JPH11214848A - プリント配線基板およびプリント配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】絶縁基材側が傷つくのを回避しつつ、設計寸法
通りにペースト充填を行い、なおかつ、表面を確実に平
坦化し多層化に対応できるプリント配線基板およびプリ
ント配線基板の製造方法を提供する。 【解決手段】ガラス・エポキシ基板１にはスルーホール
用貫通孔２ａ，２ｂが形成され、スルーホール用貫通孔
２ａ，２ｂ内に導電性ペースト３ａ，３ｂが充填され、
表面が平滑化されている。ガラス・エポキシ基板１の表
面における導電性ペースト３ａ，３ｂの無い領域には保
護膜４，５が配置され、保護膜４，５は導電性ペースト
３ａ，３ｂの平滑面と面一となり、導電性ペースト３
ａ，３ｂの研摩の際にガラス・エポキシ基板１を保護す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明はプリント配線基板
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】特開平５−１２９７８１号公報、特開平
７−３０２５５号公報においては、基板の両面に配線を
有し、スルーホール用貫通孔を介して電気的に接続され
たプリント配線基板において配線密度を高めるとともに
電気的接続の信頼性を高めるために、基板に対し第１配
線を形成した後、穴あけを行うとともに導電性ペースト
を充填し、研摩により平坦化している。

【０００３】これを、図１９，２０を用いて詳しく説明
する。図１９において、（ａ）のように両面にメッキ層
５０を有する絶縁基板５１を用意し、（ｂ）のようにス
ルーホール用貫通孔５２を設け、（ｃ）のようにスルー
ホール用貫通孔５２に導電性ペースト５３を充填し、
（ｄ）のように研摩にて平滑化し、（ｅ）のようにメッ
キ層５４を形成した後、（ｆ），（ｇ），（ｈ）のよう
にホトエッチングにて配線パターン５５を形成し、
（ｉ）のように絶縁膜５６を形成した後、（ｊ）のよう
に導体５７を配置する。

【０００４】図２０において、（ａ）のように両面にメ
ッキ層６０を有する絶縁基板６１を用意し、（ｂ）のよ
うにスルーホール用貫通孔６２ａ，６２ｂを設け、
（ｃ）のようにスルーホール用貫通孔６２ａ，６２ｂの
内壁等にメッキ層６３を形成し、（ｄ）のようにメッキ
層６０，６３をパターニングし、（ｅ）のようにスルー
ホール用貫通孔６２ａ，６２ｂに導電性ペースト６４を
充填し、（ｆ）のように樹脂膜６５により被覆し、
（ｇ）のように研摩にて平滑化し、（ｈ），（ｉ）のよ
うに第２の配線パターン６６を形成する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、図１９の方
法では、図２１のように表面に凹凸が形成され、多層化
を行う際の妨げとなってしまう。これを回避すべく、図
２２のように絶縁膜７０を配置することにより平坦化す
ると、工程の増加を招いてしまう。

【０００６】また、図２０の方法においては、図２３の
ように、スルーホール用貫通孔６２ａ，６２ｂ内に導電
性ペースト６４を充填する際にスルーホール用貫通孔６
２ａ，６２ｂの中央部における導電性ペースト６４には
窪み８０ができやすく、銅箔以下はなかなか削れない。
そのため、図２４のように、その後の絶縁膜６５の配置
および平坦化においてもこの窪み８０が残り、配線パタ
ーン８１による接続にあたり接続不良箇所となったり、
ニジミの発生によりペースト間リークや設計寸法の増大
が発生してしまう。

【０００７】この発明は、上述した事情に鑑みなされた
ものであり、絶縁基材側が傷つくのを回避しつつ、設計
寸法通りにペースト充填を行い、なおかつ、表面を確実
に平坦化し多層化に対応できるプリント配線基板および
プリント配線基板の製造方法を提供することをその目的
としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、絶縁基材に形成されたスルーホール用貫通孔内に導
電性ペーストが充填され、その表面が平滑化されたプリ
ント配線基板において、絶縁基材の表面における導電性
ペーストの無い領域に保護膜が配置され、この保護膜が
導電性ペーストの平滑面と面一となり、導電性ペースト
の研摩の際に絶縁基材を保護するものとしたことを特徴
としている。

【０００９】つまり、導電性ペーストの研摩の際におい
て、絶縁基材が保護膜によって保護される。よって、本
発明によれば、保護膜の存在により、絶縁基材が傷つく
ことはなく、寸法精度よくスルーホール用貫通孔内に充
填できる。また、図１９の方法では、図２２のように平
坦化のために絶縁膜７０を配置することにより工程の増
加を招いてしまうが、本発明によれば、工程数の増加を
招くことなく平坦化できる。

【００１０】そして、このように平坦化された絶縁基材
を母材として、その表面が多層化されていく。このと
き、前述の図２０の方法においては、図２３，２４のよ
うに導電性ペースト６４には窪み８０ができやすく接続
不良を招くことも考えられるが、本発明によれば、保護
膜の一部を除去しているので導電性ペースト６４の窪み
８０よりも深く研摩でき、窪みの無い導電性ペーストに
でき電気的接続を確実にとることができる。

【００１１】このように、絶縁基材側が傷つくのを回避
しつつ、表面を確実に平坦化でき多層化に対応できる。
更に、スルーホールを通した放熱性も向上する。請求項
２に記載のプリント配線基板の製造方法によれば、第１
工程により表面に導体の無い絶縁基材における表面に保
護膜が形成され、第２工程により絶縁基材にスルーホー
ル用貫通孔が形成され、第３工程により絶縁基材のスル
ーホール用貫通孔の中に導電性ペーストが充填され、第
４工程により絶縁基材の表面側から保護膜の研摩を行い
導電性ペーストを含めた絶縁基材の最表面側が平坦化さ
れる。このとき、絶縁基材が保護膜によって保護され
る。そして、第５工程により、絶縁基材の表面に、スル
ーホール用貫通孔の中の導電性ペーストへの配線パター
ンが形成される。

【００１２】よって、本発明によれば、保護膜の存在に
より、絶縁基材が傷つくことはない。また、図１９の方
法では、図２２のように絶縁膜７０を配置することによ
り平坦化すると、工程の増加を招いてしまうが、本発明
によれば、工程数の増加を招くことなく平坦化できる。

【００１３】さらに、図２０の方法においては、図２
３，２４のように導電性ペースト６４には窪み８０がで
きやすく接続不良を招くことも考えられるが、本発明に
よれば、保護膜の一部を除去しているので導電性ペース
ト６４の窪み８０よりも深く研摩でき、窪みの無い導電
性ペーストにでき電気的接続を確実にとることができ、
更に、スルーホールを通した放熱性も向上する。

【００１４】ここで、請求項３に記載の発明のように、
保護膜として層間絶縁膜を用いると、熱的性質が同じも
のを積層することにより、熱膨張率が揃い熱による応力
等の悪影響を受けにくく信頼性に優れたものとなり、工
程設計も容易となる。

【００１５】また、請求項４に記載の発明のように、前
記第５工程をアディティブ法にて配線を行うと微細なる
配線を行うことができる。つまり、図１９，２０に示し
た従来方法では第１配線がサブトラクティブ法であるた
め、Ｌ（ライン）／Ｓ（スペース）の小さな（例えば７
０μｍ以下の）配線パターンを形成することが困難であ
るが、本発明においては貫通孔内の導電性ペーストと保
護膜とで基材表面が平坦化され、その上に形成する第１
配線をアディティブ法にて形成することができ微細なる
配線を行うことができ、層数の低減が可能となる。

【００１６】請求項５に記載のように、前記保護膜は剥
離可能なものを用い、前記第４工程において絶縁基材の
最表面側を平坦化した後、前記保護膜を除去するようし
てもよい。

【００１７】

【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）以下、この
発明を具体化した実施の形態を図面に従って説明する。

【００１８】図１には、本実施の形態におけるプリント
配線基板の断面図を示す。絶縁基材としてのガラス・エ
ポシキ基板１にはスルーホール用貫通孔２ａ，２ｂが形
成されている。このスルーホール用貫通孔２ａ，２ｂの
径は０．３ｍｍ程度である。スルーホール用貫通孔２
ａ，２ｂ内に導電性ペースト３ａ，３ｂが充填され、導
電性ペースト３ａ，３ｂの上・下の表面が平滑化されて
いる。導電性ペースト３ａ，３ｂは、フィラーとしては
Ｃｕ、Ａｇ、Ｓｎ、あるいは、その混合物等、特に限定
されない。バインダーとしても特に限定しないが、例え
ばエポキシ系樹脂を用いている。

【００１９】ガラス・エポシキ基板１の上面における導
電性ペースト３ａ，３ｂの無い領域には保護膜４が配置
され、保護膜４の上面と導電性ペースト３ａ，３ｂの平
滑面とが面一となっている。同様に、ガラス・エポシキ
基板１の下面における導電性ペースト３ａ，３ｂの無い
領域には保護膜５が配置され、保護膜５の表面と導電性
ペースト３ａ，３ｂの平滑面とが面一となっている。

【００２０】ここで、保護膜４，５には層間絶縁膜を用
いている。ガラス・エポシキ基板１の上面側（導電性ペ
ースト３ａ，３ｂおよび保護膜４の表面）には層間絶縁
膜６が形成されるとともに、所定領域にフォトバイアホ
ール７ａ，７ｂが形成されている。層間絶縁膜６の上に
は導体パターン（銅メッキ層）８が形成され、この導体
パターン８により導電性ペースト３ａ，３ｂと電気的に
接続されている。また、導体パターン８は層間絶縁膜９
にて分離されている。さらに、その上には層間絶縁膜１
０が形成されるとともに、所定領域にフォトバイアホー
ル１１ａ，１１ｂが形成されている。層間絶縁膜１０の
上には導体パターン（銅メッキ層）１２が形成され、こ
の導体パターン１２により導体パターン８と電気的に接
続されている。

【００２１】同様に、ガラス・エポシキ基板１の下面側
（導電性ペースト３ａ，３ｂおよび保護膜５の表面）に
は層間絶縁膜１４が形成されるとともに、所定領域にフ
ォトバイアホール１５ａ，１５ｂが形成されている。層
間絶縁膜１４の表面には導体パターン（銅メッキ層）１
６が形成され、この導体パターン１６により導電性ペー
スト３ａ，３ｂと電気的に接続されている。また、導体
パターン１６は層間絶縁膜１７にて分離されている。さ
らにその表面には層間絶縁膜１８が形成されるととも
に、所定領域にフォトバイアホール１９ａ，１９ｂが形
成されている。層間絶縁膜１８の表面には導体パターン
（銅メッキ層）２０が形成され、この導体パターン２０
により導体パターン１６と電気的に接続されている。

【００２２】このように、導電性ペースト３ａ，３ｂお
よび保護膜４，５を用いて表面が平坦化されたガラス・
エポキシ基板１に第１配線（８，１６）が形成されると
ともに第２配線（１２，２０）が形成され、多層化され
ている。

【００２３】次に、このように構成したプリント配線基
板の製造方法について説明する。まず、図２に示すよう
に、銅張り積層板を用意する。つまり、ガラス・エポキ
シ基板１の上面と下面に銅箔２１，２２を全面に施した
基板を用意する。そして、図３に示すように、エッチン
グにより表面の銅箔２１，２２を除去する。

【００２４】引き続き、図４に示すように、ガラス・エ
ポキシ基板１における上下の表面に保護膜４，５を形成
する。前述の銅張り積層板を利用するのは、絶縁基板上
のアンカーを利用し、保護膜との密着を図るためであ
り、この保護膜４，５の厚さは、今回、樹脂収縮等を考
慮し、４０μｍ程度塗布し、実施した。

【００２５】さらに、図５に示すように、ガラス・エポ
キシ基板１に穴あけを行いスルーホール用貫通孔２ａ，
２ｂを形成する。そして、図６に示すように、ガラス・
エポキシ基板１のスルーホール用貫通孔２ａ，２ｂの中
に導電性ペースト３ａ，３ｂを充填する。充填後におい
て導電性ペースト３ａ，３ｂはスルーホール用貫通孔２
ａ，２ｂの開口面（端面）から突出させるように完全充
填を行う。

【００２６】その後、図７に示すように、ガラス・エポ
キシ基板１の表面側から保護膜４，５の一部領域に至る
研摩を行い導電性ペースト３ａ，３ｂを含めたガラス・
エポキシ基板１の最表面側を平坦化する。この研摩工程
により、保護膜４，５の厚さが、例えば１０μｍ程度に
なる。この表面研摩工程において、保護膜４，５が研摩
されるだけでありガラス・エポキシ基板１が傷つくこと
はない。よって、基板の表面の平坦化のためにガラス・
エポキシ基板１に達する研摩を行った場合にはガラス繊
維層と樹脂層の積層体からなるガラス・エポキシ基板に
おいてガラス繊維層が露出し信頼性の低下を招いてしま
うが、本実施形態においては保護膜４，５の存在により
このような不具合を未然に防止することができる。

【００２７】そして、このように形成した基板１に対
し、例えば、図１に示すように上下面に絶縁層と配線層
とを積層してビルドアップ工法により多層化する。即
ち、ガラス・エポシキ基板１の上・下面側（導電性ペー
スト３ａ，３ｂおよび保護膜４，５の表面）に層間絶縁
膜６，１４を形成し、所定領域にフォトバイアホール７
ａ，７ｂ，１５ａ，１５ｂ（１００μｍ以下）を形成す
る。その後、層間絶縁膜６，１４の表面に導体パターン
（第１配線）８，１６を形成し、導体パターン８，１６
により導電性ペースト３ａ，３ｂと電気的に接続する。
さらに、層間絶縁膜１０，１８を形成し、所定領域にフ
ォトバイアホール１１ａ，１１ｂ，１９ａ，１９ｂを形
成する。その後、層間絶縁膜１０，１８の表面に導体パ
ターン（第２配線）１２，２０を形成し、導体パターン
１２，２０により導体パターン８，１６と電気的に接続
する。

【００２８】このように、ガラス・エポシキ基板１の表
面に、スルーホール用貫通孔２ａ，２ｂの中の導電性ペ
ースト３ａ，３ｂへの配線パターン８，１２，１６，２
０を形成する。

【００２９】また、７ａ，７ｂのバイアホールは、図８
のようにペースト接続や、図９のめっき柱でも可能であ
る。ここで、基板の表面は平坦であり、第１配線パター
ン８以降をアディティブ法により形成でき、微細化配線
の形成が可能となる。例えば、Ｌ（ライン）／Ｓ（ペー
ス）を７０μｍ以下にすることができ、高密度配線が可
能となる。

【００３０】このように、本実施の形態は、下記の特徴
を有する。 （イ）プリント配線基板の構造として、図７に示すよう
に、ガラス・エポシキ基板１に形成されたスルーホール
用貫通孔２ａ，２ｂ内に導電性ペースト３ａ，３ｂが充
填され、その表面が平滑化されたプリント配線基板にお
いて、ガラス・エポシキ基板１の表面における導電性ペ
ースト３ａ，３ｂの無い領域に保護膜４，５を配置し、
保護膜４，５が導電性ペースト３ａ，３ｂの平滑面と面
一となり、導電性ペースト３ａ，３ｂの研摩の際にガラ
ス・エポシキ基板１を保護するようにした。よって、こ
のように平坦化された絶縁基材を母材として、その表面
に多層化することができる。 （ロ）製造工程として、図４のように、表面に導体の無
いガラス・エポシキ基板１における表面に保護膜４，５
を形成し（第１工程）、図５のように、ガラス・エポシ
キ基板１にスルーホール用貫通孔２ａ，２ｂを形成し
（第２工程）、図６のように、ガラス・エポシキ基板１
のスルーホール用貫通孔２ａ，２ｂの中に導電性ペース
ト３ａ，３ｂを充填し（第３工程）、図７のように、ガ
ラス・エポシキ基板１の表面側から保護膜４，５の一部
領域に至る研摩を行い導電性ペースト３ａ，３ｂを含め
たガラス・エポシキ基板１の最表面側を平坦化した（第
４工程）。このとき、ガラス・エポシキ基板１が保護膜
４，５によって保護される。そして、図１に示すよう
に、ガラス・エポシキ基板１の表面に、スルーホール用
貫通孔２ａ，２ｂの中の導電性ペースト３ａ，３ｂへの
配線パターン８，１２，１６，２０を形成した（第５工
程）。

【００３１】よって、本実施形態においては、保護膜
４，５により、ガラス・エポシキ基板１が傷つくことは
ない。また、図１９の方法では、表面凹凸が発生し、多
層化困難であり、これを解決するために、図２２のよう
に絶縁膜７０を配置することにより平坦化すると、工程
の増加を招いてしまうが、本実施形態においては、工程
数の増加を招くことなく平坦化できる。

【００３２】さらに、図２０の方法においては、図２
３，２４のように導電性ペースト６４には窪み８０がで
きやすく表面に銅パターンがあるために銅パターン以下
の窪みの除去が困難となり、この窪みが接続不良を招く
ことも考えられたが、本実施形態においては、保護膜
４，５の一部を除去しているので導電性ペースト６４の
窪み８０よりも深く研摩でき、窪みの無い導電性ペース
ト３ａ，３ｂにでき電気的接続を確実にとることができ
る。

【００３３】このように、ガラス・エポシキ基板１側を
傷つけたり信頼性が低下するのを回避しつつ、表面を確
実に平坦化でき多層化に対応できるものとすることがで
きる。 （ハ）保護膜４，５として層間絶縁膜を用いたので、熱
的性質が同じものを積層することにより、熱膨張率が揃
い熱による応力等の悪影響を受けにくく信頼性に優れた
ものとなる。 （ニ）基板として、ガラス・エポキシ基板１を用いると
ともに、導電性ペースト３ａ，３ｂとして、エポキシ系
樹脂をバインダーとして含有したものを用いたので、熱
膨張率を近くすることができ、クラック等による不具合
を未然に防止できる。即ち、フェノール系樹脂をバイン
ダーとした導電性ペーストを用いた場合に比べエポキシ
系樹脂をバインダーとした導電性ペーストの方が熱によ
る収縮が小さく、より好ましいものとなる。 （ホ）導電性ペースト３ａ，３ｂの充填により、スルー
ホールを通した放熱を行うことができる。

【００３４】図１０には、本実施形態の応用例を示す。
これは、図７まで加工した基板１に対しその上面に導体
パターン２５ａ，２５ｂおよびレジスト２６が配置さ
れ、導体パターン２５ａは導電性ペースト３ａと導通
し、導体パターン２５ｂは導電性ペースト３ｂと導通し
ている。さらにその上には導電性ペースト２９ａ，２９
ｂ，３６ａ，３６ｂを形成し、絶縁膜２７を形成し、研
摩を行い平坦化させる。導電性ペースト２９ａは導体パ
ターン２５ａと導通し、導電性ペースト２９ｂは導体パ
ターン２５ｂと導通している。その上面に導体パターン
３０ａ，３０ｂおよびレジスト３１が配置され、導体パ
ターン３０ａは導電性ペースト２９ａと導通し、導体パ
ターン３０ｂは導電性ペースト２９ｂと導通している。
また、この導電性ペースト２９ａ，２９ｂ，３６ａ，３
６ｂはめっき柱でもよい。同様に、基板１に対しその下
面に導体パターン３２ａ，３２ｂおよびレジスト３３が
配置され、さらにその表面には絶縁膜３４が形成され、
ホール３５ａ，３５ｂ内には導電性ペースト３６ａ，３
６ｂが充填されている。その表面には導体パターン３７
ａ，３７ｂおよびレジスト３８が配置されている。

【００３５】このようにすると下記の効果がある。保護
膜４，５の形成→穴あけ→ペースト充填→研摩→第１配
線→絶縁層形成→第２配線→・・・という工程で多層化
していくので、アディティブ法にて配線でき、微細なる
配線を行うことができる。つまり、図１９，２０に示し
た従来方法では第１配線がサブトラクティブ法であるた
め、スルーホールめっきやＬ（ライン）／Ｓ（スペー
ス）の小さな（例えば７０μｍ以下の）配線パターンを
形成することができなかったが、本例においては貫通孔
２ａ，２ｂ内の導電性ペースト３ａ，３ｂと保護膜４，
５とで基板表面が平坦化され、その上に形成する第１配
線２５ａ，２５ｂ，３２ａ，３２ｂをアディティブ法に
て形成することができ微細なる配線を行うことができ
る。 （第２の実施の形態）次に、第２の実施の形態を、第１
の実施の形態との相違点を中心に説明する。

【００３６】図１１には、本実施の形態におけるプリン
ト配線基板の断面図を示す。絶縁基材としてのガラス・
エポシキ基板１にはスルーホール用貫通孔２ａ，２ｂが
形成されている。スルーホール用貫通孔２ａ，２ｂ内に
導電性ペースト３ａ，３ｂが充填され、導電性ペースト
３ａ，３ｂの上・下の表面が平滑化されている。この平
滑面はガラス・エポシキ基板１の表面より僅かに突出し
ている。ガラス・エポシキ基板１の上面側には層間絶縁
膜６が形成されるとともに、所定領域にフォトバイアホ
ール７ａ，７ｂが形成されている。層間絶縁膜６の上に
は導体パターン８が形成され、この導体パターン８によ
り導電性ペースト３ａ，３ｂと電気的に接続されてい
る。また、導体パターン８は層間絶縁膜９にて分離され
ている。さらに、その上には層間絶縁膜１０が形成され
るとともに、所定領域にフォトバイアホール１１ａ，１
１ｂが形成されている。層間絶縁膜１０の上には導体パ
ターン１２が形成され、この導体パターン１２により導
体パターン８と電気的に接続されている。

【００３７】同様に、ガラス・エポシキ基板１の下面側
には層間絶縁膜１４が形成されるとともに、所定領域に
フォトバイアホール１５ａ，１５ｂが形成されている。
層間絶縁膜１４の表面には導体パターン１６が形成さ
れ、この導体パターン１６により導電性ペースト３ａ，
３ｂと電気的に接続されている。また、導体パターン１
６は層間絶縁膜１７にて分離されている。その表面には
層間絶縁膜１８が形成されるとともに、所定領域にフォ
トバイアホール１９ａ，１９ｂが形成されている。層間
絶縁膜１８の表面には導体パターン２０が形成され、こ
の導体パターン２０により導体パターン１６と電気的に
接続されている。

【００３８】次に、このように構成したプリント配線基
板の製造方法について説明する。まず、図１２に示すよ
うに、銅張り積層板を用意する。つまり、ガラス・エポ
キシ基板１の上面と下面に銅箔２１，２２を全面に施し
た基板を用意する。そして、図１３に示すように、エッ
チングにより表面の銅箔２１，２２を除去する。

【００３９】引き続き、図１４に示すように、ガラス・
エポキシ基板１における上下の表面に剥離可能な保護膜
４０，４１を形成（塗布）する。さらに、図１５に示す
ように、ガラス・エポキシ基板１に対し穴あけを行いス
ルーホール用貫通孔２ａ，２ｂを形成する。そして、図
１６に示すように、ガラス・エポキシ基板１のスルーホ
ール用貫通孔２ａ，２ｂの中に導電性ペースト３ａ，３
ｂを充填する。

【００４０】その後、図１７に示すように、ガラス・エ
ポキシ基板１の表面側から保護膜４０，４１の一部領域
に至る研摩を行い導電性ペースト３ａ，３ｂを含めたガ
ラス・エポキシ基板１の最表面側を平坦化する。この研
摩工程において、保護膜４０，４１は極力薄くなるよう
に研摩量を調整する。

【００４１】そして、図１８に示すように、剥離液等に
より保護膜４０，４１を除去する。このとき、保護膜４
０，４１は極めて薄くなっており、基板の表面形状とし
てスルーホール用貫通孔２ａ，２ｂとそれ以外の箇所に
おいて段差はほとんど形成されない。

【００４２】なお、剥離可能な保護膜４０，４１の一例
を挙げると、例えば、アルカリ剥離型ドライフィルムを
用いることができる。さらに、図１１に示すように、ガ
ラス・エポシキ基板１の上・下面側に層間絶縁膜６，１
４を形成し、所定領域にフォトバイアホール７ａ，７
ｂ，１５ａ，１５ｂを形成する。その後、層間絶縁膜
６，１４の表面に導体パターン８，１６を形成し、ま
た、層間絶縁膜９，１７にて分離する。さらに、層間絶
縁膜１０，１８を形成し、所定領域にフォトバイアホー
ル１１ａ，１１ｂ，１９ａ，１９ｂを形成する。その
後、層間絶縁膜１０，１８の表面に導体パターン１２，
２０を形成する。

【００４３】このように本実施形態は、下記の特徴を有
する。 （イ）図１４の保護膜４０，４１は剥離可能なものを用
い、図１７のようにガラス・エポキシ基板１の最表面側
を平坦化した後、図１８のように保護膜４０，４１を除
去する。そして、これを母材として、図１に示すよう
に、多層化しても、絶縁基材側が傷つくのを回避しつつ
表面を確実に平坦化でき多層化に対応できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 第１の実施の形態におけるプリント配線基板
の断面図。

【図２】 第１の実施の形態におけるプリント配線基板
の製造工程を説明するための断面図。

【図３】 同じくプリント配線基板の製造工程を説明す
るための断面図。

【図４】 同じくプリント配線基板の製造工程を説明す
るための断面図。

【図５】 同じくプリント配線基板の製造工程を説明す
るための断面図。

【図６】 同じくプリント配線基板の製造工程を説明す
るための断面図。

【図７】 同じくプリント配線基板の製造工程を説明す
るための断面図。

【図８】 プリント配線基板の断面図。

【図９】 プリント配線基板の断面図。

【図１０】 第１の実施の形態の応用例のプリント配線
基板の断面図。

【図１１】 第２の実施の形態におけるプリント配線基
板の断面図。

【図１２】 第２の実施の形態におけるプリント配線基
板の製造工程を説明するための断面図。

【図１３】 同じくプリント配線基板の製造工程を説明
するための断面図。

【図１４】 同じくプリント配線基板の製造工程を説明
するための断面図。

【図１５】 同じくプリント配線基板の製造工程を説明
するための断面図。

【図１６】 同じくプリント配線基板の製造工程を説明
するための断面図。

【図１７】 同じくプリント配線基板の製造工程を説明
するための断面図。

【図１８】 同じくプリント配線基板の製造工程を説明
するための断面図。

【図１９】 従来のプリント配線基板の製造工程を説明
するための断面図。

【図２０】 従来のプリント配線基板の製造工程を説明
するための断面図。

【図２１】 従来のプリント配線基板を説明するための
断面図。

【図２２】 従来のプリント配線基板を説明するための
断面図。

【図２３】 従来のプリント配線基板を説明するための
断面図。

【図２４】 従来のプリント配線基板を説明するための
断面図。

【符号の説明】

１…絶縁基材としてのガラス・エポキシ基板、２ａ，２
ｂ…スルーホール用貫通孔、３ａ，３ｂ…導電性ペース
ト、４…保護膜、５…保護膜、４０…保護膜、４１…保
護膜

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基材と、 前記絶縁基材に形成されたスルーホール用貫通孔と、 前記スルーホール用貫通孔内に充填され、表面が平滑化
   された導電性ペーストと、 前記絶縁基材の表面における前記導電性ペーストの無い
   領域に配置され、かつ、導電性ペーストの平滑面と面一
   となり、前記導電性ペーストの研摩の際に絶縁基材を保
   護する保護膜とを備えたことを特徴とするプリント配線
   基板。
2. 【請求項２】 表面に導体の無い絶縁基材における表面
   に保護膜を形成する第１工程と、 前記絶縁基材にスルーホール用貫通孔を形成する第２工
   程と、 前記絶縁基材のスルーホール用貫通孔の中に導電性ペー
   ストを充填する第３工程と、 前記絶縁基材の表面側から前記保護膜の研摩を行い前記
   導電性ペーストを含めた絶縁基材の最表面側を平坦化す
   る第４工程と、 前記絶縁基材の表面に、前記スルーホール用貫通孔の中
   の前記導電性ペーストへの配線パターンを形成する第５
   工程とを備えたことを特徴とするプリント配線基板の製
   造方法。
3. 【請求項３】 前記保護膜は層間絶縁膜を用いたことを
   特徴とする請求項２に記載のプリント配線基板の製造方
   法。
4. 【請求項４】 前記第５工程はアディティブ法にて配線
   を行うことを特徴とする請求項２に記載のプリント配線
   基板の製造方法。
5. 【請求項５】 前記保護膜は剥離可能なものを用い、前
   記第４工程において絶縁基材の最表面側を平坦化した
   後、前記保護膜を除去するようにしたことを特徴とする
   請求項２に記載のプリント配線基板の製造方法。