JPH11214479A - 基板処理装置及びその方法並びに基板搬送装置 - Google Patents

基板処理装置及びその方法並びに基板搬送装置

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JPH11214479A
JPH11214479A JP10026588A JP2658898A JPH11214479A JP H11214479 A JPH11214479 A JP H11214479A JP 10026588 A JP10026588 A JP 10026588A JP 2658898 A JP2658898 A JP 2658898A JP H11214479 A JPH11214479 A JP H11214479A
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cassette
substrate
valve
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opening
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Osamu Tanigawa
修 谷川
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 密閉型の被処理基板カセットを清浄雰囲気に
て開放する基板処理装置において、被処理基板カセット
の蓋体を開きやすくすること。また密閉型の被処理基板
カセットにおいて、ガスの置換をスム−ズに行うこと。 【解決手段】 壁部２により基板処理装置を作業領域Ｓ
１とロ−ディングエリアＳ２とに区画する。密閉型の被
処理基板カセット（クロ−ズ型カセット）３において、
カセット本体３１の底部に常時閉じているバルブ５を設
ける。作業領域Ｓ１に置かれたカセット載置部６には他
端側がロ−ディングエリアＳ２内に開口している通気管
５１を突出させる。カセット３をカセット載置部６に載
置すると、通気管５１がバルブ５に割り込み、当該バル
ブ５が開いてカセット３の内部とロ−ディングエリアＳ
２内とを連通させ、これにより両者の差圧が解消され
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置及び
その方法並びに基板搬送装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ（以下ウエハという）のパ
ーティクル汚染を抑えるために密閉型のウエハカセット
（以下クロ−ズ型カセットという）が検討されている。
（月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ １９
９７年１月号等参照）このクロ−ズ型カセット１は、例
えば図１０に示すように、ウエハＷを例えば１３枚収納
するカセット本体１０と、このカセット本体１０に形成
されたウエハ取り出し口を気密に塞ぐための蓋体１１と
を備えており、この蓋体１１は、例えば図示しないキ−
を差し込んでロックすることにより、カセット本体１０
に固定されるように構成されている。
【０００３】このようなクロ−ズ型カセット１の利用法
について、例えば熱処理装置を例にして説明すると、オ
ペレ−タや自動搬送ロボットがクロ−ズ型カセット１を
持ち運ぶ作業領域と当該作業領域よりはクリ−ン度が高
いロ−ディングエリアとに壁部１３により区画されてお
り、壁部１３に形成された開口部１４に作業領域側から
クロ−ズ型カセット１が装着される。図中１５は載置台
である。前記開口部１４は常時扉部１６により閉じられ
ており、この扉部１６に設けられた開閉手段１７により
蓋体１１が開かれる。
【０００４】取り外された蓋体１１は、扉部１６を昇降
させ、水平方向に移動させる扉開閉機構１８により、扉
部１６と共にロ−ディングエリア内に運ばれ、この後ロ
−ディングエリア側から図示しない移載手段によりクロ
−ズ型カセット１内のウエハＷが取り出される。
【０００５】ロ−ディングエリアにおいて、ウエハＷは
図示しないウエハボ−トに移載され、このウエハボ−ト
が熱処理炉内に搬入されて所定の熱処理が行われる。こ
うして熱処理が行われたウエハＷは、再びクロ−ズ型カ
セット１内に収納され、密閉された状態で、次工程のス
テ−ション例えば洗浄ステ−ションに搬送される。そし
てこのステ−ションで蓋体１１が開かれて、ウエハＷが
取り出され、洗浄される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述の熱処理装置で
は、ロ−ディングエリアは作業領域よりも陽圧に設定さ
れ、ロ−ディングエリアのクリ−ンエアを作業領域に向
けて流出させて、作業領域側からロ−ディングエリアへ
のパーティクルの侵入を防止するようにしており、この
ためロ−ディングエリアは大気圧に対して例えば１Ｐａ
以上、好ましくは５００Ｐａ程度陽圧になるように設定
されている。
【０００７】一方クロ−ズ型カセット１は、内部がクリ
ーンエアや窒素（Ｎ2 ）ガスによりパ−ジされており、
カセット１内の圧力は約１気圧（大気圧）である。この
ようにロ−ディングエリアよりもクロ−ズ型カセット１
内の圧力がわずかに小さいため、クロ−ズ型カセット１
を開口部１４に装着して蓋体１１を開こうとすると、両
者の差圧により蓋体１１が開きにくくなり、蓋体１１を
扉部１６と共に取り外すための扉開閉機構１８の駆動に
大きなパワ−が必要となる。
【０００８】また熱処理後のウエハＷの温度は例えば１
００℃程度であるが、この状態のウエハＷをクロ−ズ型
カセット１内に収納し、例えば室温程度まで冷却する
と、この冷却によりカセット１内の気圧が大気圧よりわ
ずかに減少する。従って冷却後のクロ−ズ型カセット１
を次工程の洗浄ステ−ションに搬送し、当該工程でウエ
ハＷを取り出そうとすると、洗浄ステ−ションは大気圧
であるため、蓋体１１を開く際に大きなパワ−が必要と
なる。
【０００９】さらに上述のように、クロ−ズ型カセット
１内とカセットを開放する雰囲気との間に差圧がある
と、蓋体１１を開いた際に気体が急激に低圧側のカセッ
ト１内に流れ込むので、これによってパーティクルが発
生するおそれもあった。
【００１０】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は密閉型の被処理基板カセット内と
当該カセットを開放する清浄雰囲気との間の差圧を無く
すことによって、蓋体を開きやすくした基板処理装置及
びその方法を提供することにある。また本発明の他の目
的は、ガスの置換をスム−ズに行うことができる基板搬
送装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このため本発明は、被処
理基板を収納するカセット本体と、このカセット本体の
被処理基板取り出し口を気密に塞ぐための蓋体とを有す
る密閉型の被処理基板カセットを備え、前記蓋体を開い
て前記被処理基板カセット内を清浄雰囲気に開放し、当
該被処理基板カセット内の被処理基板を取り出して処理
する基板処理装置において、前記カセット本体に設けら
れ、カセット本体の内部と外部とを連通するための連通
孔と、この連通孔を開閉し、常時は閉じているバルブ
と、前記バルブを開いて前記連通孔を介してカセット本
体の内部と前記清浄雰囲気とを連通させる連通手段と、
を備え、前記被処理基板カセットの蓋体を開く前に、前
記連通手段により被処理基板カセットの内部と前記清浄
雰囲気とを連通させることを特徴とする。
【００１２】ここで基板処理装置として、清浄雰囲気を
区画すると共に被処理基板の受け渡し用の開口部が形成
された壁部を備え、前記被処理基板カセットを清浄雰囲
気の外側から前記壁部に取り付けて、前記清浄雰囲気側
から前記蓋体を開き、当該被処理基板カセット内の被処
理基板を前記開口部を通じて清浄雰囲気側に取り出して
処理する装置に適用してもよい。
【００１３】また前記バルブはカセット本体の底部に設
けられる一方、前記連通手段は載置部に組み合わせて設
けられ、被処理基板カセットを載置部に載置したとき
に、前記バルブが開いて被処理基板カセットの内部と前
記清浄雰囲気とを連通させることを特徴とする。
【００１４】さらに前記バルブを第１のバルブとする
と、前記連通手段は、一端部が前記連通孔に接続された
ときに前記第１のバルブを開き、前記連通孔から取り外
されたときに当該第１のバルブを閉じるように構成され
ると共に他端部が前記清浄雰囲気に開口する連通路と、
この連通路に設けられ、前記第１のバルブが開かれた
後、徐々に連通路を開くように作動する第２のバルブ
と、を備えたことを特徴とする。
【００１５】さらにまた本発明の基板処理方法は、前記
密閉型の被処理基板カセットの前記蓋体を開いて前記被
処理基板カセット内を清浄雰囲気に開放し、当該被処理
基板カセット内の被処理基板を取り出して処理する基板
処理方法において、前記被処理基板カセットの蓋体を開
く前に、カセット本体の内部と外部とを連通することを
特徴とする。
【００１６】さらにまた本発明の基板搬送装置は、前記
密閉型の被処理基板カセットの蓋体を開かずに、前記被
処理基板カセット内のガスを置換するカセット内のガス
置換装置において、前記カセット本体及び蓋体のうちの
少なくとも一方に設けられたガス排出孔と、前記カセッ
ト本体及び蓋体のうちの少なくとも一方に設けられたガ
ス導入孔と、これらガス導入孔とガス排出孔を開閉し、
常時は閉じているバルブと、前記バルブを開いて前記ガ
ス排出孔を介して被処理基板カセット内のガスを外部に
排出するガス排出手段と、前記バルブを開いて前記ガス
導入孔を介して被処理基板カセットの内部に置換ガスを
導入するガス導入手段と、を備え、前記被処理基板カセ
ット内のガスを排出すると共に、前記被処理基板カセッ
ト内へ不活性ガスを導入することにより、被処理基板カ
セット内のガスを置換ガスに置換することを特徴とす
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態は、密閉型の
被処理基板カセット例えばウエハカセットを、当該被処
理基板カセット内の圧力とは異なる圧力の清浄雰囲気内
で開放する場合に、この被処理基板カセットの蓋体を開
く前に、カセットの内部と前記清浄雰囲気とを連通させ
ることにより、被処理基板カセット内と前記清浄雰囲気
との差圧を無くすものである。
【００１８】図１は本発明の基板処理装置を熱処理装置
に適用した実施の形態を示す図である。この装置は、壁
部２により作業領域Ｓ１とロ−ディングエリアＳ２とが
区画されている。作業領域Ｓ１、ロ−ディングエリアＳ
２はいずれもクリ−ンル−ム内にあるので清浄雰囲気で
あるが、ロ−ディングエリアＳ２の方が作業領域Ｓ１よ
りも清浄度が高く設定されており、特許請求の範囲でい
う清浄雰囲気はこの例ではロ−ディングエリアＳ２に相
当する。壁部２にはウエハの受け渡し用の開口部２１が
形成されており、この開口部２１の作業領域Ｓ１側に
は、密閉型の被処理基板カセットをなすクロ−ズ型カセ
ット３（以下カセット３という）が壁部２に密着されて
いる。
【００１９】カセット３について図２〜図５に基づいて
説明すると、このカセット３は例えば１３枚の被処理基
板であるウエハＷを棚状に保持するようにウエハ保持部
３０が多段に形成されたカセット本体３１と、このカセ
ット本体３１のウエハ取り出し口である開口部３３を気
密に塞ぐための蓋体３２とを備えており、この蓋体３２
はカセット本体３１の開口部３３の内側に入り込むよう
に設けられている。またカセット本体３１の開口部３３
の周縁部は外側に屈曲して鍔部３１ａとして形成されて
いる。
【００２０】前記蓋体３２には、例えば２カ所に鍵穴３
４が形成されており、この鍵穴３４に後述する開閉手段
に設けられたキ−３５を挿入して回すことにより、蓋体
３２の上端と下端とから図示しないロックピンが突出し
て、カセット本体３１に蓋体３２が固定されるように構
成されている。
【００２１】前記カセット３の底部には、図３及び図４
に示すように、カセット本体３１の下方側にカセット本
体３１の下面とほぼ同じ形状のベ−スプレ−ト４１が設
けられている。このベ−スプレ−ト４１はカセット本体
３１に円筒状の接合脚４２（４２ａ〜４２ｃ）を介して
間隔を開けて取り付けられており、例えば接合脚４２
ａ，４２ｃはカセット本体３１の長さ方向のほぼ中央に
おける両側縁部に設けられ、４２ｂはカセット本体３１
のほぼ中央部に設けられている。
【００２２】この接合脚４２ａ，４２ｃの上端側は閉鎖
されており、下部側（ベ−スプレ−ト４１側）は凹部４
３として形成されている。また接合脚４２ｂの上端側は
カセット本体３１内に開口しており、下端側はベ−スプ
レ−ト４１を介してカセットの外部領域に開口してい
る。この接合脚４２ｂの内部空間は、この例ではカセッ
ト３の内部と外部とを連通する連通孔に相当する。
【００２３】接合脚４２ｂの内部の例えば上部側には、
図５の接合脚４２ｂの底面図に示すように、バルブ（第
１のバルブ）５が嵌合されている。このバルブ５は例え
ば十字型の切り込み５ａが入れられたゴム等の弾性板か
らなり、周縁部が接合脚４２ｂの内面に固定されてい
る。このバルブ５は常時は切り込み面が接合されていて
閉じられた状態にあり、カセット３内の気密性が保持さ
れている。
【００２４】このようなカセット３は作業領域Ｓ１にお
いて載置部をなすカセット載置部６のステ−ジ６１上に
載置されており、このカセット載置部６によりカセット
３は、前記開口部２１に適合する位置に保持される。ス
テ−ジ６１はステ−ジ支持台６２により支持されてお
り、ステ−ジ支持台６２は、カセット３の着脱方向に基
台６４上に設けられたガイドレ−ル６３により、前記着
脱方向に移動できるように構成されている。
【００２５】前記ステ−ジ６１の上面には、前記接合脚
４２ａ，４２ｃの凹部４３と接合脚４２ｂの内部空間に
適合するように、例えば３個の突起６１ａが形成されて
おり、カセット３の凹部４３等に突起６１ａが係合し
て、カセット３のステ−ジ６１上での位置合わせが行わ
れるように構成されている。なお接合脚４２ｂには、突
起６１ａと干渉しない位置にバルブ５が設けられてい
る。
【００２６】またこれらの突起６１ａのうちの接合脚４
２ｂと適合する突起には、外径が接合脚４２ｂの内径よ
りも小さい連通路をなす通気管５１が、突起６１ａの上
面から突出するように設けられている。この通気管５１
は、上端側がカセット３がステ−ジ６１上に載置された
ときにバルブ５の切り込み５ａの間に入り込んでカセッ
ト３の内部に開口し、他端側は壁部２を貫通してロ−デ
ィングエリアＳ２に開口するように構成されており、ス
テ−ジ支持台６２が着脱方向に移動しても前記上端側と
他端側が設定された位置から外れないようになってい
る。
【００２７】前記通気管５１には通常は閉じている制御
バルブ（第２のバルブ）５２が介設されており、このバ
ルブ５２は、カセット３がカセット載置部６に載置され
たときに、図示しないスイッチがＯＮとなって制御部５
３から出力される制御信号に基づいて徐々に開くように
制御される。本実施の形態では、前記通気管５１とバル
ブ５２にとにより連通手段が構成されている。なお図１
では便宜上壁部２及びカセット載置部６は通常の位置よ
りも手前側に描かれているが、実際にはこれらは後述す
る移載機構側に寄った位置にある。
【００２８】前記開口部２１のロ−ディングエリアＳ２
側には、前記開口部２１を気密に塞ぐための壁部２用の
扉部７１が設けられている。この扉部７１は、開口部２
１の周縁部を覆う大きさに形成されており、扉開閉機構
７によって開閉されるように構成されている。この扉開
閉機構７は、扉部７１を昇降軸７２ａによって昇降させ
るための昇降基台７２と、この昇降基台７２を水平方向
に移動させるための水平基台７３とを備えている。前記
扉部７１には、カセット３の蓋体３２を開閉するための
開閉手段７４が組み合わせて設けられており、この開閉
手段７４はキ−３５を進退、回転させるキ−操作機構７
５を有している。
【００２９】ロ−ディングエリアＳ２内には、ウエハに
対して熱処理を行うための熱処理炉８１が設けられてお
り、この熱処理炉８１の下方側には、例えば１５０枚の
ウエハＷを棚状に保持して、図示しないボ−トエレベ−
タにより熱処理炉８１に搬入出するためのウエハボ−ト
８２が設けられている。またカセット３とウエハボ−ト
８２との間でウエハの移載を行うための移載機構８３が
設けられており、この移載機構８３は、ウエハを複数枚
例えば５枚一括して移載でき、また１枚づつの移載もで
きるように例えば５枚の移載ア−ム８３ａを備えてい
て、この移載ア−ム８３ａは進退自在、昇降自在、回転
自在に構成されている。
【００３０】続いて上述の実施の形態の作用について説
明する。前記カセット３は、ウエハＷが収納された後、
クリーエア、または窒素ガスによりパ−ジされており、
カセット３内は大気圧程度の圧力に維持されている。一
方ロ−ディングエリアＳ２内は、自然酸化膜の発生や熱
処理炉８１内への大気の巻き込みを防止するために、窒
素ガス、または大気の巻き込みのみを防止するために、
クリーンエアによりパ−ジされていると共に、作業領域
Ｓ１からロ−ディングエリアＳ２へのパーティクルの侵
入を防止するため作業領域Ｓ１よりも陽圧に設定され、
例えば大気圧に対して例えば１Ｐａ以上、好ましくは５
００Ｐａ程度陽圧になるように維持されている。
【００３１】先ずカセット３を、図６（ａ）にて接合脚
４２ｂを代表して示すように、カセット載置部６のステ
−ジ６１上の突起６１ａと、接合脚４２ｂの内部空間
（凹部４３）との位置を合わせ、突起６１ａが接合脚４
２ｂの内部空間に係合するように載置する。この際接合
脚４２ｂでは、図６（ｂ）に示すように、通気管５１の
突出端がバルブ５の切り込み５ａの間に割り込む。そし
て図示しない押圧機構によりステ−ジ支持台６２を押圧
して、カセット３を開口部２１に装着する。
【００３２】カセット３をカセット載置部６に載置する
と、通気管５１によりバルブ５が開かれ、通気管５１の
先端部がカセット３内に開口する。また図示しないスイ
ッチがＯＮとなって制御部５３が制御バルブ５２に制御
信号を出力する。これにより通気管５１を介してカセッ
ト３の内部とロ−ディングエリアＳ２内の雰囲気とが連
通し、高圧側のロ−ディングエリアＳ２内の窒素ガス、
またはクリーエアが低圧側のカセット３の内部に向けて
通気量が制御された状態で流出していく。この窒素ガ
ス、またはクリーンエアの流出により、ロ−ディングエ
リアＳ２とカセット３の差圧が徐々に小さくなってい
き、そのうちに両者の圧力がほぼ同じになる。
【００３３】次いでカセット３をカセット載置部６に載
置してから所定時間（カセット３とロ−ディングエリア
Ｓ２との間に差圧がなくなるまでの時間）経過後、開閉
手段７４のキ−操作機構７５のキ−３５を、カセット３
の蓋体３２の鍵穴３４に挿入して回し、これによりロッ
クピンを解除する。そして扉開閉機構７の水平基台７３
により扉部７１を後退させてから、昇降基台７２により
下降させて、蓋体３２を扉部７１と共に開口部２１から
取り外す。
【００３４】この後移載機構８３の移載ア−ム８３ａを
カセット３内に進入させてカセット３の５枚のウエハＷ
を一括して掬い上げて保持し、ウエハボ−ト８２に移載
する。こうしてウエハボ−ト８２に例えば１５０枚のウ
エハＷを移載した後、図示しないボ−トエレベ−タによ
りウエハボ−ト８２を上昇させて熱処理炉８１内に搬入
し、ウエハＷに対して所定の熱処理を行う。
【００３５】このような基板処理装置では、カセット３
の蓋体３２を開く前にカセット３の内部とロ−ディング
エリアＳ２内とを連通させて、カセット３内とロ−ディ
ングエリアＳ２内の差圧を解消し、差圧が無くなってか
ら蓋体３２を開く。このため蓋体３２を外部からの押圧
力を受けることなくスム−ズに開くことができ、これに
より蓋体３２を取り外すための扉開閉機構７の駆動力が
小さくて済む。また両者の間に差圧がないため、蓋体３
２を開いた際に気体が急激にカセット３内に流れ込むこ
とが抑えられ、パーティクルの発生が防止される。
【００３６】さらに通気管５１によるカセット３の内部
とロ−ディングエリアＳ２との間の連通の際も、制御バ
ルブ５２により初めは緩やかに窒素ガス、またはクリー
ンエアを通気させ、徐々に通気量を増やすように制御し
ているので、カセット３内への窒素ガス、またはクリー
ンエアの急激な流れ込みが抑えられ、パーティクルの発
生が防止される。
【００３７】さらにまた通気管５１と接合脚４２ｂが位
置合わせ用の機構を兼ねており、カセット載置部６にカ
セット３を位置合わせして載置すれば、必ず通気管５１
によりバルブ５が開かれるので、簡単に通気管５１とバ
ルブ５とを適合させることができる。
【００３８】ここでパーティクルの発生を防止するため
には、制御バルブ５２を設ける代わりに、例えば図７に
示すように、接合脚４２の内部の突起６１ａ（カセット
３がステ−ジ６１に載置されたとき）と干渉しない位置
にバルブ５を設け、このバルブ５の上方側にパーティク
ルを除去するためのフィルタ５４を設けて、通気管５１
の上端部をバルブ５とフィルタ５４との間の位置に開口
させるようにしてもよい。またこのフィルタ５４は通気
管５１のカセット３内に開口する側の先端部に設けるよ
うにしてもよい。
【００３９】次に本発明の処理装置の他の実施の形態に
ついて説明すると、この実施の形態が上述の実施の形態
と異なる点は、図８（ａ）に示すように、バルブ（第１
のバルブ）５５をカセット３の蓋体３２に設けると共
に、扉部７１に通気管５６を設けたことである。通気管
５６は、扉部７１のバルブ５５と適合する位置に、扉部
７１から作業領域Ｓ１に向けて垂直に延びるように設け
られており、先端側は壁部２の作業領域Ｓ１側の前面よ
りも奥側に位置し、後端側はロ−ディングエリアＳ２内
に開口している。バルブ５５の構成やその他の構成は上
述の実施の形態と同様である。なお通気管５６には、制
御バルブ５２やフィルタ５４を設けるようにしてもよ
い。
【００４０】本実施の形態では、図８（ｂ）に示すよう
に、カセット３を壁部２に装着すると、通気管５６が蓋
体３２に設けられたバルブ５５の切り込み５ａの間に割
り込み、こうしてバルブ５５が開かれ、通気管５６の先
端部がカセット３内に開口する。そしてカセット３の内
部とロ−ディングエリアＳ２内の雰囲気とが連通し、両
者の圧力が同圧となり、この後カセット３から蓋体３２
を開くと、上述の実施の形態と同様の効果が得られる。
【００４１】続いて本発明の基板搬送装置の一実施の形
態について図９に基づいて説明する。この実施の形態で
はクロ−ズ型カセット３６（以下カセット３６という）
は、上述の第１の実施の形態のクロ−ズ型カセット３の
接合脚４２のうちの２本を接合脚４２ｂと同様に構成さ
れ、一方の接合脚４２ｂの内部空間がガス導入孔９１を
なし、他方の接合脚４２ｂの内部空間がガス排出孔９２
をなしている。
【００４２】ガス置換用載置台９３には、外径が接合脚
４２ｂの内径よりも小さいガス導入手段をなすガス導入
管９４とガス排出手段をなすガス排出管９５とが、夫々
ガス導入孔９１とガス排出孔９２とに適合する位置にお
いて、先端部が載置台９３上に形成された接合脚４２ｂ
と係合する突起９３ａの上面から突出するように設けら
れている。前記ガス導入管９４の他端側は不活性ガス等
の置換ガス源例えば窒素（Ｎ2 ）ガス源９６が接続され
ており、ガス排出管９５の他端側は排気手段９７に接続
されている。
【００４３】このようなカセット３６の利用法について
説明すると、先ずカセット３６内に大気雰囲気中でウエ
ハＷを収納した後、当該カセット３６をガス置換用載置
台９３上に、ガス導入管９４の先端部とガス排出管９５
の先端部とが、夫々ガス導入孔９１とガス排出孔９２の
バルブの切り込みの間に割り込むように載置し、これに
よりガス導入管９４とガス排出管９５をカセット３６内
に開口させる。
【００４４】そして図９（ｂ）に示すように、排気手段
９７によりカセット３６内を排気しながら、窒素ガス源
９６よりカセット３６内に窒素ガスを供給すると、カセ
ット３６内の大気はカセット３６の外部へ排出してい
き、カセット３６内は徐々に大気から窒素ガスに置換さ
れていく。
【００４５】こうしてカセット３６内を窒素ガスで置換
した後、当該カセット３６をガス置換用載置台９３から
持ち上げ、次工程例えば熱処理工程に持ち運ぶ。この際
ガス導入孔９１及びガス排出孔９２のバルブは、カセッ
ト３６の持ち上げによってガス導入管９４及びガス排出
管９５が外れたときに切り込み面が接合されて閉じられ
るので、カセット３６は気密性が保持された状態で次工
程へ運ばれる。次いで次工程の熱処理工程において、当
該カセット３６をカセット載置部６上に載置し、ここで
はガス導入孔９１及びガス排出孔９２は連通孔として作
用する。
【００４６】このように連通孔をガス導入孔９１及びガ
ス排出孔９２として利用すれば、上述の基板処理に適用
でき、しかもガス置換をスム−ズに行うことができる。
なお蓋体３２にガス導入孔９１及びガス排出孔９２を設
けるようにしていもよい。
【００４７】以上においてバルブ５、５５は切り込み５
ａを入れる代わりに２以上に分割するようにしてもよい
し、例えばバネ等により常時は閉じるように付勢されて
おり、ステージ６１にカセットが載置されたときに通気
管５１により押圧されて開く構成のものを用いるように
してもよい。また通気管５１、５６に制御バルブ５２や
フィルタ５３に設けない構成としてもよい。
【００４８】
【発明の効果】請求項１〜５の発明によれば、密閉型の
被処理基板カセット内と当該カセットを開放する清浄雰
囲気との間の差圧を無くすことにより、被処理基板カセ
ットの蓋体が開きやすくなる。また請求項６の発明によ
れば、ガスの置換をスム−ズに行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の一
例を示す斜視図である。
【図２】クロ−ズ型カセットの一例を示す斜視図であ
る。
【図３】壁部に装着したクロ−ズ型カセットの一例を示
す断面図である。
【図４】クロ−ズ型カセットの一例を示す斜視図であ
る。
【図５】クロ−ズ型カセットの接合脚を示す底面図であ
る。
【図６】連通バルブの作用を説明するための断面図であ
る。
【図７】クロ−ズ型カセットの他の例を示す断面図であ
る。
【図８】本発明の他の実施の形態に係る基板処理装置の
一例を示す断面図である。
【図９】本発明の他の実施の形態に係る基板搬送装置の
一例を示す断面図である。
【図１０】従来のクロ−ズ型カセットを示す断面図であ
る。
【符号の説明】
２ 壁部 ２１ 開口部 ３ クロ−ズ型カセット ３１ カセット本体 ３２ 蓋体 ５、５５ バルブ ５１、５６ 通気管 ６ カセット載置部 ７１ 扉部 ９１ ガス導入孔 ９２ ガス排出孔

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理基板を収納するカセット本体と、
    このカセット本体の被処理基板取り出し口を気密に塞ぐ
    ための蓋体とを有する密閉型の被処理基板カセットを備
    え、前記蓋体を開いて前記被処理基板カセット内を清浄
    雰囲気に開放し、当該被処理基板カセット内の被処理基
    板を取り出して処理する基板処理装置において、 前記被処理基板カセットに設けられ、カセット本体の内
    部と外部とを連通するための連通孔と、 この連通孔を開閉し、常時は閉じているバルブと、 前記バルブを開いて前記連通孔を介してカセット本体の
    内部と前記清浄雰囲気とを連通させる連通手段と、を備
    え、 前記被処理基板カセットの蓋体を開く前に、前記連通手
    段により被処理基板カセットの内部と前記清浄雰囲気と
    を連通させることを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項２】 前記清浄雰囲気を区画すると共に被処理
    基板の受け渡し用の開口部が形成された壁部を備え、前
    記被処理基板カセットを前記清浄雰囲気の外側から前記
    壁部に取り付けて、前記清浄雰囲気側から前記蓋体を開
    き、当該被処理基板カセット内の被処理基板を前記開口
    部を通じて前記清浄雰囲気側に取り出して処理すること
    を特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  3. 【請求項３】 前記バルブは前記カセット本体の底部に
    設けられる一方、前記連通手段は前記被処理基板カセッ
    トを載置するための載置部に組み合わせて設けられ、前
    記被処理基板カセットを前記載置部に載置したときに、
    前記バルブが開いて前記被処理基板カセットの内部と前
    記清浄雰囲気とを連通させることを特徴とする請求項１
    又は２記載の基板処理装置。
  4. 【請求項４】 前記バルブを第１のバルブとすると、前
    記連通手段は、一端部が前記連通孔に接続されたときに
    前記第１のバルブを開き、前記連通孔から取り外された
    ときに当該第１のバルブを閉じるように構成されると共
    に他端部が前記清浄雰囲気に開口する連通路と、この連
    通路に設けられ、前記第１のバルブが開かれた後、徐々
    に連通路を開くように作動する第２のバルブと、を備え
    たことを特徴とする請求項１、２又は３記載の基板処理
    装置。
  5. 【請求項５】 被処理基板を収納するカセット本体と、
    このカセット本体の被処理基板取り出し口を気密に塞ぐ
    ための蓋体とを有する密閉型の被処理基板カセットを備
    え、前記蓋体を開いて前記被処理基板カセット内を清浄
    雰囲気に開放し、当該被処理基板カセット内の被処理基
    板を取り出して処理する基板処理方法において、 前記被処理基板カセットの蓋体を開く前に、カセット本
    体の内部と外部とを連通することを特徴とする基板処理
    方法。
  6. 【請求項６】 被処理基板を収納するカセット本体と、
    このカセット本体の被処理基板取り出し口を気密に塞ぐ
    ための蓋体とを有する密閉型の被処理基板カセットを備
    えた基板搬送装置において、 前記カセット本体及び蓋体のうちの少なくとも一方に設
    けられたガス排出孔と、 前記カセット本体及び蓋体のうちの少なくとも一方に設
    けられたガス導入孔と、 これらガス導入孔とガス排出孔を開閉し、常時は閉じて
    いるバルブと、 前記バルブを開いて前記ガス排出孔を介して被処理基板
    カセット内のガスを外部に排出するガス排出手段と、 前記バルブを開いて前記ガス導入孔を介して被処理基板
    カセットの内部に置換ガスを導入するガス導入手段と、
    を備え、 前記被処理基板カセット内のガスを排出すると共に、前
    記被処理基板カセット内へ不活性ガスを導入することに
    より、被処理基板カセット内のガスを置換ガスに置換す
    ることを特徴とする基板搬送装置。
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US09/600,704 US6302927B1 (en) 1998-01-23 1999-01-21 Method and apparatus for wafer processing
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009523325A (ja) * 2006-01-11 2009-06-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板キャリヤをパージするための方法及び装置
JP2010520625A (ja) * 2007-02-28 2010-06-10 インテグリス・インコーポレーテッド 基板コンテナ用パージシステム
CN102683246A (zh) * 2011-03-16 2012-09-19 东京毅力科创株式会社 盖体开闭装置
JP2016111278A (ja) * 2014-12-10 2016-06-20 日立オートモティブシステムズ株式会社 配線基板の製造方法および配線基板の製造装置
JP2018133364A (ja) * 2017-02-13 2018-08-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板搬送方法

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6641349B1 (en) * 1999-04-30 2003-11-04 Tdk Corporation Clean box, clean transfer method and system
JP3769417B2 (ja) * 1999-06-30 2006-04-26 株式会社東芝 基板収納容器
US6690993B2 (en) * 2000-10-12 2004-02-10 R. Foulke Development Company, Llc Reticle storage system
JP3697478B2 (ja) * 2001-08-20 2005-09-21 ソニー株式会社 基板の移送方法及びロードポート装置並びに基板移送システム
JP2005026513A (ja) * 2003-07-03 2005-01-27 Tokyo Electron Ltd 処理装置
CN100363241C (zh) * 2004-04-29 2008-01-23 家登精密工业股份有限公司 传送盒的填充装置
FR2874744B1 (fr) * 2004-08-30 2006-11-24 Cit Alcatel Interface sous vide entre une boite de mini-environnement et un equipement
JP4597708B2 (ja) * 2005-02-25 2010-12-15 平田機工株式会社 Ｆｏｕｐオープナ
KR100706250B1 (ko) * 2005-07-07 2007-04-12 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조 장치 및 방법
US20070189881A1 (en) * 2006-02-10 2007-08-16 Sumco Corporation Positioning member and stand for supporting holder
US7418982B2 (en) * 2006-05-17 2008-09-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Substrate carrier and facility interface and apparatus including same
JP4727500B2 (ja) * 2006-05-25 2011-07-20 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板処理システムおよび基板搬送方法
US8776841B2 (en) * 2006-06-19 2014-07-15 Entegris, Inc. System for purging reticle storage
WO2009055612A1 (en) * 2007-10-27 2009-04-30 Applied Materials, Inc. Sealed substrate carriers and systems and methods for transporting substrates
US8056226B2 (en) * 2008-02-25 2011-11-15 Cooper Technologies Company Method of manufacturing a dual interface separable insulated connector with overmolded faraday cage
US7950940B2 (en) 2008-02-25 2011-05-31 Cooper Technologies Company Separable connector with reduced surface contact
US7905735B2 (en) 2008-02-25 2011-03-15 Cooper Technologies Company Push-then-pull operation of a separable connector system
US7963782B2 (en) 2008-02-25 2011-06-21 Cooper Technologies Company Separable connector system with a position indicator
JP4692584B2 (ja) 2008-07-03 2011-06-01 村田機械株式会社 パージ装置
JP5410794B2 (ja) * 2009-03-17 2014-02-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
SG175280A1 (en) * 2009-05-12 2011-11-28 Murata Machinery Ltd Purging apparatus and purging method
JP2012204645A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Tokyo Electron Ltd 蓋体開閉装置
JP6268425B2 (ja) * 2013-07-16 2018-01-31 シンフォニアテクノロジー株式会社 Ｅｆｅｍ、ロードポート、ウェーハ搬送方法
US9837293B2 (en) 2013-10-30 2017-12-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Mechanisms for charging gas into cassette pod
JP6226190B2 (ja) * 2014-02-20 2017-11-08 Tdk株式会社 パージシステム、及び該パージシステムに供せられるポッド及びロードポート装置
JP6287515B2 (ja) * 2014-04-14 2018-03-07 Tdk株式会社 Ｅｆｅｍシステム及び蓋開閉方法
KR101593386B1 (ko) 2014-09-01 2016-02-15 로체 시스템즈(주) 퍼지 모듈 및 이를 포함하는 로드 포트
US12622218B2 (en) * 2019-07-31 2026-05-05 Asm Ip Holding B.V. Cassette lid opening device
US11569102B2 (en) 2020-02-14 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Oxidation inhibiting gas in a manufacturing system
CN115732374B (zh) * 2021-08-31 2025-08-26 上海微电子装备（集团）股份有限公司 晶片盒解锁系统和光刻系统

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0821610B2 (ja) 1990-11-20 1996-03-04 株式会社荏原製作所 キャリヤボックス内容物の収容取出方法及び装置
JPH05310323A (ja) 1991-03-15 1993-11-22 Shinko Electric Co Ltd クリーンルーム用の無人搬送装置
US5332013A (en) * 1991-03-15 1994-07-26 Shinko Electric Co., Ltd. Unmanned conveying device in clean room
JPH04294766A (ja) 1991-03-26 1992-10-19 Ebara Corp キャリヤボックスの真空引き方法及びキャリヤボッ　クス
JPH0632376A (ja) 1992-05-18 1994-02-08 Ebara Corp 保管箱及びそのキャップ開閉制御方法
KR100304127B1 (ko) * 1992-07-29 2001-11-30 이노마다 시게오 가반식 밀폐 컨테이너를 사용한 전자기판 처리시스템과 그의 장치
JP3348468B2 (ja) 1993-06-30 2002-11-20 神鋼電機株式会社 可搬式密閉容器の内部雰囲気調整装置
JP3180600B2 (ja) 1995-01-09 2001-06-25 神鋼電機株式会社 密閉コンテナ
DE59611078D1 (de) * 1995-03-28 2004-10-14 Brooks Automation Gmbh Be- und Entladestation für Halbleiterbearbeitungsanlagen

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009523325A (ja) * 2006-01-11 2009-06-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板キャリヤをパージするための方法及び装置
US8601975B2 (en) 2006-01-11 2013-12-10 Applied Materials, Inc. Methods and loadport apparatus for purging a substrate carrier
US8689812B2 (en) 2006-01-11 2014-04-08 Applied Materials, Inc. Methods and loadport for purging a substrate carrier
JP2010520625A (ja) * 2007-02-28 2010-06-10 インテグリス・インコーポレーテッド 基板コンテナ用パージシステム
CN102683246A (zh) * 2011-03-16 2012-09-19 东京毅力科创株式会社 盖体开闭装置
JP2016111278A (ja) * 2014-12-10 2016-06-20 日立オートモティブシステムズ株式会社 配線基板の製造方法および配線基板の製造装置
JP2018133364A (ja) * 2017-02-13 2018-08-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板搬送方法
US10784138B2 (en) 2017-02-13 2020-09-22 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and substrate transfer method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010034261A (ko) 2001-04-25
EP1050904A1 (en) 2000-11-08
WO1999038206A1 (fr) 1999-07-29
TW414946B (en) 2000-12-11
US6302927B1 (en) 2001-10-16
KR100514160B1 (ko) 2005-09-09

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