JPH11214927A - 高周波モジュール - Google Patents
高周波モジュールInfo
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- JPH11214927A JPH11214927A JP10017006A JP1700698A JPH11214927A JP H11214927 A JPH11214927 A JP H11214927A JP 10017006 A JP10017006 A JP 10017006A JP 1700698 A JP1700698 A JP 1700698A JP H11214927 A JPH11214927 A JP H11214927A
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 7
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/10—Dielectric resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1864—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator
- H03B5/187—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1876—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電体共振器部分と結合する線路のインピー
ダンス不整合に起因する不要な共振を低減し、また、発
振周波数を変化させるための副線路の特性インピーダン
スの位置依存に起因する周波数変調の直線性低下の問題
を解消する。 【解決手段】 誘電体板の両主面に互いに対向する電極
開口部を設けて、その開口部を誘電体共振器部とし、誘
電体板に積層する基板上に上記誘電体共振器部に結合す
る線路を設けることによって誘電体共振器を備えた高周
波モジュールを構成するとともに、線路を電極開口部の
内側で且つその開口部の端縁部にほぼ沿った位置に配置
する。
ダンス不整合に起因する不要な共振を低減し、また、発
振周波数を変化させるための副線路の特性インピーダン
スの位置依存に起因する周波数変調の直線性低下の問題
を解消する。 【解決手段】 誘電体板の両主面に互いに対向する電極
開口部を設けて、その開口部を誘電体共振器部とし、誘
電体板に積層する基板上に上記誘電体共振器部に結合す
る線路を設けることによって誘電体共振器を備えた高周
波モジュールを構成するとともに、線路を電極開口部の
内側で且つその開口部の端縁部にほぼ沿った位置に配置
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、マイクロ波帯や
ミリ波帯で使用される共振器、フィルタ、発振器などの
高周波モジュールに関する。
ミリ波帯で使用される共振器、フィルタ、発振器などの
高周波モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の移動体通信システムの需要の拡大
および伝送情報量の拡大に伴って、通信帯域がミリ波帯
へも拡大されつつある。このような高周波帯域において
ＴＥ０１δモードの誘電体共振器を用いて誘電体フィル
タや電圧制御発振器（以下ＶＣＯと言う。）を構成する
場合、一般的なＴＥ０１δモードの誘電体共振器の共振
周波数は円柱形状の誘電体の外形寸法で決定され、また
マイクロストリップ線路などとの結合は相互間の距離に
よって決定されるため、高い寸法精度および位置決め精
度が要求される。
および伝送情報量の拡大に伴って、通信帯域がミリ波帯
へも拡大されつつある。このような高周波帯域において
ＴＥ０１δモードの誘電体共振器を用いて誘電体フィル
タや電圧制御発振器（以下ＶＣＯと言う。）を構成する
場合、一般的なＴＥ０１δモードの誘電体共振器の共振
周波数は円柱形状の誘電体の外形寸法で決定され、また
マイクロストリップ線路などとの結合は相互間の距離に
よって決定されるため、高い寸法精度および位置決め精
度が要求される。
【０００３】そこで、本願出願人は特願平７−６２６２
５号（特開平８−２６５０１５号）でこれらの問題を解
消した加工精度に優れた誘電体共振器および誘電体フィ
ルタを提案している。
５号（特開平８−２６５０１５号）でこれらの問題を解
消した加工精度に優れた誘電体共振器および誘電体フィ
ルタを提案している。
【０００４】上記出願に係る誘電体共振器および誘電体
フィルタは誘電体板の両主面に電極を形成することによ
って、誘電体板の一部を誘電体共振器として用いるもの
である。このような誘電体共振器は、その誘電体板に形
成されている電極をアース電極として用いることができ
るので、他の誘電体シートなどにマイクロストリップ線
路を構成して上記誘電体板に積層することによって、誘
電体共振器と電子部品とを含むＶＣＯなどの高周波モジ
ュールを構成することができる。
フィルタは誘電体板の両主面に電極を形成することによ
って、誘電体板の一部を誘電体共振器として用いるもの
である。このような誘電体共振器は、その誘電体板に形
成されている電極をアース電極として用いることができ
るので、他の誘電体シートなどにマイクロストリップ線
路を構成して上記誘電体板に積層することによって、誘
電体共振器と電子部品とを含むＶＣＯなどの高周波モジ
ュールを構成することができる。
【０００５】また、誘電体板の一部を誘電体共振器とし
て用い、線路を形成したシートを誘電体板に重ねて、誘
電体共振器と線路とを結合させた誘電体共振器装置およ
び高周波モジュールを特願平８−２９４０８７号で提案
している。
て用い、線路を形成したシートを誘電体板に重ねて、誘
電体共振器と線路とを結合させた誘電体共振器装置およ
び高周波モジュールを特願平８−２９４０８７号で提案
している。
【０００６】その構成例を斜視図として図５に示す。同
図において１は誘電体板であり、その両主面に、一部
（開口部４）を除いて電極２，３を形成することによっ
て、ＴＥ０１０モードの誘電体共振器部を構成してい
る。６は誘電体または絶縁体のシート状の基板であり、
その表面に線路１１，１２を形成している。この基板６
を誘電体板１に積層した状態で、線路１１，１２が上記
誘電体共振器部と磁界結合する。
図において１は誘電体板であり、その両主面に、一部
（開口部４）を除いて電極２，３を形成することによっ
て、ＴＥ０１０モードの誘電体共振器部を構成してい
る。６は誘電体または絶縁体のシート状の基板であり、
その表面に線路１１，１２を形成している。この基板６
を誘電体板１に積層した状態で、線路１１，１２が上記
誘電体共振器部と磁界結合する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このようなＴＥ０１０
モードの誘電体共振器を用いた構成においては、電磁界
は図６に示すように、電極開口部４，５部分に閉じ込め
られ、不要結合が発生し難いという特徴を備えている。
また、電磁界エネルギーが集中しているため、結合用線
路との間で強い結合が得られ、周波数変調幅の大きな発
振器が容易に実現できるという特徴を備えている。
モードの誘電体共振器を用いた構成においては、電磁界
は図６に示すように、電極開口部４，５部分に閉じ込め
られ、不要結合が発生し難いという特徴を備えている。
また、電磁界エネルギーが集中しているため、結合用線
路との間で強い結合が得られ、周波数変調幅の大きな発
振器が容易に実現できるという特徴を備えている。
【０００８】ところが図５に示したような構造の高周波
モジュールにおいては、電極の開口部における線路１
１，１２のインピーダンスがその他の領域における線路
のインピーダンスに比べて対して高くなるため、種々の
問題が生じる。すなわち第１の問題は、電極の開口部で
はグランド電極としての電極が存在しないため線路の特
性インピーダンスが高くなり、電極の開口部とそうでな
いところとで、インピーダンス不整合による反射部が生
じることである。その結果、たとえばこの反射部と負性
抵抗回路間の電気長に起因する共振が生じる。このこと
はＴＥ０１δモードの誘電体共振器では発生しない、Ｔ
Ｅ０１０モードの誘電体共振器特有の問題である。
モジュールにおいては、電極の開口部における線路１
１，１２のインピーダンスがその他の領域における線路
のインピーダンスに比べて対して高くなるため、種々の
問題が生じる。すなわち第１の問題は、電極の開口部で
はグランド電極としての電極が存在しないため線路の特
性インピーダンスが高くなり、電極の開口部とそうでな
いところとで、インピーダンス不整合による反射部が生
じることである。その結果、たとえばこの反射部と負性
抵抗回路間の電気長に起因する共振が生じる。このこと
はＴＥ０１δモードの誘電体共振器では発生しない、Ｔ
Ｅ０１０モードの誘電体共振器特有の問題である。
【０００９】また、線路のインピーダンスは図７に示す
ように、電極開口部４（誘電体共振器部分）の内側にな
る程高くなる。しかし図５に示した例では、円形の電極
開口部に対して直線状の線路を所定の位置関係に設けて
いるため、線路のインピーダンスは線路上の位置によっ
て一定せず、インピーダンス不整合が生じる。そのため
誘電体共振器の共振周波数とは関係のない不要な共振が
生じる。上記の原因により生じる共振の特性例を図８に
示す。同図においてｒ方向は共振により生じた反射の大
きさ、θ方向は反射位相を表す。このように本来の誘電
体共振器としての特性以外に、結合線路による共振が生
じる。したがって、この誘電体共振器を用いて発振器を
構成した場合、誘電体共振器部分の共振に基づく発振信
号のほかに、上記不要な共振に起因する不要な発振（寄
生発振）が生じるおそれがあった。
ように、電極開口部４（誘電体共振器部分）の内側にな
る程高くなる。しかし図５に示した例では、円形の電極
開口部に対して直線状の線路を所定の位置関係に設けて
いるため、線路のインピーダンスは線路上の位置によっ
て一定せず、インピーダンス不整合が生じる。そのため
誘電体共振器の共振周波数とは関係のない不要な共振が
生じる。上記の原因により生じる共振の特性例を図８に
示す。同図においてｒ方向は共振により生じた反射の大
きさ、θ方向は反射位相を表す。このように本来の誘電
体共振器としての特性以外に、結合線路による共振が生
じる。したがって、この誘電体共振器を用いて発振器を
構成した場合、誘電体共振器部分の共振に基づく発振信
号のほかに、上記不要な共振に起因する不要な発振（寄
生発振）が生じるおそれがあった。
【００１０】この発明の目的は、誘電体共振器部分と結
合する線路に起因する不要な共振を低減して上述の問題
を解消した高周波モジュールを提供することにある。
合する線路に起因する不要な共振を低減して上述の問題
を解消した高周波モジュールを提供することにある。
【００１１】さらに、もう１つの問題は、たとえば電圧
可変発振器（以下ＶＣＯという。）を構成する場合に用
いる副線路の特性インピーダンスの位置依存の問題であ
る。すなわち、副線路に特性インピーダンスの位置依存
があると、発振周波数が変化することによって、副線路
全体の特性インピーダンスが変化し、良好な周波数変調
の直線性が得られない、という問題が生じる。
可変発振器（以下ＶＣＯという。）を構成する場合に用
いる副線路の特性インピーダンスの位置依存の問題であ
る。すなわち、副線路に特性インピーダンスの位置依存
があると、発振周波数が変化することによって、副線路
全体の特性インピーダンスが変化し、良好な周波数変調
の直線性が得られない、という問題が生じる。
【００１２】この発明の他の目的は、この問題を解消し
て、周波数変調の直線性を高めた高周波モジュールを提
供することにある。
て、周波数変調の直線性を高めた高周波モジュールを提
供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明は、上述の不要
な共振が、線路のインピーダンス不整合により生じるこ
とを見出し、そのインピーダンス不整合を小さくして、
上述の不要な共振を抑制するものである。
な共振が、線路のインピーダンス不整合により生じるこ
とを見出し、そのインピーダンス不整合を小さくして、
上述の不要な共振を抑制するものである。
【００１４】グランド電極が対向している領域の線路の
特性インピーダンスをＺｏとし、グランド電極が対向し
ていない領域すなわち電極の開口部における線路の特性
インピーダンスをＺ１とすると、線路の一方を抵抗終端
した場合、誘電体共振器部分と結合する点（以下「共振
点」という。）における反射係数の大きさは、（Ｚ１2
−Ｚｏ2 ）／（Ｚ１2 ＋Ｚｏ2 ）で表される。すなわち
Ｚ１はＺｏに比べて大きくなるほど反射が大きくなる。
特性インピーダンスをＺｏとし、グランド電極が対向し
ていない領域すなわち電極の開口部における線路の特性
インピーダンスをＺ１とすると、線路の一方を抵抗終端
した場合、誘電体共振器部分と結合する点（以下「共振
点」という。）における反射係数の大きさは、（Ｚ１2
−Ｚｏ2 ）／（Ｚ１2 ＋Ｚｏ2 ）で表される。すなわち
Ｚ１はＺｏに比べて大きくなるほど反射が大きくなる。
【００１５】一方、線路の容量成分は、主に電極開口部
の端縁部と線路との対向部分に発生する。したがって、
電極開口部の端縁部と線路との距離を短くすることによ
り、線路の容量成分を増し、特性インピーダンスの上昇
を抑える。
の端縁部と線路との対向部分に発生する。したがって、
電極開口部の端縁部と線路との距離を短くすることによ
り、線路の容量成分を増し、特性インピーダンスの上昇
を抑える。
【００１６】さらに、もう１つの問題である周波数変調
の直線性に対しては、副線路の特性インピーダンスの位
置依存性を小さくすることによって解消する。
の直線性に対しては、副線路の特性インピーダンスの位
置依存性を小さくすることによって解消する。
【００１７】この発明は、請求項１に記載のとおり、誘
電体板の両主面に、互いに対向する開口部を有する電極
を形成し、前記開口部を誘電体共振器部とし、該誘電体
共振器部に結合する線路を形成した基板を前記誘電体板
に重ねるとともに、前記基板および前記誘電体板を導電
体ケース内に設けて成る高周波モジュールにおいて、前
記誘電体共振器部に結合する線路を、前記開口部の内側
で且つ当該開口部の端縁部にほぼ沿った位置に配する。
電体板の両主面に、互いに対向する開口部を有する電極
を形成し、前記開口部を誘電体共振器部とし、該誘電体
共振器部に結合する線路を形成した基板を前記誘電体板
に重ねるとともに、前記基板および前記誘電体板を導電
体ケース内に設けて成る高周波モジュールにおいて、前
記誘電体共振器部に結合する線路を、前記開口部の内側
で且つ当該開口部の端縁部にほぼ沿った位置に配する。
【００１８】このことにより、電極開口部における線路
のインピーダンスの増大が抑えられ、上述した反射によ
る問題が解消される。請求項２に記載のとおり、前記線
路の一端を抵抗終端するとともに、他端に負性抵抗回路
を接続して発振器を構成すれば、寄生発振が抑制され
る。
のインピーダンスの増大が抑えられ、上述した反射によ
る問題が解消される。請求項２に記載のとおり、前記線
路の一端を抵抗終端するとともに、他端に負性抵抗回路
を接続して発振器を構成すれば、寄生発振が抑制され
る。
【００１９】また、請求項３に記載のとおり、前記線路
の一端に可変リアクタンス素子を接続し、この線路とは
別の、前記誘電体共振器に結合する他の線路の一端を抵
抗終端し、他端に負性抵抗回路を接続して発振器を構成
すれば、可変リアクタンス素子を接続した線路（副線
路）の特性インピーダンスの位置依存性が小さいため、
周波数変調の直線性が高まる。
の一端に可変リアクタンス素子を接続し、この線路とは
別の、前記誘電体共振器に結合する他の線路の一端を抵
抗終端し、他端に負性抵抗回路を接続して発振器を構成
すれば、可変リアクタンス素子を接続した線路（副線
路）の特性インピーダンスの位置依存性が小さいため、
周波数変調の直線性が高まる。
【００２０】さらに、請求項４に記載のとおり、２つの
線路をともに、電極開口部の内側で且つ当該開口部の端
縁部にほぼ沿った位置に配すれば、寄生発振が抑えら
れ、且つ周波数変調の直線性の高い発振器が得られる。
線路をともに、電極開口部の内側で且つ当該開口部の端
縁部にほぼ沿った位置に配すれば、寄生発振が抑えら
れ、且つ周波数変調の直線性の高い発振器が得られる。
【００２１】
【発明の実施の形態】この発明の第１の実施形態である
ＶＣＯの構成を図１〜図３を参照して説明する。
ＶＣＯの構成を図１〜図３を参照して説明する。
【００２２】図１はＶＣＯの主要部の構成を示す一部破
断斜視図である。同図において１は誘電体板であり、そ
の両主面に、一部を除いて導電体膜を形成することによ
って、ＴＥ０１０モードの誘電体共振器部を構成してい
る。６は誘電体または絶縁体のシート状の基板であり、
その表面に線路１１，１２を形成している。この基板６
を誘電体板１に積層した状態で、線路１１，１２は上記
誘電体共振器部と磁界結合する。
断斜視図である。同図において１は誘電体板であり、そ
の両主面に、一部を除いて導電体膜を形成することによ
って、ＴＥ０１０モードの誘電体共振器部を構成してい
る。６は誘電体または絶縁体のシート状の基板であり、
その表面に線路１１，１２を形成している。この基板６
を誘電体板１に積層した状態で、線路１１，１２は上記
誘電体共振器部と磁界結合する。
【００２３】なお、図１では上部の導電体板を省略し、
下部に導電体ケース７の一部だけを示したが、基板６と
誘電体板１との積層体の少なくとも上下面には、導電体
ケースによる誘電体板を設けている。この上下の導電体
板と上記積層体との間隔は、電極開口部外で誘電体共振
器の共振周波数信号を減衰させるに要する間隔としてい
る。
下部に導電体ケース７の一部だけを示したが、基板６と
誘電体板１との積層体の少なくとも上下面には、導電体
ケースによる誘電体板を設けている。この上下の導電体
板と上記積層体との間隔は、電極開口部外で誘電体共振
器の共振周波数信号を減衰させるに要する間隔としてい
る。
【００２４】図３は上記ＶＣＯの等価回路図である。同
図においてＲは誘電体板に設けた電極開口部部分の誘電
体共振器である。このように主線路１１の一端を抵抗終
端するとともに、他端にＦＥＴ１５を用いた負性抵抗回
路を接続することによって発振器を構成し、誘電体共振
器Ｒに結合する副線路１２に設けたバラクタダイオード
１６のリアクタンスをバイアス電圧によって変化させる
ことによって発振周波数を制御する。
図においてＲは誘電体板に設けた電極開口部部分の誘電
体共振器である。このように主線路１１の一端を抵抗終
端するとともに、他端にＦＥＴ１５を用いた負性抵抗回
路を接続することによって発振器を構成し、誘電体共振
器Ｒに結合する副線路１２に設けたバラクタダイオード
１６のリアクタンスをバイアス電圧によって変化させる
ことによって発振周波数を制御する。
【００２５】図２は誘電体板に基板６を積層した状態で
の平面図である。同図において１１が主線路、１２が副
線路であり、主線路１１の端部と接地電極１４との間に
終端抵抗１３を接続し、他端にＦＥＴ１５を接続してい
る。このＦＥＴ１５は直列帰還用線路１８上に実装して
いる。２１はチップ抵抗、２０，２２はＦＥＴ１５に対
するバイアス回路、１９は出力回路である。副線路１２
の端部には接地電極１７との間に、可変リアクタンス素
子としてのバラクタダイオード１６を接続している。２
３はバラクタダイオード１６に対するバイアス回路であ
る。
の平面図である。同図において１１が主線路、１２が副
線路であり、主線路１１の端部と接地電極１４との間に
終端抵抗１３を接続し、他端にＦＥＴ１５を接続してい
る。このＦＥＴ１５は直列帰還用線路１８上に実装して
いる。２１はチップ抵抗、２０，２２はＦＥＴ１５に対
するバイアス回路、１９は出力回路である。副線路１２
の端部には接地電極１７との間に、可変リアクタンス素
子としてのバラクタダイオード１６を接続している。２
３はバラクタダイオード１６に対するバイアス回路であ
る。
【００２６】この実施形態においては、共振周波数を３
０ＧＨｚ、誘電体板の比誘電率を２４、基板６の比誘電
率を３．４とし、電極開口部の端縁部から０．４ｍｍだ
け内側を副線路１２が通るように、電極開口部に対して
同心円弧状に配置している。また副線路１２はその同心
円弧状の部分からほぼ直角に折れ曲がる位置からほぼ１
／４波長の位置にバラクタダイオード１６を配置してい
る。
０ＧＨｚ、誘電体板の比誘電率を２４、基板６の比誘電
率を３．４とし、電極開口部の端縁部から０．４ｍｍだ
け内側を副線路１２が通るように、電極開口部に対して
同心円弧状に配置している。また副線路１２はその同心
円弧状の部分からほぼ直角に折れ曲がる位置からほぼ１
／４波長の位置にバラクタダイオード１６を配置してい
る。
【００２７】このように副線路１２と電極２との距離が
全体に均等に近づき、副線路１２の特性インピーダンス
の位置依存性が小さくなる。その結果、発振周波数が変
化することによる副線路１２全体のインピーダンス変化
が小さくなり、良好な周波数変調の直線性が得られる。
全体に均等に近づき、副線路１２の特性インピーダンス
の位置依存性が小さくなる。その結果、発振周波数が変
化することによる副線路１２全体のインピーダンス変化
が小さくなり、良好な周波数変調の直線性が得られる。
【００２８】次に第２の実施形態に係る発振器の構成を
図４に示す。図４は誘電体板に基板を積層した状態での
平面図である。第１の実施形態ではＶＣＯとしたが、固
定発振周波数の発振器を構成する場合、図４に示すよう
に副線路およびバラクタダイオードを用いない構成とな
る。この第２の実施形態では、線路１１を、電極開口部
４の内側で且つ開口部の端縁部にほぼ沿った位置を通る
ようにパターンを形成している。
図４に示す。図４は誘電体板に基板を積層した状態での
平面図である。第１の実施形態ではＶＣＯとしたが、固
定発振周波数の発振器を構成する場合、図４に示すよう
に副線路およびバラクタダイオードを用いない構成とな
る。この第２の実施形態では、線路１１を、電極開口部
４の内側で且つ開口部の端縁部にほぼ沿った位置を通る
ようにパターンを形成している。
【００２９】この第２の実施形態においても共振周波数
を３０ＧＨｚ、誘電体板の比誘電率を２４、基板６の比
誘電率を３．４とし、線路１１を電極開口部の端縁部か
ら０．４ｍｍだけ内側を通るように配置している。
を３０ＧＨｚ、誘電体板の比誘電率を２４、基板６の比
誘電率を３．４とし、線路１１を電極開口部の端縁部か
ら０．４ｍｍだけ内側を通るように配置している。
【００３０】この構造により線路１１の容量成分が増
し、電極開口部４部分における線路１１の特性インピー
ダンスの上昇を抑えることができる。その結果、線路１
１のインピーダンス不整合が抑制され、反射による不要
な共振が抑えられる。
し、電極開口部４部分における線路１１の特性インピー
ダンスの上昇を抑えることができる。その結果、線路１
１のインピーダンス不整合が抑制され、反射による不要
な共振が抑えられる。
【００３１】第１の実施形態では副線路１２を電極開口
部の内側で且つその開口部の端縁部に沿った形状とし、
主線路１１を直線状に設けたが、この主線路１１と副線
路１２の双方を、電極開口部の内側で且つその開口部の
端縁部にほぼ沿った位置を通るように設ければ、上記周
波数変調の直線性が向上するとともに寄生発振が抑制さ
れる。
部の内側で且つその開口部の端縁部に沿った形状とし、
主線路１１を直線状に設けたが、この主線路１１と副線
路１２の双方を、電極開口部の内側で且つその開口部の
端縁部にほぼ沿った位置を通るように設ければ、上記周
波数変調の直線性が向上するとともに寄生発振が抑制さ
れる。
【００３２】
【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、電極開口
部における線路のインピーダンスの増大が抑えられ、線
路途中での反射による問題が解消される。
部における線路のインピーダンスの増大が抑えられ、線
路途中での反射による問題が解消される。
【００３３】請求項２に係る発明によれば、寄生発振が
抑制された発振器が得られる。
抑制された発振器が得られる。
【００３４】請求項３に係る発明によれば、可変リアク
タンス素子を接続した線路の特性インピーダンスの位置
依存性が小さいため、周波数変調の直線性が高まる。
タンス素子を接続した線路の特性インピーダンスの位置
依存性が小さいため、周波数変調の直線性が高まる。
【００３５】請求項４に係る発明によれば、寄生発振が
抑えられ、且つ周波数変調の直線性の高い発振器が得ら
れる。
抑えられ、且つ周波数変調の直線性の高い発振器が得ら
れる。
【図１】第１の実施形態に係るＶＣＯの主要部の構成を
示す部分破断斜視図
示す部分破断斜視図
【図２】同ＶＣＯの平面図
【図３】同ＶＣＯの等価回路図
【図４】第２の実施形態に係る発振器の構成を示す平面
図
図
【図５】従来のＶＣＯの構成を示す一部破断斜視図
【図６】誘電体板に設けたＴＥ０１０モード誘電体共振
器の電磁界分布の例を示す図
器の電磁界分布の例を示す図
【図７】誘電体共振器に結合する線路の特性インピーダ
ンスの例を示す図
ンスの例を示す図
【図８】同結合線路による寄生発振の例を示す図
１−誘電体板 ２，３−電極 ４，５−開口部 ６−基板 ７−導電体ケース １０−線路 １１−線路（主線路） １２−線路（副線路） １３−終端抵抗 １４−接地電極 １５−ＦＥＴ １６−バラクタダイオード １７−接地電極 １８−直列帰還用線路 １９−出力回路 ２０−チップ抵抗 ２１，２２，２３−バイアス回路
フロントページの続き (72)発明者 藤井 康生 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 飯尾 憲一 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 平塚 敏朗 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (4)
- 【請求項１】 誘電体板の両主面に、互いに対向する開
口部を有する電極を形成し、前記開口部を誘電体共振器
部とし、該誘電体共振器部に結合する線路を形成した基
板を前記誘電体板に重ねるとともに、前記基板および前
記誘電体板を導電体ケース内に設けて成る高周波モジュ
ールにおいて、 前記誘電体共振器部に結合する線路を、前記開口部の内
側で且つ当該開口部の端縁部にほぼ沿った位置に配した
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 【請求項２】 前記線路の一端を抵抗終端するととも
に、他端に負性抵抗回路を接続して発振器を構成したこ
とを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。 - 【請求項３】 前記線路の一端に可変リアクタンス素子
を接続し、この線路とは別の、前記誘電体共振器に結合
する他の線路の一端を抵抗終端し、他端に負性抵抗回路
を接続して発振器を構成したことを特徴とする請求項１
に記載の高周波モジュール。 - 【請求項４】 前記他の線路を、前記開口部の内側で且
つ当該開口部の端縁部にほぼ沿った位置に配したことを
特徴とする請求項３に記載の高周波モジュール。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10017006A JPH11214927A (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 高周波モジュール |
| TW087121877A TW404080B (en) | 1998-01-29 | 1998-12-30 | High-frequency module |
| DE19903006A DE19903006C2 (de) | 1998-01-29 | 1999-01-26 | Resonatorschaltung und Oszillator mit Resonatorschaltung |
| KR1019990002417A KR100322458B1 (ko) | 1998-01-29 | 1999-01-26 | 고주파 모듈 |
| CA002260453A CA2260453C (en) | 1998-01-29 | 1999-01-27 | High-frequency module |
| CN99101836A CN1121733C (zh) | 1998-01-29 | 1999-01-29 | 高频组件 |
| FR9901027A FR2774216B1 (fr) | 1998-01-29 | 1999-01-29 | Module a hautes frequences pour communications |
| US09/240,241 US6369676B2 (en) | 1998-01-29 | 1999-01-29 | High-frequency module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10017006A JPH11214927A (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 高周波モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214927A true JPH11214927A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=11931927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10017006A Pending JPH11214927A (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 高周波モジュール |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6369676B2 (ja) |
| JP (1) | JPH11214927A (ja) |
| KR (1) | KR100322458B1 (ja) |
| CN (1) | CN1121733C (ja) |
| CA (1) | CA2260453C (ja) |
| DE (1) | DE19903006C2 (ja) |
| FR (1) | FR2774216B1 (ja) |
| TW (1) | TW404080B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP3570359B2 (ja) * | 2000-08-24 | 2004-09-29 | 三菱電機株式会社 | 高周波モジュール |
| JP3914401B2 (ja) * | 2001-09-06 | 2007-05-16 | 株式会社日立製作所 | 発振器、送受信モジュール、及びレーダ装置 |
| JP3988568B2 (ja) * | 2002-07-31 | 2007-10-10 | 松下電器産業株式会社 | 高周波モジュールおよびそれを用いた無線装置 |
| CN1860641A (zh) * | 2003-09-30 | 2006-11-08 | 株式会社村田制作所 | 介质谐振器器件、振荡器以及收发器装置 |
| US20130035814A1 (en) * | 2011-08-06 | 2013-02-07 | Delphi Technologies, Inc. | Electrical charging system that includes voltage-controlled oscillator which operatively controls wireless electromagnetic or wireless inductive charging of a battery |
| US9725003B2 (en) | 2011-08-06 | 2017-08-08 | Delphi Technologies, Inc. | Wireless battery charging system varying magnetic field frequency to maintain a desired voltage-current phase relationship |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4477785A (en) * | 1981-12-02 | 1984-10-16 | Communications Satellite Corporation | Generalized dielectric resonator filter |
| DE3923270A1 (de) | 1989-07-14 | 1991-01-17 | Medac Klinische Spezialpraep | Wasserloesliche pharmazeutische metallocen-komplex-zusammensetzung |
| JPH04157804A (ja) | 1990-10-20 | 1992-05-29 | Fujitsu Ltd | 共振器の位相調整構造 |
| JP3128319B2 (ja) | 1992-03-25 | 2001-01-29 | 株式会社クラレ | 肌 着 |
| JP3309623B2 (ja) * | 1995-02-17 | 2002-07-29 | 株式会社村田製作所 | 誘電体共振器装置 |
| JP2897678B2 (ja) * | 1995-03-22 | 1999-05-31 | 株式会社村田製作所 | 誘電体共振器及び高周波帯域通過フィルタ装置 |
| KR0152916B1 (ko) * | 1995-04-11 | 1998-10-15 | 문정환 | 데이타 동기화장치 및 방법 |
| JP2897117B2 (ja) * | 1995-09-19 | 1999-05-31 | 株式会社村田製作所 | 周波数可変型誘電体共振器 |
| JP3087664B2 (ja) * | 1996-11-06 | 2000-09-11 | 株式会社村田製作所 | 誘電体共振器装置及び高周波モジュール |
| JPH11312903A (ja) | 1997-10-28 | 1999-11-09 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、通信機装置 |
-
1998
- 1998-01-29 JP JP10017006A patent/JPH11214927A/ja active Pending
- 1998-12-30 TW TW087121877A patent/TW404080B/zh not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-01-26 DE DE19903006A patent/DE19903006C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-01-26 KR KR1019990002417A patent/KR100322458B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1999-01-27 CA CA002260453A patent/CA2260453C/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-01-29 FR FR9901027A patent/FR2774216B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1999-01-29 US US09/240,241 patent/US6369676B2/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-01-29 CN CN99101836A patent/CN1121733C/zh not_active Expired - Fee Related
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| FR2774216A1 (fr) | 1999-07-30 |
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| CA2260453C (en) | 2002-07-09 |
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| US20010054944A1 (en) | 2001-12-27 |
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