JPH07297530A - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
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- JPH07297530A JPH07297530A JP6090973A JP9097394A JPH07297530A JP H07297530 A JPH07297530 A JP H07297530A JP 6090973 A JP6090973 A JP 6090973A JP 9097394 A JP9097394 A JP 9097394A JP H07297530 A JPH07297530 A JP H07297530A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- connection pad
- insulating substrate
- external lead
- metallized
- wiring layer
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】絶縁基体に外部リード端子を、該絶縁基体にク
ラックや割れを発生することなく強固に取着することが
できる配線基板を提供することにある。 【構成】メタライズ配線層2を有するセラミックス製絶
縁基体1の表面に、前記メタライズ配線層2と電気的に
接続される接続パッド7を設けるとともに該接続パッド
7に外部リード端子3をロウ付けして成る配線基板であ
って、前記接続パッド7は外形寸法の異なる複数のメタ
ライズ層7a、7bを、外形寸法の大きいものより順に
絶縁基体1の表面に被着積層させて形成されている。
ラックや割れを発生することなく強固に取着することが
できる配線基板を提供することにある。 【構成】メタライズ配線層2を有するセラミックス製絶
縁基体1の表面に、前記メタライズ配線層2と電気的に
接続される接続パッド7を設けるとともに該接続パッド
7に外部リード端子3をロウ付けして成る配線基板であ
って、前記接続パッド7は外形寸法の異なる複数のメタ
ライズ層7a、7bを、外形寸法の大きいものより順に
絶縁基体1の表面に被着積層させて形成されている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子収納用パッケ
ージや混成集積回路装置等に用いられる配線基板に関す
るものである。
ージや混成集積回路装置等に用いられる配線基板に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】従来、配線基板、例えば、半導体素子を
収容する半導体素子収納用パッケージに使用される配線
基板は一般に、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質
焼結体、ガラスセラミックス焼結体、窒化アルミニウム
質焼結体等の電気絶縁性のセラミックスから成り、その
上面の略中央部に半導体素子を収容するための凹部を有
する絶縁基体と、前記絶縁基体の凹部周辺から下面にか
けて導出されているタングステン、モリブデン、マンガ
ン等の高融点金属粉末から成るメタライズ配線層と、前
記絶縁基体下面に取着され、メタライズ配線層と電気的
に接続している鉄ーニッケルーコバルト合金や鉄ーニッ
ケル合金等から成る外部リード端子とで構成されてお
り、絶縁基体の凹部底面に半導体素子をガラス、樹脂、
ロウ材等の接着剤を介して接着固定するとともに半導体
素子の各電極を凹部周辺に位置するメタライズ配線層に
ボンディングワイヤを介して電気的に接続し、しかる
後、前記絶縁基体の上面に金属やセラミックス等から成
る蓋体を絶縁基体の凹部を塞ぐようにガラス、樹脂、ロ
ウ材等から成る封止材を介して接合させ、絶縁基体の凹
部内に半導体素子を気密に収容することによって最終製
品としての半導体装置となる。
収容する半導体素子収納用パッケージに使用される配線
基板は一般に、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質
焼結体、ガラスセラミックス焼結体、窒化アルミニウム
質焼結体等の電気絶縁性のセラミックスから成り、その
上面の略中央部に半導体素子を収容するための凹部を有
する絶縁基体と、前記絶縁基体の凹部周辺から下面にか
けて導出されているタングステン、モリブデン、マンガ
ン等の高融点金属粉末から成るメタライズ配線層と、前
記絶縁基体下面に取着され、メタライズ配線層と電気的
に接続している鉄ーニッケルーコバルト合金や鉄ーニッ
ケル合金等から成る外部リード端子とで構成されてお
り、絶縁基体の凹部底面に半導体素子をガラス、樹脂、
ロウ材等の接着剤を介して接着固定するとともに半導体
素子の各電極を凹部周辺に位置するメタライズ配線層に
ボンディングワイヤを介して電気的に接続し、しかる
後、前記絶縁基体の上面に金属やセラミックス等から成
る蓋体を絶縁基体の凹部を塞ぐようにガラス、樹脂、ロ
ウ材等から成る封止材を介して接合させ、絶縁基体の凹
部内に半導体素子を気密に収容することによって最終製
品としての半導体装置となる。
【0003】尚、前記絶縁基体への外部リード端子の取
着は、図3に示すように、絶縁基体11の下面に、一部が
メタライズ配線層12と電気的に接続する円形状の接続パ
ッド13を被着させておき、該接続パッド13に外部リード
端子14の一端を銀ロウ等のロウ材15を介しロウ付けする
ことによって行われている。
着は、図3に示すように、絶縁基体11の下面に、一部が
メタライズ配線層12と電気的に接続する円形状の接続パ
ッド13を被着させておき、該接続パッド13に外部リード
端子14の一端を銀ロウ等のロウ材15を介しロウ付けする
ことによって行われている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の配線基板においては、外部リード端子を接続パッド
にロウ付けするロウ材が接続パッドの略全面に接合する
とともに固化時に大きく収縮すること及び絶縁基体が脆
弱で、且つ引っ張り力に対する機械的強度が弱いセラミ
ックスで形成されていること等から、接続パッドに外部
リード端子を銀ロウ等のロウ材を介してロウ付けする
と、ロウ材の固化収縮に伴う引っ張り力が接続パッドの
外周部に大きく作用して接続パッドの外周部に位置する
絶縁基体にクラックや割れを発生させ、半導体素子の気
密封止の信頼性や外部リード端子の絶縁基体への取着の
信頼性が大きく低下するという欠点を有していた。
来の配線基板においては、外部リード端子を接続パッド
にロウ付けするロウ材が接続パッドの略全面に接合する
とともに固化時に大きく収縮すること及び絶縁基体が脆
弱で、且つ引っ張り力に対する機械的強度が弱いセラミ
ックスで形成されていること等から、接続パッドに外部
リード端子を銀ロウ等のロウ材を介してロウ付けする
と、ロウ材の固化収縮に伴う引っ張り力が接続パッドの
外周部に大きく作用して接続パッドの外周部に位置する
絶縁基体にクラックや割れを発生させ、半導体素子の気
密封止の信頼性や外部リード端子の絶縁基体への取着の
信頼性が大きく低下するという欠点を有していた。
【0005】
【発明の目的】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は絶縁基体に外部リード端子を、該絶縁基
体にクラックや割れを発生することなく強固に取着する
ことができる配線基板を提供することにある。
で、その目的は絶縁基体に外部リード端子を、該絶縁基
体にクラックや割れを発生することなく強固に取着する
ことができる配線基板を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、メタライズ配
線層を有するセラミックス製絶縁基体の表面に、前記メ
タライズ配線層と電気的に接続される接続パッドを設け
るとともに該接続パッドに外部リード端子をロウ付けし
て成る配線基板であって、前記接続パッドは外形寸法の
異なる複数のメタライズ層を、外形寸法の大きいものよ
り順に絶縁基体の表面に被着積層させて形成されている
ことを特徴とするものである。
線層を有するセラミックス製絶縁基体の表面に、前記メ
タライズ配線層と電気的に接続される接続パッドを設け
るとともに該接続パッドに外部リード端子をロウ付けし
て成る配線基板であって、前記接続パッドは外形寸法の
異なる複数のメタライズ層を、外形寸法の大きいものよ
り順に絶縁基体の表面に被着積層させて形成されている
ことを特徴とするものである。
【0007】
【作用】本発明の配線基板によれば、外部リード端子が
ロウ付けされる接続パッドを、外形寸法の異なる複数の
メタライズ層を、外形寸法の大きいものより順に絶縁基
体の表面に被着積層させることによって形成したことか
ら、接続パッドに外部リード端子をロウ材を介してロウ
付けする際、ロウ材は外形寸法の小さいメタライズ層に
接合して外形寸法が最も大きく絶縁基体に直接接触する
メタライズ層に接合することはなく、その結果、ロウ材
の固化収縮に伴う引っ張り力は接続パッドの外周部に大
きく作用することはなく、接続パッドの外周部に位置す
る絶縁基体にクラックや割れ等が発生するのを皆無とし
て、半導体素子の気密封止の信頼性や外部リード端子の
絶縁基体への取着の信頼性を極めて高いものとなすこと
ができる。
ロウ付けされる接続パッドを、外形寸法の異なる複数の
メタライズ層を、外形寸法の大きいものより順に絶縁基
体の表面に被着積層させることによって形成したことか
ら、接続パッドに外部リード端子をロウ材を介してロウ
付けする際、ロウ材は外形寸法の小さいメタライズ層に
接合して外形寸法が最も大きく絶縁基体に直接接触する
メタライズ層に接合することはなく、その結果、ロウ材
の固化収縮に伴う引っ張り力は接続パッドの外周部に大
きく作用することはなく、接続パッドの外周部に位置す
る絶縁基体にクラックや割れ等が発生するのを皆無とし
て、半導体素子の気密封止の信頼性や外部リード端子の
絶縁基体への取着の信頼性を極めて高いものとなすこと
ができる。
【0008】
【実施例】次に本発明を添付図面に示す実施例に基づき
詳細に説明する。図1及び図2は本発明の配線基板を半
導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージに適用
した場合の一実施例を示し、1は絶縁基体、2は絶縁基
体1に被着されたメタライズ配線層、3はメタライズ配
線層2にロウ材を介してロウ付け取着された外部リード
端子である。この絶縁基体1に被着されたメタライズ配
線層2に外部リード端子3を取着したものが配線基板A
となる。
詳細に説明する。図1及び図2は本発明の配線基板を半
導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージに適用
した場合の一実施例を示し、1は絶縁基体、2は絶縁基
体1に被着されたメタライズ配線層、3はメタライズ配
線層2にロウ材を介してロウ付け取着された外部リード
端子である。この絶縁基体1に被着されたメタライズ配
線層2に外部リード端子3を取着したものが配線基板A
となる。
【0009】前記絶縁基体1はその上面中央部に半導体
素子4を収容するための空所を形成する凹部1aが設け
てあり、該凹部1a底面には半導体素子4がガラス、樹
脂、ロウ材等の接着剤を介して接着固定される。
素子4を収容するための空所を形成する凹部1aが設け
てあり、該凹部1a底面には半導体素子4がガラス、樹
脂、ロウ材等の接着剤を介して接着固定される。
【0010】前記絶縁基体1は酸化アルミニウム質焼結
体、ムライト質焼結体、ガラスセラミックス焼結体、窒
化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁性のセラミックス
から成り、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場
合は、アルミナ、シリカ、カルシア、マグネシア等のセ
ラミック原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合し
て泥漿状となすとともに該泥漿物を従来周知のドクター
ブレード法やカレンダーロール法等を採用することによ
ってセラミックグリーンシート(セラミック生シート)
と成し、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適
当な打ち抜き加工を施すとともにこれを複数枚積層し、
約1600℃の温度で焼成することによって製作され
る。
体、ムライト質焼結体、ガラスセラミックス焼結体、窒
化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁性のセラミックス
から成り、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場
合は、アルミナ、シリカ、カルシア、マグネシア等のセ
ラミック原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合し
て泥漿状となすとともに該泥漿物を従来周知のドクター
ブレード法やカレンダーロール法等を採用することによ
ってセラミックグリーンシート(セラミック生シート)
と成し、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適
当な打ち抜き加工を施すとともにこれを複数枚積層し、
約1600℃の温度で焼成することによって製作され
る。
【0011】また前記絶縁基体1はその凹部1a周辺か
ら下面にかけて複数個のメタライズ配線層2が被着され
ており、該メタライズ配線層2の凹部1a周辺部には半
導体素子4の各電極がボンディングワイヤ5を介し電気
的に接続され、また下面に導出された部位には外部電気
回路と接続される外部リード端子3が電気的に接続され
ている。
ら下面にかけて複数個のメタライズ配線層2が被着され
ており、該メタライズ配線層2の凹部1a周辺部には半
導体素子4の各電極がボンディングワイヤ5を介し電気
的に接続され、また下面に導出された部位には外部電気
回路と接続される外部リード端子3が電気的に接続され
ている。
【0012】前記絶縁基体1に被着させたメタライズ配
線層2はタングステン、モリブデン、マンガン等の高融
点金属粉末から成り、該メタライズ配線層2は外部電気
回路に接続される外部リード端子3に半導体素子4の各
電極を電気的に導通させる作用を為す。
線層2はタングステン、モリブデン、マンガン等の高融
点金属粉末から成り、該メタライズ配線層2は外部電気
回路に接続される外部リード端子3に半導体素子4の各
電極を電気的に導通させる作用を為す。
【0013】尚、前記メタライズ配線層2は例えば、タ
ングステン等の高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒
を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体1となるセ
ラミックグリーンシートに予め従来周知のスクリーン印
刷法により所定パターンに印刷塗布しておくことによっ
て絶縁基体1の所定位置に被着される。
ングステン等の高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒
を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体1となるセ
ラミックグリーンシートに予め従来周知のスクリーン印
刷法により所定パターンに印刷塗布しておくことによっ
て絶縁基体1の所定位置に被着される。
【0014】また前記メタライズ配線層2はその露出す
る外表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ材
と濡れ性の良い金属をメッキ法により1.0乃至20.
0μmの厚みに層着させておくとメタライズ配線層2の
酸化腐食を有効に防止することができるとともにメタラ
イズ配線層2とボンディングワイヤ5との電気的接続を
強固なものとなすことができる。従って、前記メタライ
ズ配線層2の表面にはニッケル、金等の耐蝕性に優れ、
且つロウ材と濡れ性の良い金属をメッキ法により1.0
乃至20.0μmの厚みに層着させておくことが好まし
い。
る外表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ材
と濡れ性の良い金属をメッキ法により1.0乃至20.
0μmの厚みに層着させておくとメタライズ配線層2の
酸化腐食を有効に防止することができるとともにメタラ
イズ配線層2とボンディングワイヤ5との電気的接続を
強固なものとなすことができる。従って、前記メタライ
ズ配線層2の表面にはニッケル、金等の耐蝕性に優れ、
且つロウ材と濡れ性の良い金属をメッキ法により1.0
乃至20.0μmの厚みに層着させておくことが好まし
い。
【0015】更に前記メタライズ配線層2はその絶縁基
体1の下面に導出された部位が絶縁基体1の下面に被着
形成させた接続パッド7に電気的に接続されており、該
接続パッド7には外部リード端子3が銀ロウ等のロウ材
6を介してロウ付けされている。
体1の下面に導出された部位が絶縁基体1の下面に被着
形成させた接続パッド7に電気的に接続されており、該
接続パッド7には外部リード端子3が銀ロウ等のロウ材
6を介してロウ付けされている。
【0016】前記接続パッド7は絶縁基体1に外部リー
ド端子3を取着させるとともに外部リード端子3をメタ
ライズ配線層2を介して半導体素子4に電気的に接続さ
せる作用を為し、タングステン、モリブデン、マンガン
等の高融点金属粉末により形成されている。
ド端子3を取着させるとともに外部リード端子3をメタ
ライズ配線層2を介して半導体素子4に電気的に接続さ
せる作用を為し、タングステン、モリブデン、マンガン
等の高融点金属粉末により形成されている。
【0017】前記接続パッド7はまた図2に示すよう
に、外形寸法の異なる2つのメタライズ層7a、7b
を、外形寸法の大きいメタライズ層7aを絶縁基体1の
表面側として被着積層させることによって形成されてお
り、外形寸法の大きなメタライズ層7aが絶縁基体1側
に、外形寸法の小さいメタライズ層7bが外部リード端
子3のロウ付けされる側に位置することから、接続パッ
ド7に外部リード端子3をロウ材6を介してロウ付けす
る際、ロウ材6は外形寸法の小さいメタライズ層7bの
表面のみに接合して外形寸法が大きく絶縁基体1に直接
接触しているメタライズ層7aには接合しなくなり、そ
の結果、ロウ材6の固化収縮に伴う引っ張り力は接続パ
ッド7の外周部に大きく作用することはなく、接続パッ
ド7の外周部に位置する絶縁基体1にクラックや割れ等
を発生するのは皆無となる。
に、外形寸法の異なる2つのメタライズ層7a、7b
を、外形寸法の大きいメタライズ層7aを絶縁基体1の
表面側として被着積層させることによって形成されてお
り、外形寸法の大きなメタライズ層7aが絶縁基体1側
に、外形寸法の小さいメタライズ層7bが外部リード端
子3のロウ付けされる側に位置することから、接続パッ
ド7に外部リード端子3をロウ材6を介してロウ付けす
る際、ロウ材6は外形寸法の小さいメタライズ層7bの
表面のみに接合して外形寸法が大きく絶縁基体1に直接
接触しているメタライズ層7aには接合しなくなり、そ
の結果、ロウ材6の固化収縮に伴う引っ張り力は接続パ
ッド7の外周部に大きく作用することはなく、接続パッ
ド7の外周部に位置する絶縁基体1にクラックや割れ等
を発生するのは皆無となる。
【0018】尚、前記接続パッド7はメタライズ配線層
2と同様の方法、即ち、タングステン等の高融点金属粉
末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペー
ストを絶縁基体1となるセラミックグリーンシートに予
め従来周知のスクリーン印刷法により印刷面積を順次小
さくして複数回塗布することによって絶縁基体1の下面
所定位置に被着形成される。
2と同様の方法、即ち、タングステン等の高融点金属粉
末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペー
ストを絶縁基体1となるセラミックグリーンシートに予
め従来周知のスクリーン印刷法により印刷面積を順次小
さくして複数回塗布することによって絶縁基体1の下面
所定位置に被着形成される。
【0019】また前記接続パッド7は外形寸法の小さい
メタライズ層7bの厚みtを10μm以上としておく
と、外形寸法の小さいメタライズ層7bと外形寸法の大
きなメタライズ層7aとの間に大きな段差が形成され、
該段差によって接続パッド7に外部リード端子3をロウ
材6を介してロウ付けする際、ロウ材6がメタライズ層
7aに流出接合することはなく、これによってロウ材6
の固化収縮に伴う引っ張り力に起因して接続パッド7の
外周部に位置する絶縁基体1にクラックや割れ等が発生
するのを皆無となすことができる。従って、前記接続パ
ッド7は外形寸法の小さいメタライズ層7bの厚みtを
10μm以上としておくことが好ましい。
メタライズ層7bの厚みtを10μm以上としておく
と、外形寸法の小さいメタライズ層7bと外形寸法の大
きなメタライズ層7aとの間に大きな段差が形成され、
該段差によって接続パッド7に外部リード端子3をロウ
材6を介してロウ付けする際、ロウ材6がメタライズ層
7aに流出接合することはなく、これによってロウ材6
の固化収縮に伴う引っ張り力に起因して接続パッド7の
外周部に位置する絶縁基体1にクラックや割れ等が発生
するのを皆無となすことができる。従って、前記接続パ
ッド7は外形寸法の小さいメタライズ層7bの厚みtを
10μm以上としておくことが好ましい。
【0020】更に前記接続パッド7はその表面にニッケ
ル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ材と濡れ性の良い金
属をメッキ法により1.0乃至20.0μmの厚みに層
着させておくと接続パッド7の酸化腐食を有効に防止す
ることができるとともに接続パッド7に外部リード端子
3をロウ材6を介して強固にロウ付け取着することがで
きる。従って、前記接続パッド7の表面にはニッケル、
金等の耐蝕性に優れ、且つロウ材と濡れ性の良い金属を
メッキ法により1.0乃至20.0μmの厚みに層着さ
せておくことが好ましい。
ル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ材と濡れ性の良い金
属をメッキ法により1.0乃至20.0μmの厚みに層
着させておくと接続パッド7の酸化腐食を有効に防止す
ることができるとともに接続パッド7に外部リード端子
3をロウ材6を介して強固にロウ付け取着することがで
きる。従って、前記接続パッド7の表面にはニッケル、
金等の耐蝕性に優れ、且つロウ材と濡れ性の良い金属を
メッキ法により1.0乃至20.0μmの厚みに層着さ
せておくことが好ましい。
【0021】また更に前記絶縁基体1に被着させた接続
パッド7には外部リード端子3が銀ロウ等のロウ材6を
介してロウ付けされ、該外部リード端子3は絶縁基体1
の凹部1a内に収容する半導体素子4を外部電気回路に
接続する作用を為し、外部リード端子3を外部電気回路
に接続することによって凹部1a内に収容される半導体
素子4はメタライズ配線層2及び外部リード端子3を介
し外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
パッド7には外部リード端子3が銀ロウ等のロウ材6を
介してロウ付けされ、該外部リード端子3は絶縁基体1
の凹部1a内に収容する半導体素子4を外部電気回路に
接続する作用を為し、外部リード端子3を外部電気回路
に接続することによって凹部1a内に収容される半導体
素子4はメタライズ配線層2及び外部リード端子3を介
し外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【0022】前記外部リード端子3は鉄ーニッケルーコ
バルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成り、
例えば鉄ーニッケルーコバルト合金等のインゴット
(塊)を圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金
属加工法を採用し、所定の棒状に加工することによって
形成される。
バルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成り、
例えば鉄ーニッケルーコバルト合金等のインゴット
(塊)を圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金
属加工法を採用し、所定の棒状に加工することによって
形成される。
【0023】かくして、上述の半導体素子収納用パッケ
ージによれば、絶縁基体1の凹部1a底面に半導体素子
4をガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して接着固定
するとともに該半導体素子4の各電極をボンディングワ
イヤ5を介してメタライズ配線層2に電気的に接続し、
しかる後、絶縁基体1の上面に蓋体8を絶縁基体1の凹
部1aを塞ぐようにガラス、樹脂、ロウ材等から成る封
止材を介して接合させ、絶縁基体1の凹部1a内に半導
体素子4を気密に収容することによって最終製品として
の半導体装置となる。
ージによれば、絶縁基体1の凹部1a底面に半導体素子
4をガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して接着固定
するとともに該半導体素子4の各電極をボンディングワ
イヤ5を介してメタライズ配線層2に電気的に接続し、
しかる後、絶縁基体1の上面に蓋体8を絶縁基体1の凹
部1aを塞ぐようにガラス、樹脂、ロウ材等から成る封
止材を介して接合させ、絶縁基体1の凹部1a内に半導
体素子4を気密に収容することによって最終製品として
の半導体装置となる。
【0024】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例では本発
明の配線基板を半導体素子を収容する半導体素子収納用
パッケージに適用した場合の例で説明したが、これを混
成集積回路装置に使用される配線基板にも適用し得る。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例では本発
明の配線基板を半導体素子を収容する半導体素子収納用
パッケージに適用した場合の例で説明したが、これを混
成集積回路装置に使用される配線基板にも適用し得る。
【0025】
【発明の効果】本発明の配線基板によれば、外部リード
端子がロウ付けされる接続パッドを、外形寸法の異なる
複数のメタライズ層を、外形寸法の大きいものより順に
絶縁基体の表面に被着積層させることによって形成した
ことから、接続パッドに外部リード端子をロウ材を介し
てロウ付けする際、ロウ材は外形寸法の小さいメタライ
ズ層に接合して外形寸法が最も大きく絶縁基体に直接接
触するメタライズ層に接合することはなく、その結果、
ロウ材の固化収縮に伴う引っ張り力は接続パッドの外周
部に大きく作用することはなく、接続パッドの外周部に
位置する絶縁基体にクラックや割れ等が発生するのを皆
無として、半導体素子の気密封止の信頼性や外部リード
端子の絶縁基体への取着の信頼性を極めて高いものとな
すことができる。
端子がロウ付けされる接続パッドを、外形寸法の異なる
複数のメタライズ層を、外形寸法の大きいものより順に
絶縁基体の表面に被着積層させることによって形成した
ことから、接続パッドに外部リード端子をロウ材を介し
てロウ付けする際、ロウ材は外形寸法の小さいメタライ
ズ層に接合して外形寸法が最も大きく絶縁基体に直接接
触するメタライズ層に接合することはなく、その結果、
ロウ材の固化収縮に伴う引っ張り力は接続パッドの外周
部に大きく作用することはなく、接続パッドの外周部に
位置する絶縁基体にクラックや割れ等が発生するのを皆
無として、半導体素子の気密封止の信頼性や外部リード
端子の絶縁基体への取着の信頼性を極めて高いものとな
すことができる。
【図1】本発明の配線基板を半導体素子収納用パッケー
ジに適用した場合の一実施例を示す断面図である。
ジに適用した場合の一実施例を示す断面図である。
【図2】図1の要部拡大断面図である。
【図3】従来の配線基板の要部拡大断面図である。
1・・・・絶縁基体 2・・・・メタライズ配線層 3・・・・外部リード端子 6・・・・ロウ材 7・・・・接続パッド
Claims (1)
- 【請求項1】メタライズ配線層を有するセラミックス製
絶縁基体の表面に、前記メタライズ配線層と電気的に接
続される接続パッドを設けるとともに該接続パッドに外
部リード端子をロウ付けして成る配線基板であって、前
記接続パッドは外形寸法の異なる複数のメタライズ層
を、外形寸法の大きいものより順に絶縁基体の表面に被
着積層させて形成されていることを特徴とする配線基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6090973A JPH07297530A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6090973A JPH07297530A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297530A true JPH07297530A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=14013460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6090973A Pending JPH07297530A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07297530A (ja) |
-
1994
- 1994-04-28 JP JP6090973A patent/JPH07297530A/ja active Pending
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