JPH11214749A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPH11214749A JPH11214749A JP1685598A JP1685598A JPH11214749A JP H11214749 A JPH11214749 A JP H11214749A JP 1685598 A JP1685598 A JP 1685598A JP 1685598 A JP1685598 A JP 1685598A JP H11214749 A JPH11214749 A JP H11214749A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は、青色発光ダイオード等の半導体
発光装置の光取り出し効率を向上させることを目的とす
る。 【解決手段】 この発明は、ＳｉＣ半導体１、２、３か
らなる半導体発光装置であって、少なくとも光出射層を
越える位置まで半導体表面３から基板１側に向かってメ
サ形状（テーパー部）７が形成されている。
発光装置の光取り出し効率を向上させることを目的とす
る。 【解決手段】 この発明は、ＳｉＣ半導体１、２、３か
らなる半導体発光装置であって、少なくとも光出射層を
越える位置まで半導体表面３から基板１側に向かってメ
サ形状（テーパー部）７が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＳｉＣ半導体及
びＧａＮ系半導体を用いた半導体発光装置に関する。
びＧａＮ系半導体を用いた半導体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳｉＣ半導体及びＧａＮ系半導体は、ワ
イドバンドギャップ半導体として青色発光ダイオードや
青色半導体レーザの材料として、活発な研究開発が行わ
れている。
イドバンドギャップ半導体として青色発光ダイオードや
青色半導体レーザの材料として、活発な研究開発が行わ
れている。
【０００３】図６に、従来の青色発光ダイオードとし
て、ＳｉＣ半導体を用いた青色発光ダイオードにつき説
明する。
て、ＳｉＣ半導体を用いた青色発光ダイオードにつき説
明する。
【０００４】ｎ型ＳｉＣ半導体基板３０の一主面にｎ型
エピタキシャル層３１及びｐ型エピタキシャル層３２が
順次形成される。ｎ型ＳｉＣ半導体基板３０の他主面側
には、ｎ型電極として、ニッケル（Ｎｉ）電極３３が設
けられ、ｐ型エピタキシャル層３２上には、ｐ型電極と
してＡｌ電極３４が形成されている。
エピタキシャル層３１及びｐ型エピタキシャル層３２が
順次形成される。ｎ型ＳｉＣ半導体基板３０の他主面側
には、ｎ型電極として、ニッケル（Ｎｉ）電極３３が設
けられ、ｐ型エピタキシャル層３２上には、ｐ型電極と
してＡｌ電極３４が形成されている。
【０００５】そして、例えば、ダイシング技術によって
チップ化され、カップ状フレーム３５に銀ペーストなど
により取り付けられることにより、発光ダイオードラン
プが構成される。
チップ化され、カップ状フレーム３５に銀ペーストなど
により取り付けられることにより、発光ダイオードラン
プが構成される。
【０００６】図７は、上記した従来の発光ダイオードの
光強度分布を示す図であり、最大の発光強度を１とした
場合の相対的な強度分布を示している。
光強度分布を示す図であり、最大の発光強度を１とした
場合の相対的な強度分布を示している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来の発光ダ
イオードの場合、光出射層であるｎ型エピタキシャル層
３１での発光光は直接チップ直上に出光することが少な
く、カップ状フレーム３５に反射した光が出射光として
観察されることになる。このため図７に示すように、発
光ダイオードランプの光分布はチップ部分で小さく、周
辺が大きいという光ムラが大きくなる問題があった。
イオードの場合、光出射層であるｎ型エピタキシャル層
３１での発光光は直接チップ直上に出光することが少な
く、カップ状フレーム３５に反射した光が出射光として
観察されることになる。このため図７に示すように、発
光ダイオードランプの光分布はチップ部分で小さく、周
辺が大きいという光ムラが大きくなる問題があった。
【０００８】この発明は、上述した問題点を解決するた
めになされたものにして、青色発光ダイオード等の半導
体発光装置の光取り出し効率を向上させることを目的と
する。
めになされたものにして、青色発光ダイオード等の半導
体発光装置の光取り出し効率を向上させることを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、ＳｉＣ半導
体またはＧａＮ系半導体からなる半導体発光装置であっ
て、少なくとも光出射層を越える位置まで前記半導体表
面から基板側に向かってテーパー部が形成されているこ
とを特徴とする。
体またはＧａＮ系半導体からなる半導体発光装置であっ
て、少なくとも光出射層を越える位置まで前記半導体表
面から基板側に向かってテーパー部が形成されているこ
とを特徴とする。
【００１０】前記テーパー部はドライエッチングにより
形成されると共に、テーパー部の角度が、１０〜７５゜
であることを特徴とする。
形成されると共に、テーパー部の角度が、１０〜７５゜
であることを特徴とする。
【００１１】従来、ＳｉＣ半導体やＧａＮ系半導体は、
ドライエッチングによる加工が主流であった。しかし、
ドライエッチングでは、テーパー形状を有するエッチン
グは困難であった。
ドライエッチングによる加工が主流であった。しかし、
ドライエッチングでは、テーパー形状を有するエッチン
グは困難であった。
【００１２】そこで、本発明者等は鋭意検討したとこ
ろ、ＳｉＣ半導体層またはＧａＮ系半導体層上に、この
半導体層以上のエッチング速度を有する材料からなるマ
スクを設け、ドライエッチングにより前記半導体層をエ
ッチングすることで、１０〜７５°のテーパー角度を有
するエッチング形状を形成することを見い出した。
ろ、ＳｉＣ半導体層またはＧａＮ系半導体層上に、この
半導体層以上のエッチング速度を有する材料からなるマ
スクを設け、ドライエッチングにより前記半導体層をエ
ッチングすることで、１０〜７５°のテーパー角度を有
するエッチング形状を形成することを見い出した。
【００１３】すなわち、ＲＩＥ（リアクティブ・イオン
・エッチング）の条件が３００Ｗ、ＣＦ4 ガス１０ＳＣ
ＣＭで、ＳｉＣ半導体及びＧａＮ半導体のエッチングレ
ートはそれぞれ４００オングストローム／ｍｉｎ、２０
０オングストローム／ｍｉｎである。また、天然ゴム系
フォトレジストやフェノールノボラック系フォトレジス
トのエッチングレートは８００オングストローム／ｍｉ
ｎであり、Ａｌ蒸着膜は４００オングストローム／ｍｉ
ｎである。
・エッチング）の条件が３００Ｗ、ＣＦ4 ガス１０ＳＣ
ＣＭで、ＳｉＣ半導体及びＧａＮ半導体のエッチングレ
ートはそれぞれ４００オングストローム／ｍｉｎ、２０
０オングストローム／ｍｉｎである。また、天然ゴム系
フォトレジストやフェノールノボラック系フォトレジス
トのエッチングレートは８００オングストローム／ｍｉ
ｎであり、Ａｌ蒸着膜は４００オングストローム／ｍｉ
ｎである。
【００１４】ここで、天然ゴム系フォトレジストを、Ｒ
ＩＥの選択マスクパターンとして用いた場合、例えばＳ
ｉＣ半導体に対するエッチングレート比が２倍であるこ
とから、ＲＩＥによってマスクは縮退しつつ、ＳｉＣの
エッチング処理が進むため、ＳｉＣ半導体膜はテーパー
状にエッチングされて約２６°の角度を有するメサエッ
チングが可能になる。
ＩＥの選択マスクパターンとして用いた場合、例えばＳ
ｉＣ半導体に対するエッチングレート比が２倍であるこ
とから、ＲＩＥによってマスクは縮退しつつ、ＳｉＣの
エッチング処理が進むため、ＳｉＣ半導体膜はテーパー
状にエッチングされて約２６°の角度を有するメサエッ
チングが可能になる。
【００１５】また、Ａｌ蒸着膜をＲＩＥの選択マスクパ
ターンとして用いた場合、例えばＧａＮに対するエッチ
ングレート比が２倍であることから、同様に約２６゜の
角度を有するメサエッチングが可能になる。
ターンとして用いた場合、例えばＧａＮに対するエッチ
ングレート比が２倍であることから、同様に約２６゜の
角度を有するメサエッチングが可能になる。
【００１６】従って、光出射層を越える位置まで、前記
半導体表面から基板側に向かってテーパー部を形成する
ことができ、光出射層からの発光はテーパ部分から上方
へ出射されることになり、光のムラがなくなると共に、
光取り出し効率も向上する。
半導体表面から基板側に向かってテーパー部を形成する
ことができ、光出射層からの発光はテーパ部分から上方
へ出射されることになり、光のムラがなくなると共に、
光取り出し効率も向上する。
【００１７】また、ＲＩＥによるエッチングのテーパー
角度の調整は、マスクの材料の選択やマスクにあらかじ
めテーパーを形成するなどの方法により行うことができ
る。
角度の調整は、マスクの材料の選択やマスクにあらかじ
めテーパーを形成するなどの方法により行うことができ
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、この発明のメサ形状を有し
てなる半導体発光装置の実施の形態につき以下に説明す
る。
てなる半導体発光装置の実施の形態につき以下に説明す
る。
【００１９】図１は、この発明の第１の実施の形態にか
かるＳｉＣ半導体を用いた発光ダイオードを製造工程別
に示す断面図、図２は、この発明の発光ダイオードチッ
プをカップ状フレームに設置した状態を示す模式的断面
図、図３は、図２に示す発光ダイオードの光強度分布を
示す図であり、最大の発光強度を１とした場合の相対的
な強度分布を示している。
かるＳｉＣ半導体を用いた発光ダイオードを製造工程別
に示す断面図、図２は、この発明の発光ダイオードチッ
プをカップ状フレームに設置した状態を示す模式的断面
図、図３は、図２に示す発光ダイオードの光強度分布を
示す図であり、最大の発光強度を１とした場合の相対的
な強度分布を示している。
【００２０】まず、図１（ａ）に示すように、ｎ型Ｓｉ
Ｃ半導体基板１の一主面に膜厚１．０μｍ程度のｎ型Ｓ
ｉＣエピタキシャル層２、膜厚０．３μｍ程度のｐ型Ｓ
ｉＣエピタキシャル層３を順次形成する。
Ｃ半導体基板１の一主面に膜厚１．０μｍ程度のｎ型Ｓ
ｉＣエピタキシャル層２、膜厚０．３μｍ程度のｐ型Ｓ
ｉＣエピタキシャル層３を順次形成する。
【００２１】続いて、図１（ｂ）に示すように、ｐ型Ｓ
ｉＣエピタキシャル層３上に、例えば、天然ゴム系フォ
トレジストからなるＲＩＥの選択用マスクパターン４を
形成する。この天然ゴム系フォトレジスト４としては、
この実施の形態では、東京応化株式会社製の商品名「Ｏ
ＭＲ」を用いた。この際、プロキシミティー露光処理を
施すことで、テーパー形状５を有するマスクパターン４
が形成される。尚、マスクパターン４におけるフォトレ
ジストの厚さは約２μｍである。
ｉＣエピタキシャル層３上に、例えば、天然ゴム系フォ
トレジストからなるＲＩＥの選択用マスクパターン４を
形成する。この天然ゴム系フォトレジスト４としては、
この実施の形態では、東京応化株式会社製の商品名「Ｏ
ＭＲ」を用いた。この際、プロキシミティー露光処理を
施すことで、テーパー形状５を有するマスクパターン４
が形成される。尚、マスクパターン４におけるフォトレ
ジストの厚さは約２μｍである。
【００２２】次いで、図１（ｃ）に示すように、３００
Ｗ、ＣＦ4 ガス１０ＳＣＣＭの条件で、２０分のＲＩＥ
６の処理を行い、ｐ型ＳｉＣエピタキシャル層３及びｎ
型ＳｉＣエピタキシャル層２を約０．８μｍエッチング
する。このＲＩＥ条件におけるＳｉＣのエッチングレー
トは、４００オングストローム／ｍｉｎ、また、天然ゴ
ム系フォトレジストのエッチングレートは８００オング
ストローム／ｍｉｎである。
Ｗ、ＣＦ4 ガス１０ＳＣＣＭの条件で、２０分のＲＩＥ
６の処理を行い、ｐ型ＳｉＣエピタキシャル層３及びｎ
型ＳｉＣエピタキシャル層２を約０．８μｍエッチング
する。このＲＩＥ条件におけるＳｉＣのエッチングレー
トは、４００オングストローム／ｍｉｎ、また、天然ゴ
ム系フォトレジストのエッチングレートは８００オング
ストローム／ｍｉｎである。
【００２３】この結果、ＲＩＥ処理により、フォトレジ
ストからなるマスクパターン４は縮退しつつ、ＳｉＣの
エッチング処理が進むため、ＳｉＣ半導体膜はテーパー
状にエッチングされて、メサ形状になり、ｐ型ＳｉＣエ
ピタキシャル層３を越えて光出射層となるｎ型ＳｉＣエ
ピタキシャル層２の部分までテーパー部が形成される。
ストからなるマスクパターン４は縮退しつつ、ＳｉＣの
エッチング処理が進むため、ＳｉＣ半導体膜はテーパー
状にエッチングされて、メサ形状になり、ｐ型ＳｉＣエ
ピタキシャル層３を越えて光出射層となるｎ型ＳｉＣエ
ピタキシャル層２の部分までテーパー部が形成される。
【００２４】この工程で、約２０°程度のテーパー角度
を有するメサ形状７が形成される。
を有するメサ形状７が形成される。
【００２５】次いで、図１（ｄ）に示すように、残フォ
トレジスト膜を除去し、表面の清浄化処理を行った後、
ｐ型電極としてｐ型ＳｉＣエピタキシャル層３上にＡｌ
電極８を設け、ｎ型電極としてＳｉＣ半導体基板１の他
の主面側にＮｉ電極９を形成して発光ダイオード１０を
得る。
トレジスト膜を除去し、表面の清浄化処理を行った後、
ｐ型電極としてｐ型ＳｉＣエピタキシャル層３上にＡｌ
電極８を設け、ｎ型電極としてＳｉＣ半導体基板１の他
の主面側にＮｉ電極９を形成して発光ダイオード１０を
得る。
【００２６】そして、図２に示すように、例えば、ダイ
シング技術によってチップ化され、カップ状フレーム１
１に銀ペーストなどにより発光ダイオード１０を取り付
けて発光ダイオードランプが構成される。
シング技術によってチップ化され、カップ状フレーム１
１に銀ペーストなどにより発光ダイオード１０を取り付
けて発光ダイオードランプが構成される。
【００２７】図３は、かかる発光ダイオードチップ１０
をカップ状フレーム１１に設置した場合の光強度分布を
示す図であり、最大の発光強度を１とした場合の相対的
な強度分布を示している。この図３から明らかなよう
に、テーパー部分からの光出射成分が増加し、チップ直
上部分での光強度の増加が実現されている。
をカップ状フレーム１１に設置した場合の光強度分布を
示す図であり、最大の発光強度を１とした場合の相対的
な強度分布を示している。この図３から明らかなよう
に、テーパー部分からの光出射成分が増加し、チップ直
上部分での光強度の増加が実現されている。
【００２８】尚、上記した実施の形態においては、ＲＩ
Ｅの選択マスクとして、テーパー形状５を有するマスク
パターン４を用いたが、テーパー形状を有さないマスク
パターンを用いると、前述したように、約２６°のテー
パー角度を有するメサエッチングとなる。
Ｅの選択マスクとして、テーパー形状５を有するマスク
パターン４を用いたが、テーパー形状を有さないマスク
パターンを用いると、前述したように、約２６°のテー
パー角度を有するメサエッチングとなる。
【００２９】図４は、この発明の第２の実施の形態にか
かるＳｉＣ半導体を用いた発光ダイオードを製造工程別
に示す断面図である。
かるＳｉＣ半導体を用いた発光ダイオードを製造工程別
に示す断面図である。
【００３０】図４（ａ）に示すように、ｎ型ＳｉＣ基板
１の一主面にｎ型エピタキシャル層２及びｐ型エピタキ
シャル層３が順次形成される。
１の一主面にｎ型エピタキシャル層２及びｐ型エピタキ
シャル層３が順次形成される。
【００３１】続いて、図４（ｂ）に示すように、ｐ型エ
ピタキシャル層３に、天然ゴム系フォトレジストからな
るマスクパターン４を形成する。この天然ゴム系フォト
レジスト４としては、第１の実施の形態と同様、東京応
化株式会社製の商品名「ＯＭＲ」を用いた。この際、プ
ロキシミティー露光処理を施すことで、テーパー形状５
を有するマスクパターン４が形成される。尚、マスクパ
ターン４におけるフォトレジストの厚さは約２μｍであ
る。
ピタキシャル層３に、天然ゴム系フォトレジストからな
るマスクパターン４を形成する。この天然ゴム系フォト
レジスト４としては、第１の実施の形態と同様、東京応
化株式会社製の商品名「ＯＭＲ」を用いた。この際、プ
ロキシミティー露光処理を施すことで、テーパー形状５
を有するマスクパターン４が形成される。尚、マスクパ
ターン４におけるフォトレジストの厚さは約２μｍであ
る。
【００３２】次いで、図４（ｃ）に示すように、３００
Ｗ、ＣＦ4 ガス１０ＳＣＣＭの条件で、ＲＩＥ処理６を
施し、０．８μｍのエッチングを施す。ここで、約２０
°のテーパー角を有するメサ形状７が形成される。
Ｗ、ＣＦ4 ガス１０ＳＣＣＭの条件で、ＲＩＥ処理６を
施し、０．８μｍのエッチングを施す。ここで、約２０
°のテーパー角を有するメサ形状７が形成される。
【００３３】この後に、図４（ｄ）に示すように、表面
清浄化処理を行い、一部に例えば全反射膜１２として膜
厚３０００オングストロームのＡｌ膜を形成すると共
に、ｐ型電極にＡｌ電極８、ｎ型電極にＮｉ電極９を形
成して、ＳｉＣ半導体を用いた発光ダイオードを得る。
清浄化処理を行い、一部に例えば全反射膜１２として膜
厚３０００オングストロームのＡｌ膜を形成すると共
に、ｐ型電極にＡｌ電極８、ｎ型電極にＮｉ電極９を形
成して、ＳｉＣ半導体を用いた発光ダイオードを得る。
【００３４】この実施の形態においては、カップ状フレ
ームを用いなくても、全反射膜１２により光取り出しが
直上方向に増加するため、微少光源等に有効となる。
ームを用いなくても、全反射膜１２により光取り出しが
直上方向に増加するため、微少光源等に有効となる。
【００３５】図５は、この発明の第３の実施の形態にか
かるＧａＮ系半導体を用いた発光ダイオードを製造工程
別に示した断面図である。
かるＧａＮ系半導体を用いた発光ダイオードを製造工程
別に示した断面図である。
【００３６】まず、図５（ａ）に示すように、サファイ
ア基板２１上に窒化アルミニウムバッファ層（図示せ
ず）を介してｎ型ＧａＮコンタクト層２２と、ｎ型Ｇａ
ＡｌＮクラッド層２３と、ＩｎＧａＮ活性層２４と、ｐ
型ＧａＡｌＮ層と、ｐ型ＧａＮコンタクト層とが順次形
成される。そして、このｐ型ＧａＮコンタクト層２６上
にＡｌ蒸着膜２７を２μｍの厚さでパターン形成する。
ア基板２１上に窒化アルミニウムバッファ層（図示せ
ず）を介してｎ型ＧａＮコンタクト層２２と、ｎ型Ｇａ
ＡｌＮクラッド層２３と、ＩｎＧａＮ活性層２４と、ｐ
型ＧａＡｌＮ層と、ｐ型ＧａＮコンタクト層とが順次形
成される。そして、このｐ型ＧａＮコンタクト層２６上
にＡｌ蒸着膜２７を２μｍの厚さでパターン形成する。
【００３７】次いで、図５（ｂ）に示すように、３００
Ｗ、ＣＦ4 ガス１０ＳＣＣＭの条件でＲＩＥ処理６を施
し、９０００オングストロームのエッチングを施す。
Ｗ、ＣＦ4 ガス１０ＳＣＣＭの条件でＲＩＥ処理６を施
し、９０００オングストロームのエッチングを施す。
【００３８】このＲＩＥ処理で、約３０°のテーパー角
を有するメサ形状部分が形成される。
を有するメサ形状部分が形成される。
【００３９】この後に、図５（ｃ）に示すように、表面
清浄化処理を行い、ｎ型ＧａＮコンタクト層上にｎ型電
極としてＡｌ電極２８を、ｐ型ＧａＮコンタクト層２６
上にｐ型電極としてＮｉ電極２９を形成し、ＧａＮ系半
導体を用いた発光ダイオードが得られる。この発光ダイ
オードにおいても、テーパ部を有することから真上方向
の光出射が増え、光のムラがなくなると共に、光取り出
し効率も向上する。
清浄化処理を行い、ｎ型ＧａＮコンタクト層上にｎ型電
極としてＡｌ電極２８を、ｐ型ＧａＮコンタクト層２６
上にｐ型電極としてＮｉ電極２９を形成し、ＧａＮ系半
導体を用いた発光ダイオードが得られる。この発光ダイ
オードにおいても、テーパ部を有することから真上方向
の光出射が増え、光のムラがなくなると共に、光取り出
し効率も向上する。
【００４０】上記した実施の形態においては青色発光ダ
イオードについて説明したが、青色半導体レーザについ
てもこの発明を適用することができ、青色半導体レーザ
の面発光化の実現も可能にする。
イオードについて説明したが、青色半導体レーザについ
てもこの発明を適用することができ、青色半導体レーザ
の面発光化の実現も可能にする。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、光出射層からの発光はテーパ部分から上方へ出射さ
れることになり、光のムラがなくなると共に、光取り出
し効率も向上させることができる。
ば、光出射層からの発光はテーパ部分から上方へ出射さ
れることになり、光のムラがなくなると共に、光取り出
し効率も向上させることができる。
【図１】この発明の第１の実施の形態にかかるＳｉＣ半
導体を用いた発光ダイオードを製造工程別に示す断面図
である。
導体を用いた発光ダイオードを製造工程別に示す断面図
である。
【図２】この発明の発光ダイオードチップをカップ状フ
レームに設置した状態を示す模式的断面図である。
レームに設置した状態を示す模式的断面図である。
【図３】図２に示す発光ダイオードの光強度分布を示す
図であり、最大の発光強度を１とした場合の相対的な強
度分布を示している。
図であり、最大の発光強度を１とした場合の相対的な強
度分布を示している。
【図４】この発明の第２の実施の形態にかかるＳｉＣ半
導体を用いた発光ダイオードを製造工程別に示す断面図
である。
導体を用いた発光ダイオードを製造工程別に示す断面図
である。
【図５】この発明の第３の実施の形態にかかるＧａＮ系
半導体を用いた発光ダイオードを製造工程別に示した断
面図である。
半導体を用いた発光ダイオードを製造工程別に示した断
面図である。
【図６】従来のＳｉＣ半導体を用いた青色発光ダイオー
ドの構造を示す断面図である。
ドの構造を示す断面図である。
【図７】従来の発光ダイオードの光強度分布を示す図で
ある。
ある。
１ ｎ型ＳｉＣ半導体基板 ２ ｎ型ＳｉＣエピタキシャル層 ３ ｐ型ＳｉＣエピタキシャル層 ７ メサ形状（テーパ部） ８ Ａｌ電極 ９ Ｎｉ電極
Claims (2)
- 【請求項１】 ＳｉＣ半導体またはＧａＮ系半導体から
なる半導体発光装置であって、少なくとも光出射層を越
える位置まで前記半導体表面から基板側に向かってテー
パー部が形成されていることを特徴とする半導体発光装
置。 - 【請求項２】 前記テーパー部はドライエッチングによ
り形成されると共に、テーパー部の角度が、１０〜７５
゜であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1685598A JPH11214749A (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1685598A JPH11214749A (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214749A true JPH11214749A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=11927843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1685598A Pending JPH11214749A (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11214749A (ja) |
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1998
- 1998-01-29 JP JP1685598A patent/JPH11214749A/ja active Pending
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