JPH11219961A - 光半導体モジュールの実装構造及びその実装方法 - Google Patents
光半導体モジュールの実装構造及びその実装方法Info
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- JPH11219961A JPH11219961A JP10021876A JP2187698A JPH11219961A JP H11219961 A JPH11219961 A JP H11219961A JP 10021876 A JP10021876 A JP 10021876A JP 2187698 A JP2187698 A JP 2187698A JP H11219961 A JPH11219961 A JP H11219961A
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- optical semiconductor
- semiconductor module
- resist film
- die bond
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/321—Structures or relative sizes of die-attach connectors
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＬＥＤアレイの発光部の高さのバラツキをな
くすとともに、ＬＥＤアレイ側面からの導電性ペースト
の這い上がりを防ぎ、背面電極とのショートを無くすこ
とができる光半導体モジュールの実装構造及びその実装
方法を提供する。 【解決手段】 実装基板１と、この実装基板１上にレジ
スト膜６をエッチングした凹状のダイスボンドペースト
塗布領域Ｂと、このダイスボンドペースト塗布領域Ｂに
塗布されるダイスボンドペースト２と、このダイスボン
ドペースト２により固定される光半導体モジュールとを
設ける。
くすとともに、ＬＥＤアレイ側面からの導電性ペースト
の這い上がりを防ぎ、背面電極とのショートを無くすこ
とができる光半導体モジュールの実装構造及びその実装
方法を提供する。 【解決手段】 実装基板１と、この実装基板１上にレジ
スト膜６をエッチングした凹状のダイスボンドペースト
塗布領域Ｂと、このダイスボンドペースト塗布領域Ｂに
塗布されるダイスボンドペースト２と、このダイスボン
ドペースト２により固定される光半導体モジュールとを
設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光半導体素子を一
列に配列実装する光半導体モジュールの実装構造及びそ
の実装方法に関するものである。
列に配列実装する光半導体モジュールの実装構造及びそ
の実装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】このような分野の技術としては、例え
ば、文献名：日経ＢＰ社出版「ＶＬＳＩパッケージング
技術（下）」Ｐ１７〜２０に開示されるものがあった。
図７はかかる従来の光半導体モジュールの実装構造を示
す図である。この図において、２０は基板、２１はダイ
スボンドペースト、２２はＬＥＤアレイ、２３は駆動Ｉ
Ｃである。ここで、ＬＥＤアレイ２２の発光部は端面に
形成されており、ＬＥＤアレイ２２と駆動ＩＣ２３は異
方導電膜（図示なし）により接続され、モジュール化し
ている。このモジュールは平らな基板２０表面上にダイ
スボンドペースト２１によって接着されている。
ば、文献名：日経ＢＰ社出版「ＶＬＳＩパッケージング
技術（下）」Ｐ１７〜２０に開示されるものがあった。
図７はかかる従来の光半導体モジュールの実装構造を示
す図である。この図において、２０は基板、２１はダイ
スボンドペースト、２２はＬＥＤアレイ、２３は駆動Ｉ
Ｃである。ここで、ＬＥＤアレイ２２の発光部は端面に
形成されており、ＬＥＤアレイ２２と駆動ＩＣ２３は異
方導電膜（図示なし）により接続され、モジュール化し
ている。このモジュールは平らな基板２０表面上にダイ
スボンドペースト２１によって接着されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の実装構造では、配列するチップの高さを一定に
揃えなければならない場合、図８又は図９に示すよう
な、不具合が生じていた。すなわち、図８に示すよう
に、実装する駆動ＩＣ２３を直接ダイスボンドペースト
２１上に搭載するため、ダイスボンドペースト２１のデ
ィスペンスが不均一であった場合、駆動ＩＣ２３下のダ
イスボンドペースト２１の膜厚が偏り、同時にモジュー
ルのＬＥＤアレイ２２の発光部の高さにバラツキが生じ
る。
た従来の実装構造では、配列するチップの高さを一定に
揃えなければならない場合、図８又は図９に示すよう
な、不具合が生じていた。すなわち、図８に示すよう
に、実装する駆動ＩＣ２３を直接ダイスボンドペースト
２１上に搭載するため、ダイスボンドペースト２１のデ
ィスペンスが不均一であった場合、駆動ＩＣ２３下のダ
イスボンドペースト２１の膜厚が偏り、同時にモジュー
ルのＬＥＤアレイ２２の発光部の高さにバラツキが生じ
る。
【０００４】また、図９に示すように、平らな基板２０
表面上にＬＥＤアレイ２２を搭載するため、ＬＥＤアレ
イ２２搭載時の導電性ぺースト２４の広がりが、ＬＥＤ
アレイ２２の側面から這い上がり、ＬＥＤアレイ２２の
配線と背面電極とのショートが生じる。本発明は、上記
問題点を除去し、ＬＥＤアレイの発光部の高さのバラツ
キをなくすとともに、ＬＥＤアレイ側面からの導電性ペ
ーストの這い上がりを防ぎ、背面電極とのショートを無
くすことができる光半導体モジュールの実装構造及びそ
の実装方法を提供することを目的とする。
表面上にＬＥＤアレイ２２を搭載するため、ＬＥＤアレ
イ２２搭載時の導電性ぺースト２４の広がりが、ＬＥＤ
アレイ２２の側面から這い上がり、ＬＥＤアレイ２２の
配線と背面電極とのショートが生じる。本発明は、上記
問題点を除去し、ＬＥＤアレイの発光部の高さのバラツ
キをなくすとともに、ＬＥＤアレイ側面からの導電性ペ
ーストの這い上がりを防ぎ、背面電極とのショートを無
くすことができる光半導体モジュールの実装構造及びそ
の実装方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕光半導体モジュールの実装構造において、実装基
板と、この実装基板上にレジスト膜をエッチングした凹
状のダイスボンドペースト塗布領域と、このダイスボン
ドペースト塗布領域に塗布されるダイスボンドペースト
と、このダイスボンドペーストにより実装される光半導
体モジュールとを設けるようにしたものである。
成するために、 〔１〕光半導体モジュールの実装構造において、実装基
板と、この実装基板上にレジスト膜をエッチングした凹
状のダイスボンドペースト塗布領域と、このダイスボン
ドペースト塗布領域に塗布されるダイスボンドペースト
と、このダイスボンドペーストにより実装される光半導
体モジュールとを設けるようにしたものである。
【０００６】〔２〕上記〔１〕記載の光半導体モジュー
ルの実装構造において、前記ダイスボンドペースト塗布
領域の長さは長手方向が実装基板に光半導体モジュール
が配列される長さに等しく、短手方向が実装する光半導
体モジュールの短手方向の長さより小さくなるようにし
たものである。 〔３〕光半導体モジュールの実装方法において、実装基
板のモジュール実装領域にレジスト膜を形成し、ダイス
ボンドペースト塗布領域は前記レジスト膜を除去して凹
部を形成し、この凹部にダイスボンドペーストを周囲の
前記レジスト膜の膜厚より厚く塗布し、光半導体モジュ
ールをダイスボンドペースト塗布領域の凹部を挟んだレ
ジスト膜上に橋げた状に搭載し、前記光半導体モジュー
ルの裏面がダイスボンドペーストと実装基板のレジスト
膜に接触するように実装するようにしたものである。
ルの実装構造において、前記ダイスボンドペースト塗布
領域の長さは長手方向が実装基板に光半導体モジュール
が配列される長さに等しく、短手方向が実装する光半導
体モジュールの短手方向の長さより小さくなるようにし
たものである。 〔３〕光半導体モジュールの実装方法において、実装基
板のモジュール実装領域にレジスト膜を形成し、ダイス
ボンドペースト塗布領域は前記レジスト膜を除去して凹
部を形成し、この凹部にダイスボンドペーストを周囲の
前記レジスト膜の膜厚より厚く塗布し、光半導体モジュ
ールをダイスボンドペースト塗布領域の凹部を挟んだレ
ジスト膜上に橋げた状に搭載し、前記光半導体モジュー
ルの裏面がダイスボンドペーストと実装基板のレジスト
膜に接触するように実装するようにしたものである。
【０００７】〔４〕光半導体モジュールの実装構造にお
いて、実装基板と、この実装基板上のレジスト膜をエッ
チングした凹状のダイスボンドペースト塗布領域及び導
電性ペースト塗布領域と、前記ダイスボンドペースト塗
布領域に搭載されるダイスボンドペーストと前記導電性
ペースト塗布領域に搭載される導電性ペーストと、前記
ダイスボンドペーストにより実装される光半導体モジュ
ールの駆動ＩＣと前記導電性ペーストにより実装される
光半導体モジュールのＬＥＤアレイとを設けるようにし
たものである。
いて、実装基板と、この実装基板上のレジスト膜をエッ
チングした凹状のダイスボンドペースト塗布領域及び導
電性ペースト塗布領域と、前記ダイスボンドペースト塗
布領域に搭載されるダイスボンドペーストと前記導電性
ペースト塗布領域に搭載される導電性ペーストと、前記
ダイスボンドペーストにより実装される光半導体モジュ
ールの駆動ＩＣと前記導電性ペーストにより実装される
光半導体モジュールのＬＥＤアレイとを設けるようにし
たものである。
【０００８】〔５〕上記〔４〕記載の光半導体モジュー
ルの実装構造において、前記導電性ペースト塗布領域の
長さは長手方向が前記ＬＥＤアレイ長手方向の長さより
小さく、短手方向が前記ＬＥＤアレイ短手方向の長さよ
り大きくするようにしたものである。 〔６〕光半導体モジュールの実装方法において、実装基
板上に導電性メッキを形成し、この導電性メッキ上にレ
ジスト膜を形成し、このレジスト膜を除去して凹部を形
成し、ダイスボンドペースト塗布領域と導電性ペースト
塗布領域を形成し、前記ダイスボンドペースト塗布領域
にダイスボンドペーストを、前記導電性ペースト塗布領
域に導電性ペーストを周囲のレジスト膜の膜厚より厚く
塗布し、光半導体モジュールのＬＥＤアレイを導電性ペ
ースト塗布領域の凹部を挟んだ前記レジスト膜上に橋げ
た状に搭載し、光半導体モジュールの駆動ＩＣをダイス
ボンドペースト塗布領域の凹部を挟んだレジスト膜上に
橋げた状に搭載し、前記駆動ＩＣの裏面がダイスボンド
ペーストと実装基板のレジスト膜に接触するようにする
とともに、前記ＬＥＤの裏面が導電性ペーストと実装基
板のレジスト膜に接触するように固定し、前記駆動ＩＣ
とＬＥＤアレイを導電性ワイヤを用いてワイヤボンディ
ングにより接続するようにしたものである。
ルの実装構造において、前記導電性ペースト塗布領域の
長さは長手方向が前記ＬＥＤアレイ長手方向の長さより
小さく、短手方向が前記ＬＥＤアレイ短手方向の長さよ
り大きくするようにしたものである。 〔６〕光半導体モジュールの実装方法において、実装基
板上に導電性メッキを形成し、この導電性メッキ上にレ
ジスト膜を形成し、このレジスト膜を除去して凹部を形
成し、ダイスボンドペースト塗布領域と導電性ペースト
塗布領域を形成し、前記ダイスボンドペースト塗布領域
にダイスボンドペーストを、前記導電性ペースト塗布領
域に導電性ペーストを周囲のレジスト膜の膜厚より厚く
塗布し、光半導体モジュールのＬＥＤアレイを導電性ペ
ースト塗布領域の凹部を挟んだ前記レジスト膜上に橋げ
た状に搭載し、光半導体モジュールの駆動ＩＣをダイス
ボンドペースト塗布領域の凹部を挟んだレジスト膜上に
橋げた状に搭載し、前記駆動ＩＣの裏面がダイスボンド
ペーストと実装基板のレジスト膜に接触するようにする
とともに、前記ＬＥＤの裏面が導電性ペーストと実装基
板のレジスト膜に接触するように固定し、前記駆動ＩＣ
とＬＥＤアレイを導電性ワイヤを用いてワイヤボンディ
ングにより接続するようにしたものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例の光半導
体モジュールの実装構造を示す図であり、図１（ａ）は
その光半導体モジュールの実装構造を示す上面図、図１
（ｂ）はその光半導体モジュールの実装構造を示す側面
図である。
て詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例の光半導
体モジュールの実装構造を示す図であり、図１（ａ）は
その光半導体モジュールの実装構造を示す上面図、図１
（ｂ）はその光半導体モジュールの実装構造を示す側面
図である。
【００１０】これらの図において、１は実装基板、２は
ダイスボンドペースト、３はＬＥＤアレイ、４は駆動Ｉ
Ｃ、５は発光部、６はレジスト膜である。ここで、ＬＥ
Ｄアレイ３には端面に発光部５が形成されている。そし
て、ＬＥＤアレイ３と駆動ＩＣ４は異方導電膜（図示な
し）により接続されモジュールとなっている。このモジ
ュールは直線上に一列となって配列され、実装基板１に
実装される。
ダイスボンドペースト、３はＬＥＤアレイ、４は駆動Ｉ
Ｃ、５は発光部、６はレジスト膜である。ここで、ＬＥ
Ｄアレイ３には端面に発光部５が形成されている。そし
て、ＬＥＤアレイ３と駆動ＩＣ４は異方導電膜（図示な
し）により接続されモジュールとなっている。このモジ
ュールは直線上に一列となって配列され、実装基板１に
実装される。
【００１１】図２は本発明の第１実施例の光半導体モジ
ュールが搭載される実装基板の構成及び駆動ＩＣの配列
を示す図であり、図２（ａ）はその光半導体モジュール
が搭載される実装基板の構成図、図２（ｂ）はその光半
導体モジュールの駆動ＩＣの配置図である。これらの図
に示すように、実装基板１の表面の構成は、モジュール
実装領域Ａと、ダイスボンドペースト塗布領域Ｂがあ
る。ダイスボンドペースト塗布領域Ｂはダイスボンドペ
ースト２（図１参照）により、実装基板１とモジュール
を接続するための部分である。ダイスボンドペースト塗
布領域Ｂの長手方向の長さｘはモジュール実装領域の長
さｗと等しく、ダイスボンドペースト塗布領域Ｂの短手
方向の長さｙは駆動ＩＣ４の短手方向長さｄより小さく
なければならない。よって、ダイスボンドペースト塗布
領域Ｂは以下のように規定される。
ュールが搭載される実装基板の構成及び駆動ＩＣの配列
を示す図であり、図２（ａ）はその光半導体モジュール
が搭載される実装基板の構成図、図２（ｂ）はその光半
導体モジュールの駆動ＩＣの配置図である。これらの図
に示すように、実装基板１の表面の構成は、モジュール
実装領域Ａと、ダイスボンドペースト塗布領域Ｂがあ
る。ダイスボンドペースト塗布領域Ｂはダイスボンドペ
ースト２（図１参照）により、実装基板１とモジュール
を接続するための部分である。ダイスボンドペースト塗
布領域Ｂの長手方向の長さｘはモジュール実装領域の長
さｗと等しく、ダイスボンドペースト塗布領域Ｂの短手
方向の長さｙは駆動ＩＣ４の短手方向長さｄより小さく
なければならない。よって、ダイスボンドペースト塗布
領域Ｂは以下のように規定される。
【００１２】ｘ＝ｗ ｙ＜ｄ モジュール実装領域Ａは、モジュールを搭載する部分で
ある。モジュール実装領域Ａのダイスボンドペースト塗
布領域Ｂ以外にはレジスト膜６が形成されている。従っ
て、モジュール実装領域Ａは、ダイスボンドペースト塗
布領域Ｂに対してレジスト膜６の分、凸形状となる。モ
ジュールはダイスボンドペースト塗布領域Ｂを挟んだ、
レジスト膜６上に橋げた状に搭載する。モジュールの搭
載高さの位置合わせは、レジスト膜６の表面を基準とし
位置合わせを行う。
ある。モジュール実装領域Ａのダイスボンドペースト塗
布領域Ｂ以外にはレジスト膜６が形成されている。従っ
て、モジュール実装領域Ａは、ダイスボンドペースト塗
布領域Ｂに対してレジスト膜６の分、凸形状となる。モ
ジュールはダイスボンドペースト塗布領域Ｂを挟んだ、
レジスト膜６上に橋げた状に搭載する。モジュールの搭
載高さの位置合わせは、レジスト膜６の表面を基準とし
位置合わせを行う。
【００１３】以下、本発明の第１実施例の光半導体モジ
ュールの実装方法について説明する。図３は本発明の第
１実施例の光半導体モジュールの実装工程断面図であ
る。 （１）まず、図３（ａ）に示すように、実装基板１のモ
ジュール実装領域Ａのダイスボンドペースト塗布領域Ｂ
以外にはレジスト膜６を形成し、ダイスボンドペースト
塗布領域Ｂのそのレジスト膜６が除去され、凹部となっ
ている。そのダイスボンドペースト塗布領域Ｂの凹部に
ディスペンサーノズル７から吐出されるダイスボンドペ
ースト２を塗布する。このときダイスボンドペースト２
の塗布量は周囲のレジスト膜６の膜厚より厚くなければ
ならない。
ュールの実装方法について説明する。図３は本発明の第
１実施例の光半導体モジュールの実装工程断面図であ
る。 （１）まず、図３（ａ）に示すように、実装基板１のモ
ジュール実装領域Ａのダイスボンドペースト塗布領域Ｂ
以外にはレジスト膜６を形成し、ダイスボンドペースト
塗布領域Ｂのそのレジスト膜６が除去され、凹部となっ
ている。そのダイスボンドペースト塗布領域Ｂの凹部に
ディスペンサーノズル７から吐出されるダイスボンドペ
ースト２を塗布する。このときダイスボンドペースト２
の塗布量は周囲のレジスト膜６の膜厚より厚くなければ
ならない。
【００１４】（２）次に、図３（ｂ）に示すように、Ｌ
ＥＤアレイ３と駆動ＩＣ４からなるモジュールを、ダイ
スボンドペースト塗布領域Ｂの凹部を挟んだレジスト膜
６上に橋げた状に搭載する。 （３）次に、図３（ｃ）に示すように、モジュールの駆
動ＩＣ４裏面がダイスボンドペースト２と実装基板１の
レジスト膜６に接触するよう、位置合わせを行い、実装
する。
ＥＤアレイ３と駆動ＩＣ４からなるモジュールを、ダイ
スボンドペースト塗布領域Ｂの凹部を挟んだレジスト膜
６上に橋げた状に搭載する。 （３）次に、図３（ｃ）に示すように、モジュールの駆
動ＩＣ４裏面がダイスボンドペースト２と実装基板１の
レジスト膜６に接触するよう、位置合わせを行い、実装
する。
【００１５】以上のように、基板パターンをダイスボン
ドペースト塗布領域Ｂとモジュール実装領域Ａに分け、
モジュールを実装する側にレジスト膜６を形成すること
により段差を生じさせる。そのためダイスボンドペース
ト２の膜厚に関わりなく、実装基板１のレジスト膜６上
に駆動ＩＣ４の裏面を接触させて、搭載時の高さの位置
合わせを行うため、一列に実装されたモジュール間での
搭載高さのバラツキが無くなる。
ドペースト塗布領域Ｂとモジュール実装領域Ａに分け、
モジュールを実装する側にレジスト膜６を形成すること
により段差を生じさせる。そのためダイスボンドペース
ト２の膜厚に関わりなく、実装基板１のレジスト膜６上
に駆動ＩＣ４の裏面を接触させて、搭載時の高さの位置
合わせを行うため、一列に実装されたモジュール間での
搭載高さのバラツキが無くなる。
【００１６】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。図４は本発明の第２実施例の光半導体モジュールの
実装構造を示す図であり、図４（ａ）はその光半導体モ
ジュールの実装構造を示す上面図、図４（ｂ）はその光
半導体モジュールの実装構造を示す側面図である。これ
らの図において、８は実装基板、９は導電性ペースト、
１０はＬＥＤアレイ、１１は駆動ＩＣ、１２は金ワイ
ヤ、１３はレジスト膜、１４は金メッキである。ここ
で、ＬＥＤアレイ１０と駆動ＩＣ１１は金ワイヤ１２に
より接続されている。そして、駆動ＩＣ１１はダイスボ
ンドペースト（図示なし）、ＬＥＤアレイ１０は導電性
ペースト９により各々直線状に一列となって配列され、
実装基板８に実装されている。
る。図４は本発明の第２実施例の光半導体モジュールの
実装構造を示す図であり、図４（ａ）はその光半導体モ
ジュールの実装構造を示す上面図、図４（ｂ）はその光
半導体モジュールの実装構造を示す側面図である。これ
らの図において、８は実装基板、９は導電性ペースト、
１０はＬＥＤアレイ、１１は駆動ＩＣ、１２は金ワイ
ヤ、１３はレジスト膜、１４は金メッキである。ここ
で、ＬＥＤアレイ１０と駆動ＩＣ１１は金ワイヤ１２に
より接続されている。そして、駆動ＩＣ１１はダイスボ
ンドペースト（図示なし）、ＬＥＤアレイ１０は導電性
ペースト９により各々直線状に一列となって配列され、
実装基板８に実装されている。
【００１７】図５は本発明の第２実施例の光半導体モジ
ュールを実装する実装基板の構成及びＬＥＤアレイを示
す図であり、図５（ａ）はその光半導体モジュールを実
装する実装基板のレイアウトを示し、図５（ｂ）はその
ＬＥＤアレイの上面を示している。図５に示すように、
実装基板表面の構成は、駆動ＩＣ実装領域ＣとＬＥＤア
レイ実装領域Ｄと導電性ペースト塗布領域Ｅがある。
ュールを実装する実装基板の構成及びＬＥＤアレイを示
す図であり、図５（ａ）はその光半導体モジュールを実
装する実装基板のレイアウトを示し、図５（ｂ）はその
ＬＥＤアレイの上面を示している。図５に示すように、
実装基板表面の構成は、駆動ＩＣ実装領域ＣとＬＥＤア
レイ実装領域Ｄと導電性ペースト塗布領域Ｅがある。
【００１８】駆動ＩＣ実装領域Ｃにはダイスボンドペー
スト（図示なし）を塗布後、駆動ＩＣ１１（図４参照）
が搭載される。導電性ペースト塗布領域Ｅは導電性ペー
スト９（図４参照）により、ＬＥＤアレイ１０の背面電
極と基板電極を接続するための金メッキ１４（図４参
照）が形成されている。導電性ペースト塗布領域Ｅの寸
法は、長手方向２ｘはＬＥＤアレイ１０の長さｉより小
さく、短手方向の長さ２ｙは駆動ＩＣ１１に影響しない
程度にＬＥＤアレイ１０の幅ｊより大きくなければなら
ない。よって、導電性ペースト塗布領域Ｅは以下のよう
に規定される。
スト（図示なし）を塗布後、駆動ＩＣ１１（図４参照）
が搭載される。導電性ペースト塗布領域Ｅは導電性ペー
スト９（図４参照）により、ＬＥＤアレイ１０の背面電
極と基板電極を接続するための金メッキ１４（図４参
照）が形成されている。導電性ペースト塗布領域Ｅの寸
法は、長手方向２ｘはＬＥＤアレイ１０の長さｉより小
さく、短手方向の長さ２ｙは駆動ＩＣ１１に影響しない
程度にＬＥＤアレイ１０の幅ｊより大きくなければなら
ない。よって、導電性ペースト塗布領域Ｅは以下のよう
に規定される。
【００１９】２ｘ＜ｉ ２ｙ＞ｊ ＬＥＤアレイ実装領域ＤにはＬＥＤアレイ１０が搭載さ
れる。導電性ペースト塗布領域Ｅ以外は金メッキ１４上
にレジスト膜１３が形成されているため、ＬＥＤアレイ
実装領域Ｄは導電性ペースト塗布領域Ｅに比べ凸形状で
あり、また、導電性ペースト塗布領域Ｅの周囲も同様で
ある。
れる。導電性ペースト塗布領域Ｅ以外は金メッキ１４上
にレジスト膜１３が形成されているため、ＬＥＤアレイ
実装領域Ｄは導電性ペースト塗布領域Ｅに比べ凸形状で
あり、また、導電性ペースト塗布領域Ｅの周囲も同様で
ある。
【００２０】ＬＥＤアレイ１０を搭載する時は、ＬＥＤ
アレイ１０の両端部をレジスト膜１３上に合わせ、導電
性ペースト塗布領域Ｅ上に橋げた状に搭載する。ＬＥＤ
アレイ１０が搭載されると、導電性ペースト９が上から
圧縮され、周囲への広がりが生じる。しかし、周囲はレ
ジスト膜１３で覆われているため、広がりは導電性ペー
スト塗布領域Ｅ内でのみ生じる。
アレイ１０の両端部をレジスト膜１３上に合わせ、導電
性ペースト塗布領域Ｅ上に橋げた状に搭載する。ＬＥＤ
アレイ１０が搭載されると、導電性ペースト９が上から
圧縮され、周囲への広がりが生じる。しかし、周囲はレ
ジスト膜１３で覆われているため、広がりは導電性ペー
スト塗布領域Ｅ内でのみ生じる。
【００２１】以下、本発明の第２実施例の光半導体モジ
ュールの実装方法について説明する。図６は本発明の第
２実施例の光半導体モジュールの実装工程断面図であ
る。 （１）まず、図６（ａ）に示すように、実装基板８には
金メッキ１４が形成され、その上にレジスト膜１３がパ
ターニングされている。そのパターニングされた凹部、
つまり、実装基板８の導電性ペースト塗布領域Ｅに、デ
ィスペンサーノズル１５から導電性ペースト９を吐出し
て塗布する。この時、導電性ペースト９の塗布量は周囲
のレジスト膜１３の膜厚より厚くなければならない。
ュールの実装方法について説明する。図６は本発明の第
２実施例の光半導体モジュールの実装工程断面図であ
る。 （１）まず、図６（ａ）に示すように、実装基板８には
金メッキ１４が形成され、その上にレジスト膜１３がパ
ターニングされている。そのパターニングされた凹部、
つまり、実装基板８の導電性ペースト塗布領域Ｅに、デ
ィスペンサーノズル１５から導電性ペースト９を吐出し
て塗布する。この時、導電性ペースト９の塗布量は周囲
のレジスト膜１３の膜厚より厚くなければならない。
【００２２】（２）次に、図６（ｂ）に示すように、Ｌ
ＥＤアレイ１０の両端部をＬＥＤアレイ実装領域Ｄのレ
ジスト膜１３上に搭載する。 （３）次いで、図６（ｃ）に示すように、ＬＥＤアレイ
１０上にダイスボンドペースト（図示なし）を塗布し、
駆動ＩＣ１１を搭載する。 （４）次に、図６（ｄ）に示すように、駆動ＩＣ１１と
ＬＥＤアレイ１０を金ワイヤ１２を用いてワイヤボンデ
ィングにより接続する。
ＥＤアレイ１０の両端部をＬＥＤアレイ実装領域Ｄのレ
ジスト膜１３上に搭載する。 （３）次いで、図６（ｃ）に示すように、ＬＥＤアレイ
１０上にダイスボンドペースト（図示なし）を塗布し、
駆動ＩＣ１１を搭載する。 （４）次に、図６（ｄ）に示すように、駆動ＩＣ１１と
ＬＥＤアレイ１０を金ワイヤ１２を用いてワイヤボンデ
ィングにより接続する。
【００２３】以上のように、第２実施例によれば、上記
第１実施例の効果に加えて、導電性ペースト塗布領域Ｅ
の周囲にレジスト膜１３を形成し、このレジスト膜１３
上にＬＥＤアレイ１０の両端部を合わせ、導電性ペース
ト９上に橋げた状に搭載することにより、導電性ペース
ト９はＬＥＤアレイ１０下の導電性ペースト塗布領域Ｅ
内のみで広がる。そのため、ＬＥＤ側面からの導電性ペ
ースト９の這い上がりを防ぎ、背面電極とのショートを
無くすことができる。
第１実施例の効果に加えて、導電性ペースト塗布領域Ｅ
の周囲にレジスト膜１３を形成し、このレジスト膜１３
上にＬＥＤアレイ１０の両端部を合わせ、導電性ペース
ト９上に橋げた状に搭載することにより、導電性ペース
ト９はＬＥＤアレイ１０下の導電性ペースト塗布領域Ｅ
内のみで広がる。そのため、ＬＥＤ側面からの導電性ペ
ースト９の這い上がりを防ぎ、背面電極とのショートを
無くすことができる。
【００２４】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、基板パターンをダ
イスボンドペースト塗布領域とモジュール実装領域に分
け、モジュール実装側にレジスト膜を形成することによ
り段差を生じさせる。そのためダイスボンドペーストの
膜厚に関わりなく、実装基板のレジスト膜上に駆動ＩＣ
の裏面を接触させ、搭載時の高さの位置合わせを行うた
め、一列に実装されたモジュール間での搭載高さのバラ
ツキを無くすことができる。 （２）請求項２記載の発明によれば、上記（１）の効果
に加えて、導電性ペースト塗布領域の周囲にレジスト膜
を形成し、このレジスト膜上にＬＥＤアレイの両端部を
合わせ、導電性ペースト上に橋げた状に搭載することに
より、導電性ペーストはＬＥＤアレイ下の導電性ペース
ト塗布領域内のみで広がる。そのため、ＬＥＤ側面から
の導電性ペーストの這い上がりを防ぎ、背面電極とのシ
ョートを無くすことができる。
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、基板パターンをダ
イスボンドペースト塗布領域とモジュール実装領域に分
け、モジュール実装側にレジスト膜を形成することによ
り段差を生じさせる。そのためダイスボンドペーストの
膜厚に関わりなく、実装基板のレジスト膜上に駆動ＩＣ
の裏面を接触させ、搭載時の高さの位置合わせを行うた
め、一列に実装されたモジュール間での搭載高さのバラ
ツキを無くすことができる。 （２）請求項２記載の発明によれば、上記（１）の効果
に加えて、導電性ペースト塗布領域の周囲にレジスト膜
を形成し、このレジスト膜上にＬＥＤアレイの両端部を
合わせ、導電性ペースト上に橋げた状に搭載することに
より、導電性ペーストはＬＥＤアレイ下の導電性ペース
ト塗布領域内のみで広がる。そのため、ＬＥＤ側面から
の導電性ペーストの這い上がりを防ぎ、背面電極とのシ
ョートを無くすことができる。
【図１】本発明の第１実施例の光半導体モジュールの実
装構造を示す図である。
装構造を示す図である。
【図２】本発明の第１実施例の光半導体モジュールが搭
載される実装基板の構成及び駆動ＩＣの配列を示す図で
ある。
載される実装基板の構成及び駆動ＩＣの配列を示す図で
ある。
【図３】本発明の第１実施例の光半導体モジュールの実
装工程断面図である。
装工程断面図である。
【図４】本発明の第２実施例の光半導体モジュールの実
装構造を示す図である。
装構造を示す図である。
【図５】本発明の第２実施例の光半導体モジュールを実
装する実装基板の構成及びＬＥＤアレイを示す図であ
る。
装する実装基板の構成及びＬＥＤアレイを示す図であ
る。
【図６】本発明の第２実施例の光半導体モジュールの実
装工程断面図である。
装工程断面図である。
【図７】従来の光半導体モジュールの実装構造を示す図
である。
である。
【図８】従来の光半導体モジュールの実装による問題点
（その１）を示す図である。
（その１）を示す図である。
【図９】従来の光半導体モジュールの実装による問題点
（その２）を示す図である。
（その２）を示す図である。
Ａ モジュール実装領域 Ｂ ダイスボンドペースト塗布領域（凹部） Ｃ 駆動ＩＣ実装領域 Ｄ ＬＥＤアレイ実装領域 Ｅ 導電性ペースト塗布領域 １，８ 実装基板 ２ ダイスボンドペースト ３，１０ ＬＥＤアレイ ４，１１ 駆動ＩＣ ５ 発光部 ６，１３ レジスト膜 ７，１５ ディスペンサーノズル ９ 導電性ペースト １２ 金ワイヤ １４ 金メッキ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遠山 広 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 光半導体モジュールの実装構造におい
て、（ａ）実装基板と、（ｂ）該実装基板上にレジスト
膜をエッチングした凹状のダイスボンドペースト塗布領
域と、（ｃ）該ダイスボンドペースト塗布領域に塗布さ
れるダイスボンドペーストと、（ｄ）該ダイスボンドペ
ーストにより実装される光半導体モジュールとを具備す
ることを特徴とする光半導体モジュールの実装構造。 - 【請求項２】 請求項１記載の光半導体モジュールの実
装構造において、前記ダイスボンドペースト塗布領域の
長さは長手方向が実装基板に光半導体モジュールが配列
される長さに等しく、短手方向が実装する光半導体モジ
ュールの短手方向の長さより小さいことを特徴とする光
半導体モジュールの実装構造。 - 【請求項３】 光半導体モジュールの実装方法におい
て、（ａ）実装基板のモジュール実装領域にレジスト膜
を形成し、ダイスボンドペースト塗布領域は前記レジス
ト膜を除去して凹部を形成し、（ｂ）該凹部にダイスボ
ンドペーストを周囲の前記レジスト膜の膜厚より厚く塗
布し、（ｃ）光半導体モジュールをダイスボンドペース
ト塗布領域の凹部を挟んだレジスト膜上に橋げた状に搭
載し、（ｄ）前記光半導体モジュールの裏面がダイスボ
ンドペーストと実装基板のレジスト膜に接触するように
実装することを特徴とする光半導体モジュールの実装方
法。 - 【請求項４】 光半導体モジュールの実装構造におい
て、（ａ）実装基板と、（ｂ）該実装基板上のレジスト
膜をエッチングした凹状のダイスボンドペースト塗布領
域及び導電性ペースト塗布領域と、（ｃ）前記ダイスボ
ンドペースト塗布領域に搭載されるダイスボンドペース
トと前記導電性ペースト塗布領域に搭載される導電性ペ
ーストと、（ｄ）前記ダイスボンドペーストにより実装
される光半導体モジュールの駆動ＩＣと前記導電性ペー
ストにより実装される光半導体モジュールのＬＥＤアレ
イとを具備することを特徴とする光半導体モジュールの
実装構造。 - 【請求項５】 請求項４記載の光半導体モジュールの実
装構造において、前記導電性ペースト塗布領域の長さは
長手方向が前記ＬＥＤアレイ長手方向の長さより小さ
く、短手方向が前記ＬＥＤアレイ短手方向の長さより大
きいことを特徴とする光半導体モジュールの実装構造。 - 【請求項６】 光半導体モジュールの実装方法におい
て、（ａ）実装基板上に導電性メッキを形成し、該導電
性メッキ上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜を除去
して凹部を形成し、ダイスボンドペースト塗布領域と導
電性ペースト塗布領域を形成し、（ｂ）前記ダイスボン
ドペースト塗布領域にダイスボンドペーストを、前記導
電性ペースト塗布領域に導電性ペーストを周囲のレジス
ト膜の膜厚より厚く塗布し、（ｃ）光半導体モジュール
のＬＥＤアレイを導電性ペースト塗布領域の凹部を挟ん
だ前記レジスト膜上に橋げた状に搭載し、（ｄ）光半導
体モジュールの駆動ＩＣをダイスボンドペースト塗布領
域の凹部を挟んだレジスト膜上に橋げた状に搭載し、
（ｅ）前記駆動ＩＣの裏面がダイスボンドペーストと実
装基板のレジスト膜に接触するようにするとともに、前
記ＬＥＤの裏面が導電性ペーストと実装基板のレジスト
膜に接触するように固定し、（ｆ）前記駆動ＩＣとＬＥ
Ｄアレイを導電性ワイヤを用いてワイヤボンディングに
より接続することを特徴とする光半導体モジュールの実
装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10021876A JPH11219961A (ja) | 1998-02-03 | 1998-02-03 | 光半導体モジュールの実装構造及びその実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10021876A JPH11219961A (ja) | 1998-02-03 | 1998-02-03 | 光半導体モジュールの実装構造及びその実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11219961A true JPH11219961A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=12067338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10021876A Withdrawn JPH11219961A (ja) | 1998-02-03 | 1998-02-03 | 光半導体モジュールの実装構造及びその実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11219961A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006059127A1 (de) * | 2006-09-25 | 2008-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Anordnung optoelektronischer Bauelemente und Anordnung optoelektronischer Bauelemente |
| WO2017130544A1 (ja) | 2016-01-27 | 2017-08-03 | オムロン株式会社 | 発光装置、および発光装置の製造方法 |
| WO2017130553A1 (ja) | 2016-01-27 | 2017-08-03 | オムロン株式会社 | 発光装置、バックライト装置、および発光装置の製造方法 |
-
1998
- 1998-02-03 JP JP10021876A patent/JPH11219961A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006059127A1 (de) * | 2006-09-25 | 2008-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Anordnung optoelektronischer Bauelemente und Anordnung optoelektronischer Bauelemente |
| US8638565B2 (en) | 2006-09-25 | 2014-01-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Arrangement of optoelectronic components |
| WO2017130544A1 (ja) | 2016-01-27 | 2017-08-03 | オムロン株式会社 | 発光装置、および発光装置の製造方法 |
| WO2017130553A1 (ja) | 2016-01-27 | 2017-08-03 | オムロン株式会社 | 発光装置、バックライト装置、および発光装置の製造方法 |
| US10607967B2 (en) | 2016-01-27 | 2020-03-31 | Omron Corporation | Light emitting device, backlight device, and manufacturing method of light emitting device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050405 |