JPH11218626A - 光導波路チップ - Google Patents
光導波路チップInfo
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- JPH11218626A JPH11218626A JP10326501A JP32650198A JPH11218626A JP H11218626 A JPH11218626 A JP H11218626A JP 10326501 A JP10326501 A JP 10326501A JP 32650198 A JP32650198 A JP 32650198A JP H11218626 A JPH11218626 A JP H11218626A
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/30—Optical coupling means for use between fibre and thin-film device
- G02B6/305—Optical coupling means for use between fibre and thin-film device and having an integrated mode-size expanding section, e.g. tapered waveguide
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12166—Manufacturing methods
- G02B2006/12195—Tapering
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光導波路素子のパッケージング工程において
光導波路チップに光繊維、光繊維アレイモジュールまた
は他の光導波路チップを接続する時に、接続精度の許容
誤差範囲を大きくしながらも、光接続損失を既存の方法
に比較して少なくすることにある。 【解決手段】 光繊維、光繊維アレイモジュールまたは
他の光導波路チップの導波路と接続される出力端導波路
を具備した光導波路チップにおいて、前記出力端導波路
２１０は、前記光繊維、光繊維アレイモジュールまたは
他の光導波路チップに接続される当該光繊維及び光繊維
アレイモジュールの光繊維コア２６５、２８０の断面積
並びに当該他の光導波路チップの導波路の断面積よりも
大きい接続断面積を有することを特徴とする。
光導波路チップに光繊維、光繊維アレイモジュールまた
は他の光導波路チップを接続する時に、接続精度の許容
誤差範囲を大きくしながらも、光接続損失を既存の方法
に比較して少なくすることにある。 【解決手段】 光繊維、光繊維アレイモジュールまたは
他の光導波路チップの導波路と接続される出力端導波路
を具備した光導波路チップにおいて、前記出力端導波路
２１０は、前記光繊維、光繊維アレイモジュールまたは
他の光導波路チップに接続される当該光繊維及び光繊維
アレイモジュールの光繊維コア２６５、２８０の断面積
並びに当該他の光導波路チップの導波路の断面積よりも
大きい接続断面積を有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光素子に係り、特
に、光導波路素子のパッケージング（packaging）工程
において光導波路チップに光繊維、光繊維アレイモジュ
ールまたは他の光導波路チップを接続する時に、接続精
度の許容誤差範囲を大きくしながらも光接続損失には影
響を及ばない光導波路チップに関する。
に、光導波路素子のパッケージング（packaging）工程
において光導波路チップに光繊維、光繊維アレイモジュ
ールまたは他の光導波路チップを接続する時に、接続精
度の許容誤差範囲を大きくしながらも光接続損失には影
響を及ばない光導波路チップに関する。
【０００２】
【従来の技術】平面導波路技術（Planar Waveguide Tec
hnology）を利用した光導波路素子は、大量生産を通し
て安価な光通信部品の製作を目指す。一般に、導波路チ
ップの製作工程は、半導体の製作技術を応用し、大量生
産が可能な程度に技術的な発展を成し遂げている。しか
しながら、光導波路素子のパッケージング技術は製作技
術に比べて、その発展速度が遅く、光導波路素子の大量
生産の側面から最大の障害になっている。特に、受動素
子においては、光導波路と光繊維（光ファイバ）、光繊
維アレイモジュールまたは他の光導波路チップ間の接合
技術が素子の特性と価格を左右する重要な技術である。
この技術は、今後光導波路素子の光特性を保障し、かつ
低価の大量生産を図る上で克服すべき要素技術である。
hnology）を利用した光導波路素子は、大量生産を通し
て安価な光通信部品の製作を目指す。一般に、導波路チ
ップの製作工程は、半導体の製作技術を応用し、大量生
産が可能な程度に技術的な発展を成し遂げている。しか
しながら、光導波路素子のパッケージング技術は製作技
術に比べて、その発展速度が遅く、光導波路素子の大量
生産の側面から最大の障害になっている。特に、受動素
子においては、光導波路と光繊維（光ファイバ）、光繊
維アレイモジュールまたは他の光導波路チップ間の接合
技術が素子の特性と価格を左右する重要な技術である。
この技術は、今後光導波路素子の光特性を保障し、かつ
低価の大量生産を図る上で克服すべき要素技術である。
【０００３】図５（Ａ）は、従来の方法による光導波路
チップの出力端導波路と他の光導波路チップの入力端導
波路との接続を示す図である。同図において、符号４０
０は出力端導波路を有する光導波路チップの基板、４１
０は光導波路チップの出力端導波路、４３０は出力端導
波路を有する光導波路チップと入力端導波路を有する光
導波路チップの接続部、４４０は光導波路チップの入力
端導波路、４５０は入力端導波路を有する光導波路チッ
プの基板を示す。図５（Ｂ）は、従来の方法による光導
波路チップの出力端導波路と光繊維アレイモジュールと
の接続を示す図である。同図において、符号４６０は出
力端導波路を有する光導波路チップと光繊維アレイモジ
ュールとの接続部、４７０は光繊維アレイモジュールの
整列基板、４８０は光繊維コア、４９０は光繊維を示
す。図５（Ｃ）は、光導波路チップの出力端導波路と光
繊維との接続を示す構造図である。同図において、符号
４９５は出力端導波路を有する光導波路チップと光繊維
との接続部を示す。
チップの出力端導波路と他の光導波路チップの入力端導
波路との接続を示す図である。同図において、符号４０
０は出力端導波路を有する光導波路チップの基板、４１
０は光導波路チップの出力端導波路、４３０は出力端導
波路を有する光導波路チップと入力端導波路を有する光
導波路チップの接続部、４４０は光導波路チップの入力
端導波路、４５０は入力端導波路を有する光導波路チッ
プの基板を示す。図５（Ｂ）は、従来の方法による光導
波路チップの出力端導波路と光繊維アレイモジュールと
の接続を示す図である。同図において、符号４６０は出
力端導波路を有する光導波路チップと光繊維アレイモジ
ュールとの接続部、４７０は光繊維アレイモジュールの
整列基板、４８０は光繊維コア、４９０は光繊維を示
す。図５（Ｃ）は、光導波路チップの出力端導波路と光
繊維との接続を示す構造図である。同図において、符号
４９５は出力端導波路を有する光導波路チップと光繊維
との接続部を示す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記図５
（Ａ）ないし図５（Ｃ）に示すように、既存の方法にお
いて、光導波路チップに光繊維、光繊維アレイモジュー
ルまたは光導波路チップを取り付ける時に光接続損失を
最小にするため、接続精度の許容誤差範囲を単一モード
導波路の場合は、導波路幅の約１０%にあたる１μｍ以
下のサブミクロン単位（Submicron Order）以下に保た
なければならない。かかる精度を確保するには高度の精
密な整列装備及び高度に熟練された熟練工と多くの時間
が必要とされる。したがって、従来の方法は、光導波路
素子の製作に対しコスト高を招き、しかも大量生産を行
なうのが難しい。
（Ａ）ないし図５（Ｃ）に示すように、既存の方法にお
いて、光導波路チップに光繊維、光繊維アレイモジュー
ルまたは光導波路チップを取り付ける時に光接続損失を
最小にするため、接続精度の許容誤差範囲を単一モード
導波路の場合は、導波路幅の約１０%にあたる１μｍ以
下のサブミクロン単位（Submicron Order）以下に保た
なければならない。かかる精度を確保するには高度の精
密な整列装備及び高度に熟練された熟練工と多くの時間
が必要とされる。したがって、従来の方法は、光導波路
素子の製作に対しコスト高を招き、しかも大量生産を行
なうのが難しい。
【０００５】本発明は、このような従来の課題に鑑みて
なされたものであり、その目的は、光導波路素子のパッ
ケージング工程において光導波路チップに光繊維、光繊
維アレイモジュールまたは他の光導波路チップを接続す
る時に、接続精度の許容誤差範囲を大きくしながらも、
光接続損失を既存の方法に比較して少ない光導波路チッ
プを提供することにある。
なされたものであり、その目的は、光導波路素子のパッ
ケージング工程において光導波路チップに光繊維、光繊
維アレイモジュールまたは他の光導波路チップを接続す
る時に、接続精度の許容誤差範囲を大きくしながらも、
光接続損失を既存の方法に比較して少ない光導波路チッ
プを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載された第１の発明に係る光導波路チッ
プは、光繊維、光繊維アレイモジュールまたは他の光導
波路チップの導波路と接続される出力端導波路を具備し
た光導波路チップにおいて、前記出力端導波路は、前記
光繊維、光繊維アレイモジュールまたは他の光導波路チ
ップに接続される当該光繊維及び光繊維アレイモジュー
ルの光繊維コアの断面積並びに当該他の光導波路チップ
の導波路の断面積よりも大きい接続断面積を有すること
を要旨とする。従って、光導波路素子のパッケージング
工程において光導波路チップに光繊維、光繊維アレイモ
ジュールまたは他の光導波路チップを接続する時に、接
続精度の許容誤差範囲を大きくしながらも、光接続損失
を既存の方法に比較して少なくできる。前記光導波路チ
ップの出力端導波路の断面積は、当該導波路の末端に行
く程次第に増加することを要旨とする。前記増加される
傾斜度は、１０゜以下であることを要旨とする。前記光
導波路チップの出力端導波路の末端幅は、単一モードを
維持する導波路の最大幅より４倍以内であることを要旨
とする。前記光導波路チップの出力端導波路の幅が増加
される地点は、前記光導波路チップの導波路末端から単
一モードを維持する導波路の最大幅の６ないし１２倍と
なる地点であることを要旨とする。前記光導波路チップ
の基板材質は、ＬiＮbＯ3、シリコンウェーハ、Ｓi
3Ｎ4、無機ガラス及びIII-Ｖ族半導体のいずれか一つで
あることを要旨とする。前記出力端導波路は、使用光波
長において光透過性を有する平面基板上に屈折率を高め
る拡散物質を蒸着した後、化学的または物理的に平面基
板の内部へ前記拡散物質を侵入拡散せしめることで製作
されることを要旨とする。
に、請求項１記載された第１の発明に係る光導波路チッ
プは、光繊維、光繊維アレイモジュールまたは他の光導
波路チップの導波路と接続される出力端導波路を具備し
た光導波路チップにおいて、前記出力端導波路は、前記
光繊維、光繊維アレイモジュールまたは他の光導波路チ
ップに接続される当該光繊維及び光繊維アレイモジュー
ルの光繊維コアの断面積並びに当該他の光導波路チップ
の導波路の断面積よりも大きい接続断面積を有すること
を要旨とする。従って、光導波路素子のパッケージング
工程において光導波路チップに光繊維、光繊維アレイモ
ジュールまたは他の光導波路チップを接続する時に、接
続精度の許容誤差範囲を大きくしながらも、光接続損失
を既存の方法に比較して少なくできる。前記光導波路チ
ップの出力端導波路の断面積は、当該導波路の末端に行
く程次第に増加することを要旨とする。前記増加される
傾斜度は、１０゜以下であることを要旨とする。前記光
導波路チップの出力端導波路の末端幅は、単一モードを
維持する導波路の最大幅より４倍以内であることを要旨
とする。前記光導波路チップの出力端導波路の幅が増加
される地点は、前記光導波路チップの導波路末端から単
一モードを維持する導波路の最大幅の６ないし１２倍と
なる地点であることを要旨とする。前記光導波路チップ
の基板材質は、ＬiＮbＯ3、シリコンウェーハ、Ｓi
3Ｎ4、無機ガラス及びIII-Ｖ族半導体のいずれか一つで
あることを要旨とする。前記出力端導波路は、使用光波
長において光透過性を有する平面基板上に屈折率を高め
る拡散物質を蒸着した後、化学的または物理的に平面基
板の内部へ前記拡散物質を侵入拡散せしめることで製作
されることを要旨とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面に基づいて本発
明を詳細に説明する。
明を詳細に説明する。
【０００８】図１（Ａ）は本発明の好適な一実施の形態
に係る光導波路チップの出力端導波路と他の導波路チッ
プの入力端導波路との接続を示す図である。同図におい
て、符号２００は光導波路チップの基板、２１０は光導
波路チップの出力端導波路、２２０は前記出力端導波路
の拡張部、２３０は光導波路チップの出力端導波路と他
の光導波路チップの入力端導波路との接続部、２４０は
他の光導波路チップの入力端導波路、２５０は他の光導
波路チップの基板を示す。図１（Ｂ）は本発明の好適な
一実施の形態に係る光導波路チップの出力端導波路と光
繊維アレイモジュールとの接続を示す図である。同図に
おいて、符号２６０は光導波路チップの出力端導波路と
光繊維アレイモジュールとの接続部、２７０は光繊維ア
レイモジュール整列基板、２８０は光繊維コア、２９０
は光繊維（光ファイバ）を示す。図１（Ｃ）は光導波路
チップの出力端導波路と光繊維との接続を示す図であ
る。同図において、符号２５５は光導波路チップの出力
端導波路と光繊維との接続部、２６５は前記光繊維のコ
ア、２７５は前記光繊維のクラッドを示す。
に係る光導波路チップの出力端導波路と他の導波路チッ
プの入力端導波路との接続を示す図である。同図におい
て、符号２００は光導波路チップの基板、２１０は光導
波路チップの出力端導波路、２２０は前記出力端導波路
の拡張部、２３０は光導波路チップの出力端導波路と他
の光導波路チップの入力端導波路との接続部、２４０は
他の光導波路チップの入力端導波路、２５０は他の光導
波路チップの基板を示す。図１（Ｂ）は本発明の好適な
一実施の形態に係る光導波路チップの出力端導波路と光
繊維アレイモジュールとの接続を示す図である。同図に
おいて、符号２６０は光導波路チップの出力端導波路と
光繊維アレイモジュールとの接続部、２７０は光繊維ア
レイモジュール整列基板、２８０は光繊維コア、２９０
は光繊維（光ファイバ）を示す。図１（Ｃ）は光導波路
チップの出力端導波路と光繊維との接続を示す図であ
る。同図において、符号２５５は光導波路チップの出力
端導波路と光繊維との接続部、２６５は前記光繊維のコ
ア、２７５は前記光繊維のクラッドを示す。
【０００９】図１（Ａ）ないし図１（Ｃ）に示すよう
に、光繊維、光繊維アレイモジュール及び他の光導波路
チップの導波路と接続される前記光導波路チップの出力
端導波路２１０は、接続しようとする前記光繊維及び光
繊維アレイモジュールの光繊維コアの断面積並びに当該
他の光導波路チップの導波路の断面積より大きい導波路
出力端の拡張部２２０を有する。
に、光繊維、光繊維アレイモジュール及び他の光導波路
チップの導波路と接続される前記光導波路チップの出力
端導波路２１０は、接続しようとする前記光繊維及び光
繊維アレイモジュールの光繊維コアの断面積並びに当該
他の光導波路チップの導波路の断面積より大きい導波路
出力端の拡張部２２０を有する。
【００１０】前記光導波路チップの出力端導波路２１０
の断面積は、導波路の末端へ進むにつれ次第に増加さ
れ、当該増加される傾斜度は１０゜以下である。前記光
導波路チップの出力端導波路２１０の末端幅は、単一モ
ードを維持する導波路の最大幅より４倍以内であり、２
倍以内が最適である。また、前記光導波路チップの出力
端導波路２１０の幅が増加し始める地点は、前記光導波
路チップの導波路の末端から単一モードを維持する導波
路の最大幅の長さより６ないし１２倍となる地点である
のが望ましい。
の断面積は、導波路の末端へ進むにつれ次第に増加さ
れ、当該増加される傾斜度は１０゜以下である。前記光
導波路チップの出力端導波路２１０の末端幅は、単一モ
ードを維持する導波路の最大幅より４倍以内であり、２
倍以内が最適である。また、前記光導波路チップの出力
端導波路２１０の幅が増加し始める地点は、前記光導波
路チップの導波路の末端から単一モードを維持する導波
路の最大幅の長さより６ないし１２倍となる地点である
のが望ましい。
【００１１】前記光導波路チップの基板材質は、ＬiＮb
Ｏ3、シリコンウェーハ、Ｓi3Ｎ4、無機ガラス（Ingora
nic glass）及びIII-Ｖ族半導体である。前記出力端導
波路としては、使用光波長において光透過性を有する平
面基板上に屈折率を高める拡散物質を蒸着した後、化学
的または物理的に平面基板の内部へ前記拡散物質を侵入
拡散せしめることで製作される。
Ｏ3、シリコンウェーハ、Ｓi3Ｎ4、無機ガラス（Ingora
nic glass）及びIII-Ｖ族半導体である。前記出力端導
波路としては、使用光波長において光透過性を有する平
面基板上に屈折率を高める拡散物質を蒸着した後、化学
的または物理的に平面基板の内部へ前記拡散物質を侵入
拡散せしめることで製作される。
【００１２】次に、本発明の特性について説明する。本
発明は光導波路チップの導波路出力端の構造を末端から
単一モード導波路幅の約１０倍程度となる地点から徐々
に導波路を伸して、当該導波路の末端幅を単一モード導
波路の幅の約２倍程度にならしめる。これにより、前記
導波路の末端の断面を人為的に長方形構造を持たせて製
作し、光繊維、光繊維アレイモジュールまたは他の光導
波路チップの入力端導波路との接続時に、光軸のオフセ
ット（offset）の度合いが導波路幅の±２０%以内であ
っても接続損失を最小にすることができる。
発明は光導波路チップの導波路出力端の構造を末端から
単一モード導波路幅の約１０倍程度となる地点から徐々
に導波路を伸して、当該導波路の末端幅を単一モード導
波路の幅の約２倍程度にならしめる。これにより、前記
導波路の末端の断面を人為的に長方形構造を持たせて製
作し、光繊維、光繊維アレイモジュールまたは他の光導
波路チップの入力端導波路との接続時に、光軸のオフセ
ット（offset）の度合いが導波路幅の±２０%以内であ
っても接続損失を最小にすることができる。
【００１３】図２は単一モードの条件下において６μｍ
の正方形光導波路を有する光導波路チップを示す一実施
の形態の構造図である。同図において、符号３００は光
導波路チップの基板、３１０は光導波路チップの出力端
導波路、３２０は前記出力端導波路の拡張部を示す。例
えば、横×縦の寸法が６μｍ×６μｍの導波路の場合
は、光導波路チップの出力端の末端から約８０μｍ−１
００μｍの地点で導波路の幅を任意の角度に増加せし
め、当該導波路の幅を導波路の末端において約１２μｍ
程度の幅を有するまで次第に増加せしめた構造を有して
いる。この場合、光軸のオフセットの度合いが導波路の
中心において±１.５μｍ以内であっても一般に９０%以
上の透過特性を示す。
の正方形光導波路を有する光導波路チップを示す一実施
の形態の構造図である。同図において、符号３００は光
導波路チップの基板、３１０は光導波路チップの出力端
導波路、３２０は前記出力端導波路の拡張部を示す。例
えば、横×縦の寸法が６μｍ×６μｍの導波路の場合
は、光導波路チップの出力端の末端から約８０μｍ−１
００μｍの地点で導波路の幅を任意の角度に増加せし
め、当該導波路の幅を導波路の末端において約１２μｍ
程度の幅を有するまで次第に増加せしめた構造を有して
いる。この場合、光軸のオフセットの度合いが導波路の
中心において±１.５μｍ以内であっても一般に９０%以
上の透過特性を示す。
【００１４】図３（Ａ）は、光導波路チップ同士の接合
時に、導波路構造とオフセットの度合いによる透過特性
に対する一実施の形態を示す図である。同図において、
符号３３０は光導波路チップの出力端導波路と他の光導
波路チップの入力端導波路との接続部、３４０は他の光
導波路チップの入力端導波路、３５０は他の光導波路チ
ップの基板を示す。
時に、導波路構造とオフセットの度合いによる透過特性
に対する一実施の形態を示す図である。同図において、
符号３３０は光導波路チップの出力端導波路と他の光導
波路チップの入力端導波路との接続部、３４０は他の光
導波路チップの入力端導波路、３５０は他の光導波路チ
ップの基板を示す。
【００１５】そして、図３（Ｂ）は、前記図３（Ａ）に
示す光導波路チップのオフセットの度合いによる光透過
特性を示す図である。
示す光導波路チップのオフセットの度合いによる光透過
特性を示す図である。
【００１６】更に、導波路の幅が増加して当該導波路の
末端の拡張部までの長さが、当該導波路の幅の１０倍以
上に長くなる場合にも導波路の透過特性が減少される
が、該減少の幅は極めて少ない。図４（Ａ）は、光導波
路チップ同士の接合時に、導波路の幅が増加して当該導
波路の末端の拡張部までの長さが長くなる場合に対する
導波路構造とオフセットの度合いによる透過特性に対す
る一実施の形態を示す図であり、図４（Ｂ）は、前記図
４（Ａ）に示す光導波路チップのオフセットの度合いに
よる光透過特性を示す図である。しかし、導波路の末端
幅が急激に増加して傾斜度が約５゜以上となる場合は、
接続損失が大きくなる。
末端の拡張部までの長さが、当該導波路の幅の１０倍以
上に長くなる場合にも導波路の透過特性が減少される
が、該減少の幅は極めて少ない。図４（Ａ）は、光導波
路チップ同士の接合時に、導波路の幅が増加して当該導
波路の末端の拡張部までの長さが長くなる場合に対する
導波路構造とオフセットの度合いによる透過特性に対す
る一実施の形態を示す図であり、図４（Ｂ）は、前記図
４（Ａ）に示す光導波路チップのオフセットの度合いに
よる光透過特性を示す図である。しかし、導波路の末端
幅が急激に増加して傾斜度が約５゜以上となる場合は、
接続損失が大きくなる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光導波路素子のパッケージ工程中に光導波路チップに光
繊維、光繊維アレイモジュールまたは他の光導波路チッ
プを接続する時、光軸のオフセットに対する範囲を導波
路幅の±２０%程度まで可能である。また、製作工程時
に、既存の工程に比べ追加される工程がなく、光特性に
対する追加損失を生じないのに加え、接続に必要な時間
を相当短縮することができる。特に、光導波路チップに
光繊維アレイモジュールまたは他の光導波路チップの接
続時に頻繁に生じた問題点である光軸のオフセットに対
して敏感であった光接続損失の側面を相当補償すること
ができる。
光導波路素子のパッケージ工程中に光導波路チップに光
繊維、光繊維アレイモジュールまたは他の光導波路チッ
プを接続する時、光軸のオフセットに対する範囲を導波
路幅の±２０%程度まで可能である。また、製作工程時
に、既存の工程に比べ追加される工程がなく、光特性に
対する追加損失を生じないのに加え、接続に必要な時間
を相当短縮することができる。特に、光導波路チップに
光繊維アレイモジュールまたは他の光導波路チップの接
続時に頻繁に生じた問題点である光軸のオフセットに対
して敏感であった光接続損失の側面を相当補償すること
ができる。
【図１】（Ａ）は本発明の好適な一実施の形態による光
導波路チップの出力端導波路と他の導波路チップの入力
端導波路との接続を示す図であり、（Ｂ）は光導波路チ
ップの出力端導波路と光繊維アレイモジュールとの接続
を示す図であり、（Ｃ）は光導波路チップの出力端導波
路と光繊維との接続を示す図である。
導波路チップの出力端導波路と他の導波路チップの入力
端導波路との接続を示す図であり、（Ｂ）は光導波路チ
ップの出力端導波路と光繊維アレイモジュールとの接続
を示す図であり、（Ｃ）は光導波路チップの出力端導波
路と光繊維との接続を示す図である。
【図２】単一モードの条件下において６μｍの正方形光
導波路を有する光導波路チップを示す一実施の形態の構
造図である。
導波路を有する光導波路チップを示す一実施の形態の構
造図である。
【図３】（Ａ）は光導波路チップと光導波路チップとの
接合時に、導波路構造とオフセットの度合いによる透過
特性に対する一実施の形態を示す図であり、（Ｂ）は
（Ａ）に示す光導波路チップのオフセットの度合いによ
る光透過特性を示す図である。
接合時に、導波路構造とオフセットの度合いによる透過
特性に対する一実施の形態を示す図であり、（Ｂ）は
（Ａ）に示す光導波路チップのオフセットの度合いによ
る光透過特性を示す図である。
【図４】（Ａ）は光導波路チップ同士の接合時に、導波
路の幅が増加して当該導波路の末端の拡張部までの長さ
が長くなる場合に対する導波路構造とオフセットの度合
いによる透過特性に対する一実施の形態を示す図であ
り、図４（Ｂ）は、前記図４（Ａ）に示す光導波路チッ
プのオフセットの度合いによる光透過特性を示す図であ
る。
路の幅が増加して当該導波路の末端の拡張部までの長さ
が長くなる場合に対する導波路構造とオフセットの度合
いによる透過特性に対する一実施の形態を示す図であ
り、図４（Ｂ）は、前記図４（Ａ）に示す光導波路チッ
プのオフセットの度合いによる光透過特性を示す図であ
る。
【図５】（Ａ）は従来の方法による光導波路チップの出
力端導波路と他の光導波路チップの入力端導波路との接
続を示す図であり、（Ｂ）は光導波路チップの出力端導
波路と光繊維アレイモジュールとの接続を示す図であ
り、（Ｃ）は光導波路チップの出力端導波路と光繊維と
の接続を示す図である。
力端導波路と他の光導波路チップの入力端導波路との接
続を示す図であり、（Ｂ）は光導波路チップの出力端導
波路と光繊維アレイモジュールとの接続を示す図であ
り、（Ｃ）は光導波路チップの出力端導波路と光繊維と
の接続を示す図である。
２００、３００ 光導波路チップの基板 ２１０、３１０ 光導波路チップの出力端導波路 ２２０、３２０ 出力端導波路の拡張部 ２３０、３３０ 光導波路チップの出力端導波路と他の
光導波路チップの入力端導波路との接続部 ２４０、３４０ 他の光導波路チップの入力端導波路 ２５０、３５０ 他の光導波路チップの基板 ２５５ 光導波路チップの出力端導波路と光繊維との接
続部 ２６０ 光導波路チップの出力端導波路と光繊維アレイ
モジュールとの接続部 ２６５、２８０ 光繊維のコア ２７０ 光繊維アレイモジュール整列基板 ２７５ 光繊維のクラッド ２９０ 光繊維
光導波路チップの入力端導波路との接続部 ２４０、３４０ 他の光導波路チップの入力端導波路 ２５０、３５０ 他の光導波路チップの基板 ２５５ 光導波路チップの出力端導波路と光繊維との接
続部 ２６０ 光導波路チップの出力端導波路と光繊維アレイ
モジュールとの接続部 ２６５、２８０ 光繊維のコア ２７０ 光繊維アレイモジュール整列基板 ２７５ 光繊維のクラッド ２９０ 光繊維
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 兪 炳 權 大韓民国大田広域市中区山城洞37−１番地 宇成アパート109棟705号
Claims (7)
- 【請求項１】 光繊維、光繊維アレイモジュールまたは
他の光導波路チップの導波路と接続される出力端導波路
を具備した光導波路チップにおいて、 前記出力端導波路は、 前記光繊維、光繊維アレイモジュールまたは他の光導波
路チップに接続される当該光繊維及び光繊維アレイモジ
ュールの光繊維コアの断面積並びに当該他の光導波路チ
ップの導波路の断面積よりも大きい接続断面積を有する
ことを特徴とする光導波路チップ。 - 【請求項２】 前記光導波路チップの出力端導波路の断
面積は、当該導波路の末端に行く程次第に増加すること
を特徴とする請求項１に記載の光導波路チップ。 - 【請求項３】 前記増加される傾斜度は、１０゜以下で
あることを特徴とする請求項２に記載の光導波路チッ
プ。 - 【請求項４】 前記光導波路チップの出力端導波路の末
端幅は、単一モードを維持する導波路の最大幅より４倍
以内であることを特徴とする請求項１に記載の光導波路
チップ。 - 【請求項５】 前記光導波路チップの出力端導波路の幅
が増加される地点は、前記光導波路チップの導波路末端
から単一モードを維持する導波路の最大幅の６ないし１
２倍となる地点であることを特徴とする請求項１に記載
の光導波路チップ。 - 【請求項６】 前記光導波路チップの基板材質は、Ｌi
ＮbＯ3、シリコンウェーハ、Ｓi3Ｎ4、無機ガラス及びI
II-Ｖ族半導体のいずれか一つであることを特徴とする
請求項１に記載の光導波路チップ。 - 【請求項７】 前記出力端導波路は、使用光波長におい
て光透過性を有する平面基板上に屈折率を高める拡散物
質を蒸着した後、化学的または物理的に平面基板の内部
へ前記拡散物質を侵入拡散せしめることで製作されるこ
とを特徴とする請求項１に記載の光導波路チップ。
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|---|---|---|---|
| KR1997-60813 | 1997-11-18 | ||
| KR1019970060813A KR100265795B1 (ko) | 1997-11-18 | 1997-11-18 | 광도파로칩 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11218626A true JPH11218626A (ja) | 1999-08-10 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10326501A Pending JPH11218626A (ja) | 1997-11-18 | 1998-11-17 | 光導波路チップ |
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| JP (1) | JPH11218626A (ja) |
| KR (1) | KR100265795B1 (ja) |
| CN (1) | CN1218190A (ja) |
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- 1997-11-18 KR KR1019970060813A patent/KR100265795B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-11-16 GB GB9824919A patent/GB2331375B/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-11-17 JP JP10326501A patent/JPH11218626A/ja active Pending
- 1998-11-18 CN CN98124788A patent/CN1218190A/zh active Pending
- 1998-11-18 US US09/195,660 patent/US6442315B1/en not_active Expired - Lifetime
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