JPH11219961A - Optical semiconductor module mounting structure and mounting method - Google Patents
Optical semiconductor module mounting structure and mounting methodInfo
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Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光半導体素子を一
列に配列実装する光半導体モジュールの実装構造及びそ
の実装方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mounting structure of an optical semiconductor module in which optical semiconductor elements are arrayed and mounted in a line, and a mounting method thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】このような分野の技術としては、例え
ば、文献名：日経ＢＰ社出版「ＶＬＳＩパッケージング
技術（下）」Ｐ１７〜２０に開示されるものがあった。
図７はかかる従来の光半導体モジュールの実装構造を示
す図である。この図において、２０は基板、２１はダイ
スボンドペースト、２２はＬＥＤアレイ、２３は駆動Ｉ
Ｃである。ここで、ＬＥＤアレイ２２の発光部は端面に
形成されており、ＬＥＤアレイ２２と駆動ＩＣ２３は異
方導電膜（図示なし）により接続され、モジュール化し
ている。このモジュールは平らな基板２０表面上にダイ
スボンドペースト２１によって接着されている。2. Description of the Related Art As a technique in such a field, for example, there is a technique disclosed in P17 to P20 of "VLSI Packaging Technology (lower)" published by Nikkei BP.
FIG. 7 is a diagram showing a mounting structure of such a conventional optical semiconductor module. In this figure, 20 is a substrate, 21 is a die bond paste, 22 is an LED array, and 23 is a drive I.
C. Here, the light emitting portion of the LED array 22 is formed on the end face, and the LED array 22 and the driving IC 23 are connected by an anisotropic conductive film (not shown) to form a module. This module is adhered to a flat substrate 20 by a die bond paste 21.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の実装構造では、配列するチップの高さを一定に
揃えなければならない場合、図８又は図９に示すよう
な、不具合が生じていた。すなわち、図８に示すよう
に、実装する駆動ＩＣ２３を直接ダイスボンドペースト
２１上に搭載するため、ダイスボンドペースト２１のデ
ィスペンスが不均一であった場合、駆動ＩＣ２３下のダ
イスボンドペースト２１の膜厚が偏り、同時にモジュー
ルのＬＥＤアレイ２２の発光部の高さにバラツキが生じ
る。However, in the above-described conventional mounting structure, when the heights of the chips to be arranged must be uniform, a problem as shown in FIG. 8 or FIG. 9 has occurred. That is, as shown in FIG. 8, since the driving IC 23 to be mounted is directly mounted on the die bond paste 21, when the dispensing of the die bond paste 21 is not uniform, the film thickness of the die bond paste 21 below the driving IC 23. And the height of the light emitting portion of the LED array 22 of the module varies at the same time.
【０００４】また、図９に示すように、平らな基板２０
表面上にＬＥＤアレイ２２を搭載するため、ＬＥＤアレ
イ２２搭載時の導電性ぺースト２４の広がりが、ＬＥＤ
アレイ２２の側面から這い上がり、ＬＥＤアレイ２２の
配線と背面電極とのショートが生じる。本発明は、上記
問題点を除去し、ＬＥＤアレイの発光部の高さのバラツ
キをなくすとともに、ＬＥＤアレイ側面からの導電性ペ
ーストの這い上がりを防ぎ、背面電極とのショートを無
くすことができる光半導体モジュールの実装構造及びそ
の実装方法を提供することを目的とする。As shown in FIG. 9, a flat substrate 20 is provided.
Since the LED array 22 is mounted on the surface, the spread of the conductive paste 24 when the LED array 22 is mounted is
Crawling from the side surface of the array 22 causes a short circuit between the wiring of the LED array 22 and the back electrode. The present invention eliminates the above problems, eliminates variations in the height of the light emitting portion of the LED array, prevents the conductive paste from creeping up from the side of the LED array, and eliminates a short circuit with the back electrode. An object of the present invention is to provide a mounting structure of a semiconductor module and a mounting method thereof.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕光半導体モジュールの実装構造において、実装基
板と、この実装基板上にレジスト膜をエッチングした凹
状のダイスボンドペースト塗布領域と、このダイスボン
ドペースト塗布領域に塗布されるダイスボンドペースト
と、このダイスボンドペーストにより実装される光半導
体モジュールとを設けるようにしたものである。In order to achieve the above object, the present invention provides: [1] In a mounting structure of an optical semiconductor module, a mounting substrate and a concave die bond formed by etching a resist film on the mounting substrate. A paste application area, a die bond paste applied to the die bond paste application area, and an optical semiconductor module mounted by the die bond paste are provided.
【０００６】〔２〕上記〔１〕記載の光半導体モジュー
ルの実装構造において、前記ダイスボンドペースト塗布
領域の長さは長手方向が実装基板に光半導体モジュール
が配列される長さに等しく、短手方向が実装する光半導
体モジュールの短手方向の長さより小さくなるようにし
たものである。 〔３〕光半導体モジュールの実装方法において、実装基
板のモジュール実装領域にレジスト膜を形成し、ダイス
ボンドペースト塗布領域は前記レジスト膜を除去して凹
部を形成し、この凹部にダイスボンドペーストを周囲の
前記レジスト膜の膜厚より厚く塗布し、光半導体モジュ
ールをダイスボンドペースト塗布領域の凹部を挟んだレ
ジスト膜上に橋げた状に搭載し、前記光半導体モジュー
ルの裏面がダイスボンドペーストと実装基板のレジスト
膜に接触するように実装するようにしたものである。[2] In the mounting structure of the optical semiconductor module according to the above [1], the length of the die bond paste application region is equal to the length of the optical semiconductor module arranged on the mounting board in the longitudinal direction. The direction is smaller than the length in the short direction of the optical semiconductor module to be mounted. [3] In the method of mounting an optical semiconductor module, a resist film is formed in a module mounting region of a mounting substrate, and a dice bond paste is formed in the dice bond paste application region by removing the resist film. The optical semiconductor module is applied thicker than the thickness of the resist film, and the optical semiconductor module is mounted on the resist film sandwiching the concave portion of the die bond paste application region in a bridge shape, and the back surface of the optical semiconductor module is formed of the die bond paste and the mounting substrate. The mounting is performed so as to be in contact with the resist film.
【０００７】〔４〕光半導体モジュールの実装構造にお
いて、実装基板と、この実装基板上のレジスト膜をエッ
チングした凹状のダイスボンドペースト塗布領域及び導
電性ペースト塗布領域と、前記ダイスボンドペースト塗
布領域に搭載されるダイスボンドペーストと前記導電性
ペースト塗布領域に搭載される導電性ペーストと、前記
ダイスボンドペーストにより実装される光半導体モジュ
ールの駆動ＩＣと前記導電性ペーストにより実装される
光半導体モジュールのＬＥＤアレイとを設けるようにし
たものである。[4] In the mounting structure of the optical semiconductor module, a mounting substrate, a concave die bond paste application region and a conductive paste application region obtained by etching a resist film on the mounting substrate, and a die bond paste application region are formed. Dice bond paste to be mounted, conductive paste to be mounted in the conductive paste application region, drive IC of an optical semiconductor module to be mounted by the die bond paste, and LED of the optical semiconductor module to be mounted by the conductive paste An array is provided.
【０００８】〔５〕上記〔４〕記載の光半導体モジュー
ルの実装構造において、前記導電性ペースト塗布領域の
長さは長手方向が前記ＬＥＤアレイ長手方向の長さより
小さく、短手方向が前記ＬＥＤアレイ短手方向の長さよ
り大きくするようにしたものである。 〔６〕光半導体モジュールの実装方法において、実装基
板上に導電性メッキを形成し、この導電性メッキ上にレ
ジスト膜を形成し、このレジスト膜を除去して凹部を形
成し、ダイスボンドペースト塗布領域と導電性ペースト
塗布領域を形成し、前記ダイスボンドペースト塗布領域
にダイスボンドペーストを、前記導電性ペースト塗布領
域に導電性ペーストを周囲のレジスト膜の膜厚より厚く
塗布し、光半導体モジュールのＬＥＤアレイを導電性ペ
ースト塗布領域の凹部を挟んだ前記レジスト膜上に橋げ
た状に搭載し、光半導体モジュールの駆動ＩＣをダイス
ボンドペースト塗布領域の凹部を挟んだレジスト膜上に
橋げた状に搭載し、前記駆動ＩＣの裏面がダイスボンド
ペーストと実装基板のレジスト膜に接触するようにする
とともに、前記ＬＥＤの裏面が導電性ペーストと実装基
板のレジスト膜に接触するように固定し、前記駆動ＩＣ
とＬＥＤアレイを導電性ワイヤを用いてワイヤボンディ
ングにより接続するようにしたものである。[5] In the mounting structure of the optical semiconductor module according to [4], the length of the conductive paste application area in the longitudinal direction is smaller than the length in the LED array longitudinal direction, and the length in the short direction is the LED array. The length is made larger than the length in the short direction. [6] In a method for mounting an optical semiconductor module, conductive plating is formed on a mounting substrate, a resist film is formed on the conductive plating, the resist film is removed to form a concave portion, and a die bond paste is applied. Forming a region and a conductive paste application region, applying a dice bond paste to the dice bond paste application region, and applying a conductive paste to the conductive paste application region to a thickness greater than the thickness of the surrounding resist film, The LED array is mounted on the resist film sandwiching the concave portion of the conductive paste application region in a bridge shape, and the driving IC of the optical semiconductor module is mounted on the resist film sandwiching the concave portion of the die bond paste application region in a bridge shape. The back surface of the drive IC is brought into contact with the die bond paste and the resist film of the mounting board, and Fixed as the rear surface of the D comes into contact with the resist film of the mounting substrate conductive paste, the drive IC
And the LED array are connected by wire bonding using conductive wires.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例の光半導
体モジュールの実装構造を示す図であり、図１（ａ）は
その光半導体モジュールの実装構造を示す上面図、図１
（ｂ）はその光半導体モジュールの実装構造を示す側面
図である。Embodiments of the present invention will be described below in detail. FIG. 1 is a view showing a mounting structure of an optical semiconductor module according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1A is a top view showing a mounting structure of the optical semiconductor module.
(B) is a side view showing the mounting structure of the optical semiconductor module.
【００１０】これらの図において、１は実装基板、２は
ダイスボンドペースト、３はＬＥＤアレイ、４は駆動Ｉ
Ｃ、５は発光部、６はレジスト膜である。ここで、ＬＥ
Ｄアレイ３には端面に発光部５が形成されている。そし
て、ＬＥＤアレイ３と駆動ＩＣ４は異方導電膜（図示な
し）により接続されモジュールとなっている。このモジ
ュールは直線上に一列となって配列され、実装基板１に
実装される。In these figures, 1 is a mounting board, 2 is a die bond paste, 3 is an LED array, and 4 is a drive IC.
C and 5 are light emitting portions, and 6 is a resist film. Where LE
The light emitting section 5 is formed on the end face of the D array 3. The LED array 3 and the driving IC 4 are connected by an anisotropic conductive film (not shown) to form a module. The modules are arranged in a line on a straight line and mounted on the mounting board 1.
【００１１】図２は本発明の第１実施例の光半導体モジ
ュールが搭載される実装基板の構成及び駆動ＩＣの配列
を示す図であり、図２（ａ）はその光半導体モジュール
が搭載される実装基板の構成図、図２（ｂ）はその光半
導体モジュールの駆動ＩＣの配置図である。これらの図
に示すように、実装基板１の表面の構成は、モジュール
実装領域Ａと、ダイスボンドペースト塗布領域Ｂがあ
る。ダイスボンドペースト塗布領域Ｂはダイスボンドペ
ースト２（図１参照）により、実装基板１とモジュール
を接続するための部分である。ダイスボンドペースト塗
布領域Ｂの長手方向の長さｘはモジュール実装領域の長
さｗと等しく、ダイスボンドペースト塗布領域Ｂの短手
方向の長さｙは駆動ＩＣ４の短手方向長さｄより小さく
なければならない。よって、ダイスボンドペースト塗布
領域Ｂは以下のように規定される。FIG. 2 is a view showing the structure of a mounting board on which the optical semiconductor module according to the first embodiment of the present invention is mounted and the arrangement of drive ICs. FIG. 2A shows the mounting of the optical semiconductor module. FIG. 2B is a configuration diagram of a mounting substrate, and FIG. 2B is a layout diagram of a driving IC of the optical semiconductor module. As shown in these drawings, the surface configuration of the mounting substrate 1 includes a module mounting area A and a die bond paste application area B. The die bond paste application area B is a part for connecting the mounting substrate 1 and the module by the die bond paste 2 (see FIG. 1). The length x in the longitudinal direction of the die bond paste application region B is equal to the length w of the module mounting region, and the length y in the short direction of the die bond paste application region B is smaller than the length d in the short direction of the driving IC 4. There must be. Therefore, the die bond paste application region B is defined as follows.
【００１２】ｘ＝ｗ ｙ＜ｄ モジュール実装領域Ａは、モジュールを搭載する部分で
ある。モジュール実装領域Ａのダイスボンドペースト塗
布領域Ｂ以外にはレジスト膜６が形成されている。従っ
て、モジュール実装領域Ａは、ダイスボンドペースト塗
布領域Ｂに対してレジスト膜６の分、凸形状となる。モ
ジュールはダイスボンドペースト塗布領域Ｂを挟んだ、
レジスト膜６上に橋げた状に搭載する。モジュールの搭
載高さの位置合わせは、レジスト膜６の表面を基準とし
位置合わせを行う。X = wy <d The module mounting area A is a portion where modules are mounted. The resist film 6 is formed in the module mounting area A other than the die bond paste application area B. Therefore, the module mounting region A has a convex shape with respect to the die bond paste application region B by the amount of the resist film 6. The module sandwiches the die bond paste application area B,
It is mounted on the resist film 6 in a bridged manner. The alignment of the mounting height of the module is performed with reference to the surface of the resist film 6.
【００１３】以下、本発明の第１実施例の光半導体モジ
ュールの実装方法について説明する。図３は本発明の第
１実施例の光半導体モジュールの実装工程断面図であ
る。 （１）まず、図３（ａ）に示すように、実装基板１のモ
ジュール実装領域Ａのダイスボンドペースト塗布領域Ｂ
以外にはレジスト膜６を形成し、ダイスボンドペースト
塗布領域Ｂのそのレジスト膜６が除去され、凹部となっ
ている。そのダイスボンドペースト塗布領域Ｂの凹部に
ディスペンサーノズル７から吐出されるダイスボンドペ
ースト２を塗布する。このときダイスボンドペースト２
の塗布量は周囲のレジスト膜６の膜厚より厚くなければ
ならない。Hereinafter, a method for mounting the optical semiconductor module according to the first embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a sectional view showing a mounting process of the optical semiconductor module according to the first embodiment of the present invention. (1) First, as shown in FIG. 3A, the die bond paste application area B of the module mounting area A of the mounting board 1
Otherwise, a resist film 6 is formed, and the resist film 6 in the die bond paste application region B is removed to form a concave portion. The die bond paste 2 discharged from the dispenser nozzle 7 is applied to the concave portion of the die bond paste application region B. At this time, die bond paste 2
Must be greater than the thickness of the surrounding resist film 6.
【００１４】（２）次に、図３（ｂ）に示すように、Ｌ
ＥＤアレイ３と駆動ＩＣ４からなるモジュールを、ダイ
スボンドペースト塗布領域Ｂの凹部を挟んだレジスト膜
６上に橋げた状に搭載する。 （３）次に、図３（ｃ）に示すように、モジュールの駆
動ＩＣ４裏面がダイスボンドペースト２と実装基板１の
レジスト膜６に接触するよう、位置合わせを行い、実装
する。(2) Next, as shown in FIG.
A module including the ED array 3 and the drive IC 4 is mounted in a bridged manner on the resist film 6 sandwiching the concave portion of the die bond paste application region B. (3) Next, as shown in FIG. 3C, the module is aligned and mounted so that the back surface of the drive IC 4 of the module contacts the die bond paste 2 and the resist film 6 of the mounting substrate 1.
【００１５】以上のように、基板パターンをダイスボン
ドペースト塗布領域Ｂとモジュール実装領域Ａに分け、
モジュールを実装する側にレジスト膜６を形成すること
により段差を生じさせる。そのためダイスボンドペース
ト２の膜厚に関わりなく、実装基板１のレジスト膜６上
に駆動ＩＣ４の裏面を接触させて、搭載時の高さの位置
合わせを行うため、一列に実装されたモジュール間での
搭載高さのバラツキが無くなる。As described above, the substrate pattern is divided into the die bond paste application area B and the module mounting area A,
A step is formed by forming the resist film 6 on the side on which the module is mounted. Therefore, regardless of the thickness of the die bond paste 2, the back surface of the drive IC 4 is brought into contact with the resist film 6 of the mounting substrate 1 to adjust the height at the time of mounting. The variance of the mounting height is eliminated.
【００１６】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。図４は本発明の第２実施例の光半導体モジュールの
実装構造を示す図であり、図４（ａ）はその光半導体モ
ジュールの実装構造を示す上面図、図４（ｂ）はその光
半導体モジュールの実装構造を示す側面図である。これ
らの図において、８は実装基板、９は導電性ペースト、
１０はＬＥＤアレイ、１１は駆動ＩＣ、１２は金ワイ
ヤ、１３はレジスト膜、１４は金メッキである。ここ
で、ＬＥＤアレイ１０と駆動ＩＣ１１は金ワイヤ１２に
より接続されている。そして、駆動ＩＣ１１はダイスボ
ンドペースト（図示なし）、ＬＥＤアレイ１０は導電性
ペースト９により各々直線状に一列となって配列され、
実装基板８に実装されている。Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 is a view showing a mounting structure of an optical semiconductor module according to a second embodiment of the present invention. FIG. 4 (a) is a top view showing a mounting structure of the optical semiconductor module, and FIG. It is a side view which shows the mounting structure of a module. In these figures, 8 is a mounting board, 9 is a conductive paste,
Reference numeral 10 denotes an LED array, 11 denotes a drive IC, 12 denotes a gold wire, 13 denotes a resist film, and 14 denotes gold plating. Here, the LED array 10 and the driving IC 11 are connected by a gold wire 12. The driving ICs 11 are arranged in a straight line by a die bond paste (not shown), and the LED arrays 10 are arranged in a straight line by the conductive paste 9.
It is mounted on a mounting board 8.
【００１７】図５は本発明の第２実施例の光半導体モジ
ュールを実装する実装基板の構成及びＬＥＤアレイを示
す図であり、図５（ａ）はその光半導体モジュールを実
装する実装基板のレイアウトを示し、図５（ｂ）はその
ＬＥＤアレイの上面を示している。図５に示すように、
実装基板表面の構成は、駆動ＩＣ実装領域ＣとＬＥＤア
レイ実装領域Ｄと導電性ペースト塗布領域Ｅがある。FIG. 5 is a view showing a configuration of a mounting board for mounting an optical semiconductor module according to a second embodiment of the present invention and an LED array, and FIG. 5A is a layout of a mounting board for mounting the optical semiconductor module. FIG. 5B shows the upper surface of the LED array. As shown in FIG.
The configuration of the mounting substrate surface includes a driving IC mounting area C, an LED array mounting area D, and a conductive paste application area E.
【００１８】駆動ＩＣ実装領域Ｃにはダイスボンドペー
スト（図示なし）を塗布後、駆動ＩＣ１１（図４参照）
が搭載される。導電性ペースト塗布領域Ｅは導電性ペー
スト９（図４参照）により、ＬＥＤアレイ１０の背面電
極と基板電極を接続するための金メッキ１４（図４参
照）が形成されている。導電性ペースト塗布領域Ｅの寸
法は、長手方向２ｘはＬＥＤアレイ１０の長さｉより小
さく、短手方向の長さ２ｙは駆動ＩＣ１１に影響しない
程度にＬＥＤアレイ１０の幅ｊより大きくなければなら
ない。よって、導電性ペースト塗布領域Ｅは以下のよう
に規定される。After applying a die bond paste (not shown) to the drive IC mounting area C, the drive IC 11 (see FIG. 4)
Is mounted. In the conductive paste application region E, a gold plating 14 (see FIG. 4) for connecting the back electrode of the LED array 10 and the substrate electrode is formed by the conductive paste 9 (see FIG. 4). The dimension of the conductive paste application region E must be smaller in the longitudinal direction 2x than the length i of the LED array 10 and larger in the shorter direction 2y than the width j of the LED array 10 so as not to affect the driving IC 11. . Therefore, the conductive paste application region E is defined as follows.
【００１９】２ｘ＜ｉ ２ｙ＞ｊ ＬＥＤアレイ実装領域ＤにはＬＥＤアレイ１０が搭載さ
れる。導電性ペースト塗布領域Ｅ以外は金メッキ１４上
にレジスト膜１３が形成されているため、ＬＥＤアレイ
実装領域Ｄは導電性ペースト塗布領域Ｅに比べ凸形状で
あり、また、導電性ペースト塗布領域Ｅの周囲も同様で
ある。2x <i2y> j The LED array 10 is mounted in the LED array mounting area D. Since the resist film 13 is formed on the gold plating 14 except for the conductive paste application region E, the LED array mounting region D has a convex shape as compared with the conductive paste application region E. The same applies to the surroundings.
【００２０】ＬＥＤアレイ１０を搭載する時は、ＬＥＤ
アレイ１０の両端部をレジスト膜１３上に合わせ、導電
性ペースト塗布領域Ｅ上に橋げた状に搭載する。ＬＥＤ
アレイ１０が搭載されると、導電性ペースト９が上から
圧縮され、周囲への広がりが生じる。しかし、周囲はレ
ジスト膜１３で覆われているため、広がりは導電性ペー
スト塗布領域Ｅ内でのみ生じる。When mounting the LED array 10, the LED
Both ends of the array 10 are aligned on the resist film 13 and mounted on the conductive paste application region E in a bridged manner. LED
When the array 10 is mounted, the conductive paste 9 is compressed from above and spreads to the surroundings. However, since the periphery is covered with the resist film 13, the spread occurs only in the conductive paste application region E.
【００２１】以下、本発明の第２実施例の光半導体モジ
ュールの実装方法について説明する。図６は本発明の第
２実施例の光半導体モジュールの実装工程断面図であ
る。 （１）まず、図６（ａ）に示すように、実装基板８には
金メッキ１４が形成され、その上にレジスト膜１３がパ
ターニングされている。そのパターニングされた凹部、
つまり、実装基板８の導電性ペースト塗布領域Ｅに、デ
ィスペンサーノズル１５から導電性ペースト９を吐出し
て塗布する。この時、導電性ペースト９の塗布量は周囲
のレジスト膜１３の膜厚より厚くなければならない。Hereinafter, a method of mounting the optical semiconductor module according to the second embodiment of the present invention will be described. FIG. 6 is a sectional view showing a mounting process of the optical semiconductor module according to the second embodiment of the present invention. (1) First, as shown in FIG. 6A, a gold plating 14 is formed on the mounting substrate 8, and a resist film 13 is patterned thereon. Its patterned recesses,
That is, the conductive paste 9 is discharged from the dispenser nozzle 15 and applied to the conductive paste application area E of the mounting substrate 8. At this time, the amount of the conductive paste 9 applied must be larger than the thickness of the surrounding resist film 13.
【００２２】（２）次に、図６（ｂ）に示すように、Ｌ
ＥＤアレイ１０の両端部をＬＥＤアレイ実装領域Ｄのレ
ジスト膜１３上に搭載する。 （３）次いで、図６（ｃ）に示すように、ＬＥＤアレイ
１０上にダイスボンドペースト（図示なし）を塗布し、
駆動ＩＣ１１を搭載する。 （４）次に、図６（ｄ）に示すように、駆動ＩＣ１１と
ＬＥＤアレイ１０を金ワイヤ１２を用いてワイヤボンデ
ィングにより接続する。(2) Next, as shown in FIG.
Both ends of the ED array 10 are mounted on the resist film 13 in the LED array mounting area D. (3) Next, as shown in FIG. 6C, a die bond paste (not shown) is applied on the LED array 10,
The drive IC 11 is mounted. (4) Next, as shown in FIG. 6D, the drive IC 11 and the LED array 10 are connected by wire bonding using gold wires 12.
【００２３】以上のように、第２実施例によれば、上記
第１実施例の効果に加えて、導電性ペースト塗布領域Ｅ
の周囲にレジスト膜１３を形成し、このレジスト膜１３
上にＬＥＤアレイ１０の両端部を合わせ、導電性ペース
ト９上に橋げた状に搭載することにより、導電性ペース
ト９はＬＥＤアレイ１０下の導電性ペースト塗布領域Ｅ
内のみで広がる。そのため、ＬＥＤ側面からの導電性ペ
ースト９の這い上がりを防ぎ、背面電極とのショートを
無くすことができる。As described above, according to the second embodiment, in addition to the effects of the first embodiment, the conductive paste application region E
A resist film 13 is formed around the
By mounting both ends of the LED array 10 on the conductive paste 9 in a bridged manner on the conductive paste 9, the conductive paste 9 is applied to the conductive paste application area E under the LED array 10.
Spread only inside. Therefore, the conductive paste 9 can be prevented from creeping up from the LED side surface, and short-circuit with the back electrode can be eliminated.
【００２４】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiment, but various modifications are possible based on the spirit of the present invention, and these are not excluded from the scope of the present invention.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、基板パターンをダ
イスボンドペースト塗布領域とモジュール実装領域に分
け、モジュール実装側にレジスト膜を形成することによ
り段差を生じさせる。そのためダイスボンドペーストの
膜厚に関わりなく、実装基板のレジスト膜上に駆動ＩＣ
の裏面を接触させ、搭載時の高さの位置合わせを行うた
め、一列に実装されたモジュール間での搭載高さのバラ
ツキを無くすことができる。 （２）請求項２記載の発明によれば、上記（１）の効果
に加えて、導電性ペースト塗布領域の周囲にレジスト膜
を形成し、このレジスト膜上にＬＥＤアレイの両端部を
合わせ、導電性ペースト上に橋げた状に搭載することに
より、導電性ペーストはＬＥＤアレイ下の導電性ペース
ト塗布領域内のみで広がる。そのため、ＬＥＤ側面から
の導電性ペーストの這い上がりを防ぎ、背面電極とのシ
ョートを無くすことができる。As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained. (1) According to the first aspect of the present invention, the substrate pattern is divided into the die bond paste application area and the module mounting area, and a step is formed by forming a resist film on the module mounting side. Therefore, regardless of the thickness of the die bond paste, the drive IC
Since the back surfaces of the modules are brought into contact with each other to adjust the height at the time of mounting, variations in the mounting height between modules mounted in a row can be eliminated. (2) According to the second aspect of the invention, in addition to the effect of the above (1), a resist film is formed around the conductive paste application region, and both ends of the LED array are aligned on the resist film. By mounting the conductive paste on the conductive paste in a bridge shape, the conductive paste spreads only in the conductive paste application area under the LED array. Therefore, it is possible to prevent the conductive paste from creeping up from the side surface of the LED, and to eliminate a short circuit with the back electrode.
【図１】本発明の第１実施例の光半導体モジュールの実
装構造を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a mounting structure of an optical semiconductor module according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１実施例の光半導体モジュールが搭
載される実装基板の構成及び駆動ＩＣの配列を示す図で
ある。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a mounting board on which the optical semiconductor module according to the first embodiment of the present invention is mounted and an arrangement of drive ICs.
【図３】本発明の第１実施例の光半導体モジュールの実
装工程断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a mounting step of the optical semiconductor module according to the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第２実施例の光半導体モジュールの実
装構造を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a mounting structure of an optical semiconductor module according to a second embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第２実施例の光半導体モジュールを実
装する実装基板の構成及びＬＥＤアレイを示す図であ
る。FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a mounting board for mounting an optical semiconductor module according to a second embodiment of the present invention and an LED array.
【図６】本発明の第２実施例の光半導体モジュールの実
装工程断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a mounting process of the optical semiconductor module according to the second embodiment of the present invention.
【図７】従来の光半導体モジュールの実装構造を示す図
である。FIG. 7 is a diagram showing a mounting structure of a conventional optical semiconductor module.
【図８】従来の光半導体モジュールの実装による問題点
（その１）を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a problem (part 1) due to mounting of a conventional optical semiconductor module.
【図９】従来の光半導体モジュールの実装による問題点
（その２）を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a problem (part 2) due to mounting of a conventional optical semiconductor module.
Ａ モジュール実装領域 Ｂ ダイスボンドペースト塗布領域（凹部） Ｃ 駆動ＩＣ実装領域 Ｄ ＬＥＤアレイ実装領域 Ｅ 導電性ペースト塗布領域 １，８ 実装基板 ２ ダイスボンドペースト ３，１０ ＬＥＤアレイ ４，１１ 駆動ＩＣ ５ 発光部 ６，１３ レジスト膜 ７，１５ ディスペンサーノズル ９ 導電性ペースト １２ 金ワイヤ １４ 金メッキ A Module mounting area B Dice bond paste application area (concave area) C Driving IC mounting area D LED array mounting area E Conductive paste application area 1,8 Mounting board 2 Dice bond paste 3,10 LED array 4,11 Driving IC 5 Light emission Part 6,13 resist film 7,15 dispenser nozzle 9 conductive paste 12 gold wire 14 gold plating
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遠山 広 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────の Continuing from the front page (72) Inventor Hiroshi Toyama 1-7-12 Toranomon, Minato-ku, Tokyo Oki Electric Industry Co., Ltd.
Claims (6)
て、（ａ）実装基板と、（ｂ）該実装基板上にレジスト
膜をエッチングした凹状のダイスボンドペースト塗布領
域と、（ｃ）該ダイスボンドペースト塗布領域に塗布さ
れるダイスボンドペーストと、（ｄ）該ダイスボンドペ
ーストにより実装される光半導体モジュールとを具備す
ることを特徴とする光半導体モジュールの実装構造。1. A mounting structure for an optical semiconductor module, comprising: (a) a mounting substrate; (b) a concave die bond paste application region obtained by etching a resist film on the mounting substrate; and (c) a dice bond paste application. An optical semiconductor module mounting structure, comprising: a die bond paste applied to a region; and (d) an optical semiconductor module mounted by the die bond paste.
装構造において、前記ダイスボンドペースト塗布領域の
長さは長手方向が実装基板に光半導体モジュールが配列
される長さに等しく、短手方向が実装する光半導体モジ
ュールの短手方向の長さより小さいことを特徴とする光
半導体モジュールの実装構造。2. The mounting structure of an optical semiconductor module according to claim 1, wherein the length of the die bond paste application region is equal to the length of the optical semiconductor modules arranged on the mounting board in the longitudinal direction, and is equal to the short direction. A mounting structure for an optical semiconductor module, wherein the mounting length is smaller than the length of the optical semiconductor module to be mounted in the lateral direction.
て、（ａ）実装基板のモジュール実装領域にレジスト膜
を形成し、ダイスボンドペースト塗布領域は前記レジス
ト膜を除去して凹部を形成し、（ｂ）該凹部にダイスボ
ンドペーストを周囲の前記レジスト膜の膜厚より厚く塗
布し、（ｃ）光半導体モジュールをダイスボンドペース
ト塗布領域の凹部を挟んだレジスト膜上に橋げた状に搭
載し、（ｄ）前記光半導体モジュールの裏面がダイスボ
ンドペーストと実装基板のレジスト膜に接触するように
実装することを特徴とする光半導体モジュールの実装方
法。3. A method for mounting an optical semiconductor module, comprising: (a) forming a resist film in a module mounting region of a mounting substrate; removing the resist film in a die bond paste application region to form a concave portion; A dice bond paste is applied to the recesses so as to be thicker than the surrounding resist film, and (c) the optical semiconductor module is mounted in a bridge shape on the resist film sandwiching the recesses in the die bond paste application region, and (d). A method for mounting an optical semiconductor module, wherein the optical semiconductor module is mounted such that a back surface of the optical semiconductor module is in contact with a die bond paste and a resist film of a mounting substrate.
て、（ａ）実装基板と、（ｂ）該実装基板上のレジスト
膜をエッチングした凹状のダイスボンドペースト塗布領
域及び導電性ペースト塗布領域と、（ｃ）前記ダイスボ
ンドペースト塗布領域に搭載されるダイスボンドペース
トと前記導電性ペースト塗布領域に搭載される導電性ペ
ーストと、（ｄ）前記ダイスボンドペーストにより実装
される光半導体モジュールの駆動ＩＣと前記導電性ペー
ストにより実装される光半導体モジュールのＬＥＤアレ
イとを具備することを特徴とする光半導体モジュールの
実装構造。4. A mounting structure for an optical semiconductor module, comprising: (a) a mounting substrate; (b) a concave die bond paste application region and a conductive paste application region obtained by etching a resist film on the mounting substrate; A) a die bond paste mounted on the die bond paste application region, a conductive paste mounted on the conductive paste application region, and (d) a drive IC of an optical semiconductor module mounted by the die bond paste and the conductive paste. And an LED array of the optical semiconductor module mounted by the conductive paste.
装構造において、前記導電性ペースト塗布領域の長さは
長手方向が前記ＬＥＤアレイ長手方向の長さより小さ
く、短手方向が前記ＬＥＤアレイ短手方向の長さより大
きいことを特徴とする光半導体モジュールの実装構造。5. The mounting structure of an optical semiconductor module according to claim 4, wherein a length of the conductive paste application region is smaller in a longitudinal direction than in a longitudinal direction of the LED array and shorter in a lateral direction. A mounting structure for an optical semiconductor module, wherein the mounting structure is larger than a length in a direction.
て、（ａ）実装基板上に導電性メッキを形成し、該導電
性メッキ上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜を除去
して凹部を形成し、ダイスボンドペースト塗布領域と導
電性ペースト塗布領域を形成し、（ｂ）前記ダイスボン
ドペースト塗布領域にダイスボンドペーストを、前記導
電性ペースト塗布領域に導電性ペーストを周囲のレジス
ト膜の膜厚より厚く塗布し、（ｃ）光半導体モジュール
のＬＥＤアレイを導電性ペースト塗布領域の凹部を挟ん
だ前記レジスト膜上に橋げた状に搭載し、（ｄ）光半導
体モジュールの駆動ＩＣをダイスボンドペースト塗布領
域の凹部を挟んだレジスト膜上に橋げた状に搭載し、
（ｅ）前記駆動ＩＣの裏面がダイスボンドペーストと実
装基板のレジスト膜に接触するようにするとともに、前
記ＬＥＤの裏面が導電性ペーストと実装基板のレジスト
膜に接触するように固定し、（ｆ）前記駆動ＩＣとＬＥ
Ｄアレイを導電性ワイヤを用いてワイヤボンディングに
より接続することを特徴とする光半導体モジュールの実
装方法。6. A method for mounting an optical semiconductor module, comprising: (a) forming a conductive plating on a mounting substrate, forming a resist film on the conductive plating, removing the resist film to form a concave portion; Forming a die bond paste application region and a conductive paste application region, and (b) applying a die bond paste to the die bond paste application region and a conductive paste to the conductive paste application region according to the thickness of the surrounding resist film. (C) mounting the LED array of the optical semiconductor module on the resist film sandwiching the concave portion of the conductive paste application area in a bridge shape; Mounted on the resist film sandwiching the concave part of
(E) fixing the back surface of the driving IC so as to contact the die bond paste and the resist film of the mounting substrate, and the back surface of the LED so as to contact the conductive paste and the resist film of the mounting substrate; ) The drive IC and LE
A method for mounting an optical semiconductor module, wherein the D array is connected by wire bonding using conductive wires.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10021876A JPH11219961A (en) | 1998-02-03 | 1998-02-03 | Optical semiconductor module mounting structure and mounting method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10021876A JPH11219961A (en) | 1998-02-03 | 1998-02-03 | Optical semiconductor module mounting structure and mounting method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11219961A true JPH11219961A (en) | 1999-08-10 |
Family
ID=12067338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10021876A Withdrawn JPH11219961A (en) | 1998-02-03 | 1998-02-03 | Optical semiconductor module mounting structure and mounting method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11219961A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006059127A1 (en) * | 2006-09-25 | 2008-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for production of arrangement of optoelectronic components, involves manufacturing two attachment areas on connection carrier and bringing soldering material into attachment areas |
| WO2017130553A1 (en) | 2016-01-27 | 2017-08-03 | オムロン株式会社 | Light emitting device, backlight device, and manufacturing method of light emitting device |
| WO2017130544A1 (en) | 2016-01-27 | 2017-08-03 | オムロン株式会社 | Light emitting device, and manufacturing method of light emitting device |
-
1998
- 1998-02-03 JP JP10021876A patent/JPH11219961A/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE102006059127A1 (en) * | 2006-09-25 | 2008-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for production of arrangement of optoelectronic components, involves manufacturing two attachment areas on connection carrier and bringing soldering material into attachment areas |
| US8638565B2 (en) | 2006-09-25 | 2014-01-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Arrangement of optoelectronic components |
| WO2017130553A1 (en) | 2016-01-27 | 2017-08-03 | オムロン株式会社 | Light emitting device, backlight device, and manufacturing method of light emitting device |
| WO2017130544A1 (en) | 2016-01-27 | 2017-08-03 | オムロン株式会社 | Light emitting device, and manufacturing method of light emitting device |
| US10607967B2 (en) | 2016-01-27 | 2020-03-31 | Omron Corporation | Light emitting device, backlight device, and manufacturing method of light emitting device |
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