JPH11219988A - プローブ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 測定に関わる担当者の手間及び労力を軽減し
て製品コストを低減すること。作業者の測定ミスを無く
すこと。 【解決手段】 チップ位置比較判定部は半導体ウェハの
チップのパターンをパターン読取り部により読み取っ
て、測定チップか非測定チップかを判別するための測定
用のマップ情報を作成して測定マップメモリに格納す
る。半導体ウェハのチップ測定時、ステージ制御部は前
記測定マップ情報に基づいて、プロービング部が測定チ
ップのみに接触するようにステージを動かす。このため
プロービング部はウェハのチップ配列形状に応じて測定
チップのみに順番に接触するため、検査制御部は円滑に
測定チップの電気的特性を測定する。このためウェハ上
のチップ配列形状が変わってもテストプログラム又は品
種パラメータは一種類だけ準備すればよく、評価技術者
や現場技術者の手間を省くと共に作業者のミス測定を無
くすことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、製品チップとＴＥ
Ｇチップとを混合して形成したウェハを測定するプロー
ブ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来からプローブ装置は、被測定体、例
えば半導体ウェハ上に多数形成された半導体チップの夫
々の電気特性を測定する。この測定により不良と判定さ
れた半導体チップをアセンブリ工程の前で排除すること
により、コストダウンや生産性の向上が図られている。

【０００３】ここで、被測定対象であるウェハには、図
９に示すように製品チップ（Ｐ１〜Ｐ４６）だけで形成
されたウェハ、図１０、図１１に示すように製品チップ
（Ｐ）に混じって、プロセス等の良否状態を調査する等
の目的で形成されるＴＥＧ（ｎ）チップが配してあるウ
ェハがあり、図１０はＴＥＧチップの数が多い場合の例
で、図１１はＴＥＧチップの数が少ない場合の例であ
る。

【０００４】新規開発の製品やプロセス条件を変更した
場合、図１０のウェハ→図１１のウェハ→図９のウェハ
という具合に、歩留まりの向上（プロセスの安定）と共
にウェハ上のチップの製品チップとＴＥＧチップの配列
形状（以降単に配列形状と称する）を変えて（ＴＥＧチ
ップの数を減らして）生産することがよく行われる。

【０００５】図１２はウェハを測定する場合のプローブ
装置と測定を制御する外部制御装置（通常、テスタ）と
の接続関係を示した図である。外部制御装置（テスタ
ー）１にプローブ装置２が接続線３により接続されて
る。このプローブ装置２によりウェハ１１が測定され
る。

【０００６】図１３は図１２に示した従来のプローブ装
置２の構成例を示したブロック図である。プローブ装置
２はウェハ１１上のチップに接触して電気的特性を検出
するプロービング部２２、このプロービング部２２を制
御するプロービング制御部２４、ウェハ１１を載置して
移動させるチャックステージ２１、このチャックステー
ジ２１の移動を制御するステージ制御部２３及びプロー
ビング部２２からの検出情報に基づいて前記チップの電
気的特性を測定する検査制御部２５を有している。

【０００７】図１４、図１５、図１６は、上記したプロ
ーブ装置２により、図９、図１０、図１１に示したチッ
プ配列形状のウェハを測定する場合の測定動作例、即ち
チャックステージ２１の動作例を示したものである。プ
ローブ装置のプロービング部２２で、図１４、図１５、
図１６に示したような動きでウェハ上の各チップを測定
する場合、測定するチップの設定は、テスター１内のテ
ストプログラムに測定するチップのアドレスを定義して
行う方法（以降測定方法Ａと称する）と、プローブ装置
２内の品種パラメータに測定するチップのアドレスを設
定して行う方法（以降測定方法Ｂと称する）の２通りが
あり、いずれかの方法でも測定可能である。

【０００８】しかしながら、測定方法Ａを用いるにし
ろ、測定方法Ｂを用いるにしろ、図９、図１０、図１１
のようにウェハ上のチップの配列形状が違った揚合、そ
のパターン毎に予め用意しておいたテストプログラムま
たは品種パラメータを選んで測定を行う必要がある。

【０００９】図１７は、図１３に示したチャックステー
ジ２１を移動制御するための従来の処理手順を示したフ
ローチャートである。まず、チャックステージ２１を移
動させるため［Ａ］から実行する。この時点で、ある製
品チップは電気特性を検査し終わった状態である。ステ
ージ制御部２３はステップ２００にて、ウェハ１１上に
マトリックス状に配置された測定対象のチップが測定行
最後のチップであるかをどうかを判断し、ステップ２０
０で測定行最後のチップであると判断した場合はステッ
プ２０１で測定列最後のチップかどうかを判断する。

【００１０】ステップ２００で測定行最後のチップでな
いと判断した場合はステップ２１０にて行方向に１チッ
プサイズ分、チャックステージ２１を移動し、次のチッ
プの測定となる［Ｂ］に処理を進める。ステップ２００
で測定行最後のチップであると判断した場合はステップ
２０１に行き、測定列の最後がどうかを判定する。その
結果、最後である場合は新しいウェハのチャックステー
ジ２１への移動になる［Ｃ］に処理を進める。最後でな
い場合、制御部２３はステップ２１１で次のチップまで
の移動データをロードした後、ステップ２１２に進ん
で、チャックステージ２１を行方向及び列方向に１チッ
プサイズ分移動し、次のチップの測定となる［Ｂ］に処
理を進める。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上記のように従来のプ
ローブ装置を用いて、各種チップ配列形状のウェハの測
定を行うに際して、測定方法Ａ、Ｂのいずれを用いるに
せよ、測定するチップの設定を行なわなけれならず、評
価技術者或いは現場技術者はウェハのチップ配列形状分
のテストプログラムか、或いは品種パラメータを用意し
ておく必要があり、当然のことながら、テストプログラ
ム、或いは品種パラメータの動作確認も全ケース行って
置かねばならず、これに手間及び労力が掛かって製品コ
ストのアップに繋がるという問題があった。

【００１２】また、作業者はウェハのチップ配列形状毎
に用意してあるテストプログラムや品種パラメータを意
識して使い分ける必要があり、品種数が多くなると、こ
の使い分けが困難になるばかりでなく、間違えて測定し
てしまう危険性が増大するという問題があった。

【００１３】又、工場などでＣＩＭを構築して生産して
いるケースもあるが、ウェハ上のチップ配列形状毎の情
報登録が必要なことには変わりがなく、評価技術者、或
いは現場技術者の手間及び労力は変わらず、製品コスト
のアップ要因の解消にはならないという問題があった。
また作業者が、ウェハ形状を意識する必要があることも
変わず、ミス測定の危険性を解消することもできないと
いう問題があった。

【００１４】本発明は上述の如き従来の課題を解決する
ためになされたもので、測定に関わる担当者の手間及び
労力を軽減して製品コストを低減することができると共
に、作業者の測定ミスを無くすことができるプローブ装
置を提供することである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の発明の特徴は、半導体ウェハ上に形成された
複数のチップの電気的特性を測定するプローブ装置にお
いて、前記ウェハ上の各チップのパターンを光学的に読
み取ってチップパターン情報を得るパターン読取手段
と、前記チップパターン情報に基づいて前記各チップが
測定対象チップか、非測定対象チップかを区別するマッ
プ情報を作成する情報作成手段と、前記マップ情報に基
づいて測定対象チップのみを選択して電気的特性を順次
測定する測定制御手段とを備えたことにある。

【００１６】この第１の発明によれば、半導体ウェハ上
に形成された各チップのパターンを読み取って、ウェハ
上に配列された各チップが測定対象チップか、或いは非
測定対象チップかを区別するマップ情報を作成し、この
マップ情報に基づいて、測定対象チップのみを選択し、
選択した測定対象チップの電気的特性を順次測定する。
これにより、評価技術者或いは現場技術者は一種類のテ
ストプログラムか或いは品種パラメータを用意すればよ
く、手間及び労力が軽減する。また、作業者は一種類の
テストプログラムか或いは品種パラメータウェハを意識
すればよく、作業者のミス測定はなくなる。

【００１７】第２の発明の特徴は、前記測定制御手段は
前記情報作成手段により、前記半導体チップのパターン
読取手段により読み取ったチップパターン情報に基づい
て前記マップ情報を作成した直後、このマップ情報によ
って前記チップが測定対象チップであると判断された場
合、当該チップの電気的特性を直ちに測定することにあ
る。

【００１８】この第２の発明によれば、マップ情報を作
成するための１枚目のウェハはチップ配列形状を読み取
ってマップ情報を作成する際に、作成されたばかりのマ
ップ情報を用いて電気的特性が測定されるため、マップ
情報の作成と共に、チップの電気的特性も測定でき、無
駄を省くことができる。

【００１９】第３の発明の特徴は、前記測定制御手段
は、前記情報作成手段が前記半導体チップの全てについ
の前記マップ情報を作成した後、このマップ情報に基づ
いて前記半導体ウェハ上の測定対象チップのみを順次選
択して電気的特性を順次測定することにある。

【００２０】第４の発明の特徴は、前記測定制御手段は
前記情報作成手段により作成された前記マップ情報に基
づいて、前記半導体ウェハを載置したステージを移動さ
せる移動手段を有し、この移動手段により前記半導体ウ
ェハ上の測定対象チップの位置決めを行うことにある。

【００２１】この第４の発明によれば、マップ情報に基
づいてステージを移動させることにより、電気的測定を
行うプローブビング部の直下に、測定対象チップが来る
ように位置決めした後、プローブビング部を測定対象チ
ップに接触させて、電気的特性を測定する。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１は本発明のプローブ装置の一
実施の形態を示したブロック図である。但し、従来例に
対応する部品には同一符号を用いて示してある。ウェハ
１１上のチップに接触して検出情報を取るプロービング
部２２は、このプロービング部２２を制御するプロービ
ング制御部２４を介して前記検出情報から電気的特性を
測定する検査制御部２５に接続されている。又、検査制
御部２５には、半導体ウェハ１１上のチップ配列形状を
読み取るパターン読み取り部２７がチップ位置比較判定
部２６を介して接続されている。チップ位置比較判定部
２６はパターン読み取り部２７により読み取ったパター
ンに基づいて作成した測定用のマップ情報を格納する測
定マップメモリ２８を接続している。更に、検査制御部
２５には、測定マップメモリ２８の情報に基づいてチャ
ックステージ２１を移動させるステージ制御部２３を接
続している。

【００２３】次に本実施の形態の動作について説明す
る。まず、ウェハ１１上のチップ位置を特定し、測定マ
ップを作成する仕組みを図２を参照して説明する。検査
制御部２５では、製品測定に必要なチップサイズ、ウェ
ハサイズ、オリフラの向きなどの製品情報を品種パラメ
ータ１３として登録してある。本例では、品種パラメー
タにチップパターン情報を新たに追加している。

【００２４】ウェハ１１上に生成されたチップ１２のパ
ターンは、パターン読み取り部２７を構成するカメラ３
０で読み込まれ、パターン変換部２９でパターン情報化
することでチップパターン１５に変換される。読み取ら
れたチップパターン１５は、チップ位置比較判定部２６
により、品種パラメータ１３に登録された製品のパター
ン情報である基準チップパターン１４と比較判定され、
製品チップかそうでないかに区別される。その結果より
測定マップ情報１６を作成し、これを測定マップメモリ
２８に格納する。

【００２５】図３、４及び図５、６はウェハ１１上の半
導体チップ測定に際して、どのように測定マップ情報を
作成するかの処理手順を示したフローチャートである。
図３、４に示した方法１の処理手順はウェハ１枚目の時
に予め測定マップを作成し、その後、測定を行う方法
を、図５、６に示した方法２の処理手順はウェハ１枚目
の測定マップの作成と測定を同時に行う方法を示してい
る。

【００２６】次に図３のフローチャートに基づいて、上
記した方法１の処理について説明する。まず、ウェハ
（ロット）１１の測定を開始し、ステップ１００にて、
検査制御部２５は測定対象のウェハが１枚目か否かを判
断し、測定対象のウェハが１枚目であれば、ステップ１
０１に進んで、前ウェハ（ロット）と同じ条件での測定
で良いかどうかの判断を行う。同じ測定でよい場合は、
例えば、プローブ装置の次カセットに連続測定用のウェ
ハがセットされている時などである。ステップ１００で
測定ウェハ１１が１枚目でないと判断した場合や、ステ
ップ１０１で前ウェハ（ロット）と同じ条件での測定で
良いと判断した場合、ステージ制御部２３はステップ１
１６で測定マップメモリ２８に格納されている測定マッ
プ情報を読み込む。

【００２７】またステップ１０１で新たな測定と判断し
た場合、チップ位置比較判定部２６はステップ１１１で
ウェハ１１上のチップ配列形状を読み込んでパターン情
報に変換する。チップ位置比較判定部２６は、ステップ
１０２にて、前記パターン情報と品種パラメータに登録
された基準パターン情報との比較を行うことで、製品チ
ップかどうかの判断を行い、製品チップと判断したらス
テップ１１２で測定マップ情報に測定チップであるとセ
ットし、製品チップでないと判断したらステップ１１３
で前記測定マップ情報に非測定チップであるとセットす
る。

【００２８】次にチップ位置比較判定部２６はステップ
１０３でウェハ１１上の全チップについてマップ情報の
作成を終了したかどうか判断し、全チップの比較判定が
終了したのであれば、ステップ１１５にて、作成した測
定マップ情報を測定マップメモリ２８に格納する。ま
だ、全チップの比較判定が終了していなければ、ステッ
プ１１４にて次のチップ位置ヘチャックステージ２１を
移動し、ステップ１０２からの処理を繰り返す。

【００２９】上記したステップ１１５又はステップ１１
６の処理により、測定マップ情報が確定したら、検査制
御部２５は図４のステップ１１７にて、プロービング制
御部２４を起動した後、プロービング部２２を用いてウ
ェハ１１の測定を行う。即ち、プロービング部２２によ
り得られた測定チップの電圧や電流などの検出情報はプ
ロービング制御部２４を介して検査制御部２５に入力さ
れるが、検査制御部２５は更にこの情報を図示されない
テスタ（図１２に示したテスタ１と同じもの）に渡す。
テスタは前記検出情報に基づいて測定チップの良否を判
定する。この際、ステージ制御部２３はチャックステー
ジ２１をマップ情報に基づいて移動させることにより、
ウェハ１１上の測定対象チップの電気的特性を間違えな
く測定し、測定が終わると、ステップ１０４でロットエ
ンド（全ウェハ測定終了）かどうかを判断し、ロットエ
ンドであればステップ１１８でウェハ測定終了の処理を
行い、ステップ１０５で連続測定するロットがあるか
（次カセットに連続測定用のロットがセットされている
かなど）を判断する。連続測定するロットがなければ、
測定終了となる。

【００３０】また、ステップ１０４でロットエンドでな
いと判断したり、ステップ１０５で連続測定するロット
があると判断した場合、検査制御部２５は図示されない
搬送装置により次のウェハ１１をチャックステージ２１
に載せ、図３のステップ１００からの処理を繰り返す。

【００３１】図５は上記した方法２の測定の処理手順を
示したフローチャートである。この方法では、図３で示
した処理手順のステップ１１２とステップ１０３との間
に、ステップ１２０の処理が挿入され、このステップ１
２０の処理により、ステップ１１１でパターンを読み込
んだチップ１２で、且つこのパターンから得られたマッ
プ情報によりこのチップ１２が測定対象チップであった
場合、検査制御部２５はプロービング制御部２４及びプ
ロービング部２２を用いてこのチップの電気的特性を測
定する。従って、測定用のマップ情報を作成した１枚目
のウェハ１１に対しては、図６に示したステップ１１７
のウェハ１１の測定処理をしないで済む分、効率よく処
理を進めることができる。即ち、方法２はウェハ１枚目
の測定とマップ情報の作成を同時に行うという点で、方
法１との違いがある。

【００３２】図７は、図１に示したチャックステージ２
１を移動制御するための処理手順を示したフローチャー
トである。まず、チャックステージ２１を移動させるた
め［Ａ］から実行する。この時点で、ある製品チップは
電気特性を検査し終わった状態である。また図３、４及
び図５、６で説明したように、ステージ制御部２３は予
めステップ２１３で、測定マップメモリ２８から測定用
のマップ情報を読み込んだ状態である。ステージ制御部
２３はステップ２００にて、ウェハ１１上にマトリック
ス状に配置された測定対象のチップが測定行最後のチッ
プであるかをどうかを判断し、測定行最後のチップと判
断した場合はステップ２０１で測定列最後のチップかど
うかを判断する。

【００３３】ステップ２００で測定行最後のチップでな
いと判断した場合はステップ２０２で製品チップかどう
かを判断する。ステップ２０２で製品チップと判断すれ
ば（図１１のｐ１、ｐ２、ｐ４、ｐ６〜ｐ１３、ｐ１５
〜ｐ１９、ｐ２１〜ｐ２８、ｐ３０〜ｐ３４、ｐ３６、
ｐ３７、ｐ３９の場合）、ステージ制御部２３はステッ
プ２１０で列方向に１チップサイズ分、チャックステー
ジ２１を移動し、次のチップの測定となる［Ｂ］に処理
を進める。ステップ２０２にて、製品チップでないと判
断すれば（図１１のｎ１〜ｎ８の場合）、ステップ２１
４で列方向に１チップサイズ分のステージ２１を移動
し、ステップ２００からの処理を繰り返す。

【００３４】ここで、図８は、図１に示したステージ制
御部２３の構成例を示したブロック図である。ステージ
制御部２３は、Ｘ／Ｙコントローラ部３５、Ｘ座標位置
を計算するＸＡＤＤＲ部３１、Ｙ座標位置を計算するＹ
ＡＤＤＲ部３２、チャックステージ２１をＸ軸方向に移
動させるＸモータ駆動部３３、チャックステージ２１を
Ｙ軸方向に移動させるＹモータ駆動部３４を有してい
る。Ｘ／Ｙコントローラ部３５は測定マップメモリ２８
からの測定マップ情報をもとに、チャックステージ２１
の移動目標位置を示すＸ、Ｙ座標値を、ＸＡＤＤＲ部３
１、ＹＡＤＤＲ部３２により求め、求めた目標位置にＸ
モータ駆動部３３、Ｙモータ駆動部３４によりチャック
ステージ２１を移動する。

【００３５】ステージ制御部２３は図７のステップ２０
１で、測定列最後のチップと判断すれば（図１１のｐ４
０で示したウェハの最終測定チップの場合）、次のウェ
ハ１１の測定のため、測定終了ウェハ１１のステージ２
１から格納場所への移動と、新しいウェハ１１のステー
ジ２１上への移動となる［Ｃ］に処理を進める。

【００３６】ステージ制御部２３はステップ２０１で測
定列最後のチップでないと判断すれば、ステップ２１１
で次のチップまでの移動データを読み込み、ステップ２
１２でステップ２１１で読み込んだ移動データをもとに
行と列の方向に次のチップまでステージ２１を移動した
後、ステップ２０３で製品チップかどうか判断する。

【００３７】ステップ２０３で製品チップと判断すれば
（図１１のｐ３、ｐ５、ｐ１４、ｐ２０、ｐ２９、ｐ３
５、３８の揚合）、次のチップの測定となる［Ｂ］に処
理を進める。ステップ２０３で製品チップでないと判断
すれば（図１２のケースでは存在しない）、ステップ２
１４で列方向に１チップサイズ分のステージを移動した
後、ステップ２００からの処理を繰り返す。

【００３８】上記した図７に示したフローチャートに従
って、チャックステージ２１を移動して、図１１に示し
たようなチップ配列形状のウェハ１１を測定すると、図
１６の矢印で示した如くチャックステージ２１が移動す
るように、ステージ制御部２３によるステージ移動制御
が行われる。同様に、図９に示したチップ配列形状のウ
ェハは図１４に示した如くチャックステージ２１が移動
するように、又、図１０に示したウェハは図１５に示し
た如くチャックステージ２１が移動するように、ステー
ジ制御部２３によるステージ移動制御が行われ、ＴＥＧ
チップが混在したウェハ１１の測定を可能にしている。

【００３９】本実施の形態によれば、パターン読み取り
部２７とチップ位置比較部２６により、半導体ウェハ１
１上の各チップ１２のパターンを読み取って、測定、非
測定チップを区別するマップ情報を得ることができ、こ
のマップ情報に基づいて、ステージ制御部２３がステー
ジ２１を移動することによりプロービング部２２が測定
チップ１２の真上に来るように位置決めした後、プロー
ビング部２２を真下の測定チップに接触させて電気的特
性を測定することにより、ＴＥＧチップが混在するウェ
ハ上のチップ配列形状が変わっても、テストプログラム
又は品種パラメータは一種類だけ準備すればよく、評価
技術者や現場技術者の手間が省け、製品コストを低減す
ることができる。又、作業者に対しても、同じ製品であ
れば基本的に一種類だけのテストプログラム又は品種パ
ラメータだけがあることなり、負担が軽減できるのは勿
論、テストプログラム又は品種パラメータを間違えて測
定してしまうというミスを撲滅することができる。

【００４０】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明のプ
ローブ装置によれば、測定に関わる担当者の手間及び労
力を軽減して製品コストを低減することができると共
に、作業者の測定ミスを無くすことができ、製品の歩留
まりの向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプローブ装置の一実施の形態を示した
ブロック図である。

【図２】図１に示した装置における半導体チップのパタ
ーン読み取りに基づいたマップ情報の作成方法を示した
説明図である。

【図３】図１に示した装置によりマップ情報を作成して
半導体チップの電気的特性を測定する処理手順を示した
フローチャートである。

【図４】図１に示した装置によりマップ情報を作成して
半導体チップの電気的特性を測定する処理手順を示した
フローチャートである。

【図５】図１に示した装置によりマップ情報を作成して
半導体チップの電気的特性を測定する他の処理手順を示
したフローチャートである。

【図６】図１に示した装置によりマップ情報を作成して
半導体チップの電気的特性を測定する他の処理手順を示
したフローチャートである。

【図７】図１に示したステージ制御部によるステージの
移動制御処理手順を示したフローチャートである。

【図８】図１に示したステージ制御部の構成例を示した
ブロック図である。

【図９】従来の製品チップだけで形成されたウェハの平
面摸式図である。

【図１０】従来のＴＥＧチップと製品チップが混在して
形成されたウェハの平面摸式図である。

【図１１】従来のＴＥＧチップと製品チップが混在して
形成された他のウェハの平面摸式図である。

【図１２】従来の半導体ウェハ上のチップの電気的特性
を測定する半導体ウェハ検査装置の概略構成例を示した
ブロック図である。

【図１３】図１３に示したプローブ装置の構成例を示し
たブロック図である。

【図１４】図１０に示したウェハを載置したステージの
移動例を示した平面図である。

【図１５】図１１に示したウェハを載置したステージの
移動例を示した平面図である。

【図１６】図１２に示したウェハを載置したステージの
移動例を示した平面図である。

【図１７】図１３に示したステージ制御部によるステー
ジの移動制御処理手順を示したフローチャートである。

【符号の説明】

１１ 半導体ウェハ（ウェハ） １２ 製品チップ １３ 品種パラメータ １４ 基準チップパターン １５ 製品チップパターン １６ 測定マップ情報 ２１ ステージ（チャックステージ） ２２ プロービング部 ２３ ステージ制御部 ２４ プロービング制御部 ２５ 検査制御部 ２６ チップ位置比較判定部 ２７ パターン読み取り部 ２８ 測定マップメモリ ２９ パターン変換部 ３０ カメラ ３１ ＸＡＤＤＲ部 ３２ ＹＡＤＤＲ部 ３３ Ｘモータ駆動部 ３４ Ｙモータ駆動部 ３５ Ｘ／Ｙコントローラ部

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウェハ上に形成された複数のチッ
   プの電気的特性を測定するプローブ装置において、 前記ウェハ上の各チップのパターンを光学的に読み取っ
   てチップパターン情報を得るパターン読取手段と、 前記チップパターン情報に基づいて前記各チップが測定
   対象チップか、非測定対象チップかを区別するマップ情
   報を作成する情報作成手段と、 前記マップ情報に基づいて測定対象チップのみを選択し
   て電気的特性を順次測定する測定制御手段とを備えたこ
   とを特徴とするプローブ装置。
2. 【請求項２】 前記測定制御手段は前記情報作成手段に
   より、前記半導体チップのパターン読取手段により読み
   取ったチップパターン情報に基づいて前記マップ情報を
   作成した直後、このマップ情報によって前記チップが測
   定対象チップであると判断された場合、当該チップの電
   気的特性を直ちに測定することを特徴とする請求項１記
   載のプローブ装置。
3. 【請求項３】 前記測定制御手段は、前記情報作成手段
   が前記半導体チップの全てについて前記マップ情報を作
   成した後、このマップ情報に基づいて前記半導体ウェハ
   上の測定対象チップのみを順次選択して電気的特性を順
   次測定することを特徴とする請求項１記載のプローブ装
   置。
4. 【請求項４】 前記測定制御手段は前記情報作成手段に
   より作成された前記マップ情報に基づいて、前記半導体
   ウェハを載置したステージを移動させる移動手段を有
   し、この移動手段により前記半導体ウェハ上の測定対象
   チップの位置決めを行うことを特徴とする請求項１乃至
   ３いずれか１記載のプローブ装置。