JPH11218603A - 反射防止膜およびその製造方法 - Google Patents
反射防止膜およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＲＴパネルガラス表面に貼り付けて用いる
反射防止膜は、付着強度、反射率特性、電気抵抗、全光
線透過率に関する全ての条件を満たすことは困難であ
り、それらを満たそうとすると、生産性が低下して高価
格となっていた。 【解決手段】 ベースフィルム１１上に酸化シリコン
（ＳｉＯx ）膜２１，酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜２
３，２５とインジウムスズ酸化膜２２，２４とを多層に
積層してなる反射防止膜２０において、最上層の酸化シ
リコン膜２５の膜厚は、その直下のインジウムスズ酸化
膜２４の膜厚よりも厚く形成されているものであり、ベ
ースフィルムとの界面におけるＳｉＯx 膜２１のｘの範
囲は０．５〜１．９となっているものである。
反射防止膜は、付着強度、反射率特性、電気抵抗、全光
線透過率に関する全ての条件を満たすことは困難であ
り、それらを満たそうとすると、生産性が低下して高価
格となっていた。 【解決手段】 ベースフィルム１１上に酸化シリコン
（ＳｉＯx ）膜２１，酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜２
３，２５とインジウムスズ酸化膜２２，２４とを多層に
積層してなる反射防止膜２０において、最上層の酸化シ
リコン膜２５の膜厚は、その直下のインジウムスズ酸化
膜２４の膜厚よりも厚く形成されているものであり、ベ
ースフィルムとの界面におけるＳｉＯx 膜２１のｘの範
囲は０．５〜１．９となっているものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射防止膜および
その製造方法に関し、詳しくは酸化シリコン膜とインジ
ウムスズ酸化膜とを多層に積層してなる反射防止膜およ
びその製造方法に関する。
その製造方法に関し、詳しくは酸化シリコン膜とインジ
ウムスズ酸化膜とを多層に積層してなる反射防止膜およ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に導電膜を有する反射防止膜は、ベ
ースフィルム上に大きな屈折率を有する膜と小さな屈折
率を有する膜とを交互に積層して形成さている。小さな
屈折率を有する膜には酸化シリコン（以下ＳｉＯ2 とい
う）膜を用い、大きな屈折率を有しかつ導電性を有する
膜にはインジウムスズ酸化（以下、ＩＴＯという、ＩＴ
ＯはIndium Tin Oxideの略）膜が良く用いられている。
例えば、樹脂のベースフィルム上にＩＴＯ膜、ＳｉＯ2
膜、ＩＴＯ膜、ＳｉＯ2 膜、汚染防止膜の順に積層され
たものが用いられている。
ースフィルム上に大きな屈折率を有する膜と小さな屈折
率を有する膜とを交互に積層して形成さている。小さな
屈折率を有する膜には酸化シリコン（以下ＳｉＯ2 とい
う）膜を用い、大きな屈折率を有しかつ導電性を有する
膜にはインジウムスズ酸化（以下、ＩＴＯという、ＩＴ
ＯはIndium Tin Oxideの略）膜が良く用いられている。
例えば、樹脂のベースフィルム上にＩＴＯ膜、ＳｉＯ2
膜、ＩＴＯ膜、ＳｉＯ2 膜、汚染防止膜の順に積層され
たものが用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＣＲＴ
（Cathode Ray Tube）〔例えばブラウン管〕のパネルガ
ラス表面に貼り付けて用いる反射防止膜として必要な特
性は以下のようなものである。樹脂ベースフィルムに
対する反射防止膜の付着強度として、高温（例えば６０
℃）かつ高湿（９８％）の雰囲気に２時間放置した後の
付着強度、温度サイクル履歴が、例えば＋７０℃（５時
間）と−４０℃（５時間）とを１サイクルとして５サイ
クル繰り返した後の付着強度、等が十分に大きいこと。
反射率特性（波長４５０ｎｍ〜６５０ｎｍの光に対す
る平均反射率）が０．６％以下であり、十分に小さいこ
と。電気抵抗（電磁遮蔽および帯電防止を目的として
いる）が５００Ω／□以下であること。全光線（波長
４５０ｎｍ〜６５０ｎｍの光）透過率が９０％以上の透
明性を有すること。以上のような相反する特性を同時に
満足させる必要があった。
（Cathode Ray Tube）〔例えばブラウン管〕のパネルガ
ラス表面に貼り付けて用いる反射防止膜として必要な特
性は以下のようなものである。樹脂ベースフィルムに
対する反射防止膜の付着強度として、高温（例えば６０
℃）かつ高湿（９８％）の雰囲気に２時間放置した後の
付着強度、温度サイクル履歴が、例えば＋７０℃（５時
間）と−４０℃（５時間）とを１サイクルとして５サイ
クル繰り返した後の付着強度、等が十分に大きいこと。
反射率特性（波長４５０ｎｍ〜６５０ｎｍの光に対す
る平均反射率）が０．６％以下であり、十分に小さいこ
と。電気抵抗（電磁遮蔽および帯電防止を目的として
いる）が５００Ω／□以下であること。全光線（波長
４５０ｎｍ〜６５０ｎｍの光）透過率が９０％以上の透
明性を有すること。以上のような相反する特性を同時に
満足させる必要があった。
【０００４】一般にＩＴＯ／ＳｉＯ2 ／ＩＴＯ／ＳｉＯ
2 の積層構成を用いた膜では、上記〜の各項目を同
時に満足させることは困難であり、それを満足させよう
とすると、生産時に高い歩留りを得ることが難しくな
り、高価な反射防止膜となっていた。
2 の積層構成を用いた膜では、上記〜の各項目を同
時に満足させることは困難であり、それを満足させよう
とすると、生産時に高い歩留りを得ることが難しくな
り、高価な反射防止膜となっていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされた反射防止膜およびその製造方法で
あり、反射防止膜は、ベースフィルム上に酸化シリコン
膜とインジウムスズ酸化膜とを多層に積層してなるもの
で、最上層の酸化シリコン膜の膜厚を、この酸化シリコ
ン膜の直下のインジウムスズ酸化膜の膜厚よりも厚く形
成したものである。またベースフィルムとの界面におけ
る反射防止膜の最下層にＳｉＯx 膜を設け、そのＳｉＯ
x のｘの範囲を０．５〜１．９とする。
決するためになされた反射防止膜およびその製造方法で
あり、反射防止膜は、ベースフィルム上に酸化シリコン
膜とインジウムスズ酸化膜とを多層に積層してなるもの
で、最上層の酸化シリコン膜の膜厚を、この酸化シリコ
ン膜の直下のインジウムスズ酸化膜の膜厚よりも厚く形
成したものである。またベースフィルムとの界面におけ
る反射防止膜の最下層にＳｉＯx 膜を設け、そのＳｉＯ
x のｘの範囲を０．５〜１．９とする。
【０００６】上記反射防止膜では、最上層の酸化シリコ
ン膜の膜厚を、この酸化シリコン膜の直下のインジウム
スズ酸化膜の膜厚よりも厚く形成したことから、インジ
ウムスズ酸化膜による光吸収が小さくなるので、全光線
透過率の減少量が小さくなり全光線透過率の許容値（例
えば９０％以上）を満たせる。またベースフィルムとの
界面における反射防止膜の最下層にＳｉＯx 膜を設け、
そのＳｉＯx のｘの範囲を０．５〜１．９としたことか
ら、反射防止膜の付着強度を確保しながら、全光線透過
率の減少量を０．５％〜２．５％程度に保てる。
ン膜の膜厚を、この酸化シリコン膜の直下のインジウム
スズ酸化膜の膜厚よりも厚く形成したことから、インジ
ウムスズ酸化膜による光吸収が小さくなるので、全光線
透過率の減少量が小さくなり全光線透過率の許容値（例
えば９０％以上）を満たせる。またベースフィルムとの
界面における反射防止膜の最下層にＳｉＯx 膜を設け、
そのＳｉＯx のｘの範囲を０．５〜１．９としたことか
ら、反射防止膜の付着強度を確保しながら、全光線透過
率の減少量を０．５％〜２．５％程度に保てる。
【０００７】反射防止膜の製造方法は、酸化シリコン膜
とインジウムスズ酸化膜とを多層に積層して形成する製
造方法であって、最下層の酸化シリコン（ＳｉＯx ）膜
を、このＳｉＯx 膜における光吸収を測定することによ
りシリコンの酸化度を制御して形成する製造方法であ
る。また上記ＳｉＯx 膜を形成する前に下地に対してア
ルミニウム電極を用いたグロー放電処理を行う製造方法
である。また反射防止膜を構成する膜は、デュアルマグ
ネトロン方式のスパッタ装置により形成する製造方法で
ある。
とインジウムスズ酸化膜とを多層に積層して形成する製
造方法であって、最下層の酸化シリコン（ＳｉＯx ）膜
を、このＳｉＯx 膜における光吸収を測定することによ
りシリコンの酸化度を制御して形成する製造方法であ
る。また上記ＳｉＯx 膜を形成する前に下地に対してア
ルミニウム電極を用いたグロー放電処理を行う製造方法
である。また反射防止膜を構成する膜は、デュアルマグ
ネトロン方式のスパッタ装置により形成する製造方法で
ある。
【０００８】上記製造方法では、光の吸収を測定するこ
とによりシリコンの酸化度を制御して酸化シリコン（Ｓ
ｉＯx ）膜を形成することから、ベースフィルムとの付
着強度を保つとともに反射防止膜の全光線透過率を所定
の値以上に保つことが可能になる。また上記ＳｉＯx 膜
を形成する前に下地に対してアルミニウム電極を用いた
グロー放電処理を行うことから、下地のベースフィルム
に対する反射防止膜の付着強度が高められる。また反射
防止膜を構成する膜は、デュアルマグネトロン方式のス
パッタ装置により形成することから、成膜された膜は酸
素の多い層と酸素の少ない層とからなる多層構造になる
とともに、各層が薄く形成されることになる。そのた
め、酸素の多い層と酸素の少ない層との構成が粗い構造
のもの、または単一酸素量からなる膜構成のものと比較
すると、上記多層構造のものは、応力が分散され、また
破壊の伝播に際して各膜の界面において破壊の伝播が妨
げられるため、膜全体として破壊が起こり難くなる。一
方、膜構成が粗い構造のもの、または単一酸素量からな
る膜構成のものは、応力が分散され難く、膜破壊が起こ
り易くなる。
とによりシリコンの酸化度を制御して酸化シリコン（Ｓ
ｉＯx ）膜を形成することから、ベースフィルムとの付
着強度を保つとともに反射防止膜の全光線透過率を所定
の値以上に保つことが可能になる。また上記ＳｉＯx 膜
を形成する前に下地に対してアルミニウム電極を用いた
グロー放電処理を行うことから、下地のベースフィルム
に対する反射防止膜の付着強度が高められる。また反射
防止膜を構成する膜は、デュアルマグネトロン方式のス
パッタ装置により形成することから、成膜された膜は酸
素の多い層と酸素の少ない層とからなる多層構造になる
とともに、各層が薄く形成されることになる。そのた
め、酸素の多い層と酸素の少ない層との構成が粗い構造
のもの、または単一酸素量からなる膜構成のものと比較
すると、上記多層構造のものは、応力が分散され、また
破壊の伝播に際して各膜の界面において破壊の伝播が妨
げられるため、膜全体として破壊が起こり難くなる。一
方、膜構成が粗い構造のもの、または単一酸素量からな
る膜構成のものは、応力が分散され難く、膜破壊が起こ
り易くなる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態の一例を、図１
の要部断面図によって説明する。
の要部断面図によって説明する。
【００１０】図１に示すように、ベースフィルム１１
は、例えば１８８μｍの厚さのＰＥＴフィルム１２上
に、例えばポリメチルメタクリレート（以下、ＰＭＭと
いう）系材料からなる５μｍの厚さのハードコート膜１
３が形成されているものである。さらにそのハードコー
ト膜１３上には、下層から順に、酸化シリコン（ＳｉＯ
x）膜２１、インジウムスズ酸化（ＩＴＯ）膜２２、酸
化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜２３、インジウムスズ酸化
（ＩＴＯ）膜２４、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜２５が
積層され、このような膜構成によって反射防止膜２０が
形成されている。以下、膜は上記（ ）内に示した略記
を用いて示す。そして最上層のＳｉＯ2 膜２５の膜厚ｔ
１は、このＳｉＯ2 膜２５の直下のＩＴＯ２４の膜厚ｔ
２よりも厚く形成されているものである。また、上記Ｓ
ｉＯx 膜２１のｘの範囲を０．５〜１．９とする。
は、例えば１８８μｍの厚さのＰＥＴフィルム１２上
に、例えばポリメチルメタクリレート（以下、ＰＭＭと
いう）系材料からなる５μｍの厚さのハードコート膜１
３が形成されているものである。さらにそのハードコー
ト膜１３上には、下層から順に、酸化シリコン（ＳｉＯ
x）膜２１、インジウムスズ酸化（ＩＴＯ）膜２２、酸
化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜２３、インジウムスズ酸化
（ＩＴＯ）膜２４、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜２５が
積層され、このような膜構成によって反射防止膜２０が
形成されている。以下、膜は上記（ ）内に示した略記
を用いて示す。そして最上層のＳｉＯ2 膜２５の膜厚ｔ
１は、このＳｉＯ2 膜２５の直下のＩＴＯ２４の膜厚ｔ
２よりも厚く形成されているものである。また、上記Ｓ
ｉＯx 膜２１のｘの範囲を０．５〜１．９とする。
【００１１】このように、反射防止膜２０は、酸化シリ
コン膜とインジウムスズ酸化膜とを多層に積層してなる
ものである。上記反射防止膜２０は、例えば、ＳｉＯx
膜２１の膜厚が３ｎｍ±２ｎｍ、ＩＴＯ膜２２の膜厚が
２１ｎｍ±３ｎｍ、ＳｉＯ2膜２３の膜厚が３２ｎｍ±
３ｎｍ、ＩＴＯ膜２４の膜厚が４２ｎｍ±３ｎｍ、Ｓｉ
Ｏ2 膜２５の膜厚が１０３ｎｍ±３ｎｍに形成されてい
る。なお、ここで示した膜厚は一例であって、上記条件
を満足すれば適宜膜厚は変更可能である。
コン膜とインジウムスズ酸化膜とを多層に積層してなる
ものである。上記反射防止膜２０は、例えば、ＳｉＯx
膜２１の膜厚が３ｎｍ±２ｎｍ、ＩＴＯ膜２２の膜厚が
２１ｎｍ±３ｎｍ、ＳｉＯ2膜２３の膜厚が３２ｎｍ±
３ｎｍ、ＩＴＯ膜２４の膜厚が４２ｎｍ±３ｎｍ、Ｓｉ
Ｏ2 膜２５の膜厚が１０３ｎｍ±３ｎｍに形成されてい
る。なお、ここで示した膜厚は一例であって、上記条件
を満足すれば適宜膜厚は変更可能である。
【００１２】なお、最上層のＳｉＯ2 膜２５の表面に汚
染防止膜をコーティングしてもよい。この汚染防止膜
は、例えば、パーフルオロポリエーテル基を持つアルコ
キシシラン化合物を被覆することにより形成する。
染防止膜をコーティングしてもよい。この汚染防止膜
は、例えば、パーフルオロポリエーテル基を持つアルコ
キシシラン化合物を被覆することにより形成する。
【００１３】次に図示はしないが比較例として、従来の
反射防止膜の構成を以下に説明する。この膜構成では、
最上層のＳｉＯ2 膜をその直下のＩＴＯ膜の膜厚よりも
薄く形成してある。一般的に光学シミュレーションによ
り０．６％以下の反射率を得るためには、次のような膜
構成になる。最下層より、ＳｉＯx 膜（５ｎｍ±２ｎ
ｍ）、ＩＴＯ膜（１５ｎｍ±４ｎｍ）、ＳｉＯ2 膜（２
０ｎｍ±４ｎｍ）、ＩＴＯ膜（９８ｎｍ±７ｎｍ）、Ｓ
ｉＯ2 膜（８５ｎｍ±３ｎｍ）となる。なお、（）内に
は膜厚を示す。
反射防止膜の構成を以下に説明する。この膜構成では、
最上層のＳｉＯ2 膜をその直下のＩＴＯ膜の膜厚よりも
薄く形成してある。一般的に光学シミュレーションによ
り０．６％以下の反射率を得るためには、次のような膜
構成になる。最下層より、ＳｉＯx 膜（５ｎｍ±２ｎ
ｍ）、ＩＴＯ膜（１５ｎｍ±４ｎｍ）、ＳｉＯ2 膜（２
０ｎｍ±４ｎｍ）、ＩＴＯ膜（９８ｎｍ±７ｎｍ）、Ｓ
ｉＯ2 膜（８５ｎｍ±３ｎｍ）となる。なお、（）内に
は膜厚を示す。
【００１４】上記実施形態で説明した反射防止膜２０で
は、その最上層のＳｉＯ2 膜２５の直下におけるＩＴＯ
膜２４が、比較例のＩＴＯ膜に比べ１／２以下となって
いるため、ＩＴＯ膜による光吸収は少なくなり、その
分、全光線透過率の減少量が低減されるので、全光線透
過率の規格（例えば９０％以上）を満足するためのＳｉ
Ｏx 膜２１の形成条件は範囲の広いものとなる。またベ
ースフィルム１１との界面における反射防止膜２０の最
下層にＳｉＯx 膜２１を設け、そのＳｉＯx 膜２１のｘ
の範囲を０．５〜１．９としたことから、反射防止膜２
０の付着強度を確保しながら、全光線透過率の減少量を
０．５％〜２．５％程度に保てる。なお、ＳｉＯx 膜２
１が上記ｘの範囲外で形成された場合には、付着強度が
得られなくなる、全光線透過率が少なくなる等の問題を
生じる。またＩＴＯ膜２４を薄く形成しても、反射防止
膜２０の電気抵抗は、５００Ω／□以下となっている。
は、その最上層のＳｉＯ2 膜２５の直下におけるＩＴＯ
膜２４が、比較例のＩＴＯ膜に比べ１／２以下となって
いるため、ＩＴＯ膜による光吸収は少なくなり、その
分、全光線透過率の減少量が低減されるので、全光線透
過率の規格（例えば９０％以上）を満足するためのＳｉ
Ｏx 膜２１の形成条件は範囲の広いものとなる。またベ
ースフィルム１１との界面における反射防止膜２０の最
下層にＳｉＯx 膜２１を設け、そのＳｉＯx 膜２１のｘ
の範囲を０．５〜１．９としたことから、反射防止膜２
０の付着強度を確保しながら、全光線透過率の減少量を
０．５％〜２．５％程度に保てる。なお、ＳｉＯx 膜２
１が上記ｘの範囲外で形成された場合には、付着強度が
得られなくなる、全光線透過率が少なくなる等の問題を
生じる。またＩＴＯ膜２４を薄く形成しても、反射防止
膜２０の電気抵抗は、５００Ω／□以下となっている。
【００１５】一方、上記比較例の膜構成では、最上層の
ＳｉＯ2 膜の厚さに比較してその直下のＩＴＯ膜の膜厚
が厚いため、ＩＴＯ膜の吸収による全光線透過率の減少
量が大きく、ＳｉＯx 膜の吸収と合わせた場合、製造上
において許容できるＳｉＯx膜の吸収量が少なすぎるこ
とから、非常に生産性、歩留り等が悪くなり、反射防止
膜としては高価なものになる。
ＳｉＯ2 膜の厚さに比較してその直下のＩＴＯ膜の膜厚
が厚いため、ＩＴＯ膜の吸収による全光線透過率の減少
量が大きく、ＳｉＯx 膜の吸収と合わせた場合、製造上
において許容できるＳｉＯx膜の吸収量が少なすぎるこ
とから、非常に生産性、歩留り等が悪くなり、反射防止
膜としては高価なものになる。
【００１６】また、上記実施形態で説明した反射防止膜
２０のＳｉＯx 膜２１による光吸収を決められた範囲内
に保つ場合、シリコンターゲットを用い、かつ酸素（Ｏ
2 ）ガスとアルゴン（Ａｒ）ガスの混合ガス雰囲気を用
いた反応性スパッタリングによりＳｉＯx 膜２１を形成
する。その際に、ガス雰囲気中の酸素ガス量は供給され
る酸素ガス量のみで決定されるのではなく、スパッタチ
ャンバ内壁よりの脱離ガス、ロールＰＥＴフィルムから
の放出ガスによっても大きく変動する。特にベースフィ
ルム１１を形成するＰＥＴフィルム１２の表面およびＰ
ＥＴフィルム１２の内部より放出される水分（Ｈ2 Ｏ）
を原因とする酸素（Ｏ2 ）成分、またロールＰＥＴフィ
ルムの製造条件、およびスパッタ成膜までの保管中の吸
湿等による水分（Ｈ2 Ｏ）を原因とする酸素（Ｏ2 ）成
分が変動するため、ＳｉＯx 膜２１による光吸収の変動
は、製造時に生じ易い。
２０のＳｉＯx 膜２１による光吸収を決められた範囲内
に保つ場合、シリコンターゲットを用い、かつ酸素（Ｏ
2 ）ガスとアルゴン（Ａｒ）ガスの混合ガス雰囲気を用
いた反応性スパッタリングによりＳｉＯx 膜２１を形成
する。その際に、ガス雰囲気中の酸素ガス量は供給され
る酸素ガス量のみで決定されるのではなく、スパッタチ
ャンバ内壁よりの脱離ガス、ロールＰＥＴフィルムから
の放出ガスによっても大きく変動する。特にベースフィ
ルム１１を形成するＰＥＴフィルム１２の表面およびＰ
ＥＴフィルム１２の内部より放出される水分（Ｈ2 Ｏ）
を原因とする酸素（Ｏ2 ）成分、またロールＰＥＴフィ
ルムの製造条件、およびスパッタ成膜までの保管中の吸
湿等による水分（Ｈ2 Ｏ）を原因とする酸素（Ｏ2 ）成
分が変動するため、ＳｉＯx 膜２１による光吸収の変動
は、製造時に生じ易い。
【００１７】以上のことにより、ＩＴＯ膜２４による吸
収を１／２以下にできる構成、すなわち、最上層のＳｉ
Ｏ2 膜２５の膜厚ｔ１がこのＳｉＯ2 膜２５の直下のＩ
ＴＯ膜２４の膜厚ｔ２よりも厚く形成されている構成
は、ロールＰＥＴフィルムからの水分放出がＳｉＯx 膜
２１の形成に及ぼす変動要因を少なくする点で非常に優
れている。上記実施形態の構成では、中間にあるＳｉＯ
2 膜２３、ＩＴＯ膜２２，２４の許容膜厚精度は比較例
よりも巾は広いが、吸収制御の容易さの点で比較例より
も優れている。
収を１／２以下にできる構成、すなわち、最上層のＳｉ
Ｏ2 膜２５の膜厚ｔ１がこのＳｉＯ2 膜２５の直下のＩ
ＴＯ膜２４の膜厚ｔ２よりも厚く形成されている構成
は、ロールＰＥＴフィルムからの水分放出がＳｉＯx 膜
２１の形成に及ぼす変動要因を少なくする点で非常に優
れている。上記実施形態の構成では、中間にあるＳｉＯ
2 膜２３、ＩＴＯ膜２２，２４の許容膜厚精度は比較例
よりも巾は広いが、吸収制御の容易さの点で比較例より
も優れている。
【００１８】したがって、上記反射防止膜２０は、上記
説明したように、最上層のＳｉＯ2膜２５の膜厚ｔ１が
このＳｉＯ2 膜２５の直下のＩＴＯ２４の膜厚ｔ２より
も厚く形成されていることにより、またＳｉＯx 膜２１
のｘの範囲が０．５〜１．９となっていることにより、
付着強度、反射特性、全光線透過率、電気抵抗値等、全
てを、高い歩留りを確保した状態で満足できる。
説明したように、最上層のＳｉＯ2膜２５の膜厚ｔ１が
このＳｉＯ2 膜２５の直下のＩＴＯ２４の膜厚ｔ２より
も厚く形成されていることにより、またＳｉＯx 膜２１
のｘの範囲が０．５〜１．９となっていることにより、
付着強度、反射特性、全光線透過率、電気抵抗値等、全
てを、高い歩留りを確保した状態で満足できる。
【００１９】次に上記反射防止膜２０の製造方法を以下
に説明する。まず、ＰＭＭ系材料のハードコート膜１３
が表面に形成されたＰＥＴ系材料のＰＥＴフィルム１２
からなるベースフィルム１１上に反射防止膜２０をスパ
ッタリングで形成する。その際に、第１層のＳｉＯx 膜
２１の光吸収特性を測定しながらその酸化度を調節する
ことによりこのＳｉＯx 膜２１を形成する。その酸化度
は、例えばＳｉＯx 膜２１のｘの値の範囲を０．５〜
１．９とする。
に説明する。まず、ＰＭＭ系材料のハードコート膜１３
が表面に形成されたＰＥＴ系材料のＰＥＴフィルム１２
からなるベースフィルム１１上に反射防止膜２０をスパ
ッタリングで形成する。その際に、第１層のＳｉＯx 膜
２１の光吸収特性を測定しながらその酸化度を調節する
ことによりこのＳｉＯx 膜２１を形成する。その酸化度
は、例えばＳｉＯx 膜２１のｘの値の範囲を０．５〜
１．９とする。
【００２０】一般にアクリル等のプラスチックレンズの
表面に反射防止膜を形成するときにはプラスチックレン
ズと反射防止膜との付着強度を大きくするために、Ｓｉ
Ｏx膜を介在させることが知られている。そこで、Ｓｉ
Ｏx 膜の光吸収を測定しながらＳｉＯx 膜２１の形成条
件を決定することで、付着強度を確保しながら反射防止
膜２０の全体としての全光線透過率の規格を満たすよう
にしている。
表面に反射防止膜を形成するときにはプラスチックレン
ズと反射防止膜との付着強度を大きくするために、Ｓｉ
Ｏx膜を介在させることが知られている。そこで、Ｓｉ
Ｏx 膜の光吸収を測定しながらＳｉＯx 膜２１の形成条
件を決定することで、付着強度を確保しながら反射防止
膜２０の全体としての全光線透過率の規格を満たすよう
にしている。
【００２１】例えば全光線透過率が９０％以上の反射防
止膜２０を作製する場合、ＳｉＯx膜２１による全反射
透過率の減少量を０．５％〜２．５％程度に保つことに
より、付着強度を十分確保しながら反射光学特性も満足
させることができる。ここでＳｉＯx 膜２１のｘは上記
説明したように０．５〜１．９の範囲に保つことが必要
である。
止膜２０を作製する場合、ＳｉＯx膜２１による全反射
透過率の減少量を０．５％〜２．５％程度に保つことに
より、付着強度を十分確保しながら反射光学特性も満足
させることができる。ここでＳｉＯx 膜２１のｘは上記
説明したように０．５〜１．９の範囲に保つことが必要
である。
【００２２】次に、上記ハードコート膜１３を形成した
ＰＥＴフィルム１２からなるベースフィルム１１と、最
下層にＳｉＯx 膜２１を形成した上記実施形態で説明し
た構成を有する反射防止膜２０との付着強度をさらに強
くして信頼性を増す方法を、図２によって以下に説明す
る。図２に示すように、その方法は、ＳｉＯx 膜を形成
する前に、ベースフィルム１１のＰＥＴフィルム１２側
にアース電極５１を配置し、ハードコート膜１３側にマ
イナス直流電圧を印加する電極５２を配置して、上記電
極間にグロー放電を起こさせることにより、ハードコー
ト膜１３の表面に対しての表面活性化処理を行う。その
際に、上記電極５２にアルミニウム材料からなる電極を
用いる。
ＰＥＴフィルム１２からなるベースフィルム１１と、最
下層にＳｉＯx 膜２１を形成した上記実施形態で説明し
た構成を有する反射防止膜２０との付着強度をさらに強
くして信頼性を増す方法を、図２によって以下に説明す
る。図２に示すように、その方法は、ＳｉＯx 膜を形成
する前に、ベースフィルム１１のＰＥＴフィルム１２側
にアース電極５１を配置し、ハードコート膜１３側にマ
イナス直流電圧を印加する電極５２を配置して、上記電
極間にグロー放電を起こさせることにより、ハードコー
ト膜１３の表面に対しての表面活性化処理を行う。その
際に、上記電極５２にアルミニウム材料からなる電極を
用いる。
【００２３】一方、比較例として、上記電極５２に、
鉄、銅、黄銅等の材料を用いて表面処理を行ったとこ
ろ、上記アルミニウム材料からなる電極により行う表面
活性化処理が、反射防止膜２０の付着強度を高めるうえ
で優れていた。
鉄、銅、黄銅等の材料を用いて表面処理を行ったとこ
ろ、上記アルミニウム材料からなる電極により行う表面
活性化処理が、反射防止膜２０の付着強度を高めるうえ
で優れていた。
【００２４】また、上記反射防止膜２０をスパッタリン
グにより形成する際には、デュアルマグネトロン方式の
スパッタ方式を用いることにより、各層をより緻密な微
細構造のスパッタ膜に形成することが可能になる。それ
によって、反射防止膜全体としての膜強度を高めること
が可能になる。図３の（１）にデュアルマグネトロン方
式によるスパッタリングの説明図を示し、図４の（１）
にその成膜例の要部断面図を示す。また図３の（２）に
シングルマグネトロン方式によるスパッタリングの説明
図を示し、図４の（２）にその成膜例の要部断面図を示
す。
グにより形成する際には、デュアルマグネトロン方式の
スパッタ方式を用いることにより、各層をより緻密な微
細構造のスパッタ膜に形成することが可能になる。それ
によって、反射防止膜全体としての膜強度を高めること
が可能になる。図３の（１）にデュアルマグネトロン方
式によるスパッタリングの説明図を示し、図４の（１）
にその成膜例の要部断面図を示す。また図３の（２）に
シングルマグネトロン方式によるスパッタリングの説明
図を示し、図４の（２）にその成膜例の要部断面図を示
す。
【００２５】図３の（１）に示すように、デュアルマグ
ネトロン方式によるスパッタリングでは、例えばＳｉＯ
2 膜を成膜する場合、ターゲット６１，６１にシリコン
ターゲットを用い、スパッタリング雰囲気にアルゴンガ
スと酸素ガスとの混合ガス雰囲気を用い、上記ターゲッ
ト６１，６１間に交流を印加してスパッタリングを行
う。その際に、ターゲット６１，６１の直上の領域Ａは
領域Ｂに比較して新しい未反応なガスにさらされること
が少なくなる。すなわち、領域Ａへ行くガスは、領域Ｂ
である程度の反応を行った残りのガスであるから、反応
ガスが酸素であるＳｉＯ2 の場合、酸素の少ないガス雰
囲気にされされることになる。このようなデュアルマグ
ネトロン方式のスパッタリング装置（４０ｋＨｚの交流
を２本のターゲット間に印加する方式のスパッタリング
装置）により成膜された膜は、図４の（１）に示すよう
に、ベースフィルム１１に形成される酸化シリコン膜
は、酸素が少ない層７１が２層になり、それらを挟む酸
素が多い層７２が３層になる。そしてターゲット数が多
くなれば、酸素が少ない層７１および酸素が多い層７２
は多くなる。
ネトロン方式によるスパッタリングでは、例えばＳｉＯ
2 膜を成膜する場合、ターゲット６１，６１にシリコン
ターゲットを用い、スパッタリング雰囲気にアルゴンガ
スと酸素ガスとの混合ガス雰囲気を用い、上記ターゲッ
ト６１，６１間に交流を印加してスパッタリングを行
う。その際に、ターゲット６１，６１の直上の領域Ａは
領域Ｂに比較して新しい未反応なガスにさらされること
が少なくなる。すなわち、領域Ａへ行くガスは、領域Ｂ
である程度の反応を行った残りのガスであるから、反応
ガスが酸素であるＳｉＯ2 の場合、酸素の少ないガス雰
囲気にされされることになる。このようなデュアルマグ
ネトロン方式のスパッタリング装置（４０ｋＨｚの交流
を２本のターゲット間に印加する方式のスパッタリング
装置）により成膜された膜は、図４の（１）に示すよう
に、ベースフィルム１１に形成される酸化シリコン膜
は、酸素が少ない層７１が２層になり、それらを挟む酸
素が多い層７２が３層になる。そしてターゲット数が多
くなれば、酸素が少ない層７１および酸素が多い層７２
は多くなる。
【００２６】一方、図３の（２）に示すように、シング
ルマグネトロン方式のスパッタリング（直流電圧を印加
する方式のスパッタリング）では、ターゲット６３に直
流電圧を印加し、スパッタリング雰囲気にアルゴンガス
と酸素ガスとの混合ガス雰囲気を用いてスパッタリング
を行う。これにより成膜された膜は、図４の（２）に示
すように、ベースフィルム１１に形成される酸化シリコ
ン膜は、酸素が少ない層７１が１層になり、それを挟む
酸素が多い層７２が２層になる。
ルマグネトロン方式のスパッタリング（直流電圧を印加
する方式のスパッタリング）では、ターゲット６３に直
流電圧を印加し、スパッタリング雰囲気にアルゴンガス
と酸素ガスとの混合ガス雰囲気を用いてスパッタリング
を行う。これにより成膜された膜は、図４の（２）に示
すように、ベースフィルム１１に形成される酸化シリコ
ン膜は、酸素が少ない層７１が１層になり、それを挟む
酸素が多い層７２が２層になる。
【００２７】したがって、上記デュアルマグネトロン方
式のスパッタリングにより成膜された膜は、多層、微細
構造となり、各微細層の歪みを分散することができる。
そのため、全体としての残留応力の分散が行われ、膜は
外部応力に対し強くなる。多層構造、微細分散構造が、
単一構造および粗構造よりも応力分散や破壊の伝播に際
し、構造界面においても伝播障害となり、全体としての
破壊が起こり難いことは、金属材料学においても周知で
ある。
式のスパッタリングにより成膜された膜は、多層、微細
構造となり、各微細層の歪みを分散することができる。
そのため、全体としての残留応力の分散が行われ、膜は
外部応力に対し強くなる。多層構造、微細分散構造が、
単一構造および粗構造よりも応力分散や破壊の伝播に際
し、構造界面においても伝播障害となり、全体としての
破壊が起こり難いことは、金属材料学においても周知で
ある。
【００２８】ここで、上記デュアルマグネトロン方式の
スパッタリング装置の一例を、図５によって説明する。
図５に示すように、デュアルマグネトロン方式のスパッ
タリング装置１０１は、ロールフィルム繰出室１１０、
スパッタ室１２０、ロールフィルム巻取室１３０が連続
して設けられている。上記ロールフィルム繰出室１１０
にはベースフィルム１１を巻いたベースフィルムロール
３１が収納されている。また上記スパッタ室１２０には
ローラ１２１が設置されていて、そのローラ１２１を矢
印ア方向に回転することにより、そのローラ１２１の表
面の一部に上記ロールフィルム繰出室１１０から矢印イ
方向に繰り出されたベースフィルム１１を巻き付けて、
上記ロールフィルム巻取室１３０へ向けて矢印ウ方向に
送出している。そして上記ローラ１２１の回動方向の表
面にそって、かつ所定の距離をおいて、電極（カソー
ド）１２２〔前記図３の（１）のターゲット６１の一組
分に相当〕が複数設置されている。また上記ロールフィ
ルム巻取室１３０には巻取ローラ１３１が設置されてい
て、その巻取ローラ１３１はスパッタ室１２０から送出
されたベースフィルム１１を巻き取る。
スパッタリング装置の一例を、図５によって説明する。
図５に示すように、デュアルマグネトロン方式のスパッ
タリング装置１０１は、ロールフィルム繰出室１１０、
スパッタ室１２０、ロールフィルム巻取室１３０が連続
して設けられている。上記ロールフィルム繰出室１１０
にはベースフィルム１１を巻いたベースフィルムロール
３１が収納されている。また上記スパッタ室１２０には
ローラ１２１が設置されていて、そのローラ１２１を矢
印ア方向に回転することにより、そのローラ１２１の表
面の一部に上記ロールフィルム繰出室１１０から矢印イ
方向に繰り出されたベースフィルム１１を巻き付けて、
上記ロールフィルム巻取室１３０へ向けて矢印ウ方向に
送出している。そして上記ローラ１２１の回動方向の表
面にそって、かつ所定の距離をおいて、電極（カソー
ド）１２２〔前記図３の（１）のターゲット６１の一組
分に相当〕が複数設置されている。また上記ロールフィ
ルム巻取室１３０には巻取ローラ１３１が設置されてい
て、その巻取ローラ１３１はスパッタ室１２０から送出
されたベースフィルム１１を巻き取る。
【００２９】上記スパッタリング装置１０１は、ロール
フィルム繰出室１１０から繰り出されたベースフィルム
１１をローラ１２１の表面の一部に巻き付けて、ロール
フィルム巻取室１３０に送出する際に、電極１２２に交
流を印加して、ベースフィルム１１にスパッタ成膜を行
う。そしてスパッタリング雰囲気を変えることにより、
ＳｉＯx 膜、ＳｉＯ2 膜、ＩＴＯ膜等を成膜して、上記
実施形態で説明したような反射防止膜２０を形成する。
フィルム繰出室１１０から繰り出されたベースフィルム
１１をローラ１２１の表面の一部に巻き付けて、ロール
フィルム巻取室１３０に送出する際に、電極１２２に交
流を印加して、ベースフィルム１１にスパッタ成膜を行
う。そしてスパッタリング雰囲気を変えることにより、
ＳｉＯx 膜、ＳｉＯ2 膜、ＩＴＯ膜等を成膜して、上記
実施形態で説明したような反射防止膜２０を形成する。
【００３０】以下に、上記実施形態で説明したような条
件により、反射防止膜を成膜する一例を、実施例として
説明する。またあわせて従来の技術により反射防止膜を
成膜した一例を比較例として示す。なお、実施例の各構
成部品には前記実施形態で説明した構成部品と同様の符
号を付与して説明する。
件により、反射防止膜を成膜する一例を、実施例として
説明する。またあわせて従来の技術により反射防止膜を
成膜した一例を比較例として示す。なお、実施例の各構
成部品には前記実施形態で説明した構成部品と同様の符
号を付与して説明する。
【００３１】ベースフィルム１１には、１８８μｍの厚
さのＰＥＴフィルム１２膜に５μｍの厚さのハードコー
ト膜１３を形成したものを用いる。そしてこのハードコ
ート膜１３上に反射防止膜２０を表１のような条件で成
膜する。表１においては、実施例の各膜は最下層のＳｉ
Ｏx 膜２１から順にＳｉＯ2 膜２５まで記載してある。
また同様に比較例の各膜も最下層より順に記載してあ
る。その際のベースフィルム１１の走行速度は０．８ｍ
／分とする。またスパッタリングにおけるグロー放電条
件としては、真空度を０．４Ｐａ、アルゴン（Ａｒ）の
流量を５０ｓｃｃｍ、電圧を５００Ｖ、パワーを０．１
ｋＷに設定してスパッタリングを行った。この実施例で
は、スパッタリング装置の電極材料にアルミニウムを用
い、比較例では、電極材料にステンレス（ＳＵＳ３０
４）を用いた。
さのＰＥＴフィルム１２膜に５μｍの厚さのハードコー
ト膜１３を形成したものを用いる。そしてこのハードコ
ート膜１３上に反射防止膜２０を表１のような条件で成
膜する。表１においては、実施例の各膜は最下層のＳｉ
Ｏx 膜２１から順にＳｉＯ2 膜２５まで記載してある。
また同様に比較例の各膜も最下層より順に記載してあ
る。その際のベースフィルム１１の走行速度は０．８ｍ
／分とする。またスパッタリングにおけるグロー放電条
件としては、真空度を０．４Ｐａ、アルゴン（Ａｒ）の
流量を５０ｓｃｃｍ、電圧を５００Ｖ、パワーを０．１
ｋＷに設定してスパッタリングを行った。この実施例で
は、スパッタリング装置の電極材料にアルミニウムを用
い、比較例では、電極材料にステンレス（ＳＵＳ３０
４）を用いた。
【００３２】
【表１】
【００３３】上記実施例および比較例ともに光学反射率
は４５０ｎｍ〜６５０ｎｍの波長領域において０．４％
であり、電気抵抗は実施例が２５０Ω／□、比較例が１
２０Ω／□であった。また全光線透過率は双方ともに９
０％であった。次に高温高湿条件と＋７０℃（５時間）
と−４０℃（５時間）とを１サイクルとして５サイクル
繰り返すような温度サイクル後の付着強度を、図６の
（１）に示すように、２ｋｇの負荷７１をかけたヘッド
７２をエチルアルコールを湿らせたガーゼ７３（例えば
４枚重ねのガーゼ）を介して反射防止膜２０の表面に押
しつけて、１０ｃｍの距離を矢印方向に２０往復擦る、
荷重擦り試験を行った。図６の（２）に示すように、そ
の荷重をかけるヘッド７１の先端形状は、平面視円形状
（直径２３．３ｍｍ）〔平面図参照〕でかつ断面楕円形
状（長径２３．３ｍｍ、短径１０ｍｍ）〔断面図参照〕
を成し、実際の接触面７２Ａの直径がおよそ１７ｍｍ、
接触面積がおよそ２．３ｃｍ2 である。その結果、実施
例により成膜した反射防止膜の表面傷発生は皆無であっ
たが、比較例では、１００サンプル中５０サンプルで剥
離傷を生じた。そのため、実施例の反射防止膜の歩留り
は比較例の反射防止膜の歩留りよりも２倍程度良くなっ
た。
は４５０ｎｍ〜６５０ｎｍの波長領域において０．４％
であり、電気抵抗は実施例が２５０Ω／□、比較例が１
２０Ω／□であった。また全光線透過率は双方ともに９
０％であった。次に高温高湿条件と＋７０℃（５時間）
と−４０℃（５時間）とを１サイクルとして５サイクル
繰り返すような温度サイクル後の付着強度を、図６の
（１）に示すように、２ｋｇの負荷７１をかけたヘッド
７２をエチルアルコールを湿らせたガーゼ７３（例えば
４枚重ねのガーゼ）を介して反射防止膜２０の表面に押
しつけて、１０ｃｍの距離を矢印方向に２０往復擦る、
荷重擦り試験を行った。図６の（２）に示すように、そ
の荷重をかけるヘッド７１の先端形状は、平面視円形状
（直径２３．３ｍｍ）〔平面図参照〕でかつ断面楕円形
状（長径２３．３ｍｍ、短径１０ｍｍ）〔断面図参照〕
を成し、実際の接触面７２Ａの直径がおよそ１７ｍｍ、
接触面積がおよそ２．３ｃｍ2 である。その結果、実施
例により成膜した反射防止膜の表面傷発生は皆無であっ
たが、比較例では、１００サンプル中５０サンプルで剥
離傷を生じた。そのため、実施例の反射防止膜の歩留り
は比較例の反射防止膜の歩留りよりも２倍程度良くなっ
た。
【００３４】なお、上記説明では、全光線透過率の規格
を９０％以上とした場合について記載したが、その規格
は適宜変更される。しかしながら、本発明により反射防
止膜の製造上の許容度が広くなるという原理は何ら変わ
るものではない。すなわち、全光線透過率は、ＣＲＴに
反射防止膜を貼り付けて用いる場合、９０％以上を必要
とする場合の他、ＣＲＴパネルガラスに透過率を高めた
ガラスを用いた場合には反射防止膜の全光線透過率が８
０％以上程度で良い場合がある。したがって、ＣＲＴパ
ネルガラスの透過率に適合した全光線透過率の規格を用
いればよい。
を９０％以上とした場合について記載したが、その規格
は適宜変更される。しかしながら、本発明により反射防
止膜の製造上の許容度が広くなるという原理は何ら変わ
るものではない。すなわち、全光線透過率は、ＣＲＴに
反射防止膜を貼り付けて用いる場合、９０％以上を必要
とする場合の他、ＣＲＴパネルガラスに透過率を高めた
ガラスを用いた場合には反射防止膜の全光線透過率が８
０％以上程度で良い場合がある。したがって、ＣＲＴパ
ネルガラスの透過率に適合した全光線透過率の規格を用
いればよい。
【００３５】また、ハードコート付きＰＥＴ（ポリエチ
レンテレフタレート）フィルムからなるベースフィルム
自体の全光線透過率は９２％〜９４％であるため、反射
防止膜全体として９０％以上の全光線透過率を得るため
には、スパッタ膜による反射防止膜全体としての透過率
の減少分に許容されるのは２％〜５％程度である。
レンテレフタレート）フィルムからなるベースフィルム
自体の全光線透過率は９２％〜９４％であるため、反射
防止膜全体として９０％以上の全光線透過率を得るため
には、スパッタ膜による反射防止膜全体としての透過率
の減少分に許容されるのは２％〜５％程度である。
【００３６】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の反射防止
膜によれば、最上層の酸化シリコン膜の膜厚を、この酸
化シリコン膜の直下のインジウムスズ酸化膜の膜厚より
も厚く形成されているので、全光線透過率の減少量を小
さくでき全光線透過率の許容値を満たすことができる。
またベースフィルムとの界面における反射防止膜の最下
層にＳｉＯx 膜を設け、そのＳｉＯx のｘの範囲を０．
５〜１．９としたので、反射防止膜の付着強度を確保し
ながら、全光線透過率の減少量を０．５％〜２．５％程
度に保つことができる。よって、付着強度、光学反射
率、電気抵抗、全反射透過率の全ての条件を満足させる
ことができるため、ＣＲＴの高品質化に寄与することが
できる。
膜によれば、最上層の酸化シリコン膜の膜厚を、この酸
化シリコン膜の直下のインジウムスズ酸化膜の膜厚より
も厚く形成されているので、全光線透過率の減少量を小
さくでき全光線透過率の許容値を満たすことができる。
またベースフィルムとの界面における反射防止膜の最下
層にＳｉＯx 膜を設け、そのＳｉＯx のｘの範囲を０．
５〜１．９としたので、反射防止膜の付着強度を確保し
ながら、全光線透過率の減少量を０．５％〜２．５％程
度に保つことができる。よって、付着強度、光学反射
率、電気抵抗、全反射透過率の全ての条件を満足させる
ことができるため、ＣＲＴの高品質化に寄与することが
できる。
【００３７】本発明の製造方法によれば、光の吸収を測
定することによりシリコンの酸化度を制御して酸化シリ
コン（ＳｉＯx ）膜を形成するので、ベースフィルムと
の付着強度を保つことができるとともに反射防止膜の全
光線透過率を所定の値以上に保つことができる。また最
下層の酸化シリコン膜を形成する前に下地に対してアル
ミニウム電極を用いたグロー放電処理を行うので、下地
のベースフィルムに対する反射防止膜の付着強度を高め
ることができる。また反射防止膜を構成する膜は、デュ
アルマグネトロン方式のスパッタ装置により形成するの
で、成膜された膜は酸素の多い層と酸素の少ない層とか
らなる多層構造に形成できる。そのため、応力が分散さ
れ、破壊の伝播が妨げられるので、膜全体として破壊が
起こり難くなる。したがって、付着強度、光学反射率、
電気抵抗、全反射透過率の全てを満足させた状態で、反
射防止膜を従来の方法に比較して高い歩留りで生産する
ことができる。よって、ＣＲＴの高品質化、低価格化に
寄与することができる。
定することによりシリコンの酸化度を制御して酸化シリ
コン（ＳｉＯx ）膜を形成するので、ベースフィルムと
の付着強度を保つことができるとともに反射防止膜の全
光線透過率を所定の値以上に保つことができる。また最
下層の酸化シリコン膜を形成する前に下地に対してアル
ミニウム電極を用いたグロー放電処理を行うので、下地
のベースフィルムに対する反射防止膜の付着強度を高め
ることができる。また反射防止膜を構成する膜は、デュ
アルマグネトロン方式のスパッタ装置により形成するの
で、成膜された膜は酸素の多い層と酸素の少ない層とか
らなる多層構造に形成できる。そのため、応力が分散さ
れ、破壊の伝播が妨げられるので、膜全体として破壊が
起こり難くなる。したがって、付着強度、光学反射率、
電気抵抗、全反射透過率の全てを満足させた状態で、反
射防止膜を従来の方法に比較して高い歩留りで生産する
ことができる。よって、ＣＲＴの高品質化、低価格化に
寄与することができる。
【図１】本発明の反射防止膜に係わる実施形態の要部断
面図である。
面図である。
【図２】表面活性化処理の説明図である。
【図３】デュアルマグネトロン方式とシングルマグネト
ロン方式のスパッタリングの説明図である。
ロン方式のスパッタリングの説明図である。
【図４】スパッタリング方式に相違による成膜例の要部
断面図である。
断面図である。
【図５】デュアルマグネトロン方式のスパッタリング装
置に係わる一例の概略構成図である。
置に係わる一例の概略構成図である。
【図６】荷重擦り試験装置の説明図である。
１１…ベースフィルム、２０…反射防止膜、２１…酸化
シリコン（ＳｉＯx ）膜、２２，２４…インジウムスズ
酸化（ＩＴＯ）膜、２３，２５…酸化シリコン（ＳｉＯ
2 ）膜
シリコン（ＳｉＯx ）膜、２２，２４…インジウムスズ
酸化（ＩＴＯ）膜、２３，２５…酸化シリコン（ＳｉＯ
2 ）膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０２Ｂ 1/10 Ｇ０９Ｆ 9/00 ３１８Ａ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３１８ Ｈ０１Ｊ 9/20 Ａ Ｈ０１Ｊ 9/20 29/88 29/88 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ｚ (72)発明者 大島 宜浩 岐阜県瑞浪市小田町1905番地 ソニー瑞浪 株式会社内 (72)発明者 三橋 忍 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 山下 尚孝 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 本庄 禎治 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 金子 晃一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 ベースフィルム上に酸化シリコン膜とイ
ンジウムスズ酸化膜とを多層に積層してなる反射防止膜
において、 前記反射防止膜における最上層の酸化シリコン膜の膜厚
は、該酸化シリコン膜の直下のインジウムスズ酸化膜の
膜厚よりも厚く形成されていることを特徴とする反射防
止膜。 - 【請求項２】 請求項１記載の反射防止膜において、 前記ベースフィルムとの界面における前記反射防止膜の
最下層にＳｉＯx 膜を設け、該ＳｉＯx のｘの範囲を
０．５〜１．９とすることを特徴とする反射防止膜。 - 【請求項３】 ベースフィルム上に酸化シリコン膜とイ
ンジウムスズ酸化膜とを多層に積層して形成する反射防
止膜の製造方法において、 前記反射防止膜における最上層の酸化シリコン膜の膜厚
を、該酸化シリコン膜の直下のインジウムスズ酸化膜の
膜厚よりも厚く形成することを特徴とする反射防止膜の
製造方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の反射防止膜の製造方法に
おいて、 前記反射防止膜の最下層の酸化シリコン膜は、該酸化シ
リコン膜における光吸収を測定することによりシリコン
の酸化度を制御して形成することを特徴とする反射防止
膜の製造方法。 - 【請求項５】 請求項３記載の反射防止膜の製造方法に
おいて、 前記最下層の酸化シリコン膜を形成する前に、該酸化シ
リコン膜を形成する下地に対してアルミニウム電極を用
いたグロー放電による表面活性化処理を行うことを特徴
とする反射防止膜の製造方法。 - 【請求項６】 請求項４記載の反射防止膜の製造方法に
おいて、 前記酸化シリコン膜を形成する前に、該酸化シリコン膜
を形成する下地に対してアルミニウム電極を用いたグロ
ー放電による表面活性化処理を行うことを特徴とする反
射防止膜の製造方法。 - 【請求項７】 請求項３記載の反射防止膜の製造方法に
おいて、 前記反射防止膜を構成する膜をデュアルマグネトロン方
式のスパッタ装置により形成することを特徴とする反射
防止膜の製造方法。 - 【請求項８】 請求項４記載の反射防止膜の製造方法に
おいて、 前記反射防止膜を構成する膜をデュアルマグネトロン方
式のスパッタ装置により形成することを特徴とする反射
防止膜の製造方法。 - 【請求項９】 請求項５記載の反射防止膜の製造方法に
おいて、 前記反射防止膜を構成する膜をデュアルマグネトロン方
式のスパッタ装置により形成することを特徴とする反射
防止膜の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項６記載の反射防止膜の製造方法
において、 前記反射防止膜を構成する膜をデュアルマグネトロン方
式のスパッタ装置により形成することを特徴とする反射
防止膜の製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10229560A JPH11218603A (ja) | 1997-11-27 | 1998-08-14 | 反射防止膜およびその製造方法 |
| US09/200,149 US6284382B1 (en) | 1997-11-27 | 1998-11-25 | Antireflection film and manufacturing method thereof |
| DE19854645A DE19854645A1 (de) | 1997-11-27 | 1998-11-26 | Antireflexionsfilm und Verfahren zu dessen Herstellung |
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|---|---|---|---|
| JP9-325617 | 1997-11-27 | ||
| JP32561797 | 1997-11-27 | ||
| JP10229560A JPH11218603A (ja) | 1997-11-27 | 1998-08-14 | 反射防止膜およびその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11218603A true JPH11218603A (ja) | 1999-08-10 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| KR20170137889A (ko) | 2015-05-27 | 2017-12-13 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 적층 박막, 및 적층 박막의 제조 방법 |
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