JPH11214553A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
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- JPH11214553A JPH11214553A JP1277598A JP1277598A JPH11214553A JP H11214553 A JPH11214553 A JP H11214553A JP 1277598 A JP1277598 A JP 1277598A JP 1277598 A JP1277598 A JP 1277598A JP H11214553 A JPH11214553 A JP H11214553A
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- Japan
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- semiconductor element
- insulating base
- mounting portion
- package
- metallized wiring
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体素子を接着固定する樹脂製接着剤が不要
に広がり、半導体素子の電極をボンディングワイヤを介
して所定のメタライズ配線層に強固に電気的接続できな
い。 【解決手段】半導体素子３が搭載される搭載部１ａ及び
該搭載部１ａ周辺から外表面にかけて複数個のメタライ
ズ配線層７を被着導出させた絶縁基体１と、蓋体２とか
ら成り、前記絶縁基体１の半導体素子搭載部１ａに半導
体素子３を樹脂製接着剤５を介して接着固定させるとと
もに絶縁基体１に蓋体２を接合させ、絶縁基体１と蓋体
２とから成る容器内部に半導体素子３を気密に収容する
半導体素子収納用パッケージであって、前記絶縁基体１
の少なくとも半導体素子搭載部１ａ表面にフッソ系界面
活性剤から成る皮膜６を被着させた。
に広がり、半導体素子の電極をボンディングワイヤを介
して所定のメタライズ配線層に強固に電気的接続できな
い。 【解決手段】半導体素子３が搭載される搭載部１ａ及び
該搭載部１ａ周辺から外表面にかけて複数個のメタライ
ズ配線層７を被着導出させた絶縁基体１と、蓋体２とか
ら成り、前記絶縁基体１の半導体素子搭載部１ａに半導
体素子３を樹脂製接着剤５を介して接着固定させるとと
もに絶縁基体１に蓋体２を接合させ、絶縁基体１と蓋体
２とから成る容器内部に半導体素子３を気密に収容する
半導体素子収納用パッケージであって、前記絶縁基体１
の少なくとも半導体素子搭載部１ａ表面にフッソ系界面
活性剤から成る皮膜６を被着させた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子を収容す
るための半導体素子収納用パッケージに関するものであ
る。
るための半導体素子収納用パッケージに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子を収容するための半導
体素子収納用パッケージは一般に、酸化アルミニウム質
焼結体等の電気絶縁材料から成り、その上面の略中央部
に半導体素子が搭載される搭載部を有し、且つ前記半導
体素子搭載部の周辺から外周端にかけて導出されたタン
グステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末か
ら成るメタライズ配線層を有する絶縁基体と、半導体素
子を外部電気回路に電気的に接続するために前記メタラ
イズ配線層に銀ロウ等のロウ材を介し取着された外部リ
ード端子と、蓋体とから構成されており、絶縁基体の半
導体素子搭載部に半導体素子をエポキシ樹脂等の樹脂製
接着剤を介して接着固定するとともに半導体素子の各電
極をボンディングワイヤを介して電気的に接続し、最後
に絶縁基体上面に蓋体をガラス、樹脂等の封止部材によ
り接合させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に半導
体素子を気密収容することによって最終製品としての半
導体装置となる。
体素子収納用パッケージは一般に、酸化アルミニウム質
焼結体等の電気絶縁材料から成り、その上面の略中央部
に半導体素子が搭載される搭載部を有し、且つ前記半導
体素子搭載部の周辺から外周端にかけて導出されたタン
グステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末か
ら成るメタライズ配線層を有する絶縁基体と、半導体素
子を外部電気回路に電気的に接続するために前記メタラ
イズ配線層に銀ロウ等のロウ材を介し取着された外部リ
ード端子と、蓋体とから構成されており、絶縁基体の半
導体素子搭載部に半導体素子をエポキシ樹脂等の樹脂製
接着剤を介して接着固定するとともに半導体素子の各電
極をボンディングワイヤを介して電気的に接続し、最後
に絶縁基体上面に蓋体をガラス、樹脂等の封止部材によ
り接合させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に半導
体素子を気密収容することによって最終製品としての半
導体装置となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体素子収納用パッケージにおいては、絶縁基体
の表面に大気中に含まれる水分（含むＯＨ基）が付着す
ると絶縁基体表面が親水性となり、エポキシ樹脂等の極
性の強い樹脂は大きく広がってしまう。そのため絶縁基
体の半導体素子搭載部に半導体素子をエポキシ樹脂から
成る樹脂製接着剤を介して接着固定すると樹脂製接着剤
の一部が半導体素子搭載部の周辺に大きく広がり、半導
体素子搭載部周辺に被着形成されているメタライズ配線
層を被覆して、メタライズ配線層へのボンデイングワイ
ヤの強固な接続を不可としたり、樹脂製接着剤に銀等の
金属粉末が添加されている場合には隣接するメタライズ
配線層間を電気的に短絡させてしまうという欠点を有し
ていた。
来の半導体素子収納用パッケージにおいては、絶縁基体
の表面に大気中に含まれる水分（含むＯＨ基）が付着す
ると絶縁基体表面が親水性となり、エポキシ樹脂等の極
性の強い樹脂は大きく広がってしまう。そのため絶縁基
体の半導体素子搭載部に半導体素子をエポキシ樹脂から
成る樹脂製接着剤を介して接着固定すると樹脂製接着剤
の一部が半導体素子搭載部の周辺に大きく広がり、半導
体素子搭載部周辺に被着形成されているメタライズ配線
層を被覆して、メタライズ配線層へのボンデイングワイ
ヤの強固な接続を不可としたり、樹脂製接着剤に銀等の
金属粉末が添加されている場合には隣接するメタライズ
配線層間を電気的に短絡させてしまうという欠点を有し
ていた。
【０００４】そこで上記欠点を解消するために絶縁基体
の表面に予め炭化水素系界面活性剤等の陽イオン界面活
性剤から成る皮膜を被着させておき絶縁基体表面に水分
等が付着するのを防止することが考えられる。
の表面に予め炭化水素系界面活性剤等の陽イオン界面活
性剤から成る皮膜を被着させておき絶縁基体表面に水分
等が付着するのを防止することが考えられる。
【０００５】しかしながら、この炭化水素系界面活性剤
等の陽イオン界面活性剤は臨界表面張力が３０ｄｙｎ／
ｃｍ以上と高く撥水性が若干弱いことから多量の水分を
含む雰囲気中では水分（含むＯＨ基）の絶縁基体表面へ
の付着を完全に防止することができず、絶縁基体の半導
体素子搭載部に半導体素子をエポキシ樹脂から成る樹脂
製接着剤を介して接着固定した場合、樹脂製接着剤の一
部が依然として半導体素子搭載部の周辺に広がり、半導
体素子搭載部周辺に被着形成されているメタライズ配線
層を被覆して、メタライズ配線層へのボンデイングワイ
ヤの強固な接続を不可とする等の問題を有していた。
等の陽イオン界面活性剤は臨界表面張力が３０ｄｙｎ／
ｃｍ以上と高く撥水性が若干弱いことから多量の水分を
含む雰囲気中では水分（含むＯＨ基）の絶縁基体表面へ
の付着を完全に防止することができず、絶縁基体の半導
体素子搭載部に半導体素子をエポキシ樹脂から成る樹脂
製接着剤を介して接着固定した場合、樹脂製接着剤の一
部が依然として半導体素子搭載部の周辺に広がり、半導
体素子搭載部周辺に被着形成されているメタライズ配線
層を被覆して、メタライズ配線層へのボンデイングワイ
ヤの強固な接続を不可とする等の問題を有していた。
【０００６】本発明は上記諸欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は内部に収容する半導体素子の電極をボン
ディングワイヤを介して所定のメタライズ配線層に強固
に電気的接続することができる半導体素子収納用パッケ
ージを提供することにある。
で、その目的は内部に収容する半導体素子の電極をボン
ディングワイヤを介して所定のメタライズ配線層に強固
に電気的接続することができる半導体素子収納用パッケ
ージを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は半導体素子が搭
載される搭載部及び該搭載部周辺から外表面にかけて複
数個のメタライズ配線層を被着導出させた絶縁基体と、
蓋体とから成り、前記絶縁基体の半導体素子搭載部に半
導体素子を樹脂製接着剤を介して接着固定させるととも
に絶縁基体に蓋体を接合させ、絶縁基体と蓋体とから成
る容器内部に半導体素子を気密に収容する半導体素子収
納用パッケージであって、前記絶縁基体の少なくとも半
導体素子搭載部表面にフッソ素系界面活性剤から成る皮
膜を被着させたことを特徴とするものである。
載される搭載部及び該搭載部周辺から外表面にかけて複
数個のメタライズ配線層を被着導出させた絶縁基体と、
蓋体とから成り、前記絶縁基体の半導体素子搭載部に半
導体素子を樹脂製接着剤を介して接着固定させるととも
に絶縁基体に蓋体を接合させ、絶縁基体と蓋体とから成
る容器内部に半導体素子を気密に収容する半導体素子収
納用パッケージであって、前記絶縁基体の少なくとも半
導体素子搭載部表面にフッソ素系界面活性剤から成る皮
膜を被着させたことを特徴とするものである。
【０００８】また本発明は前記皮膜を形成するフッ素系
界面活性剤がパーフルオロアルキル基を有していること
を特徴とするものである。
界面活性剤がパーフルオロアルキル基を有していること
を特徴とするものである。
【０００９】本発明の半導体素子収納用パッケージによ
れば、絶縁基体の少なくとも半導体素子が搭載される搭
載部表面にフッ素系界面活性剤、特にパーフルオロアル
キル基を有するフッ素系界面活性剤から成る皮膜が被着
されており、該フッ素系界面活性剤は臨界表面張力が２
５ｄｙｎ／ｃｍ以下、パーフルオロアルキル基を有する
フッ素系界面活性剤は臨界表面張力が２０ｄｙｎ／ｃｍ
以下と低く極めて撥水性がよいことから多量の水分を含
む雰囲気中に絶縁基体を置いたとしても絶縁基体の半導
体素子搭載部に水分等が付着することは前記フッ素系界
面活性剤の親油基（疎水基）によって完全に阻止され、
絶縁基体の半導体素子搭載部が親水性となることはな
く、その結果、絶縁基体の半導体素子搭載部に樹脂製接
着剤を介して半導体素子を接着固定する際、樹脂製接着
剤が半導体素子搭載部周辺に大きく広がり、半導体素子
搭載部周辺に被着形成されているメタライズ配線層を被
覆するのが有効に阻止され、これによって半導体素子の
各電極を所定のメタライズ配線層にボンディングワイヤ
を介して極めて強固に電気的接続することが可能とな
る。
れば、絶縁基体の少なくとも半導体素子が搭載される搭
載部表面にフッ素系界面活性剤、特にパーフルオロアル
キル基を有するフッ素系界面活性剤から成る皮膜が被着
されており、該フッ素系界面活性剤は臨界表面張力が２
５ｄｙｎ／ｃｍ以下、パーフルオロアルキル基を有する
フッ素系界面活性剤は臨界表面張力が２０ｄｙｎ／ｃｍ
以下と低く極めて撥水性がよいことから多量の水分を含
む雰囲気中に絶縁基体を置いたとしても絶縁基体の半導
体素子搭載部に水分等が付着することは前記フッ素系界
面活性剤の親油基（疎水基）によって完全に阻止され、
絶縁基体の半導体素子搭載部が親水性となることはな
く、その結果、絶縁基体の半導体素子搭載部に樹脂製接
着剤を介して半導体素子を接着固定する際、樹脂製接着
剤が半導体素子搭載部周辺に大きく広がり、半導体素子
搭載部周辺に被着形成されているメタライズ配線層を被
覆するのが有効に阻止され、これによって半導体素子の
各電極を所定のメタライズ配線層にボンディングワイヤ
を介して極めて強固に電気的接続することが可能とな
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に本発明を添付図面に基づき詳
細に説明する。図１及び図２は本発明の半導体素子収納
用パッケージの一実施例を示し、１は電気絶縁材料から
成る絶縁基体、２は蓋体である。この絶縁基体１と蓋体
２とで半導体素子３を収容するための容器４が構成され
る。
細に説明する。図１及び図２は本発明の半導体素子収納
用パッケージの一実施例を示し、１は電気絶縁材料から
成る絶縁基体、２は蓋体である。この絶縁基体１と蓋体
２とで半導体素子３を収容するための容器４が構成され
る。
【００１１】前記絶縁基体１は酸化アルミニウム質焼結
体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体等の
電気絶縁材料から成り、その上面の略中央部に半導体素
子３が搭載され収容される凹部１ａが設けてあり、該凹
部１ａ底面には半導体素子３が樹脂製接着剤５を介して
接着固定される。
体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体等の
電気絶縁材料から成り、その上面の略中央部に半導体素
子３が搭載され収容される凹部１ａが設けてあり、該凹
部１ａ底面には半導体素子３が樹脂製接着剤５を介して
接着固定される。
【００１２】前記絶縁基体１は例えば酸化アルミニウム
質焼結体で形成されている場合、酸化アルミニウム、酸
化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉
末に適当な有機バインダー、溶剤等を添加混合して泥漿
物を作るとともに該泥漿物をドクターブレード法やカレ
ンダーロール法等によリシート状に成形してセラミック
グリーンシート（セラミック生シート）を得、しかる
後、前記セラミツクグリーンシートに適当な打ち抜き加
工を施すとともにこれを複数枚積層し、約１６００℃の
高温で焼成することによって製作される。
質焼結体で形成されている場合、酸化アルミニウム、酸
化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉
末に適当な有機バインダー、溶剤等を添加混合して泥漿
物を作るとともに該泥漿物をドクターブレード法やカレ
ンダーロール法等によリシート状に成形してセラミック
グリーンシート（セラミック生シート）を得、しかる
後、前記セラミツクグリーンシートに適当な打ち抜き加
工を施すとともにこれを複数枚積層し、約１６００℃の
高温で焼成することによって製作される。
【００１３】また前記絶縁基体１の少なくとも凹部１ａ
底面にはフッ素系界面活性剤から成る皮膜６が被着され
ており、該皮膜６によって絶縁基体１の凹部１ａ底面を
含む露出表面に大気中に含まれる水分等が付着しようと
してもその水分等の付着は前記皮膜６のフッ素系界面活
性剤の親油基（疎水基）によって有効に阻止され、その
結果、絶縁基体１の凹部１ａ底面が親水性となることは
なく、絶縁基体１の凹部１ａ底面に半導体素子３を樹脂
製接着剤５を介して接着固定する際、樹脂製接着剤５の
一部が絶縁基体１の凹部１ａ底面に大きく広がるととも
に凹部１ａ側面を伝って凹部１ａ周辺に這い上がること
はない。従って、後述する凹部１ａ周辺に被着形成され
ているメタライズ配線層７が樹脂製接着剤５で被覆され
ることは一切なく、メタライズ配線層７に半導体素子３
の各電極をボンディングワイヤ８を介して極めて強固に
電気的接続することが可能となる。
底面にはフッ素系界面活性剤から成る皮膜６が被着され
ており、該皮膜６によって絶縁基体１の凹部１ａ底面を
含む露出表面に大気中に含まれる水分等が付着しようと
してもその水分等の付着は前記皮膜６のフッ素系界面活
性剤の親油基（疎水基）によって有効に阻止され、その
結果、絶縁基体１の凹部１ａ底面が親水性となることは
なく、絶縁基体１の凹部１ａ底面に半導体素子３を樹脂
製接着剤５を介して接着固定する際、樹脂製接着剤５の
一部が絶縁基体１の凹部１ａ底面に大きく広がるととも
に凹部１ａ側面を伝って凹部１ａ周辺に這い上がること
はない。従って、後述する凹部１ａ周辺に被着形成され
ているメタライズ配線層７が樹脂製接着剤５で被覆され
ることは一切なく、メタライズ配線層７に半導体素子３
の各電極をボンディングワイヤ８を介して極めて強固に
電気的接続することが可能となる。
【００１４】特に前記フッ素系界面活性剤から成る皮膜
６は該フッ素系界面活性剤の臨界表面張力が２５ｄｙｎ
／ｃｍ以下と低く、またパーフルオロアルキルアンモニ
ウム中和物〔ＣＦ3 −（ＣＦ2 ）n −Ｎ（ＣＦ3 ）3 〕
+ Ｃｌ- 等のパーフルオロアルキル基ＣＦ3 −（Ｃ
Ｆ2 ）n （ｎ＝自然数）を有するフッ素系界面活性剤は
臨界表面張力が２０ｄｙｎ／ｃｍ以下と極めて低く撥水
性に極めて優れていることから多量の水分を含む雰囲気
中に絶縁基体１を置いたとしても絶縁基体１の凹部１ａ
底面を含む露出表面に水分等が付着することはなく、こ
れによって絶縁基体１の凹部１ａ底面に半導体素子３を
樹脂製接着剤５を介して接着固定する際、樹脂製接着剤
５の一部が絶縁基体１の凹部１ａ底面に大きく広がると
ともに凹部１ａ側面を伝って凹部１ａ周辺に這い上がる
ことはない。
６は該フッ素系界面活性剤の臨界表面張力が２５ｄｙｎ
／ｃｍ以下と低く、またパーフルオロアルキルアンモニ
ウム中和物〔ＣＦ3 −（ＣＦ2 ）n −Ｎ（ＣＦ3 ）3 〕
+ Ｃｌ- 等のパーフルオロアルキル基ＣＦ3 −（Ｃ
Ｆ2 ）n （ｎ＝自然数）を有するフッ素系界面活性剤は
臨界表面張力が２０ｄｙｎ／ｃｍ以下と極めて低く撥水
性に極めて優れていることから多量の水分を含む雰囲気
中に絶縁基体１を置いたとしても絶縁基体１の凹部１ａ
底面を含む露出表面に水分等が付着することはなく、こ
れによって絶縁基体１の凹部１ａ底面に半導体素子３を
樹脂製接着剤５を介して接着固定する際、樹脂製接着剤
５の一部が絶縁基体１の凹部１ａ底面に大きく広がると
ともに凹部１ａ側面を伝って凹部１ａ周辺に這い上がる
ことはない。
【００１５】なお、前記フッ素系界面活性剤から成る皮
膜６は、絶縁基体１を液状のフッ素系界面活性剤中に浸
漬させることによって絶縁基体１の表面に、例えば、１
００オングストローム程度の厚みに被着される。
膜６は、絶縁基体１を液状のフッ素系界面活性剤中に浸
漬させることによって絶縁基体１の表面に、例えば、１
００オングストローム程度の厚みに被着される。
【００１６】前記絶縁基体１はまたその凹部１ａ周辺か
ら外周縁にかけて複数個のメタライズ配線層７が被着形
成されており、該メタライズ配線層７のうち凹部１ａ周
辺部に位置する領域には半導体素子３の各電極がボンデ
ィングワイヤ８を介して電気的に接続され、また絶縁基
体１の外周縁に導出された部位には外部リード端子９が
ロウ材を介してロウ付け取着されている。
ら外周縁にかけて複数個のメタライズ配線層７が被着形
成されており、該メタライズ配線層７のうち凹部１ａ周
辺部に位置する領域には半導体素子３の各電極がボンデ
ィングワイヤ８を介して電気的に接続され、また絶縁基
体１の外周縁に導出された部位には外部リード端子９が
ロウ材を介してロウ付け取着されている。
【００１７】前記絶縁基体１に設けたメタライズ配線層
７は外部電気回路に接続される外部リード端子９に半導
体素子３の各電極を電気的に接続させる作用をなし、例
えば、タングステン、モリブデン、マンガン等の高融点
金属粉末で形成されている。
７は外部電気回路に接続される外部リード端子９に半導
体素子３の各電極を電気的に接続させる作用をなし、例
えば、タングステン、モリブデン、マンガン等の高融点
金属粉末で形成されている。
【００１８】前記メタライズ配線層７はタングステンや
モリブデン等の高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒
を添加混合して金属ペーストを得、該金属ペーストを従
来周知のスクリーン印刷法等の厚膜手法を採用し、絶縁
基体１となるセラミックグリーンシートに予め所定パタ
ーンに印刷塗布しておくことによって絶縁基体１の凹部
１ａ周辺から外周端にかけて被着形成される。
モリブデン等の高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒
を添加混合して金属ペーストを得、該金属ペーストを従
来周知のスクリーン印刷法等の厚膜手法を採用し、絶縁
基体１となるセラミックグリーンシートに予め所定パタ
ーンに印刷塗布しておくことによって絶縁基体１の凹部
１ａ周辺から外周端にかけて被着形成される。
【００１９】また前記メタライズ配線層７はその露出す
る表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ材と
濡れ性の良い金属をメッキ法によリ１μｍ乃至２０μｍ
の厚みに被着させておくと、メタライズ配線層７の酸化
腐食を有効に防止することができるとともにメタライズ
配線層７とボンディングワイヤ８及び外部リード端子９
とのロウ付け接合を強固なものとなすことができる。従
って、前記メタライズ配線層７はその露出する表面にニ
ッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ材と濡れ性の良
い金属をメッキ法より１μｍ乃至２０μｍの厚みに被着
させておくことが好ましい。
る表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ材と
濡れ性の良い金属をメッキ法によリ１μｍ乃至２０μｍ
の厚みに被着させておくと、メタライズ配線層７の酸化
腐食を有効に防止することができるとともにメタライズ
配線層７とボンディングワイヤ８及び外部リード端子９
とのロウ付け接合を強固なものとなすことができる。従
って、前記メタライズ配線層７はその露出する表面にニ
ッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ材と濡れ性の良
い金属をメッキ法より１μｍ乃至２０μｍの厚みに被着
させておくことが好ましい。
【００２０】更に前記メタライズ配線層７にロウ付けさ
れる外部リード端子９は半導体素子３の各電極を外部電
気回路に電気的に接続する作用をなし、例えば、鉄ーニ
ッケルーコバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料
で形成されている。
れる外部リード端子９は半導体素子３の各電極を外部電
気回路に電気的に接続する作用をなし、例えば、鉄ーニ
ッケルーコバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料
で形成されている。
【００２１】前記外部リード端子９は、例えば、鉄−ニ
ッケルーコバルト合金等のインゴット（塊）に圧延加工
法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施する
ことによって所定の形状に形成される。
ッケルーコバルト合金等のインゴット（塊）に圧延加工
法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施する
ことによって所定の形状に形成される。
【００２２】前記外部リード端子９はまたその表面にニ
ッケル、金等から成る艮導電性で、かつ耐蝕性に優れた
金属をメッキ法により１μｍ乃至２０μｍの厚みに被着
させておくと、外部リード端子９の酸化腐食を有効に防
止することができるとともに外部リード端子９と外部電
気回路との電気的接続を良好となすことができる。その
ため前記外部リード端子９はその表面にニッケル、金等
をメッキ法により１μｍ乃至２０μｍの厚みに被着させ
ておくことが好ましい。
ッケル、金等から成る艮導電性で、かつ耐蝕性に優れた
金属をメッキ法により１μｍ乃至２０μｍの厚みに被着
させておくと、外部リード端子９の酸化腐食を有効に防
止することができるとともに外部リード端子９と外部電
気回路との電気的接続を良好となすことができる。その
ため前記外部リード端子９はその表面にニッケル、金等
をメッキ法により１μｍ乃至２０μｍの厚みに被着させ
ておくことが好ましい。
【００２３】また一方、前記絶縁基体１の上面には蓋体
２がロウ材やガラス、樹脂等から成る封止部材を介して
接合され、これによって絶縁基体１の凹部１ａはその内
部が蓋体２によって気密に封止される。
２がロウ材やガラス、樹脂等から成る封止部材を介して
接合され、これによって絶縁基体１の凹部１ａはその内
部が蓋体２によって気密に封止される。
【００２４】前記蓋体２は例えば、酸化アルミニウム質
焼結体やムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体
等の電気絶緑材料、或いは鉄ーニッケルーコバルト合金
や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成り、例えば、酸
化アルミニウム質焼結体から成る場合には、酸化アルミ
ニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム
等の原料粉末を従来周知のプレス成形法を採用すること
によって成形するとともにこれを約１５００℃の温度で
焼成することによって形成される。
焼結体やムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体
等の電気絶緑材料、或いは鉄ーニッケルーコバルト合金
や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成り、例えば、酸
化アルミニウム質焼結体から成る場合には、酸化アルミ
ニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム
等の原料粉末を従来周知のプレス成形法を採用すること
によって成形するとともにこれを約１５００℃の温度で
焼成することによって形成される。
【００２５】かくしてこの半導体素子収納用パッケージ
によれば、絶縁基体１の凹部１ａ底面に半導体素子３を
樹脂製接着剤５を介して接着固定するとともに半導体素
子３の各電極をメタライズ配線層７にボンディングワイ
ヤ８を介して電気的に接続させ、最後に絶縁基体１の上
面に蓋体２をロウ材やガラス、樹脂等から成る封止部材
を介して接合させ、絶縁基体１と蓋体２とから成る容器
４内部に半導体素子３を気密に収容することによって最
終製品としての半導体装置となる。
によれば、絶縁基体１の凹部１ａ底面に半導体素子３を
樹脂製接着剤５を介して接着固定するとともに半導体素
子３の各電極をメタライズ配線層７にボンディングワイ
ヤ８を介して電気的に接続させ、最後に絶縁基体１の上
面に蓋体２をロウ材やガラス、樹脂等から成る封止部材
を介して接合させ、絶縁基体１と蓋体２とから成る容器
４内部に半導体素子３を気密に収容することによって最
終製品としての半導体装置となる。
【００２６】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能である。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能である。
【００２７】
【発明の効果】本発明の半導体素子収納用パッケージに
よれば、絶縁基体の少なくとも半導体素子が搭載される
搭載部表面にフッ素系界面活性剤、特にパーフルオロア
ルキル基を有するフッ素系界面活性剤から成る皮膜が被
着されており、該フッ素系界面活性剤は臨界表面張力が
２５ｄｙｎ／ｃｍ以下、パーフルオロアルキル基を有す
るフッ素系界面活性剤は臨界表面張力が２０ｄｙｎ／ｃ
ｍ以下と低く極めて撥水性がよいことから多量の水分を
含む雰囲気中に絶縁基体を置いたとしても絶縁基体の半
導体素子搭載部に水分等が付着することは前記フッ素系
界面活性剤の親油基（疎水基）によって完全に阻止さ
れ、絶縁基体の半導体素子搭載部が親水性となることは
なく、その結果、絶縁基体の半導体素子搭載部に樹脂製
接着剤を介して半導体素子を接着固定する際、樹脂製接
着剤が半導体素子搭載部周辺に大きく広がり、半導体素
子搭載部周辺に被着形成されているメタライズ配線層を
被覆するのが有効に阻止され、これによって半導体素子
の各電極を所定のメタライズ配線層にボンディングワイ
ヤを介して極めて強固に電気的接続することが可能とな
る。
よれば、絶縁基体の少なくとも半導体素子が搭載される
搭載部表面にフッ素系界面活性剤、特にパーフルオロア
ルキル基を有するフッ素系界面活性剤から成る皮膜が被
着されており、該フッ素系界面活性剤は臨界表面張力が
２５ｄｙｎ／ｃｍ以下、パーフルオロアルキル基を有す
るフッ素系界面活性剤は臨界表面張力が２０ｄｙｎ／ｃ
ｍ以下と低く極めて撥水性がよいことから多量の水分を
含む雰囲気中に絶縁基体を置いたとしても絶縁基体の半
導体素子搭載部に水分等が付着することは前記フッ素系
界面活性剤の親油基（疎水基）によって完全に阻止さ
れ、絶縁基体の半導体素子搭載部が親水性となることは
なく、その結果、絶縁基体の半導体素子搭載部に樹脂製
接着剤を介して半導体素子を接着固定する際、樹脂製接
着剤が半導体素子搭載部周辺に大きく広がり、半導体素
子搭載部周辺に被着形成されているメタライズ配線層を
被覆するのが有効に阻止され、これによって半導体素子
の各電極を所定のメタライズ配線層にボンディングワイ
ヤを介して極めて強固に電気的接続することが可能とな
る。
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体素子収納用パッケージの要部
拡大断面図である。
拡大断面図である。
１・・・・・・絶縁基体 １ａ・・・・・凹部 ２・・・・・・蓋体 ３・・・・・・半導体素子 ４・・・・・・容器 ５・・・・・・樹脂製接着剤 ６・・・・・・フッ素系界面活性剤から成る皮膜 ７・・・・・・メタライズ配線層 ９・・・・・・外部リード端子
Claims (2)
- 【請求項１】半導体素子が搭載される搭載部及び該搭載
部周辺から外表面にかけて複数個のメタライズ配線層を
被着導出させた絶縁基体と、蓋体とから成り、前記絶縁
基体の半導体素子搭載部に半導体素子を樹脂製接着剤を
介して接着固定させるとともに絶縁基体に蓋体を接合さ
せ、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に半導体素子を
気密に収容する半導体素子収納用パッケージであって、
前記絶縁基体の少なくとも半導体素子搭載部表面にフッ
ソ系界面活性剤から成る皮膜を被着させたことを特徴と
する半導体素子収納用パッケージ。 - 【請求項２】前記皮膜を形成するフッ素系界面活性剤が
パーフルオロアルキル基を有していることを特徴とする
請求項１に記載の半導体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1277598A JPH11214553A (ja) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1277598A JPH11214553A (ja) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214553A true JPH11214553A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=11814792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1277598A Pending JPH11214553A (ja) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11214553A (ja) |
-
1998
- 1998-01-26 JP JP1277598A patent/JPH11214553A/ja active Pending
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