JPH11215821A - スイッチング回路 - Google Patents
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- JPH11215821A JPH11215821A JP2641198A JP2641198A JPH11215821A JP H11215821 A JPH11215821 A JP H11215821A JP 2641198 A JP2641198 A JP 2641198A JP 2641198 A JP2641198 A JP 2641198A JP H11215821 A JPH11215821 A JP H11215821A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 緩衝回路を備えたスイッチング回路におい
て、緩衝回路放電時におけるコンデンサの発熱量を低減
したりすることができるスイッチング回路を提供する。 【解決手段】 トランスT1の1次側を構成するインダ
クタに直列に設けられたスイッチング素子Q1のオフ時
に発生するスパイク状のノイズ電圧を除去する緩衝回路
を備えたスイッチング回路において、第1のダイオード
D1と第1の抵抗器R1とを直列に接続してなる充電回
路の一部と、第2のダイオードD2と第2の抵抗器R2
とを直列に接続してなる放電回路の一部とを並列に接続
すると共に、該並列に接続した充電回路の一部と放電回
路の一部をコンデンサC1に直列に接続した緩衝回路1
を備え、上記放電回路の時定数が上記充電回路の時定数
よりも大きい構成にした。
て、緩衝回路放電時におけるコンデンサの発熱量を低減
したりすることができるスイッチング回路を提供する。 【解決手段】 トランスT1の1次側を構成するインダ
クタに直列に設けられたスイッチング素子Q1のオフ時
に発生するスパイク状のノイズ電圧を除去する緩衝回路
を備えたスイッチング回路において、第1のダイオード
D1と第1の抵抗器R1とを直列に接続してなる充電回
路の一部と、第2のダイオードD2と第2の抵抗器R2
とを直列に接続してなる放電回路の一部とを並列に接続
すると共に、該並列に接続した充電回路の一部と放電回
路の一部をコンデンサC1に直列に接続した緩衝回路1
を備え、上記放電回路の時定数が上記充電回路の時定数
よりも大きい構成にした。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチング電源
回路のスイッチング回路など、インダクタに直列に設け
られたスイッチング素子のオフ時に発生するスパイク状
のノイズ電圧を除去する緩衝回路を備えたスイッチング
回路に係わり、特に緩衝回路のコンデンサにおける発熱
を低減することができるスイッチング回路に関する。
回路のスイッチング回路など、インダクタに直列に設け
られたスイッチング素子のオフ時に発生するスパイク状
のノイズ電圧を除去する緩衝回路を備えたスイッチング
回路に係わり、特に緩衝回路のコンデンサにおける発熱
を低減することができるスイッチング回路に関する。
【0002】
【従来の技術】緩衝(スナーバ:snubber)回路
を備えた従来のスイッチング回路の一例として、図6に
示すようなスイッチング電源回路がある。同図に示した
ように、従来のスイッチング電源回路は、トランスT1
の1次側巻き線を構成するインダクタに直列にスイッチ
ング素子Q11を備え、さらに、抵抗器R11とコンデ
ンサC11とを直列に接続した緩衝回路を前記スイッチ
ング素子Q11に並列に接続している。このように構成
したスイッチング電源回路の動作について、図7(a)
乃至(e)を参照して説明する。なお、図7(a)はス
イッチング素子Q11のコレクタ−エミッタ間電圧Vc
e、図7(b)はスイッチング素子Q11を流れる電流
I1、図7(c)は緩衝回路を流れる充放電電流I2、
図7(d)は上記充放電電流I2によるコンデンサC1
1の内部抵抗ESRにおける電力損失(電力消費)、図
7(e)はスイッチング素子Q11のスイッチング損失
を示している。図6に示したように、スイッチング素子
Q11には、所定の周期(例えば10μs)でHigh
レベルとLowレベルをくり返すパルス列が入力され、
上記Lowレベル入力によりスイッチング素子Q11が
オフ状態になると、図7(a)に示すように、スイッチ
ング素子Q11のコレクタ−エミッタ間電圧Vceは、
その値がV1(例えば300V:緩衝回路がなければさ
らに高電圧になる)に達し、この電圧V1により、緩衝
回路へI2aなる充電電流が流れ込む。緩衝回路を構成
するコンデンサC11を図7に示したように1000P
Fの高誘電系のセラミックコンデンサとすると、その内
部抵抗ESRは約80Ωであり、また、充電電流I2a
は、I2a=V1/(R11+ESR)と表すことがで
きるため、上記電圧V1が300V、R11が100
Ω、ESRが80Ωとすると、充電電流I2aは1.6
A(ピーク)となる。
を備えた従来のスイッチング回路の一例として、図6に
示すようなスイッチング電源回路がある。同図に示した
ように、従来のスイッチング電源回路は、トランスT1
の1次側巻き線を構成するインダクタに直列にスイッチ
ング素子Q11を備え、さらに、抵抗器R11とコンデ
ンサC11とを直列に接続した緩衝回路を前記スイッチ
ング素子Q11に並列に接続している。このように構成
したスイッチング電源回路の動作について、図7(a)
乃至(e)を参照して説明する。なお、図7(a)はス
イッチング素子Q11のコレクタ−エミッタ間電圧Vc
e、図7(b)はスイッチング素子Q11を流れる電流
I1、図7(c)は緩衝回路を流れる充放電電流I2、
図7(d)は上記充放電電流I2によるコンデンサC1
1の内部抵抗ESRにおける電力損失(電力消費)、図
7(e)はスイッチング素子Q11のスイッチング損失
を示している。図6に示したように、スイッチング素子
Q11には、所定の周期(例えば10μs)でHigh
レベルとLowレベルをくり返すパルス列が入力され、
上記Lowレベル入力によりスイッチング素子Q11が
オフ状態になると、図7(a)に示すように、スイッチ
ング素子Q11のコレクタ−エミッタ間電圧Vceは、
その値がV1(例えば300V:緩衝回路がなければさ
らに高電圧になる)に達し、この電圧V1により、緩衝
回路へI2aなる充電電流が流れ込む。緩衝回路を構成
するコンデンサC11を図7に示したように1000P
Fの高誘電系のセラミックコンデンサとすると、その内
部抵抗ESRは約80Ωであり、また、充電電流I2a
は、I2a=V1/(R11+ESR)と表すことがで
きるため、上記電圧V1が300V、R11が100
Ω、ESRが80Ωとすると、充電電流I2aは1.6
A(ピーク)となる。
【0003】また、充電電流によるコンデンサC11の
内部抵抗ESRにおける電力損失は充電電流I22 ×E
SRであるため、上述したように1.6Aの充電電流に
よる電力損失は205W(ピーク)(図7(d)参
照)、スイッチング素子Q11のスイッチング損失はP
1となる。上記のスパイク状の電圧V1は例えば1μs
で収束し、スイッチング素子Q11のコレクタ−エミッ
タ間電圧VceがV2(例えば200V(=Vin+V
out×n1/n2))になると(図7(a)参照)、
緩衝回路は放電状態になる。この放電電流I2b(=
(V1−V2)/(R11+ESR))は例えば0.5
6Aピークであり(図7(c)参照)、これによるコン
デンサC11における電力損失は25W(ピーク)であ
る(図7(d)参照)。その後、スイッチング素子Q1
1がオン状態になると、今度はスイッチング素子Q11
を介して緩衝回路が放電する。その放電電流I2c(=
V2/(R11+ESR))は例えば1.1Aピークで
あり(図7(c)参照)、これによるコンデンサC11
における電力損失は97W(ピーク)である(図7
(d)参照)。なお、主として上記放電電流I2cによ
りスイッチング素子Q11ではほぼP1と同等の電力損
失P2が発生する。なお、図7において、ta、tb、
tcは時定数である。
内部抵抗ESRにおける電力損失は充電電流I22 ×E
SRであるため、上述したように1.6Aの充電電流に
よる電力損失は205W(ピーク)(図7(d)参
照)、スイッチング素子Q11のスイッチング損失はP
1となる。上記のスパイク状の電圧V1は例えば1μs
で収束し、スイッチング素子Q11のコレクタ−エミッ
タ間電圧VceがV2(例えば200V(=Vin+V
out×n1/n2))になると(図7(a)参照)、
緩衝回路は放電状態になる。この放電電流I2b(=
(V1−V2)/(R11+ESR))は例えば0.5
6Aピークであり(図7(c)参照)、これによるコン
デンサC11における電力損失は25W(ピーク)であ
る(図7(d)参照)。その後、スイッチング素子Q1
1がオン状態になると、今度はスイッチング素子Q11
を介して緩衝回路が放電する。その放電電流I2c(=
V2/(R11+ESR))は例えば1.1Aピークで
あり(図7(c)参照)、これによるコンデンサC11
における電力損失は97W(ピーク)である(図7
(d)参照)。なお、主として上記放電電流I2cによ
りスイッチング素子Q11ではほぼP1と同等の電力損
失P2が発生する。なお、図7において、ta、tb、
tcは時定数である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、スイッ
チング素子Q11のスイッチングに伴って発生する緩衝
回路の充放電により、緩衝回路内のコンデンサおよび抵
抗器、さらにスイッチング素子において、電力損失が生
じる。スイッチングの周波数が高くなったり、上記コン
デンサの容量が大きくなったりすると、上記の電力損失
は大きくなり、緩衝回路が発熱するが、コンデンサは定
格温度が低いので動作が不安定になりがちであり、ま
た、電力消費が増大するのも好ましいことではない。本
発明の課題は、上記のような従来技術の問題を解決し、
緩衝回路を備えたスイッチング回路において、緩衝回路
放電時におけるスイッチング素子などの電力損失および
コンデンサの発熱量を低減することができるスイッチン
グ回路を提供することにある。
チング素子Q11のスイッチングに伴って発生する緩衝
回路の充放電により、緩衝回路内のコンデンサおよび抵
抗器、さらにスイッチング素子において、電力損失が生
じる。スイッチングの周波数が高くなったり、上記コン
デンサの容量が大きくなったりすると、上記の電力損失
は大きくなり、緩衝回路が発熱するが、コンデンサは定
格温度が低いので動作が不安定になりがちであり、ま
た、電力消費が増大するのも好ましいことではない。本
発明の課題は、上記のような従来技術の問題を解決し、
緩衝回路を備えたスイッチング回路において、緩衝回路
放電時におけるスイッチング素子などの電力損失および
コンデンサの発熱量を低減することができるスイッチン
グ回路を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項1記載の発明では、インダクタに直列に設
けられたスイッチング素子のオフ時に発生するスパイク
状のノイズ電圧を除去する緩衝回路を備えたスイッチン
グ回路において、緩衝回路に充電回路の一部と放電回路
の一部とを別個に設け、上記放電回路の時定数が上記充
電回路の時定数よりも大きい構成にした。また、請求項
2記載の発明では、上記において、第1のダイオードと
第1の抵抗器とを直列に接続してなる充電回路の一部
と、第2のダイオードと第2の抵抗器とを直列に接続し
てなる放電回路の一部とを並列に接続すると共に、該並
列に接続した受電回路の一部と放電回路の一部とをコン
デンサに直列に接続した緩衝回路を備えた。また、請求
項3記載の発明では、請求項1記載の発明において、第
1のダイオードからなる充電回路の一部と、第2のダイ
オードと抵抗器とを直列に接続してなる放電回路の一部
とを並列に接続すると共に、該並列に接続した受電回路
の一部と放電回路の一部とをコンデンサに直列に接続し
た緩衝回路を備えた。また、請求項4記載の発明では、
請求項1記載の発明において、ダイオードと抵抗器とを
並列に接続した回路をコンデンサに直列に接続した緩衝
回路を備えた。また、請求項5記載の発明では、請求項
1記載の発明において、ダイオードと第1の抵抗器とを
直列に接続してなる回路に第2の抵抗器を並列に接続し
た回路をコンデンサに直列に接続した緩衝回路を備え
た。
めに、請求項1記載の発明では、インダクタに直列に設
けられたスイッチング素子のオフ時に発生するスパイク
状のノイズ電圧を除去する緩衝回路を備えたスイッチン
グ回路において、緩衝回路に充電回路の一部と放電回路
の一部とを別個に設け、上記放電回路の時定数が上記充
電回路の時定数よりも大きい構成にした。また、請求項
2記載の発明では、上記において、第1のダイオードと
第1の抵抗器とを直列に接続してなる充電回路の一部
と、第2のダイオードと第2の抵抗器とを直列に接続し
てなる放電回路の一部とを並列に接続すると共に、該並
列に接続した受電回路の一部と放電回路の一部とをコン
デンサに直列に接続した緩衝回路を備えた。また、請求
項3記載の発明では、請求項1記載の発明において、第
1のダイオードからなる充電回路の一部と、第2のダイ
オードと抵抗器とを直列に接続してなる放電回路の一部
とを並列に接続すると共に、該並列に接続した受電回路
の一部と放電回路の一部とをコンデンサに直列に接続し
た緩衝回路を備えた。また、請求項4記載の発明では、
請求項1記載の発明において、ダイオードと抵抗器とを
並列に接続した回路をコンデンサに直列に接続した緩衝
回路を備えた。また、請求項5記載の発明では、請求項
1記載の発明において、ダイオードと第1の抵抗器とを
直列に接続してなる回路に第2の抵抗器を並列に接続し
た回路をコンデンサに直列に接続した緩衝回路を備え
た。
【0006】
【作用】上記のような手段にしたので、請求項1記載の
発明では、スパイク状のノイズ電圧を除去するための緩
衝回路への充電時は小さい時定数で充電され、且つ上記
緩衝回路の放電電流は小さくなる。請求項2記載の発明
では、請求項1記載の発明の作用を、2個のダイオード
と1個の抵抗器を付加することで実現することができ
る。請求項3記載の発明では、請求項1記載の発明の作
用を、2個のダイオードを付加するだけで実現すること
ができる。請求項4記載の発明では、請求項1記載の発
明の作用を、1個のダイオードを付加するだけで実現す
ることができる。請求項5記載の発明では、請求項1記
載の発明の作用を、1個のダイオードと2個の抵抗器を
付加するだけで実現することができる。
発明では、スパイク状のノイズ電圧を除去するための緩
衝回路への充電時は小さい時定数で充電され、且つ上記
緩衝回路の放電電流は小さくなる。請求項2記載の発明
では、請求項1記載の発明の作用を、2個のダイオード
と1個の抵抗器を付加することで実現することができ
る。請求項3記載の発明では、請求項1記載の発明の作
用を、2個のダイオードを付加するだけで実現すること
ができる。請求項4記載の発明では、請求項1記載の発
明の作用を、1個のダイオードを付加するだけで実現す
ることができる。請求項5記載の発明では、請求項1記
載の発明の作用を、1個のダイオードと2個の抵抗器を
付加するだけで実現することができる。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、図面により本発明の実施の
形態を詳細に説明する。図1は本発明の第1の実施例を
示すスイッチング電源回路の回路図である。図示したよ
うに、このスイッチング電源回路は、トランスT1の1
次側巻き線を構成するインダクタに直列にスイッチング
素子Q1を備え、このスイッチング素子Q1と並列に緩
衝(スナーバ:snubber)回路1が設けられてい
る。また、上記緩衝回路1は、図示したように、第1の
ダイオードD1と第1の抵抗器R1とを直列に接続した
充電回路の一部が第2のダイオードD2と第2の抵抗器
R2とを直列に接続した放電回路の一部と並列に接続
し、この並列に接続した充電回路の一部と放電回路の一
部とがコンデンサC1に直列に接続した構成になってい
る。なお、抵抗器R1の抵抗値は例えば100Ω、抵抗
器R2の抵抗値は1kΩ、コンデンサC1の容量は10
00pFである。以下、図2に示した説明図に従って、
この実施例の動作を説明する。なお、図2(a)はスイ
ッチング素子Q1のコレクタ−エミッタ間電圧Vce、
図2(b)はスイッチング素子Q1を流れる電流I1、
図2(c)は緩衝回路を流れる充放電電流I2、図2
(d)は上記充放電電流I2によるコンデンサC1の内
部抵抗ESRにおける電力損失(電力消費)、図2
(e)はスイッチング素子Q1のスイッチング損失を示
している。
形態を詳細に説明する。図1は本発明の第1の実施例を
示すスイッチング電源回路の回路図である。図示したよ
うに、このスイッチング電源回路は、トランスT1の1
次側巻き線を構成するインダクタに直列にスイッチング
素子Q1を備え、このスイッチング素子Q1と並列に緩
衝(スナーバ:snubber)回路1が設けられてい
る。また、上記緩衝回路1は、図示したように、第1の
ダイオードD1と第1の抵抗器R1とを直列に接続した
充電回路の一部が第2のダイオードD2と第2の抵抗器
R2とを直列に接続した放電回路の一部と並列に接続
し、この並列に接続した充電回路の一部と放電回路の一
部とがコンデンサC1に直列に接続した構成になってい
る。なお、抵抗器R1の抵抗値は例えば100Ω、抵抗
器R2の抵抗値は1kΩ、コンデンサC1の容量は10
00pFである。以下、図2に示した説明図に従って、
この実施例の動作を説明する。なお、図2(a)はスイ
ッチング素子Q1のコレクタ−エミッタ間電圧Vce、
図2(b)はスイッチング素子Q1を流れる電流I1、
図2(c)は緩衝回路を流れる充放電電流I2、図2
(d)は上記充放電電流I2によるコンデンサC1の内
部抵抗ESRにおける電力損失(電力消費)、図2
(e)はスイッチング素子Q1のスイッチング損失を示
している。
【0008】図1に示したように、スイッチング素子Q
1には、所定の周期(例えば10μs)でHighレベ
ルとLowレベルをくり返すパルス列が入力され、上記
Lowレベルの入力によりt0のタイミングでスイッチ
ング素子Q1がオフ状態になると、図2(a)に示すよ
うに、スイッチング素子Q1のコレクタ−エミッタ間電
圧Vceは、その値がほぼ0VからV1(例えば300
V:緩衝回路がなければさらに高電圧になる)に達す
る。そして、このV1なる電圧により、ダイオードD1
および抵抗器R1を介してI2a(例えば1.6Aピー
ク(=V1/(R1+ESR)))なる充電電流が緩衝
回路1へ流れ込む(時定数:ta=C1×(R1+ES
R))。また、上記充電電流によるコンデンサC1の内
部抵抗ESRにおける電力損失は、内部抵抗ESRを8
0Ωとすると205W(ピーク)(図2(d)参照)、
スイッチング素子Q1のスイッチング損失はP1aであ
る。なお、上記スイッチング損失P1aは従来技術のス
イッチング損失P1と同じである。
1には、所定の周期(例えば10μs)でHighレベ
ルとLowレベルをくり返すパルス列が入力され、上記
Lowレベルの入力によりt0のタイミングでスイッチ
ング素子Q1がオフ状態になると、図2(a)に示すよ
うに、スイッチング素子Q1のコレクタ−エミッタ間電
圧Vceは、その値がほぼ0VからV1(例えば300
V:緩衝回路がなければさらに高電圧になる)に達す
る。そして、このV1なる電圧により、ダイオードD1
および抵抗器R1を介してI2a(例えば1.6Aピー
ク(=V1/(R1+ESR)))なる充電電流が緩衝
回路1へ流れ込む(時定数:ta=C1×(R1+ES
R))。また、上記充電電流によるコンデンサC1の内
部抵抗ESRにおける電力損失は、内部抵抗ESRを8
0Ωとすると205W(ピーク)(図2(d)参照)、
スイッチング素子Q1のスイッチング損失はP1aであ
る。なお、上記スイッチング損失P1aは従来技術のス
イッチング損失P1と同じである。
【0009】上記のスパイク状の電圧V1は例えば1μ
sで(タイミングt2で)収束し、スイッチング素子Q
1のコレクタ−エミッタ間電圧VceがV2(例えば2
00V(=Vin+Vout×n1/n2))になると
(図2(a)参照)、緩衝回路1は放電状態になり、抵
抗器R2およびダイオードD2を介して放電電流が流れ
る。この放電電流I2d(=(V1−V2)/(R2+
ESR))は例えば0.09Aピークであり(時定数:
tb=C1×(R2+ESR))(図2(c)参照)、
これによるコンデンサC1における電力損失は0.65
W(ピーク)である(図2(d)参照)。なお、従来技
術の緩衝回路に比べて上記のように放電電流が小さくな
るのは、抵抗器R2の抵抗値が従来技術の抵抗器R11
の抵抗値よりはるかに大きいからである。タイミングt
3で放電がほぼ収束した後、スイッチング素子Q1がタ
イミングt4でオン状態になり、Vceがほぼ0Vにな
ると、今度はスイッチング素子Q1を介して緩衝回路1
が放電する。その放電電流I2e(=V2/(R2+E
SR))は例えば0.19Aピークであり(時定数:t
c=C1×(R2+ESR))(図2(c)参照)、こ
れによるコンデンサC1における電力損失は2.9W
(ピーク)である(図2(d)参照)。なお、従来技術
の緩衝回路に比べて上記のように放電電流I2eが小さ
くなるのは、抵抗器R2の抵抗値が従来の緩衝回路に用
いられていた抵抗器R11の抵抗値よりはるかに大き
く、ダイオードD2及び抵抗R2からなる放電回路の時
定数がダイオードD1及び抵抗R1からなる充電回路の
時定数より大きい構成をとったためである。また、主と
して上記放電電流I2eによりスイッチング素子Q1で
はP2aなる電力損失が発生するが、この電力損失P2
aは従来技術の場合の電力損失P2の約1/6(0.1
9A/1.1A)である。この後、スイッチング素子Q
1がオフ状態になるタイミングt6までは、放電後の状
態が維持され、その後はt0からt6までの動作がくり
返される。
sで(タイミングt2で)収束し、スイッチング素子Q
1のコレクタ−エミッタ間電圧VceがV2(例えば2
00V(=Vin+Vout×n1/n2))になると
(図2(a)参照)、緩衝回路1は放電状態になり、抵
抗器R2およびダイオードD2を介して放電電流が流れ
る。この放電電流I2d(=(V1−V2)/(R2+
ESR))は例えば0.09Aピークであり(時定数:
tb=C1×(R2+ESR))(図2(c)参照)、
これによるコンデンサC1における電力損失は0.65
W(ピーク)である(図2(d)参照)。なお、従来技
術の緩衝回路に比べて上記のように放電電流が小さくな
るのは、抵抗器R2の抵抗値が従来技術の抵抗器R11
の抵抗値よりはるかに大きいからである。タイミングt
3で放電がほぼ収束した後、スイッチング素子Q1がタ
イミングt4でオン状態になり、Vceがほぼ0Vにな
ると、今度はスイッチング素子Q1を介して緩衝回路1
が放電する。その放電電流I2e(=V2/(R2+E
SR))は例えば0.19Aピークであり(時定数:t
c=C1×(R2+ESR))(図2(c)参照)、こ
れによるコンデンサC1における電力損失は2.9W
(ピーク)である(図2(d)参照)。なお、従来技術
の緩衝回路に比べて上記のように放電電流I2eが小さ
くなるのは、抵抗器R2の抵抗値が従来の緩衝回路に用
いられていた抵抗器R11の抵抗値よりはるかに大き
く、ダイオードD2及び抵抗R2からなる放電回路の時
定数がダイオードD1及び抵抗R1からなる充電回路の
時定数より大きい構成をとったためである。また、主と
して上記放電電流I2eによりスイッチング素子Q1で
はP2aなる電力損失が発生するが、この電力損失P2
aは従来技術の場合の電力損失P2の約1/6(0.1
9A/1.1A)である。この後、スイッチング素子Q
1がオフ状態になるタイミングt6までは、放電後の状
態が維持され、その後はt0からt6までの動作がくり
返される。
【0010】なお、上記のように、スイッチング素子Q
1やコンデンサC1における電力損失は低減されるが、
緩衝回路1全体の電力損失は低減されない。それは、放
電電流が小さくなっても時定数が大きくなった分だけ放
電の持続時間が長くなるためであり、充電電圧をVとす
ると、その熱損失(電力損失)はCV2/2となる。但
し、コンデンサの内部抵抗ESRの抵抗値に比べて抵抗
器R2の抵抗値がはるかに大きいので、コンデンサの内
部抵抗ESRおよび抵抗器R2において発生する上記の
熱損失のうち、コンデンサの内部抵抗での熱損失は非常
に僅かである。また、スイッチング素子Q1オン時にお
ける緩衝回路の放電においてはスイッチング素子Q1で
も熱損失(電力損失)が発生するが、スイッチング素子
Q1の内部抵抗が小さいので、同様に、ここでの熱損失
は小さくなる。このように、この実施例によれば、抵抗
器R2の抵抗値を従来の緩衝回路を構成していた抵抗器
R11の抵抗値の数倍乃至数十倍にして緩衝回路の放電
電流を小さくすることにより、スイッチング素子Q1に
おける電力損失を低減することができ、また、緩衝回路
1のコンデンサC1における発熱量を低減することがで
きる。また、緩衝回路への充電時の時定数は従来通りで
あるので、スパイク状のノイズ電圧を除去する効果は従
来通り維持することができる。
1やコンデンサC1における電力損失は低減されるが、
緩衝回路1全体の電力損失は低減されない。それは、放
電電流が小さくなっても時定数が大きくなった分だけ放
電の持続時間が長くなるためであり、充電電圧をVとす
ると、その熱損失(電力損失)はCV2/2となる。但
し、コンデンサの内部抵抗ESRの抵抗値に比べて抵抗
器R2の抵抗値がはるかに大きいので、コンデンサの内
部抵抗ESRおよび抵抗器R2において発生する上記の
熱損失のうち、コンデンサの内部抵抗での熱損失は非常
に僅かである。また、スイッチング素子Q1オン時にお
ける緩衝回路の放電においてはスイッチング素子Q1で
も熱損失(電力損失)が発生するが、スイッチング素子
Q1の内部抵抗が小さいので、同様に、ここでの熱損失
は小さくなる。このように、この実施例によれば、抵抗
器R2の抵抗値を従来の緩衝回路を構成していた抵抗器
R11の抵抗値の数倍乃至数十倍にして緩衝回路の放電
電流を小さくすることにより、スイッチング素子Q1に
おける電力損失を低減することができ、また、緩衝回路
1のコンデンサC1における発熱量を低減することがで
きる。また、緩衝回路への充電時の時定数は従来通りで
あるので、スパイク状のノイズ電圧を除去する効果は従
来通り維持することができる。
【0011】図3は緩衝回路の第2の実施例を示す図で
あり、図1に示した緩衝回路1に代えてこの緩衝回路を
用いスイッチング回路を構成する。図示したように、こ
の実施例の緩衝回路は、第1の実施例に示した緩衝回路
(図1参照)から抵抗器R1を除いた構成である。この
緩衝回路では、ダイオードD1とコンデンサC1aが充
電回路を構成し、それらの内部抵抗が充電回路を構成す
る抵抗になる。すなわち、ダイオードD1とコンデンサ
C1aの内部抵抗が図1に示した抵抗R1の代わりとし
て利用される。なお、上記内部抵抗の抵抗値は小さいの
で、第2の実施例はスイッチング周波数が高い場合に適
している。こうして、この実施例によれば、放電回路を
構成する抵抗R2aの抵抗値を図1に示した抵抗R2と
ほぼ同じ程度に設定することにより、放電回路の時定数
が充電回路の時定数より大きなり、従来技術に比べて2
個のダイオードを追加するだけで第1の実施例と同様の
効果を実現することができる。
あり、図1に示した緩衝回路1に代えてこの緩衝回路を
用いスイッチング回路を構成する。図示したように、こ
の実施例の緩衝回路は、第1の実施例に示した緩衝回路
(図1参照)から抵抗器R1を除いた構成である。この
緩衝回路では、ダイオードD1とコンデンサC1aが充
電回路を構成し、それらの内部抵抗が充電回路を構成す
る抵抗になる。すなわち、ダイオードD1とコンデンサ
C1aの内部抵抗が図1に示した抵抗R1の代わりとし
て利用される。なお、上記内部抵抗の抵抗値は小さいの
で、第2の実施例はスイッチング周波数が高い場合に適
している。こうして、この実施例によれば、放電回路を
構成する抵抗R2aの抵抗値を図1に示した抵抗R2と
ほぼ同じ程度に設定することにより、放電回路の時定数
が充電回路の時定数より大きなり、従来技術に比べて2
個のダイオードを追加するだけで第1の実施例と同様の
効果を実現することができる。
【0012】図4は緩衝回路の第3の実施例を示す図で
あり、図1に示した緩衝回路1に代えてスイッチング回
路を構成する。図示したように、この実施例の緩衝回路
は、第2の実施例に示した緩衝回路(図3参照)から、
さらにダイオードD2をも除いた構成である。この緩衝
回路では、ダイオードD1と抵抗器R2aとの並列回
路、およびコンデンサC1aが充電回路を構成するが、
ダイオードD1の内部抵抗が抵抗器R2aの抵抗値に比
べてはるかに小さいので、充電回路を構成する抵抗は第
2の実施例と実質的に同じになる。こうして、この実施
例によれば、従来技術に比べて1個のダイオードを追加
するだけで第1の実施例と同様の効果を実現することが
できる。図5は緩衝回路の第4の実施例を示す図であ
る。図示したように、この実施例の緩衝回路は、第1の
実施例に示した緩衝回路(図1参照)からダイオードD
2を除いた構成である。この緩衝回路では、抵抗器R1
bと抵抗器R2bとの並列抵抗値が充電時の抵抗値にな
り、抵抗器R2bの抵抗値が放電時の抵抗値になるの
で、放電時の抵抗値が大きくなり、したがって、放電回
路の時定数を充電回路の時定数よりも大きくすることが
できる。こうして、この実施例によれば、従来技術に比
べて1個のダイオードと1個の抵抗器を追加するだけで
第1の実施例と同様の効果を実現することができる。
あり、図1に示した緩衝回路1に代えてスイッチング回
路を構成する。図示したように、この実施例の緩衝回路
は、第2の実施例に示した緩衝回路(図3参照)から、
さらにダイオードD2をも除いた構成である。この緩衝
回路では、ダイオードD1と抵抗器R2aとの並列回
路、およびコンデンサC1aが充電回路を構成するが、
ダイオードD1の内部抵抗が抵抗器R2aの抵抗値に比
べてはるかに小さいので、充電回路を構成する抵抗は第
2の実施例と実質的に同じになる。こうして、この実施
例によれば、従来技術に比べて1個のダイオードを追加
するだけで第1の実施例と同様の効果を実現することが
できる。図5は緩衝回路の第4の実施例を示す図であ
る。図示したように、この実施例の緩衝回路は、第1の
実施例に示した緩衝回路(図1参照)からダイオードD
2を除いた構成である。この緩衝回路では、抵抗器R1
bと抵抗器R2bとの並列抵抗値が充電時の抵抗値にな
り、抵抗器R2bの抵抗値が放電時の抵抗値になるの
で、放電時の抵抗値が大きくなり、したがって、放電回
路の時定数を充電回路の時定数よりも大きくすることが
できる。こうして、この実施例によれば、従来技術に比
べて1個のダイオードと1個の抵抗器を追加するだけで
第1の実施例と同様の効果を実現することができる。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
請求項1記載の発明では、スパイク状のノイズ電圧を除
去するための緩衝回路への充電時は小さい時定数で充電
され、且つ上記緩衝回路の放電電流は小さくなるので、
スパイク状のノイズ電圧を従来技術と同様に除去するこ
とができ、且つ緩衝回路内のコンデンサにおける発熱量
を低減することができ、また、スイッチング素子のスイ
ッチング損失を低減することができる。また、請求項2
記載の発明では、請求項1記載の発明の作用を、2個の
ダイオードと1個の抵抗器を付加することで実現するこ
とができるので、わずかなコストアップで請求項1記載
の発明の効果を実現することができる。また、請求項3
記載の発明では、請求項1記載の発明の作用を、2個の
ダイオードを付加するだけで実現することができるの
で、さらにわずかなコストアップで請求項1記載の発明
の効果を実現することができる。また、請求項4記載の
発明では、請求項1記載の発明の作用を、1個のダイオ
ードを付加するだけで実現することができるので、コス
トアップを殆ど招かずに請求項1記載の発明の効果を実
現することができる。また、請求項5記載の発明では、
請求項1記載の発明の作用を、1個のダイオードと2個
の抵抗器を付加するだけで実現することができるので、
同様に、わずかなコストアップで請求項1記載の発明の
効果を実現することができる。
請求項1記載の発明では、スパイク状のノイズ電圧を除
去するための緩衝回路への充電時は小さい時定数で充電
され、且つ上記緩衝回路の放電電流は小さくなるので、
スパイク状のノイズ電圧を従来技術と同様に除去するこ
とができ、且つ緩衝回路内のコンデンサにおける発熱量
を低減することができ、また、スイッチング素子のスイ
ッチング損失を低減することができる。また、請求項2
記載の発明では、請求項1記載の発明の作用を、2個の
ダイオードと1個の抵抗器を付加することで実現するこ
とができるので、わずかなコストアップで請求項1記載
の発明の効果を実現することができる。また、請求項3
記載の発明では、請求項1記載の発明の作用を、2個の
ダイオードを付加するだけで実現することができるの
で、さらにわずかなコストアップで請求項1記載の発明
の効果を実現することができる。また、請求項4記載の
発明では、請求項1記載の発明の作用を、1個のダイオ
ードを付加するだけで実現することができるので、コス
トアップを殆ど招かずに請求項1記載の発明の効果を実
現することができる。また、請求項5記載の発明では、
請求項1記載の発明の作用を、1個のダイオードと2個
の抵抗器を付加するだけで実現することができるので、
同様に、わずかなコストアップで請求項1記載の発明の
効果を実現することができる。
【図1】本発明の第1の実施例を示すスイッチング電源
回路の回路図である。
回路の回路図である。
【図2】(a) 乃至(e) は本発明の第1の実施例を示すス
イッチング電源回路要部の説明図である。
イッチング電源回路要部の説明図である。
【図3】本発明の第2の実施例を示すスイッチング電源
回路要部の回路図である。
回路要部の回路図である。
【図4】本発明の第3の実施例を示すスイッチング電源
回路要部の回路図である。
回路要部の回路図である。
【図5】本発明の第4の実施例を示すスイッチング電源
回路要部の回路図である。
回路要部の回路図である。
【図6】従来技術の一例を示すスイッチング電源回路の
回路図である。
回路図である。
【図7】(a) 乃至(e) は従来技術の一例を示すスイッチ
ング電源回路要部の説明図である。
ング電源回路要部の説明図である。
1 緩衝回路 Q1 スイッチング素子 D1 第1のダイオード D2 第2のダイオード R1 第1の抵抗器 R2 第2の抵抗器 C1 コンデンサ T1 トランス
Claims (5)
- 【請求項1】 インダクタに直列に設けられたスイッチ
ング素子のオフ時に発生するスパイク状のノイズ電圧を
除去する緩衝回路を備えたスイッチング回路において、
緩衝回路に充電回路の一部と放電回路の一部とを別個に
設け、上記放電回路の時定数が上記充電回路の時定数よ
りも大きい構成にしたことを特徴とするスイッチング回
路。 - 【請求項2】 請求項1のスイッチング回路において、
第1のダイオードと第1の抵抗器とを直列に接続してな
る充電回路の一部と、第2のダイオードと第2の抵抗器
とを直列に接続してなる放電回路の一部とを並列に接続
すると共に、該並列に接続した受電回路の一部と放電回
路の一部とをコンデンサに直列に接続した緩衝回路を備
えたことを特徴とするスイッチング回路。 - 【請求項3】 請求項1のスイッチング回路において、
第1のダイオードからなる充電回路の一部と、第2のダ
イオードと抵抗器とを直列に接続してなる放電回路の一
部とを並列に接続すると共に、該並列に接続した受電回
路の一部と放電回路の一部とをコンデンサに直列に接続
した緩衝回路を備えたことを特徴とするスイッチング回
路。 - 【請求項4】 請求項1のスイッチング回路において、
ダイオードと抵抗器とを並列に接続した回路をコンデン
サに直列に接続した緩衝回路を備えたことを特徴とする
スイッチング回路。 - 【請求項5】 請求項1のスイッチング回路において、
ダイオードと第1の抵抗器とを直列に接続してなる回路
に第2の抵抗器を並列に接続した回路をコンデンサに直
列に接続した緩衝回路を備えたことを特徴とするスイッ
チング回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2641198A JPH11215821A (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | スイッチング回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2641198A JPH11215821A (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | スイッチング回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11215821A true JPH11215821A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=12192820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2641198A Pending JPH11215821A (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | スイッチング回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11215821A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101795061A (zh) * | 2010-03-03 | 2010-08-04 | 哈尔滨工业大学 | 适用于电流源型隔离全桥升压类拓扑的无源无损缓冲电路 |
| CN115642578A (zh) * | 2022-09-30 | 2023-01-24 | 西安铁路信号有限责任公司 | 一种阻容吸收保护电路的方法 |
-
1998
- 1998-01-23 JP JP2641198A patent/JPH11215821A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101795061A (zh) * | 2010-03-03 | 2010-08-04 | 哈尔滨工业大学 | 适用于电流源型隔离全桥升压类拓扑的无源无损缓冲电路 |
| CN115642578A (zh) * | 2022-09-30 | 2023-01-24 | 西安铁路信号有限责任公司 | 一种阻容吸收保护电路的方法 |
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