JPH11219836A - インダクタンス成分調整方法 - Google Patents
インダクタンス成分調整方法Info
- Publication number
- JPH11219836A JPH11219836A JP10018413A JP1841398A JPH11219836A JP H11219836 A JPH11219836 A JP H11219836A JP 10018413 A JP10018413 A JP 10018413A JP 1841398 A JP1841398 A JP 1841398A JP H11219836 A JPH11219836 A JP H11219836A
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- JP
- Japan
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- conductor film
- inductor conductor
- inductance component
- inductor
- trimming
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】インダクタ導体膜のインダクタンス成分の粗調
整及び／または微調整を簡単に行えるインダクタンス調
整方法を提供する。 【解決手段】本発明は、誘電体基板１上に、一端がグラ
ンド電位に、他端が信号電位に接続されて成るＵ字状の
ストリップ導体膜２を形成するとともに、該Ｕ字状のス
トリップ導体膜２の両端部付近を横断する一直線ｘ上
に、その端部の導体幅を狭めるトリミング溝２１、２２
を形成してインダクタ成分を調整する方法である。
整及び／または微調整を簡単に行えるインダクタンス調
整方法を提供する。 【解決手段】本発明は、誘電体基板１上に、一端がグラ
ンド電位に、他端が信号電位に接続されて成るＵ字状の
ストリップ導体膜２を形成するとともに、該Ｕ字状のス
トリップ導体膜２の両端部付近を横断する一直線ｘ上
に、その端部の導体幅を狭めるトリミング溝２１、２２
を形成してインダクタ成分を調整する方法である。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、ストリップ線路や
マイクロストリップ線路などの所定インダクタンス成分
を導出するインダクタ導体膜のインダクタンス成分調整
方法に関するものである。
マイクロストリップ線路などの所定インダクタンス成分
を導出するインダクタ導体膜のインダクタンス成分調整
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話を代表とする移動体通信機器用
発振回路は、通常、マイクロストリップ線路を用いた共
振回路部と、負性抵抗回路部および増幅回路部とを組み
合わせた電圧制御発振回路が広く使用されている。
発振回路は、通常、マイクロストリップ線路を用いた共
振回路部と、負性抵抗回路部および増幅回路部とを組み
合わせた電圧制御発振回路が広く使用されている。
【０００３】図３は電圧制御発振回路の回路例である。
【０００４】電圧制御発振回路は共振素子Ｒを含む共振
回路Ａと能動素子からなる負性抵抗回路部Ｂと、増幅回
路Ｃから構成されている。
回路Ａと能動素子からなる負性抵抗回路部Ｂと、増幅回
路Ｃから構成されている。
【０００５】共振回路部Ａはマイクロストリップ線路
（インダクタ導体膜）などからなる共振素子Ｒと、制御
電圧により容量が変化するバリキャップダイオードＣ
Ｖ、発振周波数の可変範囲を決定するためのコンデンサ
Ｃ3 、クラップコンデンサＣ5 、マイクロストリップ線
路Ｌ1 などから構成されている。
（インダクタ導体膜）などからなる共振素子Ｒと、制御
電圧により容量が変化するバリキャップダイオードＣ
Ｖ、発振周波数の可変範囲を決定するためのコンデンサ
Ｃ3 、クラップコンデンサＣ5 、マイクロストリップ線
路Ｌ1 などから構成されている。
【０００６】負性抵抗回路部Ｂは主に発振用の第１のト
ランジスタＱ1 、バイパスコンデンサＣ9 などから成
り、第１のトランジスタＱ1 はバイパスコンデンサＣ9
を介してコレクタ接地されている。増幅回路部Ｃは主に
増幅用の第２のトランジスタＱ2 、バイパスコンデンサ
Ｃ8 、マイクロストリップ線路Ｌ2 などから成る。増幅
用の第２のトランジスタＱ2 はバイパスコンデンサＣ8
を介してベース接地されている。
ランジスタＱ1 、バイパスコンデンサＣ9 などから成
り、第１のトランジスタＱ1 はバイパスコンデンサＣ9
を介してコレクタ接地されている。増幅回路部Ｃは主に
増幅用の第２のトランジスタＱ2 、バイパスコンデンサ
Ｃ8 、マイクロストリップ線路Ｌ2 などから成る。増幅
用の第２のトランジスタＱ2 はバイパスコンデンサＣ8
を介してベース接地されている。
【０００７】この増幅用の第２のトランジスタＱ2 によ
って増幅された所定周波数の信号が第２のトランジスタ
Ｑ2 のコレクタ側より導出される。
って増幅された所定周波数の信号が第２のトランジスタ
Ｑ2 のコレクタ側より導出される。
【０００８】上述の発振回路において発振周波数は、各
回路構成部品の特性公差やマイクロストリップ線路の導
体膜形成のばらつきにより、初期周波数の調整が設計値
となることが少ない。
回路構成部品の特性公差やマイクロストリップ線路の導
体膜形成のばらつきにより、初期周波数の調整が設計値
となることが少ない。
【０００９】そこで、通常、通常マイクロストリップ線
路の一部をトリミングして、インダクタンス成分を調整
して、初期発振周波数の調整を行っていた。
路の一部をトリミングして、インダクタンス成分を調整
して、初期発振周波数の調整を行っていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、マイクロスト
リップ線路に対して、粗調整及び微調整を行うに際し
て、マイクロストリップ線路に粗調整用スタブや微調整
用スタブを形成しておき、粗調整、微調整の必要に応じ
て、所定スタブの切断を行っていた。
リップ線路に対して、粗調整及び微調整を行うに際し
て、マイクロストリップ線路に粗調整用スタブや微調整
用スタブを形成しておき、粗調整、微調整の必要に応じ
て、所定スタブの切断を行っていた。
【００１１】また、直接インダクタ導体膜にトリミング
溝を形成する方法も知られており、例えば、インダクタ
ス導体膜の信号電位端部とグランド側電位端部との間の
所定位置によって、複数のトリミング溝を形成していた
が、例えば、異なる部位にトリミング溝を形成する場
合、トリミング手段を、複数回の操作を行う必要があ
り、トリミング操作が非常に困難であった。
溝を形成する方法も知られており、例えば、インダクタ
ス導体膜の信号電位端部とグランド側電位端部との間の
所定位置によって、複数のトリミング溝を形成していた
が、例えば、異なる部位にトリミング溝を形成する場
合、トリミング手段を、複数回の操作を行う必要があ
り、トリミング操作が非常に困難であった。
【００１２】本発明は上述の課題を解決するために案出
されたものであり、その目的はインダクタ導体膜のイン
ダクタンス成分の調整を簡単に行えるインダクタンス調
整方法を提供するものである。
されたものであり、その目的はインダクタ導体膜のイン
ダクタンス成分の調整を簡単に行えるインダクタンス調
整方法を提供するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、誘電体基板上
に、一端がグランド電位に、他端が信号電位に接続され
るＵ字状のインダクタ導体膜を形成するとともに、該イ
ンダクタ導体膜の両端部近傍に、該両端部近傍を結ぶ同
一直線上に、導体幅を狭めるトリミング溝を形成したこ
とを特徴とするインダクタンス成分調整方法である。
に、一端がグランド電位に、他端が信号電位に接続され
るＵ字状のインダクタ導体膜を形成するとともに、該イ
ンダクタ導体膜の両端部近傍に、該両端部近傍を結ぶ同
一直線上に、導体幅を狭めるトリミング溝を形成したこ
とを特徴とするインダクタンス成分調整方法である。
【００１４】尚、インダクタ導体膜の両端部とは、イン
ダクタ導体膜がインダクタタ成分を規定する部分の両端
部であり、インダクタ導体膜の両端部近傍とは、両端部
からインダクタタ成分を規定する部分寄りの領域であ
る。
ダクタ導体膜がインダクタタ成分を規定する部分の両端
部であり、インダクタ導体膜の両端部近傍とは、両端部
からインダクタタ成分を規定する部分寄りの領域であ
る。
【００１５】
【作用】本発明によれば、インダクタ導体膜の一端が信
号側電位であり、他端がグランド電位となっている。そ
して、その両端部が同一方向に向いてＵ字状形状となっ
ている。
号側電位であり、他端がグランド電位となっている。そ
して、その両端部が同一方向に向いてＵ字状形状となっ
ている。
【００１６】そして、このようなインダクタ導体膜で、
インダクタンス成分を調整するためのトリミング溝が該
Ｕ字状インダクタ導体膜の両端部を結ぶ直線上に形成さ
れている。
インダクタンス成分を調整するためのトリミング溝が該
Ｕ字状インダクタ導体膜の両端部を結ぶ直線上に形成さ
れている。
【００１７】従って、インダクタ導体膜の一方端部側で
ある信号電位側端部（高インピーダンス側）の一部を切
断することにより、小さなインダクタンス成分の変動と
なり、インダクタ導体膜の他方端部側であるグランド電
位側端部（低インピーダンス側）の一部を切断すること
により、大きなインダクタンス成分の変動が可能とな
る。
ある信号電位側端部（高インピーダンス側）の一部を切
断することにより、小さなインダクタンス成分の変動と
なり、インダクタ導体膜の他方端部側であるグランド電
位側端部（低インピーダンス側）の一部を切断すること
により、大きなインダクタンス成分の変動が可能とな
る。
【００１８】即ち、インダクタンス成分の調整におい
て、切断する端部を選択することにより、粗調整及びま
たは微調整のインダクタンス成分の調整が可能となる。
て、切断する端部を選択することにより、粗調整及びま
たは微調整のインダクタンス成分の調整が可能となる。
【００１９】しかも、両トリミング溝の形成位置が、一
直線上に配置されていることから、インダクタ導体膜を
トリミングするにあたり、例えば、レーザーの走査が一
回の動作ですみ、迅速且つ簡単にインダクタンス成分の
調整ができる。
直線上に配置されていることから、インダクタ導体膜を
トリミングするにあたり、例えば、レーザーの走査が一
回の動作ですみ、迅速且つ簡単にインダクタンス成分の
調整ができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明のインダクタンス成
分の調整方法を図面に基づいて説明する。
分の調整方法を図面に基づいて説明する。
【００２１】図１は、本発明のインダクタンス成分の調
整方法を適用したインダクタ導体膜の平面図であり、例
えば、上述の図３に示す共振回路部Ａの共振素子に用い
られる。
整方法を適用したインダクタ導体膜の平面図であり、例
えば、上述の図３に示す共振回路部Ａの共振素子に用い
られる。
【００２２】図１において、１は誘電体基板であり、２
はＵ字状インダクタ導体膜であり、３はグランド電位側
端部であり、４は信号電位側端部であり、Ｃ4 は並列付
加容量であり、Ｃ5 はクラップコンデンサである。
はＵ字状インダクタ導体膜であり、３はグランド電位側
端部であり、４は信号電位側端部であり、Ｃ4 は並列付
加容量であり、Ｃ5 はクラップコンデンサである。
【００２３】誘電体基板１は、アルミナ、チタン酸バリ
ウムなどの所定誘電率のセラミック基板、ガラス−エポ
キシ基板などであり、その表面に、ＡｇやＣｕからなる
Ｕ字状インダクタ導体膜２が導電性ペーストの印刷、焼
き付け、導体膜のエッチングによってなどによって形成
されている。
ウムなどの所定誘電率のセラミック基板、ガラス−エポ
キシ基板などであり、その表面に、ＡｇやＣｕからなる
Ｕ字状インダクタ導体膜２が導電性ペーストの印刷、焼
き付け、導体膜のエッチングによってなどによって形成
されている。
【００２４】尚、誘電体基板１の裏面には、図示してい
ないが、グランド導体膜が被着形成されている。そし
て、Ｕ字状インダクタ導体膜２のグランド電位側端部３
は、誘電体基板１の厚み方向を貫くビアホール導体やス
ルーホール導体を介して、このグランド電位に接続され
ている。
ないが、グランド導体膜が被着形成されている。そし
て、Ｕ字状インダクタ導体膜２のグランド電位側端部３
は、誘電体基板１の厚み方向を貫くビアホール導体やス
ルーホール導体を介して、このグランド電位に接続され
ている。
【００２５】誘電体基板１の表面には、上述のインダク
タ導体膜２の信号電位側端部４に接続する所定配置パタ
ーンや所定電子部品を搭載するための電極パッドが形成
されている。
タ導体膜２の信号電位側端部４に接続する所定配置パタ
ーンや所定電子部品を搭載するための電極パッドが形成
されている。
【００２６】そして、誘電体基板１の表面には、図３の
所定回路を達成するための電子部品が搭載されている。
所定回路を達成するための電子部品が搭載されている。
【００２７】特に、本発明においては、並列付加容量Ｃ
4 が、インダクタ導体膜２の信号電位側端部３とグラン
ド電位側端部４との跨がって接続されている。
4 が、インダクタ導体膜２の信号電位側端部３とグラン
ド電位側端部４との跨がって接続されている。
【００２８】この並列付加容量Ｃ4 は、インダクタ導体
膜２自身のインダクタンス成分とインダクタ導体膜２と
グランド導体膜との間に発生する容量成分とによって構
成される分布定数型の共振回路に対して、並列的に容量
成分を接続するものである。
膜２自身のインダクタンス成分とインダクタ導体膜２と
グランド導体膜との間に発生する容量成分とによって構
成される分布定数型の共振回路に対して、並列的に容量
成分を接続するものである。
【００２９】この並列付加容量Ｃ4 は、インダクタ導体
膜２の形状を小さくするためのものである。即ち、分布
定数型共振回路部分での共振周波数とインダクタ導体膜
２とは負の相関関係があり、共振周波数が高くなれば、
インダクタ導体膜２が短くなる。
膜２の形状を小さくするためのものである。即ち、分布
定数型共振回路部分での共振周波数とインダクタ導体膜
２とは負の相関関係があり、共振周波数が高くなれば、
インダクタ導体膜２が短くなる。
【００３０】従って、小型な共振回路を形成しようとす
る場合、インダクタ導体膜２を短くすればよいが、これ
にともない、共振周波数が設計値よりも充分に高い値と
なってしまう。この状態で、並列付加容量Ｃ4 を接続す
ることにより、短いインダクタ導体膜２を有し、所定値
の共振周波数よりも高い共振周波数を低下させて、所定
値に制御することができる。
る場合、インダクタ導体膜２を短くすればよいが、これ
にともない、共振周波数が設計値よりも充分に高い値と
なってしまう。この状態で、並列付加容量Ｃ4 を接続す
ることにより、短いインダクタ導体膜２を有し、所定値
の共振周波数よりも高い共振周波数を低下させて、所定
値に制御することができる。
【００３１】本発明は上述のようにＵ字状インダクタ導
体膜２に対して、インダクタンス成分を調整するための
トリミング溝２１、２２が、信号電位側端部３寄り導体
部分２Ａ、及びグランド電位側端部４寄り導体部分２Ｂ
を貫く一直線Ｘ上部分に形成されている。
体膜２に対して、インダクタンス成分を調整するための
トリミング溝２１、２２が、信号電位側端部３寄り導体
部分２Ａ、及びグランド電位側端部４寄り導体部分２Ｂ
を貫く一直線Ｘ上部分に形成されている。
【００３２】このようなトリミング溝２１、２は、ＹＡ
Ｇレーザーなどを照射しながら、インダクタ導体膜２の
一部に、導体幅を狭めるようにして走査することにより
形成される。即ち、照射しながら走査された導体膜部分
が焼失される。また、ＹＡＧレーザーの照射以外に、機
械的な削除によって形成される。その結果、トリミング
溝２１、２２が形成されることになる。
Ｇレーザーなどを照射しながら、インダクタ導体膜２の
一部に、導体幅を狭めるようにして走査することにより
形成される。即ち、照射しながら走査された導体膜部分
が焼失される。また、ＹＡＧレーザーの照射以外に、機
械的な削除によって形成される。その結果、トリミング
溝２１、２２が形成されることになる。
【００３３】そして、Ｕ字状インダクタ導体膜２のグラ
ンド電位側端部４寄り導体部分２Ｂに形成されたトリミ
ング溝２１の形成によって、は、インダクタ導体膜２の
高インピーダンス側に形成されることになるため、イン
ダクタンス成分の増加量は比較的大きいものとなり、共
振周波数の減少変動量は比較的大きいものとなる。
ンド電位側端部４寄り導体部分２Ｂに形成されたトリミ
ング溝２１の形成によって、は、インダクタ導体膜２の
高インピーダンス側に形成されることになるため、イン
ダクタンス成分の増加量は比較的大きいものとなり、共
振周波数の減少変動量は比較的大きいものとなる。
【００３４】これに対して、Ｕ字状インダクタ導体膜２
の信号電位側端部３寄り導体部分２Ａに形成されたトリ
ミング溝２２の形成によって、インダクタンス成分の増
加量は比較的小さいものとなり、共振周波数の減少変動
量は比較的小さいものとなる。
の信号電位側端部３寄り導体部分２Ａに形成されたトリ
ミング溝２２の形成によって、インダクタンス成分の増
加量は比較的小さいものとなり、共振周波数の減少変動
量は比較的小さいものとなる。
【００３５】即ち、インダクタ導体膜２のインダクタン
ス成分を増加させるにあたり、粗調整を行う場合には、
Ｕ字状インダクタ導体膜２のグランド電位側端部４寄り
導体部分２Ｂにトリミング溝２１を形成すればよく、ま
た、微調整を行う場合には、Ｕ字状インダクタ導体膜２
の信号電位側端部３寄り導体部分２Ａにトリミング溝２
２を形成すればよい。
ス成分を増加させるにあたり、粗調整を行う場合には、
Ｕ字状インダクタ導体膜２のグランド電位側端部４寄り
導体部分２Ｂにトリミング溝２１を形成すればよく、ま
た、微調整を行う場合には、Ｕ字状インダクタ導体膜２
の信号電位側端部３寄り導体部分２Ａにトリミング溝２
２を形成すればよい。
【００３６】しかも、この両トリミング溝２１、２２が
Ｕ字状インダクタ導体膜２の信号電位側端部３寄り導体
部分２Ａ及びグランド電位側端部４寄り導体部分２Ｂを
結ぶ一直線Ｘ上部分に形成されているため、例えば、レ
ーザー照射の一回の走査制御により形成することができ
る。例えば、発振周波数をモニタリングしながら、トリ
ミングを行うに際して、その調整が非常に簡単に行え
る。
Ｕ字状インダクタ導体膜２の信号電位側端部３寄り導体
部分２Ａ及びグランド電位側端部４寄り導体部分２Ｂを
結ぶ一直線Ｘ上部分に形成されているため、例えば、レ
ーザー照射の一回の走査制御により形成することができ
る。例えば、発振周波数をモニタリングしながら、トリ
ミングを行うに際して、その調整が非常に簡単に行え
る。
【００３７】しかも、インダクタンス成分の粗調整及び
微調整を選択的に非常に簡単に行うことができる。
微調整を選択的に非常に簡単に行うことができる。
【００３８】図２は、上述のように、Ｕ字状インダクタ
導体膜２の信号電位側端部３寄り導体部分２Ａ及びグラ
ンド電位側端部４寄り導体部分２Ｂに、同一の長さトリ
ミング溝２１、２２を形成した時の、周波数変動量を示
す特性図である。
導体膜２の信号電位側端部３寄り導体部分２Ａ及びグラ
ンド電位側端部４寄り導体部分２Ｂに、同一の長さトリ
ミング溝２１、２２を形成した時の、周波数変動量を示
す特性図である。
【００３９】図２の特性は、例えば、インダクタ導体膜
２の導体幅を０．８ｍｍ、全体導体の長さを１０．０ｍ
ｍとして、インダクタ導体膜２の両端部３、４から、中
央寄りに１．０ｍｍの位置に、トリミング溝２１、２２
を、長さ０．５ｍｍで形成した時の値である。
２の導体幅を０．８ｍｍ、全体導体の長さを１０．０ｍ
ｍとして、インダクタ導体膜２の両端部３、４から、中
央寄りに１．０ｍｍの位置に、トリミング溝２１、２２
を、長さ０．５ｍｍで形成した時の値である。
【００４０】即ち、図２に示すように、トリミング溝２
１を形成することにより、最大−４５ＭＨｚの調整が可
能であり、９０ＭＨｚ／ｍｍの粗調整が可能であり、ト
リミング溝２２を形成することにより、最大−１５ＭＨ
ｚの調整が可能であり、３０ＭＨｚ／ｍｍの微調整が可
能である。
１を形成することにより、最大−４５ＭＨｚの調整が可
能であり、９０ＭＨｚ／ｍｍの粗調整が可能であり、ト
リミング溝２２を形成することにより、最大−１５ＭＨ
ｚの調整が可能であり、３０ＭＨｚ／ｍｍの微調整が可
能である。
【００４１】
【発明の効果】以上のように本発明では、Ｕ字状インダ
クタ導体膜の両端部近傍を結ぶ一直線方向にトリミング
溝が形成されている。
クタ導体膜の両端部近傍を結ぶ一直線方向にトリミング
溝が形成されている。
【００４２】これにより、インダクタ導体膜のインダク
タンス成分を粗調整及び／または微調整の調整が可能と
なり、しかも、一直線上に２つのトリミング溝が配置さ
れることにより、そのトリミング溝を形成するにあた
り、トリミング手段を一回の走査により形成することが
でき、その調整が迅速かつ簡単に行うことができる。
タンス成分を粗調整及び／または微調整の調整が可能と
なり、しかも、一直線上に２つのトリミング溝が配置さ
れることにより、そのトリミング溝を形成するにあた
り、トリミング手段を一回の走査により形成することが
でき、その調整が迅速かつ簡単に行うことができる。
【図１】本発明のインダクタンス成分調整方法を用いた
インダクタ導体膜の平面図である。
インダクタ導体膜の平面図である。
【図２】本発明のインダクタンス成分調整方法における
粗調整及び微調整の変化量を示す特性図である。
粗調整及び微調整の変化量を示す特性図である。
【図３】インダクタ導体膜を共振回路部に備えた電圧制
御型発振回路の回路図である。
御型発振回路の回路図である。
１・・・・誘電体基板 ２・・・・インダクタ導体膜 ３・・・・グランド電位側端部 ４・・・・信号電位側端部
Claims (1)
- 【請求項１】 誘電体基板上に、一端がグランド電位
に、他端が信号電位に接続されるＵ字状のインダクタ導
体膜を形成するとともに、該インダクタ導体膜の両端部
近傍に、該両端部近傍を結ぶ同一直線上に、導体幅を狭
めるトリミング溝を形成したことを特徴とするインダク
タンス成分調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10018413A JPH11219836A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | インダクタンス成分調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10018413A JPH11219836A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | インダクタンス成分調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11219836A true JPH11219836A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=11970980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10018413A Pending JPH11219836A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | インダクタンス成分調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11219836A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011035755A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | New Japan Radio Co Ltd | 高周波帯電圧制御発振器 |
-
1998
- 1998-01-30 JP JP10018413A patent/JPH11219836A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011035755A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | New Japan Radio Co Ltd | 高周波帯電圧制御発振器 |
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