JPH11219836A - Adjustment method of inductance component - Google Patents

Adjustment method of inductance component

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JPH11219836A
JPH11219836A JP10018413A JP1841398A JPH11219836A JP H11219836 A JPH11219836 A JP H11219836A JP 10018413 A JP10018413 A JP 10018413A JP 1841398 A JP1841398 A JP 1841398A JP H11219836 A JPH11219836 A JP H11219836A
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JP
Japan
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conductor film
inductor conductor
inductance component
inductor
trimming
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JP10018413A
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Yasuhiro Nakamoto
安弘 中元
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Kyocera Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】インダクタ導体膜のインダクタンス成分の粗調
整及び/または微調整を簡単に行えるインダクタンス調
整方法を提供する。 【解決手段】本発明は、誘電体基板1上に、一端がグラ
ンド電位に、他端が信号電位に接続されて成るU字状の
ストリップ導体膜2を形成するとともに、該U字状のス
トリップ導体膜2の両端部付近を横断する一直線x上
に、その端部の導体幅を狭めるトリミング溝21、22
を形成してインダクタ成分を調整する方法である。
An object of the present invention is to provide an inductance adjusting method capable of easily performing coarse adjustment and / or fine adjustment of an inductance component of an inductor conductor film. A U-shaped strip conductor film having one end connected to a ground potential and the other end connected to a signal potential is formed on a dielectric substrate, and the U-shaped strip is formed. Trimming grooves 21 and 22 for reducing the conductor width at the end on a straight line x crossing the vicinity of both ends of the conductor film 2
Is formed to adjust the inductor component.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明が属する技術分野】本発明は、ストリップ線路や
マイクロストリップ線路などの所定インダクタンス成分
を導出するインダクタ導体膜のインダクタンス成分調整
方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for adjusting an inductance component of an inductor conductor film for deriving a predetermined inductance component such as a strip line or a microstrip line.

【0002】[0002]

【従来の技術】携帯電話を代表とする移動体通信機器用
発振回路は、通常、マイクロストリップ線路を用いた共
振回路部と、負性抵抗回路部および増幅回路部とを組み
合わせた電圧制御発振回路が広く使用されている。
2. Description of the Related Art Generally, an oscillation circuit for mobile communication equipment, such as a cellular phone, is a voltage controlled oscillation circuit combining a resonance circuit section using a microstrip line, a negative resistance circuit section and an amplification circuit section. Is widely used.

【0003】図3は電圧制御発振回路の回路例である。FIG. 3 is a circuit example of a voltage controlled oscillator circuit.

【0004】電圧制御発振回路は共振素子Rを含む共振
回路Aと能動素子からなる負性抵抗回路部Bと、増幅回
路Cから構成されている。
The voltage-controlled oscillation circuit includes a resonance circuit A including a resonance element R, a negative resistance circuit section B including active elements, and an amplification circuit C.

【0005】共振回路部Aはマイクロストリップ線路
(インダクタ導体膜)などからなる共振素子Rと、制御
電圧により容量が変化するバリキャップダイオードC
V、発振周波数の可変範囲を決定するためのコンデンサ
3 、クラップコンデンサC5 、マイクロストリップ線
路L1 などから構成されている。
The resonance circuit section A includes a resonance element R such as a microstrip line (inductor conductor film) and a varicap diode C whose capacitance changes according to a control voltage.
V, a capacitor C 3 for determining a variable range of the oscillation frequency, a clap capacitor C 5 , a microstrip line L 1, and the like.

【0006】負性抵抗回路部Bは主に発振用の第1のト
ランジスタQ1 、バイパスコンデンサC9 などから成
り、第1のトランジスタQ1 はバイパスコンデンサC9
を介してコレクタ接地されている。増幅回路部Cは主に
増幅用の第2のトランジスタQ2 、バイパスコンデンサ
8 、マイクロストリップ線路L2 などから成る。増幅
用の第2のトランジスタQ2 はバイパスコンデンサC8
を介してベース接地されている。
[0006] The first transistor to Q 1 negative resistance circuit portion B is primarily for oscillation consists like bypass capacitor C 9, the first transistor Q 1 is the bypass capacitor C 9
The collector is grounded through. The amplification circuit section C mainly includes a second transistor Q 2 for amplification, a bypass capacitor C 8 , a microstrip line L 2, and the like. The second transistor Q 2 for amplification is a bypass capacitor C 8
The base is grounded through.

【0007】この増幅用の第2のトランジスタQ2 によ
って増幅された所定周波数の信号が第2のトランジスタ
2 のコレクタ側より導出される。
A signal of a predetermined frequency amplified by the second amplification transistor Q 2 is derived from the collector of the second transistor Q 2 .

【0008】上述の発振回路において発振周波数は、各
回路構成部品の特性公差やマイクロストリップ線路の導
体膜形成のばらつきにより、初期周波数の調整が設計値
となることが少ない。
In the above-mentioned oscillation circuit, the initial frequency is rarely adjusted to a design value due to the characteristic tolerance of each circuit component and the variation in the formation of the conductor film of the microstrip line.

【0009】そこで、通常、通常マイクロストリップ線
路の一部をトリミングして、インダクタンス成分を調整
して、初期発振周波数の調整を行っていた。
Therefore, usually, a part of the microstrip line is usually trimmed to adjust the inductance component, thereby adjusting the initial oscillation frequency.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかし、マイクロスト
リップ線路に対して、粗調整及び微調整を行うに際し
て、マイクロストリップ線路に粗調整用スタブや微調整
用スタブを形成しておき、粗調整、微調整の必要に応じ
て、所定スタブの切断を行っていた。
However, when coarse adjustment and fine adjustment are performed on a microstrip line, a coarse adjustment stub or a fine adjustment stub is formed on the microstrip line, and coarse adjustment and fine adjustment are performed. A predetermined stub was cut as required for adjustment.

【0011】また、直接インダクタ導体膜にトリミング
溝を形成する方法も知られており、例えば、インダクタ
ス導体膜の信号電位端部とグランド側電位端部との間の
所定位置によって、複数のトリミング溝を形成していた
が、例えば、異なる部位にトリミング溝を形成する場
合、トリミング手段を、複数回の操作を行う必要があ
り、トリミング操作が非常に困難であった。
A method of directly forming a trimming groove in an inductor conductor film is also known. For example, a plurality of trimming grooves are provided depending on a predetermined position between a signal potential end and a ground potential end of the inductor conductor film. Although the grooves were formed, for example, when forming the trimming grooves in different portions, it was necessary to perform the trimming means a plurality of times, and the trimming operation was very difficult.

【0012】本発明は上述の課題を解決するために案出
されたものであり、その目的はインダクタ導体膜のイン
ダクタンス成分の調整を簡単に行えるインダクタンス調
整方法を提供するものである。
The present invention has been devised to solve the above-mentioned problem, and an object of the present invention is to provide an inductance adjusting method which can easily adjust an inductance component of an inductor conductor film.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明は、誘電体基板上
に、一端がグランド電位に、他端が信号電位に接続され
るU字状のインダクタ導体膜を形成するとともに、該イ
ンダクタ導体膜の両端部近傍に、該両端部近傍を結ぶ同
一直線上に、導体幅を狭めるトリミング溝を形成したこ
とを特徴とするインダクタンス成分調整方法である。
According to the present invention, a U-shaped inductor conductor film having one end connected to a ground potential and the other end connected to a signal potential is formed on a dielectric substrate. And a trimming groove for reducing the conductor width is formed on the same straight line connecting the vicinity of both ends.

【0014】尚、インダクタ導体膜の両端部とは、イン
ダクタ導体膜がインダクタタ成分を規定する部分の両端
部であり、インダクタ導体膜の両端部近傍とは、両端部
からインダクタタ成分を規定する部分寄りの領域であ
る。
The term "both ends of the inductor conductor film" means both ends of the portion where the inductor conductor film defines the inductor component, and the vicinity of both ends of the inductor conductor film defines the inductor component from both ends. This is an area closer to a part.

【0015】[0015]

【作用】本発明によれば、インダクタ導体膜の一端が信
号側電位であり、他端がグランド電位となっている。そ
して、その両端部が同一方向に向いてU字状形状となっ
ている。
According to the present invention, one end of the inductor conductor film is at the signal potential and the other end is at the ground potential. And both ends are U-shaped in the same direction.

【0016】そして、このようなインダクタ導体膜で、
インダクタンス成分を調整するためのトリミング溝が該
U字状インダクタ導体膜の両端部を結ぶ直線上に形成さ
れている。
Then, with such an inductor conductor film,
A trimming groove for adjusting the inductance component is formed on a straight line connecting both ends of the U-shaped inductor conductor film.

【0017】従って、インダクタ導体膜の一方端部側で
ある信号電位側端部(高インピーダンス側)の一部を切
断することにより、小さなインダクタンス成分の変動と
なり、インダクタ導体膜の他方端部側であるグランド電
位側端部(低インピーダンス側)の一部を切断すること
により、大きなインダクタンス成分の変動が可能とな
る。
Therefore, by cutting a part of the signal potential side end (high impedance side) which is one end side of the inductor conductor film, a small change in inductance component occurs, and the other end portion of the inductor conductor film is cut off. By cutting off a part of a certain ground potential side end (low impedance side), a large change in inductance component becomes possible.

【0018】即ち、インダクタンス成分の調整におい
て、切断する端部を選択することにより、粗調整及びま
たは微調整のインダクタンス成分の調整が可能となる。
That is, in the adjustment of the inductance component, by selecting the end to be cut, the coarse adjustment and / or the fine adjustment of the inductance component can be performed.

【0019】しかも、両トリミング溝の形成位置が、一
直線上に配置されていることから、インダクタ導体膜を
トリミングするにあたり、例えば、レーザーの走査が一
回の動作ですみ、迅速且つ簡単にインダクタンス成分の
調整ができる。
In addition, since the formation positions of both trimming grooves are arranged on a straight line, in trimming the inductor conductor film, for example, laser scanning only needs to be performed once, and the inductance component can be quickly and easily adjusted. Can be adjusted.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、本発明のインダクタンス成
分の調整方法を図面に基づいて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method for adjusting an inductance component according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0021】図1は、本発明のインダクタンス成分の調
整方法を適用したインダクタ導体膜の平面図であり、例
えば、上述の図3に示す共振回路部Aの共振素子に用い
られる。
FIG. 1 is a plan view of an inductor conductor film to which the method of adjusting an inductance component according to the present invention is applied. For example, the inductor film is used for the resonance element of the resonance circuit section A shown in FIG.

【0022】図1において、1は誘電体基板であり、2
はU字状インダクタ導体膜であり、3はグランド電位側
端部であり、4は信号電位側端部であり、C4 は並列付
加容量であり、C5 はクラップコンデンサである。
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a dielectric substrate;
Is a U-shaped inductor conductor film, 3 is a ground potential side end, 4 is a signal potential side end, C 4 is a parallel additional capacitance, and C 5 is a clap capacitor.

【0023】誘電体基板1は、アルミナ、チタン酸バリ
ウムなどの所定誘電率のセラミック基板、ガラス−エポ
キシ基板などであり、その表面に、AgやCuからなる
U字状インダクタ導体膜2が導電性ペーストの印刷、焼
き付け、導体膜のエッチングによってなどによって形成
されている。
The dielectric substrate 1 is a ceramic substrate having a predetermined dielectric constant such as alumina or barium titanate, or a glass-epoxy substrate, and a U-shaped inductor conductor film 2 made of Ag or Cu is formed on the surface thereof. It is formed by printing a paste, baking, etching a conductive film, or the like.

【0024】尚、誘電体基板1の裏面には、図示してい
ないが、グランド導体膜が被着形成されている。そし
て、U字状インダクタ導体膜2のグランド電位側端部3
は、誘電体基板1の厚み方向を貫くビアホール導体やス
ルーホール導体を介して、このグランド電位に接続され
ている。
Although not shown, a ground conductor film is formed on the back surface of the dielectric substrate 1. Then, the ground potential side end 3 of the U-shaped inductor conductor film 2
Are connected to this ground potential via via-hole conductors or through-hole conductors penetrating through the thickness direction of the dielectric substrate 1.

【0025】誘電体基板1の表面には、上述のインダク
タ導体膜2の信号電位側端部4に接続する所定配置パタ
ーンや所定電子部品を搭載するための電極パッドが形成
されている。
On the surface of the dielectric substrate 1, a predetermined arrangement pattern connected to the signal potential side end 4 of the inductor conductor film 2 and an electrode pad for mounting a predetermined electronic component are formed.

【0026】そして、誘電体基板1の表面には、図3の
所定回路を達成するための電子部品が搭載されている。
Then, on the surface of the dielectric substrate 1, electronic components for achieving the predetermined circuit of FIG. 3 are mounted.

【0027】特に、本発明においては、並列付加容量C
4 が、インダクタ導体膜2の信号電位側端部3とグラン
ド電位側端部4との跨がって接続されている。
In particular, in the present invention, the parallel additional capacitance C
4 is connected across the signal potential side end 3 and the ground potential side end 4 of the inductor conductor film 2.

【0028】この並列付加容量C4 は、インダクタ導体
膜2自身のインダクタンス成分とインダクタ導体膜2と
グランド導体膜との間に発生する容量成分とによって構
成される分布定数型の共振回路に対して、並列的に容量
成分を接続するものである。
The parallel additional capacitor C 4 is provided for a distributed constant type resonance circuit constituted by an inductance component of the inductor conductor film 2 itself and a capacitance component generated between the inductor conductor film 2 and the ground conductor film. , And capacitive components are connected in parallel.

【0029】この並列付加容量C4 は、インダクタ導体
膜2の形状を小さくするためのものである。即ち、分布
定数型共振回路部分での共振周波数とインダクタ導体膜
2とは負の相関関係があり、共振周波数が高くなれば、
インダクタ導体膜2が短くなる。
This parallel additional capacitance C 4 is for reducing the shape of the inductor conductor film 2. That is, there is a negative correlation between the resonance frequency in the distributed constant type resonance circuit portion and the inductor conductor film 2, and if the resonance frequency becomes higher,
The inductor conductor film 2 becomes shorter.

【0030】従って、小型な共振回路を形成しようとす
る場合、インダクタ導体膜2を短くすればよいが、これ
にともない、共振周波数が設計値よりも充分に高い値と
なってしまう。この状態で、並列付加容量C4 を接続す
ることにより、短いインダクタ導体膜2を有し、所定値
の共振周波数よりも高い共振周波数を低下させて、所定
値に制御することができる。
Therefore, when a small resonance circuit is to be formed, the inductor conductor film 2 may be shortened, but the resonance frequency becomes a value sufficiently higher than the design value. In this state, by connecting the parallel additional capacitor C 4, has a short inductor conductor film 2, to lower the high resonant frequency than the resonant frequency of a predetermined value, it can be controlled to a predetermined value.

【0031】本発明は上述のようにU字状インダクタ導
体膜2に対して、インダクタンス成分を調整するための
トリミング溝21、22が、信号電位側端部3寄り導体
部分2A、及びグランド電位側端部4寄り導体部分2B
を貫く一直線X上部分に形成されている。
According to the present invention, as described above, the trimming grooves 21 and 22 for adjusting the inductance component are formed on the U-shaped inductor conductor film 2 by the conductor portion 2A near the signal potential side end 3 and the ground potential side. Conductor portion 2B near end 4
Is formed in a portion on a straight line X penetrating through.

【0032】このようなトリミング溝21、2は、YA
Gレーザーなどを照射しながら、インダクタ導体膜2の
一部に、導体幅を狭めるようにして走査することにより
形成される。即ち、照射しながら走査された導体膜部分
が焼失される。また、YAGレーザーの照射以外に、機
械的な削除によって形成される。その結果、トリミング
溝21、22が形成されることになる。
The trimming grooves 21 and 2 are made of YA
It is formed by scanning a part of the inductor conductor film 2 while irradiating a G laser or the like so as to reduce the conductor width. That is, the conductor film portion scanned while being irradiated is burned off. In addition, it is formed by mechanical deletion other than the irradiation of the YAG laser. As a result, trimming grooves 21 and 22 are formed.

【0033】そして、U字状インダクタ導体膜2のグラ
ンド電位側端部4寄り導体部分2Bに形成されたトリミ
ング溝21の形成によって、は、インダクタ導体膜2の
高インピーダンス側に形成されることになるため、イン
ダクタンス成分の増加量は比較的大きいものとなり、共
振周波数の減少変動量は比較的大きいものとなる。
The formation of the trimming groove 21 formed in the conductor portion 2B near the ground potential side end 4 of the U-shaped inductor conductor film 2 allows the U-shaped inductor conductor film 2 to be formed on the high impedance side of the inductor conductor film 2. Therefore, the amount of increase in the inductance component is relatively large, and the amount of decrease in the resonance frequency is relatively large.

【0034】これに対して、U字状インダクタ導体膜2
の信号電位側端部3寄り導体部分2Aに形成されたトリ
ミング溝22の形成によって、インダクタンス成分の増
加量は比較的小さいものとなり、共振周波数の減少変動
量は比較的小さいものとなる。
On the other hand, the U-shaped inductor conductor film 2
By the formation of the trimming groove 22 formed in the conductor portion 2A close to the signal potential side end 3, the increase amount of the inductance component becomes relatively small, and the decrease fluctuation amount of the resonance frequency becomes relatively small.

【0035】即ち、インダクタ導体膜2のインダクタン
ス成分を増加させるにあたり、粗調整を行う場合には、
U字状インダクタ導体膜2のグランド電位側端部4寄り
導体部分2Bにトリミング溝21を形成すればよく、ま
た、微調整を行う場合には、U字状インダクタ導体膜2
の信号電位側端部3寄り導体部分2Aにトリミング溝2
2を形成すればよい。
That is, when coarse adjustment is performed to increase the inductance component of the inductor conductor film 2,
A trimming groove 21 may be formed in the conductor portion 2B near the ground potential side end 4 of the U-shaped inductor conductor film 2. In the case of fine adjustment, the U-shaped inductor conductor film 2
Trimming groove 2 in the conductor portion 2A near the signal potential side end 3
2 may be formed.

【0036】しかも、この両トリミング溝21、22が
U字状インダクタ導体膜2の信号電位側端部3寄り導体
部分2A及びグランド電位側端部4寄り導体部分2Bを
結ぶ一直線X上部分に形成されているため、例えば、レ
ーザー照射の一回の走査制御により形成することができ
る。例えば、発振周波数をモニタリングしながら、トリ
ミングを行うに際して、その調整が非常に簡単に行え
る。
In addition, the trimming grooves 21 and 22 are formed on a straight line X connecting the conductor portion 2A near the signal potential side end 3 and the conductor portion 2B near the ground potential side end 4 of the U-shaped inductor conductor film 2. Therefore, for example, it can be formed by one scanning control of laser irradiation. For example, when performing trimming while monitoring the oscillation frequency, the adjustment can be performed very easily.

【0037】しかも、インダクタンス成分の粗調整及び
微調整を選択的に非常に簡単に行うことができる。
Moreover, the coarse adjustment and the fine adjustment of the inductance component can be selectively and very easily performed.

【0038】図2は、上述のように、U字状インダクタ
導体膜2の信号電位側端部3寄り導体部分2A及びグラ
ンド電位側端部4寄り導体部分2Bに、同一の長さトリ
ミング溝21、22を形成した時の、周波数変動量を示
す特性図である。
FIG. 2 shows that, as described above, the conductor portion 2A near the signal potential side end 3 and the conductor portion 2B near the ground potential side end 4B of the U-shaped inductor conductor film 2 have trimming grooves 21 of the same length. And FIG. 22 are characteristic diagrams showing the amount of frequency fluctuation when forming the data.

【0039】図2の特性は、例えば、インダクタ導体膜
2の導体幅を0.8mm、全体導体の長さを10.0m
mとして、インダクタ導体膜2の両端部3、4から、中
央寄りに1.0mmの位置に、トリミング溝21、22
を、長さ0.5mmで形成した時の値である。
The characteristics shown in FIG. 2 are, for example, that the conductor width of the inductor conductor film 2 is 0.8 mm and the length of the entire conductor is 10.0 m.
m, the trimming grooves 21 and 22 are located 1.0 mm closer to the center from both ends 3 and 4 of the inductor conductor film 2.
Is formed at a length of 0.5 mm.

【0040】即ち、図2に示すように、トリミング溝2
1を形成することにより、最大−45MHzの調整が可
能であり、90MHz/mmの粗調整が可能であり、ト
リミング溝22を形成することにより、最大−15MH
zの調整が可能であり、30MHz/mmの微調整が可
能である。
That is, as shown in FIG.
1 enables a maximum adjustment of −45 MHz and a coarse adjustment of 90 MHz / mm, and the formation of the trimming groove 22 allows a maximum of −15 MHz.
Adjustment of z is possible, and fine adjustment of 30 MHz / mm is possible.

【0041】[0041]

【発明の効果】以上のように本発明では、U字状インダ
クタ導体膜の両端部近傍を結ぶ一直線方向にトリミング
溝が形成されている。
As described above, according to the present invention, a trimming groove is formed in a straight line connecting near both ends of a U-shaped inductor conductor film.

【0042】これにより、インダクタ導体膜のインダク
タンス成分を粗調整及び/または微調整の調整が可能と
なり、しかも、一直線上に2つのトリミング溝が配置さ
れることにより、そのトリミング溝を形成するにあた
り、トリミング手段を一回の走査により形成することが
でき、その調整が迅速かつ簡単に行うことができる。
Thus, the coarse adjustment and / or the fine adjustment of the inductance component of the inductor conductor film can be performed, and the two trimming grooves are arranged in a straight line. The trimming means can be formed by one scan, and the adjustment can be performed quickly and easily.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のインダクタンス成分調整方法を用いた
インダクタ導体膜の平面図である。
FIG. 1 is a plan view of an inductor conductor film using an inductance component adjusting method of the present invention.

【図2】本発明のインダクタンス成分調整方法における
粗調整及び微調整の変化量を示す特性図である。
FIG. 2 is a characteristic diagram showing a change amount of a coarse adjustment and a fine adjustment in the inductance component adjusting method of the present invention.

【図3】インダクタ導体膜を共振回路部に備えた電圧制
御型発振回路の回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram of a voltage-controlled oscillation circuit including an inductor conductor film in a resonance circuit unit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・・誘電体基板 2・・・・インダクタ導体膜 3・・・・グランド電位側端部 4・・・・信号電位側端部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Dielectric substrate 2 ... Inductor conductor film 3 ... Ground potential side end 4 ... Signal potential side end

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 誘電体基板上に、一端がグランド電位
に、他端が信号電位に接続されるU字状のインダクタ導
体膜を形成するとともに、該インダクタ導体膜の両端部
近傍に、該両端部近傍を結ぶ同一直線上に、導体幅を狭
めるトリミング溝を形成したことを特徴とするインダク
タンス成分調整方法。
1. A U-shaped inductor conductor film having one end connected to a ground potential and the other end connected to a signal potential is formed on a dielectric substrate. A trimming groove for reducing a conductor width is formed on the same straight line connecting the vicinity of the part.
JP10018413A 1998-01-30 1998-01-30 Adjustment method of inductance component Pending JPH11219836A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011035755A (en) * 2009-08-04 2011-02-17 New Japan Radio Co Ltd High frequency band voltage controlled oscillator

Cited By (1)

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JP2011035755A (en) * 2009-08-04 2011-02-17 New Japan Radio Co Ltd High frequency band voltage controlled oscillator

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