JPH11218545A

JPH11218545A - 静電容量型加速度センサ及び検出方法

Info

Publication number: JPH11218545A
Application number: JP10036799A
Authority: JP
Inventors: Masayoshi Higuchi; 誠良樋口
Original assignee: Omron Corp; Omron Tateisi Electronics Co
Current assignee: Omron Corp
Priority date: 1998-02-02
Filing date: 1998-02-02
Publication date: 1999-08-10

Abstract

(57)【要約】【課題】電極面積が広く、小型で高感度の静電容量型
加速度センサを提供すること【解決手段】半導体基板１０の支持板１２は、枠体１
３に対して両持ち支持され、加速度を受けてアーチ状に
撓み変形する。平面形状を保つ可動板１６の中央部が支
持板の中央部に柱部１４を介して局部的に連結・支持さ
れていて、支持板が撓んだときに可動板がその厚み方向
に平行変位するが、平面形状は保持される。よって、こ
の可動板と、それに対向する支持板等に第２電極２１，
第１電極２０を形成しておくと、支持板の変形に伴い電
極間距離が変化し、電極間に発生する静電容量も変わ
る。支持板と可動板とを上下に重ねたため、従来の梁等
のために占有されていたデッドスペースがなくなり、セ
ンサチップの平面形状における電極面積の占有率が増大
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、静電容量型加速度
センサ及び検出方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から一般に用いられている静電容量
型加速度センサは、例えば特開平８−２３６７８６号公
報などに開示されおり、その基本構造は、図１に示すよ
うになっている。すなわち、固定基板１にシリコン基板
２を接合して一体化する。このシリコン基板２には、周
囲の枠体３に対し片持ち梁４にて重り５を支持するよう
になっており、この重り５と固定基板１との間には、所
定のギャップが確保され、片持ち梁４が撓むことによ
り、重り５と固定基板１の対向面間距離（ギャップ）が
変化するようになっている。そして、重り５の対向面が
可動電極６となり、この可動電極６に対向する固定基板
１の表面に固定電極７を形成する。

【０００３】係る構成にすると、センサに加速度が加わ
ると、その加速度を受けた重り５が加速度を受けた方向
に変位しようとし、その変位を片持ち梁４が撓むことに
より、許容する。従って、両電極６，７間には、その電
極間距離に応じた静電容量が発生しているため、上記重
り５の変位に伴い係る静電容量も変化する。そして、重
り５の変位量は、加速度の大きさに応じて一義的に決定
されるため、静電容量の変化・或いは絶対量から加速度
を測定することができるようになっている。

【０００４】一方、上記した一般的な構造以外のものと
しては、例えば特開平８−２３６７８７号公報に開示さ
れた加速度センサがある。このセンサは、図２に示すよ
うに、可動電極６を備えた重り５を、四方から伸びるバ
ネ状の支持部８にて弾性支持したものもある。このよう
にすると、加速度が加わった際に重り５は、平行変位す
るため、両電極６，７間の距離も均一に変化する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来のセンサ
構造では、以下に示す問題がある。すなわち、図１に示
す一般的なタイプのものでは、片持ち梁４で重り５を支
えるとともに、その片持ち梁４が撓むことにより重り５
が変位するため、変位量を大きくして感度・測定レンジ
を広くするためには片持ち梁４を長くする必要がある。
そうすると、電極部分（重り５）の大きさに加えて片持
ち梁４の設置空間が必要となり、チップサイズが大きく
なり、コスト高となる。しかも、平面形状を考えた場
合、片持ち梁４及びそれに伴い枠体３と重り５の間に形
成される空間の占有率が大きくなり、センサチップの寸
法形状が大きくなった割には、静電容量を検知するため
の電極面積を大きくとれず、感度の向上のネックとな
る。

【０００６】さらに、重り５の変位は、片持ち梁４を回
転中心として回転移動するため、先端（片持ち梁４の反
対側）ほど大きくなる。つまり、平行変位できず、その
点でも感度の低下をきたす。そして、そのように回転す
るため、片持ち梁４の近くは電極間距離があまり変化し
なくなる。つまり、対向する両電極６，７のうち、半分
近くの領域では重り５が変位しても電極間距離があまり
変化せず、寄生容量になっている。係る点でも感度の低
下の原因となる。

【０００７】一方、図２に示したセンサでは、図１に示
した一般的なセンサに比べると、電極は平行変位するた
め、寄生容量などの問題は抑制される。しかし、重り５
と支持部８を、エピタキシャル成長技術を用いて同一材
質で同一平面になるように形成している。そして、係る
エピタキシャル成長させた部分を細長くエッチングして
重り５と支持部８を作るため、支持部８のバネ弾性係数
のばらつきが大きくなるおそれがある。すると、弾性係
数のばらつきは、そのまま重り５に加速度がかかったと
きの支持部８からの反力の相違に起因するため、やはり
平行変位しにくく、特性のばらつきを生じる。さらに、
同一平面内に支持部８と重り５を設けているので、ある
程度のバネ弾性係数を確保するためには、支持部８をあ
る程度の長さにする必要があるため、チップサイズに対
する重り５の占有面積、ひいては電極面積を大きくとる
ことができず、感度の低下をきたすという問題は、依然
として有している。

【０００８】本発明は、上記した背景に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、上記した問題を解決
し、チップサイズを小型化しつつ電極面積を大きくとる
ことができ、対向する電極の平行変位する領域を広く
し、寄生容量の発生を可及的に抑制し、感度が高くて測
定レンジも広くすることができ、しかも、入出力特性の
直線性を良好にすることができ、静電容量型加速度セン
サ及び検出方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明に係る静電容量型加速度センサでは、枠
体（実施の形態では、平面ロ字状で無端状となっている
が、一部切り欠かれて開放されててもよい）に対して両
持ち支持された弾性変形可能な支持板を備えた基板（実
施の形態では、第１半導体基板１０に対応）と、その支
持板の表面に設けた柱部と、その柱部に接続され、前記
支持板の弾性変形とともに変位する可動板と、前記基板
（支持板及びまたは周囲の枠体部分を含む）と前記可動
板の対向面にそれぞれ設けた第１，第２電極と、前記第
１，第２電極間に発生する静電容量に基づく信号を外部
に取り出す手段とを備えて構成した（請求項１）。な
お、柱部は、実施の形態では絶縁膜により可動板及び支
持板と別部材で形成したが、本発明はそれに限ることは
なく、一方の部材と一体的に形成してもよい。

【００１０】なお、本発明でいう「支持板」は、弾性変
形可能とする必要から薄肉となることがおおく、例えば
シリコンウエハ等をエッチングなどにより薄くしたもの
により形成できるが、これに限ることはなく、例えば所
定材料を成膜することにより弾性変形可能な膜を製造し
た場合に、その膜が、両持ち支持され、しかもその膜の
変形に応じて可動板も変位するようになっていれば、そ
の部材を「板」と称するか「膜」と称するかを問わず、
本発明でいうところの支持板に含む（以下同じ）。

【００１１】また、別の解決手段としては、枠体に対し
て両持ち支持された弾性変形可能な支持板を備えた基板
と、その支持板に連結され、初期形状を保持しながら前
記支持板の変形とともに平行移動する可動板と、前記基
板と前記可動板の対向面にそれぞれ設けた第１，第２電
極と、前記第１，第２電極間に発生する静電容量に基づ
く信号を外部に取り出す手段とを備えて構成してもよい
（請求項２）。つまり、支持板と可動板は、直接または
間接的に接続されておればよい。

【００１２】また、別の解決手段としては、基板と、可
動板と、それらを連結する柱部とを有し、前記柱部が接
続される前記基板の周辺を、外周囲に比べて薄肉にする
とともに、その薄肉にした部分に所定の間隔をおいて複
数のスリットを形成し、その複数のスリットで挟まれた
領域を弾性変形可能な支持板を設けて、その支持板の変
形するのとともに前記可動板を変位するようにし、前記
基板と前記可動板の対向面にそれぞれ第１，第２電極を
設けるようにしてもよい（請求項４）。

【００１３】上記した各構成にすると、加速度を受けて
可動板と支持板が連動して動くことで、センサギャップ
の変化を発生させる。すなわち、加速度を受けた方向に
支持板が変位しようとすると、その両端は枠体に連結さ
れているため、中央部分がその加速度の方向に変位しよ
うとする。そして、支持板の両側縁はスリットを形成し
て枠体から分離されてフリー状態となっているので、結
局支持板はアーチ状に変形する。この変形に伴い、支持
部に対して柱部を介して接続された可動板も移動する。
この時、可動板は周囲（外周囲）が開放されているの
で、無負荷状態（基準状態）の形状を保持しながら変位
する。従って、支持板の周囲の領域や基板と対向する領
域における可動板との距離が広がる。そこで、可動板と
基板にそれぞれ電極を設けることにより、ギャップの変
位量すなわち加速度を静電容量の変化としてとらえるこ
とができる。

【００１４】そして、支持板と可動板は変位方向に沿っ
て重なるように配置したため、従来の片持ち梁４（図１
参照）や支持部８（図２参照）のように、重りを支える
部材がその重りと同一平面状にないので、センサチップ
の平面形状における電極面積の占有率を増大し、センサ
チップの小型化を図りつつ、検出感度が向上する。

【００１５】また、中央部に設けた柱部を介して支持板
と可動板とを接続したため、ギャップ変化の大きい箇所
は、周縁領域となるので、当該ギャップ変化の大きい領
域が最も広く得ることができる。係る点でも、センサ特
性の向上・高感度化を図る要因となる。

【００１６】なお、基板は例えば半導体基板で形成する
ことができる。また、可動板は半導体基板（半導体ウエ
ハのみでなく、半導体を成膜するものも含む）やガラス
基板等を用いて形成できる。そして、半導体基板で形成
した場合には、ガラス基板未使用により大幅なコストダ
ウンが可能となる。

【００１７】また、別の解決手段としては、枠体に対し
て両持ち支持された弾性変形可能な支持板を備えた基板
と、その基板表面の前記支持板の外周囲（実施の形態で
は、枠体の支持板側部分に対応）に設けた第１電極と、
前記支持板に連結され、前記第１電極に対して平行状態
を保持しながら前記支持板の変形とともに移動する可動
板と、前記可動板の前記第１電極に対向する部分に設け
られた第２電極と、前記第１，第２電極間に発生する静
電容量に基づく信号を外部に取り出す手段とを備えて構
成することができる（請求項３）。このようにすると、
第１，第２電極は、平行変位するので加わった加速度
（入力）に対するセンサ出力の直線性が向上する。

【００１８】そして、本発明に係る検出方法としては、
枠体に対して両持ち支持された弾性変形可能な支持板を
有する基台（実施の形態では「半導体基板１０」に相
当）と、その支持板に連結され前記支持板の変形するの
とともに移動する可動板とを配備し、前記基台と前記可
動板の対向面（基台側は支持板の部分及びまたは非形成
部分のどこでも可）にそれぞれ第１，第２電極を設け
（電極を設ける部分は、対向する表面の全面でもよく一
部でもよい）、前記支持板の変位に伴って変化する両電
極の相対位置に伴い両電極間に発生する静電容量に基づ
く信号を検出することにより、前記支持板の変位量或い
はその支持板に加わる物理量を検出するようにした（請
求項５）。

【００１９】さらに、本発明において加速度を受けて可
動板が変位するのは、センサが受けた加速度により支持
板が弾性変形し、その弾性変形するのに追従して可動板
も変位する場合と、加速度を受けた可動板がその加速度
の方向に変位しようとし、それに追従して支持板が弾性
変形して前記可動板の変位を許容する場合と、それら両
者が同時に発生する場合など各種の動作原理が生じる。
つまり、本発明では、可動板と支持板の主従関係を問わ
ず、要は、加速度がかかった時には、可動板と支持板か
ともに変位・変形するようになっていれば良い。したが
って、請求項における「支持板の弾性変形とともに変位
する可動板」や「支持板が変形するのとともに前記可動
板を変位」等の記載は、係る要素を含むことを意味して
いる。

【００２０】さらに本発明のより具体的な好ましい構造
として、以下のような手段をとると、上記した基本構成
に基づく作用効果に加え、さらに有利な効果を奏する。
すなわち、例えば、前記可動板は、前記支持板よりも大
きい平面形状とし、前記可動板に形成する第２電極の少
なくとも一部が、前記支持板の外側の前記基板表面に対
向するように構成することができる。そのように構成す
ると、支持板を形成していない基板の表面は、当然のこ
とながら加速度が加わっても変化しない。そして、上記
したように可動板も撓むことがない。よって、支持板の
外側部分で対向する第１，第２電極は、平行変位領域と
なるので、入出力特性の直線性が向上する。また、ボン
ディング部を広くとることが可能となるので、より小さ
な支持板で十分な静電容量が得られチップサイズの小型
化が可能となる。また、支持板を小さくすることで支持
板バネ係数が大きくなり、結果として応答速度が速くな
る。

【００２１】また、前記柱部の周囲における前記基板と
前記可動板の間隔を、前記可動板の周縁付近における前
記基板と前記可動板の間隔よりも広くしてもよい。すな
わち、柱部の周囲は、加速度がかかってもあまりギャッ
プは変化しない。従って、係る部分に電極を設けた場合
には、当該部分で静電容量が変化せず、寄生容量とな
る。そこで、容量変化の少ない領域のギャップを広げる
ことにより、寄生容量が減少され、結果として、入出力
特性の直線性が向上する。

【００２２】そして、係る効果をさらに向上させるため
には、例えば前記柱部の周囲における前記可動板に貫通
孔を設けるとよい。これにより、寄生容量がさらに減少
する。さらに、貫通孔を設けた場合には、その貫通孔が
空気の通路となるので、応答性が向上する。

【００２３】さらにまた、前記第１，第２電極は、前記
支持板未形成の領域及びそれに対向する領域のみに設け
てもよい。そのようにすると、さらに寄生容量がなくな
り、直線性が向上する。

【００２４】一方、前記可動板と前記基板の対向面の少
なくとも一方に絶縁膜を設けてもよい。すなわち、本発
明では、ギャップは広がる方向に移動するが仮に可動板
と支持板（基板）が接触しても、ショートするおそれが
なく、湿度などによる耐性も向上する。また、この時、
空気よりも誘電率の高い絶縁膜を用いると、静電容量が
増加して感度が向上する。なお、感度の向上を図ること
を目的とした場合には、高誘電材料であれば、必ずしも
絶縁膜でなくてもよい。そして、そのように誘電率の高
い材質を可動部の周縁部（平行変位する領域）にのみ形
成すると、平行変位する領域のみ静電容量が増加し、寄
生容量が減少するとともに感度が向上する。

【００２５】さらにまた、前記静電容量に基づく信号を
外部に取り出す手段は、前記可動板に連結された引出配
線を有し、前記可動板の所定位置に前記柱部近傍まで切
り込まれた切欠部を設け、前記引出線の一部が前切欠部
内に配置されるとともに、その引出配線の一端が前記切
欠部の奥側の前記柱部近傍に接続されるようにしてもよ
い。このように構成すると、可動板の端から配線を引き
出す場合に比べ、可動板に余分な応力がかからないの
で、安定した特性が検出できる。

【００２６】また、前記静電容量に基づく信号を外部に
取り出す手段は、前記可動板に連結された引出配線を有
し、前記柱部を基準として前記引出配線と点対称になる
ようにダミー配線（同一物質，同一形状）を設けてもよ
い。そのように構成すると、引出配線により生じる応力
が、可動板に対して対称に加わるので、可動板の傾き，
ねじれなどを抑えることができる。

【００２７】さらにまた、前記静電容量に基づく信号を
外部に取り出す手段は、前記可動板に連結された引出配
線を有し、前記引出配線の応力を前記可動板よりも小さ
くしてもよい。応力を小さくする方法としては、例えば
肉厚を薄くしたり、剛性の弱い材質を使用して引出配線
を製造する等の方法がとれる。このように構成すると、
引出配線により生じる応力（バネの力）が、支持板の変
位に影響しにくくなるので、感度の向上及び応答性が向
上する。

【００２８】

【発明の実施の形態】図３は、本発明に係る静電容量型
加速度センサの第１の実施の形態を示している。同図に
示すように、シリコンからなる第１半導体基板１０の下
端中央部を除去して薄肉の支持板１２を設け、その支持
板１２の周囲が枠体１３となる。この枠体１３の下面が
ダイボンド部１３ａとなる。さらに、この支持板１２の
１組の対辺に沿ってスリット１１が形成され、このスリ
ット１１により、支持板１２の１組の対辺部分と枠体１
３とが分離される。よって、支持板１２は、その両端が
枠体１３に連結された両持ち支持された状態となる。そ
して、薄肉にしていることから、弾性変形が可能とな
り、例えば支持板１２の中央部分に厚さ方向の力が加わ
った場合には、両端の枠体１３との連結部分は移動でき
ないので、弾性変形して中央部分が力の方向に変位し、
半円筒状に膨らむことになる。

【００２９】また、支持板１２の上面中央に絶縁体から
なる柱部１４を介して可動板１６を連結している。そし
て、この可動板１６もシリコンからなる第２半導体基板
１８から構成される。さらに、可動板１６は、平面略正
方形状の平板からなり、周囲からほぼ独立して宙に浮い
た状態となる（厳密には、上記柱部１４を介して支持板
１２に接続されるとともに、後述する引出配線を介して
ワイヤパッドに接続されている）。

【００３０】従って、支持板１２と可動板１６とは絶縁
状態にあり、支持板１２の上面が第１電極２０となり、
可動板１６の下面が第２電極２１となる。そして、両電
極２０，２１間に、距離に応じた静電容量が発生する。
係る構成が基本構成であり、加速度がかからない基準状
態では、図示するように、可動板１６と支持板１２は、
ともにほぼ水平状態を保持し、両電極２０，２１間の距
離は、柱部１４の高さとなる。

【００３１】そして、この状態から支持板１２の下面に
対し、上方向への加速度が加わるとすると、図４に示す
ように、支持板１２が変位し、上に凸のアーチ状に撓
む。すると、平面形状を保つ可動板１６は、その中央に
て支持板１２の中央部に柱部１４を介して局部的に支持
されているだけであるので、支持板１２がアーチ状に撓
み変形したときには、可動板１６は平面形状を保ったま
までその厚み方向に平行変位する。その結果、支持板１
２の周縁部と可動板１６間の間隔が広がるので、当該部
分における両電極２０，２１間のギャップが広がり、両
電極２０，２１間に発生する静電容量が変化する。そし
て、変化した静電容量に基づいて加わった加速度を測定
することができる。

【００３２】ここで注目すべき点は、支持板１２の変位
に基づいて変化する電極２０，２１間のギャップ部分
は、面積の大きな支持板１２の周縁部になっていること
である。すなわち、図１に示した従来の片持ち梁４で支
持された重り５の変位では、重り５のほぼ半分の領域
（面積）ではあまりギャップが変化しなかったが、本形
態では、アーチ状に変化することから、あまりギャップ
が変化しない領域を少なくすることができ、静電容量の
変化量も大きくなり、高感度となる。さらに、可動板１
６を支持する支持板１２を異なる面、つまり、変位方向
（上下方向）に重ねるようにしたため、チップサイズ
（平面積）に対する電極面積の占有率を大きくすること
ができ、センサの小型化を図りつつ特性・感度を向上す
ることが可能となる。しかも、従来の加速度センサでは
重り５を変位させる片持ち梁４や支持部８は、あくまで
も支持機能のみ（支持部８は配線引出機能も有してい
る）であり、静電容量を検出する機能はなかったが、本
形態では、上記したように支持板１２の表面に第１電極
２０を設けたため、支持板１２を設けた空間が静電容量
検出のためのデッドスペースにならないという利点もあ
る。また、支持板１２と可動板１６をともに導電性の半
導体基板を用いて形成したため、接合後に熱歪みの影響
を受けなくなる。

【００３３】また、上記のような支持板１２を製造する
には、例えば図５に示すように、第１半導体基板として
Ｐ型のシリコンウエハ１０′を用い、その上面にリン等
をドープして所定深さのｎ領域１０ａを形成する。この
時、ドープの深さは、最終的に形成する支持板１２の厚
さとし、また、ドープする領域としては、スリット１１
を形成しない表面全面としている。従って、ドープした
状態では、シリコンウエハ１０′の上面はスリット形成
領域のみＰ型シリコンとなり、それ以外はｎ領域１０ａ
となる。

【００３４】そして、シリコンウエハ１０′の下面に、
酸化膜あるいは窒化膜Ｒをパターニングして設ける。こ
の設置位置は、枠体１３の下面、つまり、ダイボンド部
１３ａの形成領域とする。この状態でウエハに対して異
方性エッチングを行うと、酸化膜あるいは窒化膜Ｒで覆
われていないＰ型シリコン部分がエッチングする。する
と、上記ドープして形成したｎ領域１０ａはエッチスト
ップ層となるので、図６に示すように、酸化膜あるいは
窒化膜で覆われていなかった下面中央部分は除去されて
支持板１２となる。しかも、Ｐ型のシリコンウエハ１
０′の上面側でリンをドープしなかった２本の帯状部分
も除去されるので、スリット１１が形成される。これに
より、枠体１３に対して両持ち支持される支持板１２が
形成される。なお、図示の例では、支持板１２を有する
第１半導体基板１０の部分に着目して製造プロセスを説
明したが、実際には、図５に示す状態から、さらにその
上面に絶縁層や半導体ウエハなどをパターニングしつつ
積層し、図６に示すように支持板１２を製造する工程
は、最終プロセス或いはそれに近いときに行うことにな
る。

【００３５】一方、本形態では、支持板１２（第１電極
２０）と可動板１６（第２電極２１）をともに半導体
（シリコン）基板で形成したことから、両電極２０，２
１間に正しく静電容量を発生させるとともに、発生した
静電容量を取り出すためにさらに以下のような構造をと
った。

【００３６】すなわち、両半導体基板１０，１８を接合
する際に、その間に絶縁膜２２を介在させるようにし、
各基板１０，１８は絶縁膜２２に接続するようにした。
そして、絶縁膜２２としては、例えば第１半導体基板１
０の上面にパターニングして酸化膜を成膜することによ
り形成でき、この絶縁膜２２により上記した柱部１４を
製造することもできる。

【００３７】さらに、両電極２０，２１が接触して短絡
するのを防止するため、可動板１６、すなわち、第２半
導体基板１８の接合面側表面（図中、下面）を絶縁性の
保護膜２４で被覆した。これにより誤って可動板１６が
支持板１２に接触したとしても、両者間には保護膜２４
が存在するため短絡しない。また、第２半導体基板１８
の非接合面側表面も同様に絶縁性の保護膜２５を成膜
し、短絡するのを防止している。

【００３８】また、両電極２０，２１間に発生する静電
容量を外部に取り出す機構としては、まず、第１電極２
０側は、絶縁膜２２の一部に孔部２２ａを形成して下側
に位置する第１半導体基板１０を露出させ、その露出し
た第１半導体基板１０に電気的に接続するようにしてア
ルミ等をスパッタリングしてワイヤパッド２６を形成す
る。これにより、第１電極２０は、支持板１２，第１半
導体基板１０を介してワイヤパッド２６と導通されるの
で、そのワイヤパッド２６にボンデンィグワイヤを接続
することにより、外部の装置に接続できる。

【００３９】また、第２電極２１側は、可動板１６と一
体に形成された引出配線２７を介して第１半導体基板１
０の枠体１３の上方に形成されたターミナル部２８に接
続され、そのターミナル部２８の上面に形成された保護
膜２５の一部に孔部２５ａを形成しその下側に位置する
ターミナル部２８を露出させ、その露出したターミナル
部２８に電気的に接続するようにしてアルミ等をスパッ
タリングしてワイヤパッド２９を形成する。これによ
り、第２電極２１は、上記した経路を通ってワイヤパッ
ド２９と導通されるので、そのワイヤパッド２９にボン
デンィグワイヤを接続することにより、外部の装置に接
続できる。

【００４０】さらに、枠体１３の上面には、絶縁膜２２
を介してフレーム３０が形成されている。このフレーム
３０の上下両面にも、保護膜２４，２５が成膜されてい
る。このフレーム３０は、可動板１６の周囲を囲むよう
に配置され、このフレーム３０を設けたことにより、可
動板１６の側面に何らかの物体が衝突することが可及的
に抑制される。そして、上記した可動板１６，引出配線
２７，ターミナル部２８及びフレーム３０が、第２半導
体基板１８により形成される。つまり、第２半導体基板
１８をエッチングしてパターニングすることにより、同
時に形成できる。一方、そのように第２半導体基板１８
から製造されることから、引出配線２７は従来のボンデ
ィングワイヤなどに比べると剛性があるため、係る引出
配線２７が可動板１６の変位に対して悪影響を与えない
ようにする必要がある。

【００４１】そこで本形態では、引出配線２７を細長く
することにより引出配線２７自体の剛性を弱くするよう
にした。しかも、できるだけ長くすることにより、可動
板１６が変位した際に、弾性復元力が働かないようにし
た。つまり、図３（Ｂ）に示すように、引出配線２７の
一端２７ａを可動板１６の１つの頂点付近に連結し、引
出配線２７は、可動板１６の１辺と平行に配置しその他
端２７ｂを可動板１６の他の頂点付近まで延長形成して
いる。なお、より好ましくは、さらに延長し、可動板１
６の隣接する２つの辺に沿うように形成（引出配線は途
中で折曲される）してもよい。

【００４２】図７，図８は、本発明の第２の実施の形態
を示している。本実施の形態は、基本的には上記した第
１の実施の形態と同様であるが、支持板１２の寸法形状
を、可動電極１６よりも小さくしている。そして、第１
電極２０は、第２電極２１と対向する面、すなわち、支
持板１２の上面２０ａはもちろんのこと、第１半導体基
板１０の枠体１３の上面の一部２０ｂも第１電極２０と
なる。

【００４３】係る構成にすると、図７（Ａ）と図８を比
較すると明らかなように、加速度が加わることによりス
リット１１によって両側縁がフリーになって両持ち支持
された支持板１２が、アーチ状に撓んで電極２０，２１
間のギャップが変化した場合に、その多くの領域（枠体
１３の上面に形成した電極部分２０ｂと第２電極２１と
の間）では、電極間距離は平行変位するので、入出力特
性（加速度変化に対する静電容量の変化）の直線性が得
られる領域が広くなる。

【００４４】また、このように支持板１２の面積を小さ
くしても高感度となることから、枠体１３の幅を広くす
ることができ、ダイボンド部１３ａの幅を広くとること
ができる。従って、センサを小型化しても所望のセンサ
特性を得つつ、確実に面実装するためのダイボンド部１
３ａの幅を確保できるので、さらなる小型化が可能とな
る。なお、その他の構成並びに作用効果は、上記した第
１の実施の形態と同様であるので、同一符号を付しその
詳細な説明を省略する。

【００４５】図９は、第３の実施の形態を示している。
本実施の形態では、上記した第２の実施の形態を基本と
し、さらに絶縁耐圧の向上を図っている。すなわち、枠
体１３の上面に位置する電極部分２０ｂの上面を覆うよ
うにして絶縁膜３１を成膜している。この絶縁膜３１を
設けたことにより、両電極２０，２１間には、保護膜２
４と絶縁膜３１が存在しているので、より確実に電極２
０，２１間の短絡が防止される。なお、その他の構成並
びに作用効果は、上記した第２の実施の形態と同様であ
るので、その説明を省略する。

【００４６】また、上記した絶縁膜３１として、ＳｉＮ
膜等の誘電率の高い絶縁膜を用いるとよい。つまり、物
理的な距離は支持板１２の部分のギャップと枠体１３の
部分のギャップとが等しいとしても（基準状態）、枠体
１３部分のギャップで発生する静電容量が大きくなる。
従って、平行変位してギャップ間隔も変わる領域のみ静
電容量を増加することができ、高感度化と、入出力特性
の直線性の向上が図れる。

【００４７】そして、係る構造は、例えば第１半導体基
板１０の上面全面にＳｉＮ膜を堆積させ、必要領域以外
をドライエッチングなどで除去することにより絶縁膜３
１を成膜できる。その後、絶縁膜２２（柱部１４）を形
成し、第２半導体基板１８を接合するなどの通常のプロ
セス通りに加工することにより本形態のセンサを構成で
きる。

【００４８】図１０は、本発明の第４の実施の形態を示
している。本実施の形態では、上記した第１の実施の形
態を基本とし、可動板１６の下面のうち柱部１４の周囲
の領域に溝３２を形成している。すなわち、図４からも
明らかなように、支持板１２の変位に伴う柱部１４の周
囲の電極間距離の変化量が小さい。従って、センサ全体
の電極２０，２１間に発生する静電容量を考えた場合、
当該柱部１４の周囲の領域で発生する静電容量は、加速
度がかかってもあまり変化せず、寄生容量となる。従っ
て、図示のように溝３２を形成し、当該領域のギャップ
を広げ、その溝３２を挟んで対向する電極部分に発生す
る静電容量を小さくすることにより、上記寄生容量を削
減して入出力特性の直線性の向上を図るようにした。

【００４９】そして、そのように溝３２を設け寄生容量
の削減を図るタイプとしては、図示のものに限ることは
なく、例えば図１１に示すように、可動板１６の下面中
央を柱部１４が連結する部分も含めて溝３２を形成し、
その溝３２のほぼ中心位置に柱部１４を接続するように
してもよい。また、図１２（Ａ），（Ｂ）に示すよう
に、支持板１２側に溝３３を設けてもよい。さらには、
それらを適宜組み合わせて実施することも可能である。

【００５０】さらに、図１１，図１２（Ｂ）に示すよう
に構成した場合には、柱部１４が溝３２，３４内のほぼ
中央に位置すればよいので、図１０，図１２（Ａ）のも
のに比べると組立が容易に行える。また、図１０，図１
１に示すような形状を構成するには、予め第２半導体基
板１８の下面の所定位置（溝３２の形成部分）をエッチ
ングにより除去した後、保護膜を成膜し、それを絶縁膜
２２付きの第１半導体基板１０に接合することにより簡
単に製造できる。

【００５１】さらにまた、第２の実施の形態（支持板面
積を小さくし、電極間距離が平行変位する領域を大きく
したタイプ）のものにおいても、上記した第４の実施の
形態を適用できる。一例を示すと、図１３に示すよう
に、可動板１６の下面のうち、柱部１４の周囲に溝３２
を形成することができる。もちろん、図示省略するが、
図１１に示したようにように可動板１６の下面中央に溝
を設け、その溝内に柱部１４の上端を接合するようにし
てもよい。また、図１４に示すように、支持板１２の上
面中央部位に溝３３を設け、その溝３３内に柱部１４の
下端を接続してもよい。もちろん、図示省略するが、図
１２（Ａ）に示したように柱部１４の周囲のみに溝を設
けるようにしてもよい。

【００５２】なお、上記した図１０から図１４に図示し
た各実施の形態及び図示省略した各変形例においても、
支持板１２の対向する両側縁には、図３（Ｂ），図７
（Ｂ）に示すような１組のスリット１１が形成され、支
持板１２が弾性変形してアーチ状に撓むことができるよ
うになっている。

【００５３】図１５は、本発明の第５の実施の形態を示
している。本実施の形態では、上記した第２の実施の形
態を基本とし、さらに入出力特性の直線性の改善を図っ
ている。すなわち、可動板１６のうち、支持板１２に対
向する部分に貫通孔３５を設けている。これに伴い、柱
部１４と可動板１６とは、十字状に延びた梁３６により
連結されている。そして、係る貫通孔３５は、第２半導
体基板１８をエッチングして可動板１６を形成する際に
同時に製造できる。

【００５４】係る構成にすると、支持板１２に対向する
部分には、導電体がほとんどない（梁部３６のみ）の
で、第１半導体基板１０側に形成する第１電極２０は、
変位しない枠体１３の上面部分のみ（或いは大部分）と
なる。従って、上記した第４の実施の形態に比べさらに
寄生容量が減少し、電極のほとんどが平行変位する部分
となる。これにより、入出力特性の直線性がさらに向上
する。

【００５５】さらにまた、本形態では、貫通孔３５を設
けたことにより、支持板１２ひいては可動板１６が変位
する際に、空気の逃げ通路となるので、移動時の空気抵
抗が少なくスムーズに変位でき、微小な加速度や高周波
数及びまたは瞬間的にかかる加速度であっても精度よく
検出できるという副次的効果も発揮する。なお、その他
の構成並びに作用効果は、上記した実施の形態（特に第
２の実施の形態）と同様であるので、その詳細な説明を
省略する。

【００５６】図１６は、本発明の第６の実施の形態を示
している。本実施の形態も、入出力特性の直線性の改善
を図ったものである。同図に示すように、上記した各実
施の形態と相違して、第２電極３８は、その可動板１６
の下面に成膜した保護膜２４の表面にアルミなどの金属
をスパッタリングなどして形成している。そして、その
第２電極３８は、可動板１６の下面のうち第１半導体基
板１０の枠体１３に対向する部分に形成している。

【００５７】係る構成をとると、第２半導体基板１８で
形成した可動板１６は、第２電極３８と電気的に非導通
状態となるので、可動板１６は支持板１２の変形に伴い
平板状を保持したまま変位する機能、つまり、第２電極
３８を平行変位させるための機能を有することになる。
そして、可動板１６の下面の柱部１４の周囲には第２電
極３８を設けなかったため、支持板１２の上面との間に
は静電容量が発生しない（仮に発生しても無視できる程
度である）。従って、静電容量は、加速度が加わった際
に平行変位する第２電極３８とそれに対向する（変位し
ない）枠体１３上に形成された第１電極２０間に発生す
るため、入出力特性の直線性が向上する。

【００５８】図１７は、本発明の第７の実施の形態を示
している。本実施の形態では、第２電極を外部に引き出
すためのワイヤパッド２９に導通させるための引出構造
の改良に関する。そして、具体的なセンサ構造として
は、上記した第１〜第５の実施の形態のいずれも適用で
きる。すなわち、上記した各実施の形態では、可動板１
６とターミナル部２８を結ぶ１本の引出配線２７を設け
ていたが、本実施の形態では、その引出配線２７と点対
称（可動板１６の中心：柱部１４を基準）にダミー配線
３９を設け、そのダミー配線３９にて、可動板１６の側
縁と第２半導体基板１８の所定位置に形成したパターン
４０に接続している。このパターン４０は、フレーム３
０とは絶縁されている。

【００５９】係る構成にすると、可動板１６が変位した
際に引出配線２７から受ける反力と同程度の反力をダミ
ー配線３９からも受けることになる。従って、可動板１
６に対してはほぼ全体に均等に反力がかかるので、可動
板１６の傾き、ねじれがなくなる。よって確実に両電極
の平行状態を保ちながら変位することになる。なお、図
では配線が２箇所に設けられているが、例えば４箇所に
卍型に設けるようにすると、係る効力はさらに増大す
る。

【００６０】図１８は、本発明の第８の実施の形態を示
している。本実施の形態では、引出配線２７及びダミー
配線３９を点対称に配置する点では上記した第７の実施
の形態と同様であるが、各配線２７，３９と可動板１６
との接続箇所を異ならせている。すなわち、可動板１６
の１組の対辺のそれぞれの中点から中心に向かって帯状
の切欠部１６ａを設ける。その切欠部１６ａの奥側は、
柱部１４に位置している。そして、引出配線２７及びダ
ミー配線３９を、切欠部１６ａ内に挿入配置し、可動板
１６の中心側付近で接続している。これにより、支持板
１２の変位に伴い移動する柱部１４の付近で各配線２
７，３９が接続され、しかも、係る接続点付近は、ギャ
ップ変動が少ないこともあり、柱部１４を介して支持板
１２側に係る反力も小さくてすむ。そして、配線２７，
３９の応力は柱部１４付近にのみ加わり、可動板１６の
ひずみ等を考慮する必要がなくなる。さらに、両配線２
７，３９の形状は１本の帯状としても、十分長さを確保
できる。従って、上記した各実施の形態のように、可動
板１６とフレーム３０の間に、その隙間に沿って引出配
線２７等をはわす必要がないので、可動板１６とフレー
ム３０との間隔を狭くし、小型化が図れる。

【００６１】図１９は、本発明の第９の実施の形態を示
している。本実施の形態では、上記した第８の実施の形
態をさらに改良したもので、可動板１６に設けた切欠部
１６ａ内に進入させ柱部１４近傍で接続した両配線２
７，３９を、可動板１６の周囲（隣接する２辺）に沿っ
て所定距離延長形成している。これにより、各配線２
７，３９は、可動板１６の３辺と平行になるようにな
り、総延長距離が長くなる。よって、本形態では、上記
した第７の実施の形態と同様に２つの配線２７，３９を
点対称にすることにより可動板１６に対する反力が均等
になり、また、第８の実施の形態と同様に柱部１４付近
で接続することにより、発生する反力自体を小さくする
という効果を発揮するとともに、両配線２７，３９の長
さを長くすることにより、配線２７，２９の応力を小さ
くし、よりスムーズに可動板１６が平行変位できるよう
にしている。

【００６２】図２０は、本発明の第１０の実施の形態を
示している。本実施の形態も引出配線２７の改良であ
り、上記した各実施の形態に対して適用できる。すなわ
ち、可動板１６に比べて引出配線２７を薄くしている。
このようにすることにより、引出配線２７の応力が小さ
くなり、可動板１６に対する応力の影響が減少する。そ
して、係る構造のセンサを製造するには、例えば第２半
導体基板１８を第１半導体基板１０に接合する前に、第
２半導体基板１８の接合面側の引出配線２７の形成領域
をドライエッチングなどでエッチングして薄肉にしてお
く。その後、両半導体基板をフュージョンボンディング
により接合し、通常の作製プロセスを実施して作製する
ことができる。

【００６３】なお、上記した各実施の形態では、いずれ
も第２電極２１（可動板１６）を外部に引き出すための
引出配線を、可動板１６を製造する第２半導体基板１８
を用いて一体的に形成したが、本発明はこれに限ること
はなく、例えば図２１に示すように、ボンディングワイ
ヤ４３等の別部材を用いて接続してもよい。この例で
は、可動板１６の上面にワイヤパッド４４を設け（保護
膜を設けている場合には、保護膜の該当する部分に孔部
を形成する）、そのワイヤパッド４４と電極パッド２９
にボンディングワイヤ４３の両端を接続している。この
ようにボンディングワイヤ４３を用いた場合には、上記
した各実施の形態のように引出配線の応力の影響がなく
なるという点では好ましい。この場合、支持板を形成す
る前に、ワイヤボンドを行うと、ボンディングが容易に
行える。

【００６４】図２２，図２３は本発明の第１１の実施の
形態を示している。本実施の形態では、上記した各実施
の形態と相違して、可動板４６をガラス基板を用いて形
成している。すなわち、まず支持板４７を形成した第１
半導体基板４８の上面全面に絶縁膜４９を成膜する。そ
して、この絶縁膜４９の上面所定位置にはアルミ等をス
パッタリングすることにより配線パターン５０を形成
し、その配線パターン５０の一端５０ａを幅広にしてワ
イヤパッドとする。

【００６５】一方、可動板４６の下面中央に凸部４６ａ
を形成する。そして、可動板４６の下面側の周縁、つま
り第１半導体基板４８の枠体５１に対向する部分にアル
ミ等をスパッタリングして第２電極５３を形成し、その
第２電極５３に連続して上記凸部４６ａまで延びる配線
パターン５５も同時に形成する。そして、上記した配線
パターン５０の他端５０ｂには、インタコネクション部
５７を設け、そのインタコネンクション部５７に、上記
凸部４６ａを接合する。インタコネクション部５７はア
ルミにより形成されているので、これにより第２電極５
３は、配線パターン５０→インタコネクション部５７→
配線パターン５５を通ってワイヤパッド５０ａに導通さ
れる。そして、凸部４６ａ並びにインタコネクション部
５７により柱部が形成される。このようにインタコネク
ションを利用することにより、可動板４６の周囲をフリ
ー状態にすることができるので、可動板に応力がかから
ず、歪みの発生も可及的に抑制できる。

【００６６】なお、第２電極５３に対向する第１半導体
基板４８の枠体５１の上面が第１電極５８となり、両電
極５３，５８間にギャップ間距離に応じた静電容量が発
生する。そして、第１電極５８は、絶縁膜４９の所定位
置に形成された孔部４９ａを介して露出する第１半導体
基板４８にアルミをスパッタリングすることにより形成
されたワイヤパッド６０を介して外部と導通可能とな
る。

【００６７】図２４は、本発明の第１２の実施の形態を
示している。本実施の形態では、上記した各実施の形態
を基本とし、その可動板１６の上方空間を覆うようにし
てカバー６１を形成している。係る構成をとることによ
り、ギャップ内へのゴミなどの侵入を防ぐことができ
る。そして、係るカバー６１をシリコン等の半導体基板
を適宜エッチングして形成したものを用いると、半導体
プロセスによる一連の処理により製造することができ
る。

【００６８】上記した各構成のセンサを製造するには、
例えば第１の半導体基板と、第２の半導体基板をそれぞ
れ別々のシリコンウエハから形成し、例えば第１の半導
体基板の上に柱部を形成した後、その柱部の上面に第２
半導体基板を接合後、さらにエッチングによるパターニ
ングを行うことにより半導体プロセスを用いて製造する
ことができる。

【００６９】また、別の方法としては、例えば図２５に
示す方法によっても製造できる。すなわち、表面マイク
ロ技術を用い、支持板を設ける基板上に堆積した導電性
薄膜で、対向電極を形成するには、以下のように行う。（１）まず、第１半導体基板となるシリコンウエハ１
０′上にＳｉＮ膜等を堆積させ、ＳｉＮをエッチングし
て柱部１４等を形成する。（２）ギャップとなる部分に酸化膜６２を堆積させる。
この酸化膜が犠牲層となる。（３）柱部１４の上方に位置する酸化膜を除去し、ポリ
シリコンを堆積させ可動板１６及び引出配線をパターン
形成する。もちろんポリシリコンの堆積前後に保護膜も
成膜する。これにより、図２５（Ａ）の中間製造物が形
成できる。（４）ウェットエッチングにより、処理（２）で製造し
た酸化膜（犠牲層）をエッチングして上記し、ギャップ
を形成する。これにより、図２５（Ｂ）の中間製造物が
形成できる。（５）ワイヤボンディング用のパッドを形成するととも
にシリコンウエハの下面所定位置をエッチングして支持
板１２を形成する。これにより、図２５（Ｃ）に示すよ
うなセンサが製造される。係るプロセスによりセンサチ
ップを作成すればウエハ１枚で作成可能になり、コスト
ダウンにつながる。

【００７０】さらに、上記した工程（３）では可動板
（第２電極）と引出配線をともにポリシリコンで形成し
たが、例えば可動板を単結晶シリコンで作製し、引出配
線の部分を表面マイクロ技術によりポリシリコンで作製
すれば、「可動板の剛性＞引出配線の剛性」となり、引
出配線により生じる応力の影響が対向電極にかかりにく
い構造とすることができる。

【００７１】

【発明の効果】本発明の静電容量型加速度センサ及び検
出方法は、支持板の変形に伴う静電容量の変化が、支持
板の周縁側の大きな面積の領域で最も大きくすることが
できる。その結果、測定対象物理量の変化に対するセン
サ出力の変化が大きくなり、高感度となる。そして、支
持板と可動板とが変位方向に沿って重なるようにして配
置されているので、センサチップに対する電極面積の占
有率を増大でき、センサの小型化を図りつつ感度の向上
を図ることができる。さらには、測定レンジを広くする
ためには、可動板の変位可能な距離を大きくする必要が
ある。すると、従来の重りと梁（支持部）を同一平面に
形成した構造で重りを大きく変位させるためには、梁等
を長くする必要があり、そうすると電極の占有面積が小
さくなり、感度の低下を招く。しかし、本発明では、可
動板の変位量を大きくするために支持板を大きくして
も、電極面積の占有率には影響を与えない。よって、感
度を低下させることなく測定レンジを大きくすることが
できる。

【００７２】また、電極を支持板付きの基板の周囲、つ
まり支持板の形成されていない領域に形成した場合に
は、その部分では電極間距離が平行変位するので、入出
力特性の直線性を良好にすることができ、また、ダイボ
ンド部の幅を十分にとることができ、小型化が可能とな
る。さらに、柱部付近のギャップ間距離（誘電率を考慮
して実質的な距離も含む）を広くしたりすると、寄生容
量を減少できるので、入出力特性の直線性を向上でき
る。さらに、引出配線の構造を工夫すると、可動板に対
する応力が減少したり、悪影響をなくすことができるの
で、特性が向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の静電容量型加速度センサの一例を示す断
面図である。

【図２】従来の静電容量型加速度センサの一例を示す断
面図である。

【図３】本発明に係る静電容量型加速度センサの第１の
実施の形態を示す図である。

【図４】本発明に係る静電容量型加速度センサの第１の
実施の形態を示す図である。

【図５】支持板を有する基板の製造プロセスの一例を説
明する図である。

【図６】支持板を有する基板の製造プロセスの一例を説
明する図である。

【図７】本発明に係る静電容量型加速度センサの第２の
実施の形態を示す図である。

【図８】本発明に係る静電容量型加速度センサの第２の
実施の形態を示す図である。

【図９】本発明に係る静電容量型加速度センサの第３の
実施の形態を示す図である。

【図１０】本発明に係る静電容量型加速度センサの第４
の実施の形態を示す図である。

【図１１】本発明に係る静電容量型加速度センサの第４
の実施の形態の変形例を示す図である。

【図１２】本発明に係る静電容量型加速度センサの第４
の実施の形態の変形例を示す図である。

【図１３】本発明に係る静電容量型加速度センサの第４
の実施の形態の変形例を示す図である。

【図１４】本発明に係る静電容量型加速度センサの第４
の実施の形態の変形例を示す図である。

【図１５】本発明に係る静電容量型加速度センサの第５
の実施の形態を示す図である。

【図１６】本発明に係る静電容量型加速度センサの第６
の実施の形態を示す図である。

【図１７】本発明に係る静電容量型加速度センサの第７
の実施の形態を示す図である。

【図１８】本発明に係る静電容量型加速度センサの第８
の実施の形態を示す図である。

【図１９】本発明に係る静電容量型加速度センサの第９
の実施の形態を示す図である。

【図２０】本発明に係る静電容量型加速度センサの第１
０の実施の形態を示す図である。

【図２１】本発明に係る静電容量型加速度センサの第１
０の実施の形態の変形例を示す図である。

【図２２】本発明に係る静電容量型加速度センサの第１
１の実施の形態を示す図である。

【図２３】本発明に係る静電容量型加速度センサの第１
１の実施の形態を示す図である。

【図２４】本発明に係る静電容量型加速度センサの第１
２の実施の形態を示す図である。

【図２５】製造プロセスの一例を説明する図である。

【符号の説明】

１０第１の半導体基板１１スリット１２支持板１３枠体１３ａダイボンド部１４柱部１６可動板１８第２の半導体基板２０第１電極２１第２電極２２絶縁膜２４，２５保護膜２７引出配線３９ダミー配線

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】枠体に対して両持ち支持された弾性変形
可能な支持板を備えた基板と、その支持板の表面に設けた柱部と、その柱部に接続され、前記支持板の弾性変形とともに変
位する可動板と、前記基板と前記可動板の対向面にそれぞれ設けた第１，
第２電極と、前記第１，第２電極間に発生する静電容量に基づく信号
を外部に取り出す手段とを備えた静電容量型加速度セン
サ。
【請求項２】枠体に対して両持ち支持された弾性変形
可能な支持板を備えた基板と、その支持板に連結され、初期形状を保持しながら前記支
持板の変形とともに平行移動する可動板と、前記基板と前記可動板の対向面にそれぞれ設けた第１，
第２電極と、前記第１，第２電極間に発生する静電容量に基づく信号
を外部に取り出す手段とを備えた静電容量型加速度セン
サ。
【請求項３】枠体に対して両持ち支持された弾性変形
可能な支持板を備えた基板と、その基板表面の前記支持板の外周囲に設けた第１電極
と、前記支持板に連結され、前記第１電極に対して平行状態
を保持しながら前記支持板の変形とともに移動する可動
板と、前記可動板の前記第１電極に対向する部分に設けられた
第２電極と、前記第１，第２電極間に発生する静電容量に基づく信号
を外部に取り出す手段とを備えた静電容量型加速度セン
サ。
【請求項４】基板と、可動板と、それらを連結する柱
部とを有し、前記柱部が接続される前記基板の周辺を、外周囲に比べ
て薄肉にするとともに、その薄肉にした部分に所定の間
隔をおいて複数のスリットを形成し、その複数のスリッ
トで挟まれた領域を弾性変形可能な支持板を設けて、そ
の支持板が変形するのとともに前記可動板を変位するよ
うにし、前記基板と前記可動板の対向面にそれぞれ第１，第２電
極を設けた静電容量型加速度センサ。
【請求項５】枠体に対して両持ち支持された弾性変形
可能な支持板を有する基台と、その支持板に連結され前
記支持板が変形するのとともに移動する可動板とを配備
し、前記基台と前記可動板の対向面にそれぞれ第１，第２電
極を設け、前記支持板の変位に伴って変化する両電極の相対位置に
伴い両電極間に発生する静電容量に基づく信号を検出す
ることにより、前記支持板や前記可動板に加わる加速度
を検出する検出方法。