JPH11219972A - ワイヤボンド用キャピラリ - Google Patents
ワイヤボンド用キャピラリInfo
- Publication number
- JPH11219972A JPH11219972A JP10033668A JP3366898A JPH11219972A JP H11219972 A JPH11219972 A JP H11219972A JP 10033668 A JP10033668 A JP 10033668A JP 3366898 A JP3366898 A JP 3366898A JP H11219972 A JPH11219972 A JP H11219972A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capillary
- bonding
- wire
- chamfer
- bond
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07531—Techniques
- H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
- H10W72/07533—Ultrasonic bonding, e.g. thermosonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/951—Materials of bond pads
- H10W72/952—Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来、ボールボンディング用のキャピラリを
用いて第2ボンド点のワイヤボンディングを行うと、接
合部が肉薄に形成されるため、高温下に放置した場合、
比較的短時間の内に接合部が脆くなり断線が生じ易くな
るという問題あった。 【解決手段】 先端、中央部にボールボンディング用の
チャンファをもつワイヤボンド用キャピラリにおいて、
該チャンファの外側の底辺部に、圧接によるワイヤ潰れ
を制限するための凹み部分を設けた。
用いて第2ボンド点のワイヤボンディングを行うと、接
合部が肉薄に形成されるため、高温下に放置した場合、
比較的短時間の内に接合部が脆くなり断線が生じ易くな
るという問題あった。 【解決手段】 先端、中央部にボールボンディング用の
チャンファをもつワイヤボンド用キャピラリにおいて、
該チャンファの外側の底辺部に、圧接によるワイヤ潰れ
を制限するための凹み部分を設けた。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ等の
配線工程で使用するワイヤボンダにおいて、ボンディン
グ用ツールとして使用されるキャピラリに関する。
配線工程で使用するワイヤボンダにおいて、ボンディン
グ用ツールとして使用されるキャピラリに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体チップ上のボンディングパッド
と、他のボンディングパッドや、パッケージの外部引出
し用端子等との間を、金線等のワイヤで接続するワイヤ
ボンディングにおいては、一般に、軸心にワイヤを通す
ための細穴を有するキャピラリと呼ばれるツールが用い
られる。
と、他のボンディングパッドや、パッケージの外部引出
し用端子等との間を、金線等のワイヤで接続するワイヤ
ボンディングにおいては、一般に、軸心にワイヤを通す
ための細穴を有するキャピラリと呼ばれるツールが用い
られる。
【0003】キャピラリは、主としてボールボンディン
グ用として用いられ、その先端部、ワイヤの出口には、
チャンファと呼ばれるボール押圧の際、接合部の形状を
決める凹状の部分が設けられている。
グ用として用いられ、その先端部、ワイヤの出口には、
チャンファと呼ばれるボール押圧の際、接合部の形状を
決める凹状の部分が設けられている。
【0004】図2は、第2ボンド点におけるワイヤボン
ドの従来例を説明するための断面図である。
ドの従来例を説明するための断面図である。
【0005】図中、1はキャピラリ、2は押圧面となる
底辺部、3はチャンファ、5はワイヤ(第1ボンド
側)、6はワイヤ(供給側)、7は第2ボンド接合部、
8はボンディングパッド、9は表面保護用の保護膜、1
0は半導体チップを示す。
底辺部、3はチャンファ、5はワイヤ(第1ボンド
側)、6はワイヤ(供給側)、7は第2ボンド接合部、
8はボンディングパッド、9は表面保護用の保護膜、1
0は半導体チップを示す。
【0006】最初の接合、第1ボンドでは、ワイヤ先端
に形成されるボールをキャピラリ1のチャンファ3で押
しつけて接合(ボールボンディング)し、次の接合点ま
でワイヤ5を張った後、第2ボンドを行う。
に形成されるボールをキャピラリ1のチャンファ3で押
しつけて接合(ボールボンディング)し、次の接合点ま
でワイヤ5を張った後、第2ボンドを行う。
【0007】図2に示すように、第2ボンドは、ワイヤ
5をキヤピラリ1の先端、底辺部2で、ボンディングパ
ッド8に押圧して行い、第2ボンド接合部7を形成す
る。接合後、供給側のワイヤ6は引き上げられ、接合部
7から切り離される。
5をキヤピラリ1の先端、底辺部2で、ボンディングパ
ッド8に押圧して行い、第2ボンド接合部7を形成す
る。接合後、供給側のワイヤ6は引き上げられ、接合部
7から切り離される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従来使用されているキ
ャピラリでは、図2に示したように、ワイヤ5を押圧す
る底辺部2の形状は、チャンファ3の端部から外側に向
かって、単調な緩い傾斜をもつように、又は傾斜なしに
平坦に構成されている。
ャピラリでは、図2に示したように、ワイヤ5を押圧す
る底辺部2の形状は、チャンファ3の端部から外側に向
かって、単調な緩い傾斜をもつように、又は傾斜なしに
平坦に構成されている。
【0009】そのため、第2ボンド接合部7は、圧接に
よるワイヤ5の潰れが全体的に大きく、接合部の厚さ
は、厚い部分でも5μm程度と極めて薄く形成される。
よるワイヤ5の潰れが全体的に大きく、接合部の厚さ
は、厚い部分でも5μm程度と極めて薄く形成される。
【0010】第2ボンドを行うボンディングパッド8の
材質がアルミニウム系で、ワイヤ5が金線の場合には、
金はアルミニウムに拡散し易い材料であることから、高
温下に放置されると、両者の合金化が進むと共に金層が
食われるので、接合部の金の厚さが薄い場合には、比較
的短時間の内に接合部が脆弱化し断線を生じ易くなると
いう問題あった。
材質がアルミニウム系で、ワイヤ5が金線の場合には、
金はアルミニウムに拡散し易い材料であることから、高
温下に放置されると、両者の合金化が進むと共に金層が
食われるので、接合部の金の厚さが薄い場合には、比較
的短時間の内に接合部が脆弱化し断線を生じ易くなると
いう問題あった。
【0011】本発明は、上記問題点を解消し、その使用
により信頼性の高い第2ボンド接合部が得られるボンデ
ィング用キャピラリを提供しようとするものである。
により信頼性の高い第2ボンド接合部が得られるボンデ
ィング用キャピラリを提供しようとするものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第1の発明のボンディング用キャピラリは、先端、
中央部にボールボンディング用のチャンファをもつワイ
ヤボンド用キャピラリにおいて、該チャンファの外側の
底辺部に、圧接によるワイヤ潰れを制限するための凹み
部分を設けた。
に、第1の発明のボンディング用キャピラリは、先端、
中央部にボールボンディング用のチャンファをもつワイ
ヤボンド用キャピラリにおいて、該チャンファの外側の
底辺部に、圧接によるワイヤ潰れを制限するための凹み
部分を設けた。
【0013】また、第2の発明は、第1の発明におい
て、前記凹み部分を、その外側端部を下方に張り出させ
て、凹状に形成した。
て、前記凹み部分を、その外側端部を下方に張り出させ
て、凹状に形成した。
【0014】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の一実施例のボン
ディング用キャピラリを用いて第2ボンド点のワイヤボ
ンディングを行う場合の、ボンデイング要部の断面図で
ある。
ディング用キャピラリを用いて第2ボンド点のワイヤボ
ンディングを行う場合の、ボンデイング要部の断面図で
ある。
【0015】キャピラリ1の先端、中央部に設けられた
チャンファ3の外側の底辺部2には、第2ボンド用凹み
部4が設けられている。
チャンファ3の外側の底辺部2には、第2ボンド用凹み
部4が設けられている。
【0016】ボンディングワイヤとしては種々のものが
用いられるが、使用ワイヤ径が25μmのキャピラリの
場合で一例を挙げると、凹み部4の断面形状は、キャピ
ラリ先端面から軸心方向への深さが、最深部で15μ
m、外側端部で10μm程度、軸心と直角方向の長さが
15μm程度にする。
用いられるが、使用ワイヤ径が25μmのキャピラリの
場合で一例を挙げると、凹み部4の断面形状は、キャピ
ラリ先端面から軸心方向への深さが、最深部で15μ
m、外側端部で10μm程度、軸心と直角方向の長さが
15μm程度にする。
【0017】上記のような凹み部4を設けたことによ
り、第2ボンドの際のキャピラリ押圧によるワイヤ5の
潰れが制限され、例示寸法の場合には、第2ボンド接合
部は、その厚さが少なくとも10μm程度、長さが15
μm程度に形成されるようになる。
り、第2ボンドの際のキャピラリ押圧によるワイヤ5の
潰れが制限され、例示寸法の場合には、第2ボンド接合
部は、その厚さが少なくとも10μm程度、長さが15
μm程度に形成されるようになる。
【0018】また、図示したように、凹み部4の外側端
部を下方に張り出させて凹状に形成したことにより、キ
ャピラリ押圧の際、ワイヤがよく掴まえられ、圧接圧力
や、通常同時に印加する超音波が効率よく加えられるの
で、強固な第2ボンド接合部が得られる。
部を下方に張り出させて凹状に形成したことにより、キ
ャピラリ押圧の際、ワイヤがよく掴まえられ、圧接圧力
や、通常同時に印加する超音波が効率よく加えられるの
で、強固な第2ボンド接合部が得られる。
【0019】上記のように、第2ボンド接合部が従来の
キャピラリ使用の場合に比べ十分に厚く形成されるの
で、アルミニウム系ボンディングパッドに金線を圧接す
るような場合でも高い信頼性が得られる。
キャピラリ使用の場合に比べ十分に厚く形成されるの
で、アルミニウム系ボンディングパッドに金線を圧接す
るような場合でも高い信頼性が得られる。
【0020】なお、凹み部4の断面形状について上記に
例示したが、本発明はそれら寸法に限定されるものでは
なく、一般的には、凹み部4は、キャピラリ先端面から
軸心方向への深さが使用ワイヤ径の1/5以上で、かつ
軸心と直角方向への長さがワイヤ径の1/5以上である
ように構成すれば、同様な効果が得られる。
例示したが、本発明はそれら寸法に限定されるものでは
なく、一般的には、凹み部4は、キャピラリ先端面から
軸心方向への深さが使用ワイヤ径の1/5以上で、かつ
軸心と直角方向への長さがワイヤ径の1/5以上である
ように構成すれば、同様な効果が得られる。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のボンディ
ング用キャピラリは、先端、中央部にボールボンディン
グ用のチャンファをもつワイヤボンド用キャピラリにお
いて、該チャンファの外側の底辺部に、圧接によるワイ
ヤ潰れを制限するための凹み部を設けたので、その形状
を設定することにより、第2ボンド接合部の厚さを所要
値に保持させることができ、ボンディングパッドの材質
がアルミニウム系で、ワイヤ5が金線の場合でも、高温
下放置に耐えられる信頼性の高い接合部を得ることがで
きる。
ング用キャピラリは、先端、中央部にボールボンディン
グ用のチャンファをもつワイヤボンド用キャピラリにお
いて、該チャンファの外側の底辺部に、圧接によるワイ
ヤ潰れを制限するための凹み部を設けたので、その形状
を設定することにより、第2ボンド接合部の厚さを所要
値に保持させることができ、ボンディングパッドの材質
がアルミニウム系で、ワイヤ5が金線の場合でも、高温
下放置に耐えられる信頼性の高い接合部を得ることがで
きる。
【0022】また、上記凹み部分を、その外側端部を下
方に張り出させて、凹状に形成することにより、圧接圧
力や超音波を効率よく加えることが可能となり、強固な
接合部を得ることができる。
方に張り出させて、凹状に形成することにより、圧接圧
力や超音波を効率よく加えることが可能となり、強固な
接合部を得ることができる。
【図1】本発明のボンディング用キャピラリによる第2
ボンドの説明図である。
ボンドの説明図である。
【図2】従来のボンディング用キャピラリによる第2ボ
ンドの説明図である。
ンドの説明図である。
1 キャピラリ 2 底辺部 3 チャンファ 4 第2ボンド用凹み部 5 ワイヤ(第1ボンド側) 6 ワイヤ(供給側) 7 第2ボンド接合部 8 ボンディングパッド 9 保護膜 10 半導体チップ
Claims (3)
- 【請求項1】先端、中央部にボールボンディング用のチ
ャンファをもつワイヤボンド用キャピラリにおいて、該
チャンファの外側の底辺部に、圧接によるワイヤ潰れを
制限するための凹み部分を設けたことを特徴とするワイ
ヤボンド用キャピラリ。 - 【請求項2】前記凹み部分を、そのキャピラリ先端面か
ら軸心方向への深さが使用ワイヤ径の1/5以上で、か
つ軸心と直角方向への長さがワイヤ径の1/5以上であ
るように構成したことを特徴とする請求項1のワイヤボ
ンド用キャピラリ。 - 【請求項3】前記凹み部分を、その外側端部を下方に張
り出させて、凹状に形成したことを特徴とする請求項1
又は2のワイヤボンド用キャピラリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10033668A JPH11219972A (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | ワイヤボンド用キャピラリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10033668A JPH11219972A (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | ワイヤボンド用キャピラリ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11219972A true JPH11219972A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=12392850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10033668A Pending JPH11219972A (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | ワイヤボンド用キャピラリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11219972A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101252112B (zh) | 2007-02-21 | 2011-04-13 | 株式会社新川 | 半导体装置及引线接合方法 |
-
1998
- 1998-01-29 JP JP10033668A patent/JPH11219972A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101252112B (zh) | 2007-02-21 | 2011-04-13 | 株式会社新川 | 半导体装置及引线接合方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06338504A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH02123685A (ja) | 金を含むワイヤを半田に接着する方法 | |
| JPS63248578A (ja) | 被覆線の超音波ボンデイング方法 | |
| JP2003133497A (ja) | 薄型半導体素子 | |
| JPH11219972A (ja) | ワイヤボンド用キャピラリ | |
| JP2009530872A (ja) | 細いアルミニウムワイヤのためのアルミニウムバンプボンディング | |
| JP2980447B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置製造用キャピラリー | |
| JP2000091372A (ja) | 電子部品及びそのワイヤボンディングに使用するキャピラリ | |
| JPH0653271A (ja) | 半導体装置のワイヤーボンディング方法 | |
| JP2795730B2 (ja) | 被覆線の超音波ワイヤボンディング方法及び被覆線の超音波ワイヤボンディング用外部リード | |
| JPS59172757A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0529404A (ja) | Al配線リードのボンデイング用ツール | |
| JPH04255237A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2741204B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5923419Y2 (ja) | ワイヤボンデイング用キヤピラリ− | |
| JPH0428241A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2912128B2 (ja) | キャピラリおよびリードフレームならびにそれらを用いたワイヤボンディング方法 | |
| JPH1084064A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH04256330A (ja) | ワイヤーボンディング方法及びワイヤーボンディング装置 | |
| JPH10144717A (ja) | 半導体素子の接続構造および接続方法 | |
| JPH1154539A (ja) | ワイヤーボンディング用キャピラリー | |
| JP2002329740A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JPS6373632A (ja) | 電子装置の製造方法 | |
| JPH10189640A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2003007756A (ja) | ワイヤボンディングを用いた接続構造 |