JPH11219788A - 電界発光素子 - Google Patents
電界発光素子Info
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- JPH11219788A JPH11219788A JP10033553A JP3355398A JPH11219788A JP H11219788 A JPH11219788 A JP H11219788A JP 10033553 A JP10033553 A JP 10033553A JP 3355398 A JP3355398 A JP 3355398A JP H11219788 A JPH11219788 A JP H11219788A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光特性が良好で、且つ耐久性を有する電界
発光素子を提供する。 【解決手段】 アノード電極１３の上に、4,4',4"-トリ
ス[Ｎ-フェニル-Ｎ-（1-ナフチル）アミノ]トリフェニ
ルアミンでなる正孔注入層１４を形成し、この正孔注入
層１４の上にα−ＮＰＤでなる正孔輸送層１５を積層す
る。その上に、電子輸送層１６、カソード電極１７を積
層して構成する。正孔注入層１４が正孔注入効率が高
く、熱的に安定性を有するため、発光特性が良好で耐久
性の高い電界発光素子１１を実現することができる。
発光素子を提供する。 【解決手段】 アノード電極１３の上に、4,4',4"-トリ
ス[Ｎ-フェニル-Ｎ-（1-ナフチル）アミノ]トリフェニ
ルアミンでなる正孔注入層１４を形成し、この正孔注入
層１４の上にα−ＮＰＤでなる正孔輸送層１５を積層す
る。その上に、電子輸送層１６、カソード電極１７を積
層して構成する。正孔注入層１４が正孔注入効率が高
く、熱的に安定性を有するため、発光特性が良好で耐久
性の高い電界発光素子１１を実現することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は電界発光素子に関
し、さらに詳しくは、エレクトロルミネッセンス（以
下、ＥＬという）を起こす有機材料を用いた電界発光素
子に関する。
し、さらに詳しくは、エレクトロルミネッセンス（以
下、ＥＬという）を起こす有機材料を用いた電界発光素
子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電界発光素子としては、図７に示
すような構造のものが知られている。同図に示すよう
に、この電界発光素子１は、ガラス基板２の上に、透明
なＩＴＯ（indium tin oxide）でなるアノード電極３、
正孔輸送層４、電子輸送層５、ＭｇＩｎでなるカソード
電極６が積層されて構成されている。
すような構造のものが知られている。同図に示すよう
に、この電界発光素子１は、ガラス基板２の上に、透明
なＩＴＯ（indium tin oxide）でなるアノード電極３、
正孔輸送層４、電子輸送層５、ＭｇＩｎでなるカソード
電極６が積層されて構成されている。
【０００３】ここで、正孔輸送層４は、N,N'-ジフェニ
ル-N,N'-（3-メチルフェニル）-1,1'ビフェニル-4,4'-
ジアミン（以下、ＴＰＤという）を、熱的に安定に改善
したN,N'-ジ（1-ナフチル）-N,N'-ジフェニル-1,1'-ビ
フェニル-4,4'-ジアミン（以下、α−ＮＰＤという）で
形成されている。
ル-N,N'-（3-メチルフェニル）-1,1'ビフェニル-4,4'-
ジアミン（以下、ＴＰＤという）を、熱的に安定に改善
したN,N'-ジ（1-ナフチル）-N,N'-ジフェニル-1,1'-ビ
フェニル-4,4'-ジアミン（以下、α−ＮＰＤという）で
形成されている。
【０００４】ＴＰＤは、下記の構造式
【化２】 で表される。
【０００５】また、α−ＮＰＤは、下記の構造式
【化３】 で表される。
【０００６】このような電界発光素子１において、図８
に示すようにアノード電極３と正孔輸送層４との間に、
正孔輸送能力を持つ別の層（以下、正孔注入層という）
７を介在させることにより、素子の性能を向上させるこ
とが知られている。この正孔注入層７を形成する物質と
しては、4,4',4"-トリス[N-（3-メチルフェニル）-N-フ
ェニルアミノ]トリフェニルアミン（以下、ＭＴＤＡＴ
Ａという）が知られている。
に示すようにアノード電極３と正孔輸送層４との間に、
正孔輸送能力を持つ別の層（以下、正孔注入層という）
７を介在させることにより、素子の性能を向上させるこ
とが知られている。この正孔注入層７を形成する物質と
しては、4,4',4"-トリス[N-（3-メチルフェニル）-N-フ
ェニルアミノ]トリフェニルアミン（以下、ＭＴＤＡＴ
Ａという）が知られている。
【０００７】ＭＴＤＡＴＡは、下記の構造式
【化４】 で表される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このような有機材料を
用いた電界発光素子においては、有機材料が熱的な安定
性を有することが重要である。正孔輸送層４を形成する
α−ＮＰＤのガラス転移温度（Ｔｇ）は１００℃付近で
あり、ＴＰＤのガラス転移温度（Ｔｇ）が６２℃である
のに比べて、上記したように熱的に安定なものとなって
いる。しかしながら、正孔注入層７を形成するＭＴＤＡ
ＴＡのガラス転移温度（Ｔｇ）は７５℃付近であり、正
孔輸送層４に比較して熱的な安定性が低くなっている。
このような事情から電界発光素子１の駆動時における特
性の安定性を維持するためには、さらに熱的に安定な正
孔注入物質で正孔注入層７を形成することが望まれてい
る。また、正孔注入層７を熱的に安定なものにすること
により、電界発光素子１の製造工程における品質の安定
性を向上することが望まれている。
用いた電界発光素子においては、有機材料が熱的な安定
性を有することが重要である。正孔輸送層４を形成する
α−ＮＰＤのガラス転移温度（Ｔｇ）は１００℃付近で
あり、ＴＰＤのガラス転移温度（Ｔｇ）が６２℃である
のに比べて、上記したように熱的に安定なものとなって
いる。しかしながら、正孔注入層７を形成するＭＴＤＡ
ＴＡのガラス転移温度（Ｔｇ）は７５℃付近であり、正
孔輸送層４に比較して熱的な安定性が低くなっている。
このような事情から電界発光素子１の駆動時における特
性の安定性を維持するためには、さらに熱的に安定な正
孔注入物質で正孔注入層７を形成することが望まれてい
る。また、正孔注入層７を熱的に安定なものにすること
により、電界発光素子１の製造工程における品質の安定
性を向上することが望まれている。
【０００９】この発明が解決しようとする課題は、正孔
注入効率が良好で、且つ耐久性を有する電界発光素子を
得るにはどのような手段を講じればよいかという点にあ
る。
注入効率が良好で、且つ耐久性を有する電界発光素子を
得るにはどのような手段を講じればよいかという点にあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
アノード電極とカソード電極との間に有機材料層が介在
される、該有機材料層が前記アノード電極に接合する正
孔注入層と、該正孔注入層に接合する正孔輸送層と、を
含む電界発光素子であって、前記有機材料層正孔注入層
が、構造式
アノード電極とカソード電極との間に有機材料層が介在
される、該有機材料層が前記アノード電極に接合する正
孔注入層と、該正孔注入層に接合する正孔輸送層と、を
含む電界発光素子であって、前記有機材料層正孔注入層
が、構造式
【化５】 で表される4,4',4"-トリス[Ｎ-フェニル-Ｎ-（1-ナフチ
ル）アミノ]トリフェニルアミンでなることを特徴とし
ている。
ル）アミノ]トリフェニルアミンでなることを特徴とし
ている。
【００１１】請求項１記載の発明で正孔注入層を形成す
る、4,4',4"-トリス[Ｎ-フェニル-Ｎ-（1-ナフチル）ア
ミノ]トリフェニルアミンは、ガラス転移温度（Ｔｇ）
＝１１７℃、融点（Ｔｍ）＝２４８℃であり、熱的に安
定性を有するため、耐久性に優れている。また、正孔注
入性がＭＴＤＡＴＡと同等であるため、正孔注入効率が
良好であり、発光特性の良好な電界発光素子を構成する
ことが可能となる。
る、4,4',4"-トリス[Ｎ-フェニル-Ｎ-（1-ナフチル）ア
ミノ]トリフェニルアミンは、ガラス転移温度（Ｔｇ）
＝１１７℃、融点（Ｔｍ）＝２４８℃であり、熱的に安
定性を有するため、耐久性に優れている。また、正孔注
入性がＭＴＤＡＴＡと同等であるため、正孔注入効率が
良好であり、発光特性の良好な電界発光素子を構成する
ことが可能となる。
【００１２】請求項２記載の発明は、請求項１記載の電
界発光素子であって、前記有機材料層は、前記正孔輸送
層及びに接合する電子輸送層を含むことを特徴とする。
界発光素子であって、前記有機材料層は、前記正孔輸送
層及びに接合する電子輸送層を含むことを特徴とする。
【００１３】請求項３記載の発明は、請求項１又は請求
項２に記載の電界発光素子であって、前記正孔輸送層
は、N,N'-ジ（1-ナフチル）-N,N'-ジフェニル-1,1'-ビ
フェニル-4,4'-ジアミン（α−ＮＰＤ）でなることを特
徴とする。
項２に記載の電界発光素子であって、前記正孔輸送層
は、N,N'-ジ（1-ナフチル）-N,N'-ジフェニル-1,1'-ビ
フェニル-4,4'-ジアミン（α−ＮＰＤ）でなることを特
徴とする。
【００１４】請求項３記載の発明では、正孔注入層と同
様に、正孔輸送層（α−ＮＰＤ）が熱的に安定性を有す
るため、高電圧、高電流を印加した場合に高温となるア
ノード電極付近の耐久性を向上することができる。よっ
て、電界発光素子の耐久性も向上することができる。
様に、正孔輸送層（α−ＮＰＤ）が熱的に安定性を有す
るため、高電圧、高電流を印加した場合に高温となるア
ノード電極付近の耐久性を向上することができる。よっ
て、電界発光素子の耐久性も向上することができる。
【００１５】請求項４記載の発明は、請求項２又は請求
項３に記載の電界発光素子であって、前記正孔輸送層と
前記電子輸送層との間に発光層が介在されていることを
特徴としている。
項３に記載の電界発光素子であって、前記正孔輸送層と
前記電子輸送層との間に発光層が介在されていることを
特徴としている。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る電界発光素子
の詳細を、図面に示す実施形態に基づいて説明する。 （実施形態１）図１は本発明に係る電界発光素子の実施
形態１を示す断面説明図である。同図に示すように、本
実施形態の電界発光素子１１は、ガラス基板１２の上
に、透明なＩＴＯでなるアノード電極１３が形成されて
いる。アノード電極１３の上には、4,4',4"-トリス[Ｎ-
フェニル-Ｎ-（1-ナフチル）アミノ]トリフェニルアミ
ン（以下、α−ＴＰＮＡＴＡという）でなる正孔注入層
１４が膜厚３０ｎｍになるように真空蒸着法により形成
されている。なお、このα−ＴＰＮＡＴＡは、トリフェ
ニルアミンから合成したトリス（4-ヨードフェニル）ア
ミンと、N-フェニル-1-ナフチルアミンからウルマン反
応により合成し、カラムクロマトグラフィー法で精製す
ることにより、最終的に収率１０％で回収することがで
きるという知見が得られた。因に、α−ＴＰＮＡＴＡ
は、熱分析の結果ガラス転移点Ｔｇ＝１１７℃、融点
（Ｔｍ）＝２４８℃が観測された。
の詳細を、図面に示す実施形態に基づいて説明する。 （実施形態１）図１は本発明に係る電界発光素子の実施
形態１を示す断面説明図である。同図に示すように、本
実施形態の電界発光素子１１は、ガラス基板１２の上
に、透明なＩＴＯでなるアノード電極１３が形成されて
いる。アノード電極１３の上には、4,4',4"-トリス[Ｎ-
フェニル-Ｎ-（1-ナフチル）アミノ]トリフェニルアミ
ン（以下、α−ＴＰＮＡＴＡという）でなる正孔注入層
１４が膜厚３０ｎｍになるように真空蒸着法により形成
されている。なお、このα−ＴＰＮＡＴＡは、トリフェ
ニルアミンから合成したトリス（4-ヨードフェニル）ア
ミンと、N-フェニル-1-ナフチルアミンからウルマン反
応により合成し、カラムクロマトグラフィー法で精製す
ることにより、最終的に収率１０％で回収することがで
きるという知見が得られた。因に、α−ＴＰＮＡＴＡ
は、熱分析の結果ガラス転移点Ｔｇ＝１１７℃、融点
（Ｔｍ）＝２４８℃が観測された。
【００１７】α−ＴＰＮＡＴＡは、構造式
【化６】 で表される。
【００１８】正孔注入層１４の上には、α−ＮＰＤでな
る正孔輸送層１５を３０ｎｍの膜厚になるように真空蒸
着法により形成する。そして、正孔輸送層１５の上に
は、ベリリウム（ビス（10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリ
ネーナト））（以下、Ｂｅｂｑ２という）でなる電子輸
送層１６を膜厚が５０ｎｍになるように真空蒸着法によ
り形成されている。
る正孔輸送層１５を３０ｎｍの膜厚になるように真空蒸
着法により形成する。そして、正孔輸送層１５の上に
は、ベリリウム（ビス（10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリ
ネーナト））（以下、Ｂｅｂｑ２という）でなる電子輸
送層１６を膜厚が５０ｎｍになるように真空蒸着法によ
り形成されている。
【００１９】Ｂｅｂｑ２は、構造式
【化７】 で表される。
【００２０】電子輸送層１６の上には、例えばＭｇＩｎ
でなるカソード電極１７が形成されて、本実施形態の電
界発光素子１１が構成されている。
でなるカソード電極１７が形成されて、本実施形態の電
界発光素子１１が構成されている。
【００２１】ここで、正孔注入層１４にα−ＴＰＮＡＴ
Ａを用いた本実施形態の電界発光素子１１と、正孔注入
層に本実施形態のα−ＴＰＮＡＴＡの替わりにＭＴＤＡ
ＴＡを用いた電界発光素子（比較例１）とを、それぞれ
２×２［ｍｍ２］の面積で作成し、室温、大気中で発
光を行わせた測定結果に基づいて発光特性を評価する。
それぞれの電界発光素子のアノード電極とカソード電極
とに直流電源を接続し、約１秒、０．１Ｖずつ変化させ
て電圧を印加し、各電圧ごとの電流値を測定するととも
に、輝度計で発光の強度を測定した。測定した電圧Ｖ
[Ｖ]、電流密度Ｊ[Ａ／ｍ２]、輝度Ｌ[ｃｄ／ｍｍ２]の
値を用い、完全拡散面を仮定して発光効率η[ｌｍ／Ｗ]
を下記の式（１）により算出する。 η＝π・Ｌ／（Ｖ・Ｊ）……（１） この値を対数グラフにプロットし、以下３００[ｃｄ／
ｍ２]時の値を読み取った。
Ａを用いた本実施形態の電界発光素子１１と、正孔注入
層に本実施形態のα−ＴＰＮＡＴＡの替わりにＭＴＤＡ
ＴＡを用いた電界発光素子（比較例１）とを、それぞれ
２×２［ｍｍ２］の面積で作成し、室温、大気中で発
光を行わせた測定結果に基づいて発光特性を評価する。
それぞれの電界発光素子のアノード電極とカソード電極
とに直流電源を接続し、約１秒、０．１Ｖずつ変化させ
て電圧を印加し、各電圧ごとの電流値を測定するととも
に、輝度計で発光の強度を測定した。測定した電圧Ｖ
[Ｖ]、電流密度Ｊ[Ａ／ｍ２]、輝度Ｌ[ｃｄ／ｍｍ２]の
値を用い、完全拡散面を仮定して発光効率η[ｌｍ／Ｗ]
を下記の式（１）により算出する。 η＝π・Ｌ／（Ｖ・Ｊ）……（１） この値を対数グラフにプロットし、以下３００[ｃｄ／
ｍ２]時の値を読み取った。
【００２２】この本実施形態の電界発光素子と比較例１
の３００[ｃｄ／ｍ２]時の特性は、下表１に示すように
ほぼ同等であった。なお、表１中の括弧内は、測定８箇
所の標準偏差×３の割合を示している。
の３００[ｃｄ／ｍ２]時の特性は、下表１に示すように
ほぼ同等であった。なお、表１中の括弧内は、測定８箇
所の標準偏差×３の割合を示している。
【表１】
【００２３】ところで、高電圧、高電流によって、電界
発光素子が破壊される電力の限界を見ると、図３に示す
ように比較例１では、 ９．９４６[Ｖ]×１０８０．７５[ｍＡ／ｃｍ２]＝１
０．７４９１[Ｗ／ｃｍ２] であったの対し、図２に示すように本実施形態の電界発
光素子では、 １０．４３２[Ｖ]×１２５１[ｍＡ／ｃｍ２]＝１３．０
５０[Ｗ／ｃｍ２] まで耐久性を有することが判った。高電圧、高電流で
は、アノード電極の発熱によって、その直上にある正孔
注入層が溶け、素子は破壊される。ＭＴＤＡＴＡの融点
は２０３℃であるのに比べて、本実施形態で用いたα−
ＴＰＮＡＴＡの融点は２４８℃と高いため、電界発光素
子の耐久性を向上させていることが判る。このように、
α−ＴＰＮＡＴＡを正孔注入層１４に使用することによ
り、より高電圧、高電流に耐えられる素子を実現するこ
とが可能になる。
発光素子が破壊される電力の限界を見ると、図３に示す
ように比較例１では、 ９．９４６[Ｖ]×１０８０．７５[ｍＡ／ｃｍ２]＝１
０．７４９１[Ｗ／ｃｍ２] であったの対し、図２に示すように本実施形態の電界発
光素子では、 １０．４３２[Ｖ]×１２５１[ｍＡ／ｃｍ２]＝１３．０
５０[Ｗ／ｃｍ２] まで耐久性を有することが判った。高電圧、高電流で
は、アノード電極の発熱によって、その直上にある正孔
注入層が溶け、素子は破壊される。ＭＴＤＡＴＡの融点
は２０３℃であるのに比べて、本実施形態で用いたα−
ＴＰＮＡＴＡの融点は２４８℃と高いため、電界発光素
子の耐久性を向上させていることが判る。このように、
α−ＴＰＮＡＴＡを正孔注入層１４に使用することによ
り、より高電圧、高電流に耐えられる素子を実現するこ
とが可能になる。
【００２４】以上、実施形態１について説明したが、正
孔注入層としてα−ＴＰＮＡＴＡを使用できる電界発光
素子は、少なくとも正孔輸送層１５と電子輸送層１６か
らなる有機多層構造を持っている素子であればよいた
め、正孔輸送層１５は本実施形態のα−ＮＰＤ以外の正
孔輸送物質、例えばＴＰＤでも上記した効果を奏するこ
とができる。また、電子輸送層１６に用いたＢｅｂｑ２
は、他の電子輸送物質、例えばアルミニウムトリ（8-キ
ノリレート）（以下、Ａｌｑ３という）でもよい。Ａｌ
ｑ３は、構造式
孔注入層としてα−ＴＰＮＡＴＡを使用できる電界発光
素子は、少なくとも正孔輸送層１５と電子輸送層１６か
らなる有機多層構造を持っている素子であればよいた
め、正孔輸送層１５は本実施形態のα−ＮＰＤ以外の正
孔輸送物質、例えばＴＰＤでも上記した効果を奏するこ
とができる。また、電子輸送層１６に用いたＢｅｂｑ２
は、他の電子輸送物質、例えばアルミニウムトリ（8-キ
ノリレート）（以下、Ａｌｑ３という）でもよい。Ａｌ
ｑ３は、構造式
【化８】 で表される。さらに、正孔輸送層１５と電子輸送層１６
との間に発光層を介在させた構成としても勿論よい。ま
たさらに、耐熱性を有する電界発光素子を作成するとい
う目的であれば、正孔輸送層としてα−ＴＰＮＡＴＡを
用いてもよい。
との間に発光層を介在させた構成としても勿論よい。ま
たさらに、耐熱性を有する電界発光素子を作成するとい
う目的であれば、正孔輸送層としてα−ＴＰＮＡＴＡを
用いてもよい。
【００２５】（実施形態２）図４は、本発明に係る電界
発光素子の実施形態２を示す断面説明図である。同図に
示すように、本実施形態の電界発光素子１１は、ガラス
基板１２の上に、透明なＩＴＯでなるアノード電極１３
が形成されている。アノード電極１３の上には、α−Ｔ
ＰＮＡＴＡでなる正孔注入層１４が膜厚３０ｎｍになる
ように真空蒸着法により形成されている。正孔注入層１
４の上には、α−ＮＰＤでなる正孔輸送層１５を３０ｎ
ｍの膜厚になるように真空蒸着法により形成する。そし
て、正孔輸送層１５の上には、Ｂｅｂｑ２とキナクリド
ン（以下、Ｑｄという）を共蒸着してなる発光層１８が
２２ｎｍの膜厚になるように形成されている。
発光素子の実施形態２を示す断面説明図である。同図に
示すように、本実施形態の電界発光素子１１は、ガラス
基板１２の上に、透明なＩＴＯでなるアノード電極１３
が形成されている。アノード電極１３の上には、α−Ｔ
ＰＮＡＴＡでなる正孔注入層１４が膜厚３０ｎｍになる
ように真空蒸着法により形成されている。正孔注入層１
４の上には、α−ＮＰＤでなる正孔輸送層１５を３０ｎ
ｍの膜厚になるように真空蒸着法により形成する。そし
て、正孔輸送層１５の上には、Ｂｅｂｑ２とキナクリド
ン（以下、Ｑｄという）を共蒸着してなる発光層１８が
２２ｎｍの膜厚になるように形成されている。
【００２６】Ｑｄは、構造式
【化９】 で表される。
【００２７】この発光層１８の上には、Ｂｅｂｑ２でな
る電子輸送層１６を膜厚が５０ｎｍになるように真空蒸
着法により形成されている。そして、電子輸送層１６の
上には、例えばＭｇＩｎでなるカソード電極１７が形成
されて、本実施形態の電界発光素子１１が構成されてい
る。
る電子輸送層１６を膜厚が５０ｎｍになるように真空蒸
着法により形成されている。そして、電子輸送層１６の
上には、例えばＭｇＩｎでなるカソード電極１７が形成
されて、本実施形態の電界発光素子１１が構成されてい
る。
【００２８】本実施形態の電界発光素子と上記した比較
例１とを用いて、上記した実施形態１と同様の測定を行
った結果、発光特性及び耐熱性において実施形態１と同
様の評価を得ることができた。なお、図５は、本実施形
態の電界発光素子１１の発光特性を測定した結果を示す
グラフである。
例１とを用いて、上記した実施形態１と同様の測定を行
った結果、発光特性及び耐熱性において実施形態１と同
様の評価を得ることができた。なお、図５は、本実施形
態の電界発光素子１１の発光特性を測定した結果を示す
グラフである。
【００２９】次に、図６に示す比較例２の電界発光素子
１との輝度を比較する。この電界発光素子１は、ガラス
基板２の上に、ＩＴＯでなるアノード電極３、ＭＴＤＡ
ＴＡでなる正孔注入層７、α−ＮＰＤでなる正孔輸送層
４、ＴＰＤとルブレンを共蒸着してなる発光層８、Ｂｅ
ｂｑ２でなる電子輸送層５、Ｍｇ−Ｉｎからなるカソー
ド電極６を順次積層して構成されている。このような比
較例２と本実施形態の電界発光素子１１とを、同じ電流
密度での輝度を測定したところ、下表２に示すように、
ほぼ同等の値を示した。
１との輝度を比較する。この電界発光素子１は、ガラス
基板２の上に、ＩＴＯでなるアノード電極３、ＭＴＤＡ
ＴＡでなる正孔注入層７、α−ＮＰＤでなる正孔輸送層
４、ＴＰＤとルブレンを共蒸着してなる発光層８、Ｂｅ
ｂｑ２でなる電子輸送層５、Ｍｇ−Ｉｎからなるカソー
ド電極６を順次積層して構成されている。このような比
較例２と本実施形態の電界発光素子１１とを、同じ電流
密度での輝度を測定したところ、下表２に示すように、
ほぼ同等の値を示した。
【表２】
【００３０】しかし、同表に示すように、最高輝度で
は、本実施形態の電界発光素子１１のほうが比較例２よ
り１割以上高い値が得られた。これは、発光界面での効
率が同程度の素子であれば、破壊の限界で有機層の最下
層の耐熱性の差がそのまま最高輝度になって現れた結果
となると解される。即ち、ＭＴＤＡＴＡを正孔注入層７
に用いた比較例２の電界発光素子１と、α−ＴＰＮＡＴ
Ａを正孔注入層１４用いた本実施形態の電界発光素子１
１の差である。発光効率が同程度の素子の場合には、Ｍ
ＴＤＡＴＡに代えて、α−ＴＰＮＡＴＡを用いれば、よ
り耐久性のよい電界発光素子となる。
は、本実施形態の電界発光素子１１のほうが比較例２よ
り１割以上高い値が得られた。これは、発光界面での効
率が同程度の素子であれば、破壊の限界で有機層の最下
層の耐熱性の差がそのまま最高輝度になって現れた結果
となると解される。即ち、ＭＴＤＡＴＡを正孔注入層７
に用いた比較例２の電界発光素子１と、α−ＴＰＮＡＴ
Ａを正孔注入層１４用いた本実施形態の電界発光素子１
１の差である。発光効率が同程度の素子の場合には、Ｍ
ＴＤＡＴＡに代えて、α−ＴＰＮＡＴＡを用いれば、よ
り耐久性のよい電界発光素子となる。
【００３１】本実施形態においても、α−ＮＰＤ以外に
例えばＴＰＤを用いても同様の効果を得ることができ
る。また、電子輸送層１６にＢｅｂｑ２以外の電子輸送
性物質、例えばＡｌｑ３などを用いてもよい。さらに、
発光層１８に電子輸送性物質とともに共蒸着する物質と
しては、Ｑｄ以外に例えばクマリンなどを用いることも
可能である。またさらに、共蒸着は、電子輸送性物質と
ともに行うのではなく、正孔輸送性物質とともに行う構
成の電界発光素子においても同様の効果を奏することが
できる。
例えばＴＰＤを用いても同様の効果を得ることができ
る。また、電子輸送層１６にＢｅｂｑ２以外の電子輸送
性物質、例えばＡｌｑ３などを用いてもよい。さらに、
発光層１８に電子輸送性物質とともに共蒸着する物質と
しては、Ｑｄ以外に例えばクマリンなどを用いることも
可能である。またさらに、共蒸着は、電子輸送性物質と
ともに行うのではなく、正孔輸送性物質とともに行う構
成の電界発光素子においても同様の効果を奏することが
できる。
【００３２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば、正孔注入効率が高く、発光特性が良好で、
且つ耐久性を有する電界発光素子を実現することができ
る。
明によれば、正孔注入効率が高く、発光特性が良好で、
且つ耐久性を有する電界発光素子を実現することができ
る。
【図１】本発明に係る電界発光素子の実施形態１を示す
断面説明図。
断面説明図。
【図２】実施形態１の電界発光素子の発光特性を示すグ
ラフ。
ラフ。
【図３】比較例１の発光特性を示すグラフ。
【図４】本発明に係る電界発光素子の実施形態２を示す
断面説明図。
断面説明図。
【図５】実施形態２の電界発光素子の発光特性を示すグ
ラフ。
ラフ。
【図６】比較例２を示す断面説明図。
【図７】従来例を示す断面説明図。
【図８】他の従来例を示す断面説明図。
１１ 電界発光素子 １３ アノード電極 １４ 正孔注入層（α−ＴＰＮＡＴＡ） １５ 正孔輸送層 １６ 電子輸送層 １７ カソード電極 １８ 発光層
Claims (4)
- 【請求項１】 アノード電極とカソード電極との間に有
機材料層が介在される、該有機材料層が前記アノード電
極に接合する正孔注入層と、該正孔注入層に接合する正
孔輸送層と、を含む電界発光素子であって、 前記有機材料層正孔注入層は、構造式 【化１】 で表される4,4',4"-トリス[Ｎ-フェニル-Ｎ-（1-ナフチ
ル）アミノ]トリフェニルアミンを含むでなることを特
徴とする電界発光素子。 - 【請求項２】 前記有機材料層は、前記正孔輸送層及び
に接合する電子輸送層を含むことを特徴とする請求項１
記載の電界発光素子。 - 【請求項３】 前記正孔輸送層は、N,N'-ジ（1-ナフチ
ル）-N,N'-ジフェニル-1,1'-ビフェニル-4,4'-ジアミン
でなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の
電界発光素子。 - 【請求項４】 前記正孔輸送層と前記電子輸送層との間
に発光層が介在されていることを特徴とする請求項２又
は請求項３に記載の電界発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10033553A JPH11219788A (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10033553A JPH11219788A (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 電界発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11219788A true JPH11219788A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=12389757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10033553A Pending JPH11219788A (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 電界発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11219788A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007088430A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-04-05 | Denso Corp | 有機ｅｌパネルおよびその製造方法 |
| JP2007182401A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Bando Chem Ind Ltd | 新規な芳香族第３級アミン類とその利用 |
| US7485733B2 (en) | 2002-05-07 | 2009-02-03 | Lg Chem, Ltd. | Organic compounds for electroluminescence and organic electroluminescent devices using the same |
| US8198801B2 (en) | 2004-03-19 | 2012-06-12 | Lg Chem, Ltd. | Materials for injecting or transporting holes and organic electroluminescence devices using the same |
-
1998
- 1998-02-02 JP JP10033553A patent/JPH11219788A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7485733B2 (en) | 2002-05-07 | 2009-02-03 | Lg Chem, Ltd. | Organic compounds for electroluminescence and organic electroluminescent devices using the same |
| US7604874B2 (en) | 2002-05-07 | 2009-10-20 | Lg Chem, Ltd. | Organic compounds for electroluminescence and organic electroluminescent devices using the same |
| US8198801B2 (en) | 2004-03-19 | 2012-06-12 | Lg Chem, Ltd. | Materials for injecting or transporting holes and organic electroluminescence devices using the same |
| JP2007088430A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-04-05 | Denso Corp | 有機ｅｌパネルおよびその製造方法 |
| JP2007182401A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Bando Chem Ind Ltd | 新規な芳香族第３級アミン類とその利用 |
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