JPS6081710A - 透明導電性光学装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １、産業上の利用分野 本発明は、基体上に酸化物からなる透明導電層が設けら
れている透明導電性光学装置及びその製造方法に関し、
例えば液晶表示装置や透視型指タツチ入力装置に好適な
透明導電性フィルム及びその製造方法に関するものであ
る。

２　従来技術 高分子シート上にＩ　ｎ２０３又はＩＴＯ（Ｉｎｄｉａ
ｎＴｉｎ　０ｘｉｄｅ　）系透明導電膜を設けてなる透
明導電性フィルムが知られている。　例えば特公昭５３
−２８２１４号公報によれば、第１図の如く、透明樹脂
シート基体上の一方の面上に、Ａｌ１２０３又はＣｅＦ
３膜２．５ｉ０２又は８１０膜３、Ｉ　ｎ　２０３膜４
．５ｉＯｚ又はＳｉＯ膜５、ＭｇＦ　２膜６を順次積層
し、上記６膜２．３及び５．６による多層反射防止膜を
構成したものである。　この場合−膜２．３はＩｎ、０
３膜３の膜付きの向上、電気特性の安定化を図る効果も
あるとしている。

とこ呂が、この公知の透明導電性フィルムは、透明導電
膜４の上下に、反射防止効果を上げるために互いに成分
の異なる上記６膜２．３．５．６をＭＥせしめているの
で、これらの６膜を蒸着法で形成する際に蒸発源の個数
が増え、これに伴なって蒸着装危の構造が複雑化したり
、蒸着条件のの壁面等に異種の物質が付着し、これが再
蒸発若しくは剥離して次の蒸着時の蒸発源に混入する等
のけ態が生じ、蒸発槽の汚染、蒸着膜の膜質劣化等を避
けることができない。　また、反射防止のための各膜間
の付着力が異なるので、各膜間の膜付きを良くするのが
困難なことが多い。　しかも、上記の６膜２．３．５．
６によってフィルムの耐擦性能としての膜付きは幾分改
良されるとしても、フィルムの耐折曲性能は不良であり
、折曲げ試験によってクラックが入って導電膜が斯綜し
易く、シート抵抗が著しく変化してしまうことが確認さ
れている。

他方、第２図に示す如く、特開昭５３−１２８７９８号
公報においては、基体１上にアルキルチタネート溶液に
よる塗工で酸化チタン膜７を形成し、この上に金属薄膜
８を形成して透明導電性被膜を形成したものが知られて
いる。　この場合でも、上記した従来例の如き欠陥は殆
んど解消することができない。

３、発明の目的 本発明の目的は、簡単かつ低コス）Ｋ作製可能（ であり、かつ膜質、膜付き又は膜強度に優れた透明導電
性光学装置及びその製造方法を提供することにある。

４、発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、基体上に酸化物からなる透明導電層が
設けられている透明導電性光学装置において一前記透明
導電層のうち、前記基体に対する接Ｅ部分又は近傍部分
の酸化度が他の部分の酸化度より高くなっていることを
特徴とする透明導電性光学装置に係るものである。

本発明によれば、透明導電層自体の酸化度に着目し、そ
の酸化度を基体との接触部分又は近傍部分で他の部分よ
りも高くしたことが、これまでの技術では想定され得な
い新規で独創的な構成である。　つまり、後記に詳しく
述べるように、上記酸化物は酸化度が高くなることによ
って光透過率が向上するだけでなく、基体との膜付きが
大幅に向上するのである。　これによって透明導電性光
学装置の機械的強度、信頼性が著しく向上すると共に、
そうした顕著な効果が透明心電層の単一居中での酸化度
の差を利用することによって得られるために光学装置自
体の製造が簡略化され、がっ膜質も良好にすることがで
きる。

また、本発明は、上記透明導電性光学装置を再現性良く
得る方法として、酸化性ガスを供給しながら前記透明導
電層の構成材料を前記基体上に導びくことＫよって前記
構成材料を前記酸化物として前記基体上に堆積させ、こ
の際、前記基体に対する接触部分又は近傍部分での酸化
物の堆積時に前記酸化性ガスの濃度を比較的高くするこ
とを特徴とする透明導電性光学装置の製造方法も提供す
るものである。

この方法によれば、上記酸化性ガスの濃度な酸化物堆積
中に変化せしめるのみで目的とする酸化度の差をつげる
ことができる。

なお、本発明において上記光学装置の一形態である「フ
ィルム」とは、通常は薄膜状のものを指すが、その厚み
や平面形状としてはシート状、テープ状等鍾々のものを
含む。

５、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

第３図は、本実施例による透明導電性フィルム２８０基
本借造を示すものである。　このフィルムは、基体１と
して従来と同様の高分子シートを有し、この上に酸化物
（例えばインジウム酸化物又はスズ酸化物、インジウム
酸化物とスズ酸化物又はスズとの混合物（ＩＴＯ等）、
或いはスズ酸化物とカドミウム又はカドミウム酸化物と
の混合物）からなる透明導電層１４を有している。

ここで注目すべきことは、透明導電層１４は単一の酸化
物からなってはいるが、基体１との接触部分又は近傍部
分１４＆の酸化度が他の部分１４ｂの酸化度よりも高く
していることである。　次にそうした酸化度の違いによ
る特長的な利点な実肋結果に基いて説明する。

例えばＩＴＯ膜（膜厚７００ＡＳ８ｎ　５　′ＭｆＪ％
）の場合、その酸化度によるシート抵抗及び光透過率の
変化は＠４図に示す通りとなった。　この酸化度は膜を
エツチングしながらＥＳＣｋ分析によって測定されたが
、酸化度が増すに従ってシート抵抗が上昇傾向を示す一
方、光透過率（波長５５０ｍμの光照射下）が酸化度１
，３付近から急激に上昇する。　ＩＴＯＯ主構成物質を
Ｉ　ｎ　ｚＯアと表わせば、上記酸化度はＶへとなる。

また、酸化度と、基体（ポリエチレンテレフタレート）
に対する膜付きとの関係を調べた。　膜付きはガーゼに
よる耐擦テストで評価したが、テストに際してはｔｏｏ
＆／ｃＪの荷重で１００往復擦ったときのシート抵抗変
化Ｒ／Ｒ８（Ｒｏは初期のシート抵抗、Ｒはテスト後の
シート抵抗）を測定した。

結果は第５図に示したが、酸化度が増えるに伴なってシ
ート抵抗変化ν奄。が減少し、特に酸化度が１．０を越
えるのが望ましいことが分る。　なお、酸化度は第６図
に示した如きＥＳＣＡ分によりめたが、Ｉｎ３Ｄと０１
１１１とのピーク比に基いて計算する酸化度は１．３〜
１，５（組成比ではＩｎ２Ｏ２，６〜５．。）であるこ
とが分る。　具体的な実験データを下記に示すが、これ
から酸化度は０ＩＥＩ濃度／　Ｉｎ３Ｄ濃度中１．３と
なる。

（１）　Ｉｎ、０の濃度（ＩＴＯ膜） ＥＳＣＡデータより各ピーク高さを測り、補正値で割り
、Ｉｎ３Ｄ−５ｎ３Ｄ、　ｏｏ、の比率をＩｎ４　Ｓｎ
、０の濃度（ａｔ係）とした。

以上に示した結果から、第３図の透明導電性フィルムに
おいて、透明導電膜１４のうち基体１との接触部分１４
ａの酸化度を大きくすることによって、シート抵抗及び
光透過率共に適切な値を保持せしめながらフィルム自体
のシート抵抗変化を減少←膜付きを向上）させることが
できる。　しかも、膜部分１４ａと基体１との付着力が
大きいため延、両者間にはフィルム折曲げ時でもクラッ
ク等が入ることはないことも確認された。　特に、膜部
分１４ｍの酸化度が大きいことは、後述する成膜時の０
２供給量（又は濃度）が増えて基体１表面が活性酸素に
よって活性化され易（、基体１に対する付着力が充分に
なること、及び膜部分１４ａの描造が酸素原子の増加に
よって緻密となることを夫々意味する。　膜部分１４ａ
の酸化度は１．４〜１．５とするのが上記したことから
望ましい。　一方、他方の膜部分１４ｂの酸化度は０．
８〜１．４（好ましくは１．０〜１．３）とするのがよ
い。

具体的には、第３図において〜透明心電性フィルム２８
０層４１り成を次の通りにした。

基体１：ポリエチレンテレフタレートフィルム又はポリ
エチレン−２，６−ナフタ リンジカルボキシレートフィルム、 或いはガラス板 透明導電膜１４の下層部分１４ａ　： 酸化度１．４〜１．５、膜厚５０〜１５０Ａ透明導電膜
１４の上層部分１４ｂ＝ 酸化度０．８〜１４、膜厚６ｏｏ〜２ｏｏｏＡなお、上
記透明導電膜１４の厚み方向罠おける酸素濃度（第６図
の０１８）は第７図の如くであった。　インジウム濃度
（Ｉ”３Ｄ）は破線で示した。

上記のように構成されたフィルムは次に示すように非常
に良好な膜特性を示した。

シート抵抗士ＩＫΩ／ロ〜１００Ω／ロ光透過率二８５
チ〜８０チ（波長５５０　ｍμの光照射下） 耐擦性能：　Ｒ／Ｒ０＝　１．５　（荷重１００　ｇ／
Ｃｄ、１００回往復） 耐折曲性能”　”７Ｒｏ’　＜　１．７　（折曲げテス
ト前後のシート抵抗をＲ８／−Ｒ／とする。）但、下層
部分１４＆を膜厚１００Ａ、Ｉｎ４０ａｔ％（酸化度１
．５）、上層部分１４ｂを膜厚９００Ａ、Ｉｎ４２ａｔ
チ、０５６　ａｔチ（酸化度１．３）としたとき、フィ
ルムのシート抵抗は２００Ω／口、光透過率は８３チで
あった。

第３図の例においては、下層部分１４ａの酸化度を一定
としたが、この部分の酸化度を基体１の表面で１．５と
し、上層部分１４ｂ側との界面で１．３とし、両者間で
１．５から１．３へ連続的に減少させることができる。

　第８図には膜中の酸素濃度分布を示した。　この場合
、上層部分１４ｂの酸化度は１．３と均一にし、また膜
厚忙つぃては下層部分を例えば、上層部分１４ｂを９０
ＯＡとしたとき、フィルムのシート抵抗は２２０Ω／口
、光透過率は８３チであった。

このように、基体１側の下層部分１４ａの酸化度を厚み
方向に連続変化させても、上記したと同様にシート抵抗
へ光透過率、耐擦性能、耐折曲性能が良好であった。　
耐擦性能については、第９図の曲線λに示す良好な結果
が得られた。　曲線すは上記の下層部分１４ａを設けな
い場合のデータであり、耐擦性が著しく劣化することが
分る。

なお、上記のフィルム２８の基体１の材質としては、ポ
リエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹
脂、アクリル樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリアミドイミド樹脂
、スチレン樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリオレフィン
樹脂等の熱可塑性樹脂；又は、エポキシ樹脂、ジアリル
フタレート樹脂、シリコーン樹脂、不飽和ポリエステル
樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂等の熱
硬化性樹脂等である。　この中で、ポリエステル樹脂、
特洗ポリエチレンテレフタレートフィルム又は、ポリエ
チレン−２，６−ナフタリンジカルボキシレートフィル
ムは、耐熱性、機械的性質及び透光性ＩＣ優れていて好
ましい。

次に、上記の透明導電性フィルムの製造方法の一例を第
１０図について説明する。

製造に使用する蒸着装置は各室３０．３１．３２に仕切
られており、両側の室３２．３０にはシート基体１の巻
取りロール１６、供給ロール１３が配され一両ロール間
で基体１が順次送られながら次の如き処理が行われる。

　まず、室３ｏ中でヒーターランプ２４により予備加熱
（６０℃）して基体１の吸着水分を除去し、放電処理器
２５で放電処理して清浄化し、次に蒸着槽としての室３
１に入った基体１に対し、搬送ローラ２６で送りながら
（搬送速度は１０ｃｍ／ｍｉｎ〜２　ｍ　１ｍ１ｎ　）
次の処理を行なう。

ハロゲンヒータランプ２０で加熱下に、Ｉｎ−Ｓｎ合金
又はＩＴＯからなる蒸発源２２（又はＩｎ及びＳｎの２
個の蒸発源）を加熱蒸発せしめ、かつ酸素ガスを放電装
ｃＬｌｌを介してイオン化又は活性化して導入すること
によって、基体１の一方の面ＫＩＴＯ透明導電膜（上述
の１４）を蒸着する。　蒸着時の条件は以下の通りであ
る。

蒸発品２２：Ｉｎ−８ｎ合金（抵抗加熱）又はＩＴＯ（
電子銃加熱）、蒸着速 度２００　Ａ／ｍＶ（〜１０００１）／’ｍａｎ。

放電装置１１：酸素ガスを１０〜６０　ｃｃ　／ｍｉｎ
で導入（真空度５　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ〜９Ｘ１０−
’Ｔｏｒｒ、　２００〜７００Ｗの直流又は高周波放電
）。

こうしてＩＴＯ膜を堆積せしめた基体１を室３２へ入れ
、光透過型センサー１８で光透過率を一抵抗測定器１７
で電気抵抗を測定しながら巻取ロール１６上に順次巻取
る。　光透過率及び電気抵抗の測定値は前段の硬着条件
にフィードバックして、蒸発源加熱温度、０□ガス導入
量及び放電電力等をコントロールしてもよい。

上記の方法において極めて重要なことは、蒸着室３１中
で放電装Ｈｉｉを基体１の搬送方向に対し所定角度傾げ
て操作していることである。

この結果、蒸着室３１において基体１の進入側の領域Ａ
と導出側の領域Ｂとで、放電装置１１から放出される酸
素イオン又は活性酸素の基体１上へ到達量（即ち酸素濃
度）に差ができる。　即ち、領域Ａでは酸素濃度が比較
的高くなり一領域Ｂ側では酸素濃度が比較的低くなる。

　これによって、基体１上に堆積されるＩＴＯの酸化度
は、領域Ａ側で高くなって第３図の下層部分１４ａが堆
積し、更に領域Ｂ側では低くなって第３図の上層部分１
４１）が堆積することになる。　但、実際には、領域Ａ
からＢにかげて酸素濃度が成る分布をもっていて、堆積
した下層部分１４ａの酸化度は１．３〜１．５の範囲、
上層部分１４ｂの酸化度は１．０〜１．３となる。

このように、１回の蒸着工程で、しかも蒸発源の個数を
少なくして、目的とする酸化度のＩＴＯ膜を成膜するこ
とができるのである。　従って、装置の惜造、作条性が
簡略化されると共に、不純物質が膜中に混入する割合が
激減する。

なお、領域ＡとＢとで酸素濃度に充分な差をつげる場合
には一図中に一点鎖ねで示す如くに放電装置１１を更に
領域Ａ側へ指向させるように配設するとよい。

水着室は第１１図の如く一室３１ａと３１ｂとに分け、
室３１ａでは放電装置１１からのｒｆｌ素量を多くし、
室３１ｂでは放電装置１１からの酸ズる量を少なくする
ことも可能である。　これによって−基体１上には、ま
ず室３１＆中で酸化度の大きいＩＴＯが堆積し、次にこ
の上に室３１ｂ中で酸化度の小さいＩＴＯが堆積するこ
とになる。　上記の蒸着室の個数や尋人酸素量は目的に
応じて種々変化させてよい。

また、第１０図において、蒸発源２２の位置を込択する
ことによって、蒸発材料２１の飛翔範囲を限定し、領域
Ａ側の基体進入域での蒸気濃度を比較的少なくすること
忙よっても、基体１との接触域に堆積する酸化物の酸化
度（即ち酸素原子の割合）を更に高くし、その上に堆積
する酸化物の酸化度を順次低下せしめることができる。

第１２図は、上記した蒸着に使用するガス放電装置１１
を詳細に示すものである。　この放電装置によれば、放
電用電極が導入管４３の周面を内包する如くに配された
複数のリング４５ａ、　４５ｂからなり、このうち、一
方のリング状電極４５ａはリード線６７によって高周波
導入端子４８に接続され、他方のリング状電極４５ｂは
リード線５８により金属製の防着部材４４に接続されて
金属製の取付は板３９を介して接地されている。　上記
電極４５ａ、４５ｂは例えば内径２〜１０ｃｍψ、幅０
．５〜１０Ｃｍの銅製又はステンレス製の帯リングから
なり、Ｃカップリング型（容量結合ｍ）の放電を導入管
４３内で生せしめる（前記帯リングは、水冷管を巻付け
、冷却する事が可能である。）。　酸素ガスは導入口５
０から導入管４３に導入され、ここで活性化又はイオン
化されて放出口５６より蒸着室内に供給される。

第１３図〜第１６図は、上述した透明導電性フィルム２
８において反射防止層を設けた場合を例示するものであ
る。

一般Ｋ、反射防止膜においては、空気に接する第１層の
屈折率（ｎｌ、ｉ　）は基体の屈折率（ｎｌｌ）よりも
小さくなければ各反射面での反射光の振幅条件を満足す
ることが出来ない。　例えば単層反射防止膜では、ｎ１
＝ｎｏへ（ｎｏは空気の屈折率）を満足する場合忙中心
波長で反射率が零になる。

第１３図の例では、反射防止層４３を酸化シリコンで構
成し、各構成層４０．４１４２を下記表のように形成す
る。

この第１３図の実施例において、第１層４ｏの屈折率が
１．５５を越えると、第２層４１との屈折率の差が小と
なり、可視域全体での反射率が高くなってしまう。　ま
た、第２層４１の屈折率が１．７５未満では特に可視域
中心部の反射率が高くなり、１．８３を越えると酸化シ
リコン膜の吸収が大きくなる。　また、第３層４２の屈
折率が１．６８を越えると可視域中心部の反射率が高く
なり、１．６０未？Ｒｆでは可視域周辺部の反射率が高
く、いずれも実用上好ましくない。

第１４図は、この実施例において、第１層４０−第２層
４１、第３ＷＩ４２の屈折率を夫ｈ　１．５０−１．８
１．６８とし、基体ｌとしてポリエチレンテレフタレ−
ト（ｉｏｏμｍ厚）を用い、透明導電層１４としてＩＴ
Ｏ（酸化インジウム錫混合）層を前述の装置で作成した
時の分光反射率を示す（ＩＴＯの膜厚６００Ａ、シート
抵抗４００Ω／口）。可視域全域にわたって高い反射防
止効果を持っていることがわかる。

また、透明導電層１４側での反射率も一酸化シリコン層
４３側での裏面反射が減少するために波長５５０ｍμの
光に対し１．５チ程度と小さくなり、第１４図と同様の
データが観測された。

第１３図の実施例による透明導電性フィルムは、主とし
て反射防止層４３側から光が入射するように使用される
タイプのものである。　この場合、第１の酸化シリコン
蒸着層４０と基体１との間には、第１層４０より屈折率
が高くて上述した振幅条件を満たす第２の酸化シリコン
蒸着層４１が設けられ、更にその下層に屈折率の比較的
高い第３の酸化シリコン蒸着槽４２が設けられているの
で、充分な反射防止効果のあるフィルムを得ることがで
きる。　各蒸着層４２．４１．４ｏはこの順に蒸着条件
（例えば酸素ガス圧等）を変えるのみで同一成分として
堆積させればよいので、作製が簡単かつ低コストとなり
〜しかも各磨間の膜付きが充分であり、異種物質の混入
もないことがら膜質も非常に良好となる。

次に一第１５図に示す透明導電性フィルム２８では、第
１の酸化シリコン蒸着層４０と基体１との間に、基体１
側から第１７１５４０側にかげて厚み方向に屈折率が連
続的に高くなる第２の酸化シリコン蒸着層４５を厚さλ
／２に設げている。

これを理解容易のために次の如く表わす。

この実施例においては、第２５４５は屈折率が基体側か
ら第１層側に連続的に高くなるように変化スる、いわゆ
る非均質膜になっている。

各Ｊｆｌの屈折率の範囲は、上記した第１３図の実施例
と同じ理由で制限されるが、第２層４５の屈折率の上限
は、実質的にその部分の厚みが極めて小となるので、第
１３図の実施例の場合より幾分吸収の大きい範囲までが
使用可能となる。

上記の第１３図、第１５図の例において−例えば第１３
図の実施例の第２層４１、第３層４２を、膜厚をさらに
分割して屈折率を順次変える複数の層としても本質的に
上記の両実施例と変るところはなく、反射防止効果も同
等のものが得られ、シート抵抗が低く　（５００Ω／口
以下）、反射率１チ台（５５００Ａ波長）の透明導電膜
シートが得られた。　また、透明導電Ｒ１４側の反射率
も第１３図の例同様に小さかった。

なお、第１６図は、第１３図又は第１５図のフィルムに
関する波長による光透過率の変化を示すが一反射防止効
果が広波長域で高くなり、波長５５０ｍμで９７チの光
透過率が得られた。

なお、上記のようＫ、酸化シリコン蒸着層の屈折率を連
続的若しくは段階的に変化させるには、蒸着中に蒸着条
件を連続的若しくは段階的に変化させればよ（・。

以上説明したように一第１３図〜第１６図の各側の透明
導電性フィルムはいずれも、酸化シリコンのみの蒸着膜
を用い、実質的に多層膜を形成して高い反射防止効果を
得、しかも各層の屈折率は、蒸着速度あるいは雰囲気酸
素ガス圧を変化させるだけで変えうるので、その制御が
極めて容易であり、その上、蒸発源として普通の抵抗加
熱装置を使うことが出来るなど、極めて実用価値の高い
ものである。

本実施例（例えば第１３図の例）Ｋよる透明導電性フィ
ルム２８は、例えば透視型指タッチ人力装置のディスプ
レイ画面に取付けて用いると非常に効果的である。

この種の入力装置は、キーボードを使用することなく、
指先でディスプレイ画面の所定位置に触れるだけで、そ
のままデータを入力することができるものである。　こ
のため、コンピュータの入出力用端末装置として、これ
まで表示部（ディスプレイ面）と入力部（キーボード）
とが別々になっていたものに比べ、操作が著しく簡略化
されることになる。　こうした入力装置において、第１
７図に拡大図示する如く、画面（又はフロントパネル）
７０の前面１忙は上述した透明導電性フィルム２８を反
射防止層４３が外側となるよう忙取付げる一方、フロン
トパネル７ｏの前面に対して直接に別の透明導電性フィ
ルム７８を取付け、両フィルム２８及び７８を周辺のガ
スケット（又はスペーサ）７５を介して一体化し、両フ
ィルム間に一定の間隙７６を形成しておく。　この場合
、フィルム７８としては、公知の如くに高分子シート基
体１上に透明導電１ｉス（ＩＴＯ膜）７４、反射防止層
７７を蹟層せしめたものを使用してよい。

ソシて、対向した両フィルメ２８．７８において、各導
電膜１４−７４を互いに直交させて夫々ストライプ状に
配列せしめ、マトリックススイッチ群を第１１７成する
。　この７トリノクス自体は公知であるのでその詳細は
説明しない。

従って、第１７図のように、指先４９でフィルム２８の
面上の所望の位置な押せば、フィルム２８が一点飴綜で
示す如くに他方のフィルム７８に’ＪＵするまで弾性変
形し、この時点でマトリックスの交差位置において両２
５電飲１４−７４間が導通（静電結合）し、これに対応
した出方が得られ、上記した如き動作を開始することが
できる。　なお、上記のフィルム７８において、反射防
止膜７７は必らずしも必要ではなく、両心電膜１４−７
４の直接接触方式とすることもできる。　また、フィル
ム７８は導電性フィルムとせず、単なる抵抗シートとし
、両フィルム間の容量変化又は接触点の電圧値を出力と
して取出す方式としてもよい。

いずれにしても、指先４９のタッチによる入力方式であ
るために、通常は基体面に付いた汚れによる影りが生じ
易いが、これは第１７図の例による場合には反射防止層
４３の存在によって効果的に防止される。　特に〜明室
で使用するときには、フィルム２８の表面での光反射が
反射防止層４３によって著しく減少するために、画面の
表示画像を鮮明に目視でき、かつ上記の汚れが殆んど気
にならなくなる。

なお、第１７図に示した如き両フィルムの組合せは、液
晶表示装置としても適用可能である。

即ち、第１８図に示す如く両フィルム２８．７８の各導
電膜１４−７４の一方（例えばフィルム７８側）の導電
膜を日の字形に配し、かつ両フィルム間の間隙７６に液
晶７９を封入し、公知の動作に従って日の字形の電極に
時系列に電圧を印加し、これによって所定の数字表示を
行なわせることができる。　ただし、ツイストマチック
型表示の場合には、配向膜、偏光膜が必要となる。　こ
の場合にも、表面側（即ち、目視する側）のフィルム２
８における反射は反射防止層４３によって充分に防止さ
れるから、鮮明な数字パターンを表示することができる
。

以上に述べた実施例は、本発明の技術的思想に基いて更
に変形が可能である。

例えば透明導電層１４の材質や酸素濃度分布、更には成
膜方法（スパッタ法も適用可能）等は種々変更してよい
。　上述した反射防止層内での屈折率変化が生じる界面
は少なくとも１つあればよい。　また、屈折率変化が連
続的である場合、実質的に一層のみで反射防止層を購成
し、その層内で屈折率を連続的に変化させてもよい。　
また、反射防止層は、上述した材料以外にも、フッ化マ
グネシウムやフッ化セリウム等からなっていてもよい。

　透明導電層の材質もＩＴＯに限らず、酸化インジウム
−酸化スズで宿成することもできる。

なお、上述の透明導電性フィルムは、他の光学装置にも
適用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は従来の透明導電性フィルムの二側の
各一部所面図である。 第３図〜第１８図は本発明の実施例を示すものであって
、 第３図は透明導電性フィルムの一部断面図、第４図は透
明導電層の酸化度とそのシート抵抗との関係を示すグラ
フ、 第５図は同酸化度による耐擦性能を示すグラフ、第６図
は透明導電層のＥＳＣＡ分析によるスペクトル図、 第７図は透明導電層の酸素濃度分布図、第８図は他の透
明導電層の酸素濃度分布図、第９図は第８図の透明導電
性フィルムの耐擦性能を示すグラフ、 第１０図、ｉｌ１図は透明導電性フィルムの製造装置の
二側の各概略断面図、 第１２図は高周波ガス放電装置の斜視図、第１３図、第
１５図は透明導電性フィルムの他の二側の各一部断面図
一 第１４図は反射防止膜付き透明導電性フィルムの分光反
射率を示すグラフ、 第１６図は波長による光透過室変化を示すグラフ、第１
７図は指タツチ入力装置の断面図、第１８図は液晶表示
装置の断面図 である。 なお、図面圧水された符号において １・・・・・・・・・・・・・・・・−・光透過性基体
１１・−・・・・・・・・・・・・・・・・ガス放電装
置１４・・・・・−・・・・・・・・・・・・透明導電
層１４ａ・・・・−・・−・・・・・・・酸化度の高い
下層部分１４ｂ・・・・・・・・・・・・・・・酸化度
の低い上層部分２２−・・・・・・・・・・・・・・・
蒸発源２８．７８・・・・・・・・・透明導電性フィル
ムである。 代理人　弁理士指板　宏（他１名） 第１図 第２図 第３図 ８ 斤；４　目 第５１７１ ＲノＲ。 ｋｐ化度 第７図 表面深ざ］入１ 第８図 ＆面５窄さ（人１ 第９図 回　審又（イ王七り、） 第１０図 第１１図 第１２図 １ 第１３図 ８ 第１５図 ８ ／ 第１６０ 才長（ｍ〃） 第１８図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基体上に酸化物からなる透明導電層が設げられてい
   る透明導電性光学装置において、前記透明導電層のうち
   、前記基体に対する接解部分又は近傍部分の酸化度が他
   の部分の酸化度より高くなっていることを特徴とする透
   明導電性光学装置。 ２　基体上に酸化物からなる透明導電層が設けられてい
   る透明導電性光学装置の製造方法において、酸化性ガス
   を供給しながら前記透明導電層の構成材料を前記基体上
   に導びくことによって前記構成材料を前記酸化物として
   前記基体上に堆積させ、この際、前記基体に対する接解
   部分又は近傍部分での酸化物の堆積時に前記酸化性ガス
   の濃度を比較的高くすることを特徴とする透明導電性光
   学装置の製造方法。