードロック室１１内を紫外光で照射すると、さらに微
粒子のイオン化が促進される。

【００１９】そして、負に帯電した微粒子は、クーロン
力によって直ちに陰極２１と陽極２２から形成される電
気力線３１に沿って陽極２２方向へ電気的に引き寄せら
れ、真空排気口１４から真空ポンプ(図せず)を経由して
ロードロック室１１の外部に効率良く排出されるため、
ロードロック室１１内の汚染はほとんど発生しない。

【００２０】このように、反応室１２側から発生するエ
ッチングガスおよび反応生成物等によるパーティクル
(微粒子)を、ただ単に真空排気するだけでなく、陰極２
１と陽極２２とにより電気力線３１を発生させて帯電し
た微粒子の流れ３２を形成することにより、微粒子を有
効に除去することができる。

【００２１】なお、図３に示すように、陽極２２を覆っ
てフィルタ６１を設置することが一層好ましい。

【００２２】このようにすると、微粒子はフィルタ６１
に付蓄して、陽極２２には付蓄しないため、陽極２２が
過剰に汚れることを防止することができる。

【００２３】また、図１および図２に示した構成では、
電極２１，２２がともにロードロック室１１内に配置さ
れているが、図４に示すように、ロードロック室１１の
外側に電極２１，２２を配置することもできる。その場
合、陰極２１および陽極２２の形状は、ロードロック室
１１を取りまくようなリング形状となる。

【００２４】さらに、この実施形態では、真空室とし
て、搬送を伴うロードロック室１１を用いた場合につい
て説明したが、局所的な真空容器でも、同様の効果が得
られることは言うまでもない。

【００２５】

【発明の効果】本発明の半導体ウェハ処理装置では、次
の効果を奏する。

【００２６】(１) 真空室内に存在してダストの元とな
る微粒子を陰極により負に帯電した後、帯電した微粒子
を陽極方向ヘクーロン力により引きつけることにより、
微粒子の流れを形成することができるため、電気力線を
広範囲に発生させて、真空中の微粒子を効率良く外部に
排出することができる。これによって、ダストの発生を
大幅に抑えて良好な真空状態を保持することができる。

【００２７】(２) 特に、紫外光源によって真空室内を
紫外光で照射すると、さらに微粒子のイオン化が促進さ
れるため微粒子の排出が良くなる。

【００２８】(３) また、陽極を覆ってフィルタを設置
すれば、微粒子が陽極に付蓄して汚れるのを防止するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係る半導体ウェハ処理装置
を平面的に見た概略構成図

【図２】図１の装置を側面から見た概略構成図

【図３】陽極の回りにフィルタを設置した図

【図４】陰極および陽極をロードロック室の外側に配置
した図

【図５】従来例に係る半導体ウェハ処理装置を平面的に
見た概略構成図

【符号の説明】

１１…ロードロック室、１２…反応室、１３…搬送系、
１４…真空排気口、２１…陰極、２２…陽極、２３…紫
外光源、６１…フィルタ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空室を備えるとともに、この真空室内
   には真空排気口が開設されている半導体ウェハ処理装置
   において、 前記真空室に、ガスまたは微粒子を帯電させる電極が設
   置されていることを特徴とする半導体ウェハ処理装置。
2. 【請求項２】 前記真空室に対して、その内部のガスま
   たは微粒子を帯電させる紫外光源が設置されていること
   を特徴とする請求項１記載の半導体ウェハ処理装置。
3. 【請求項３】 前記真空室は、半導体ウェハの処理室
   と、この処理室に接続されたロードロック室とからな
   り、前記ロードロック室の処理室側に陰極が、前記真空
   排気口側に陽極がそれぞれ配置されていることを特徴と
   する請求項１または請求項２記載の半導体ウェハ装置。
4. 【請求項４】 前記陽極の近傍に微粒子捕獲用のフィル
   タが設置されていることを特徴とする請求項３記載の半
   導体ウェハ処理装置。