JPH11220225A - ハイブリッドモジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型で且つ放熱性の良好なハイブリッドモジ
ュールを提供する 【解決手段】 回路基板１１を多層基板によって構成す
ると共に、親回路基板に実装する際に親回路基板に対向
する主面に凹部１４を形成し、凹部１４内に発熱性の回
路部品１３を実装して、回路基板１１を親回路基板に実
装したときに、回路部品１３が親回路基板に直接或いは
放熱部材を介して当接し、回路部品１３からの発熱が親
回路基板に熱伝導されて放熱されるようにハイブリッド
モジュール１０を構成する。これにより、小型にして効
率よく放熱を行うことができる。さらに、ストリップラ
イン４１をトリプレート型に形成し、信号ライン４１ａ
を挟む２つのグランドライン４１ｂ，４１ｃのうちの少
なくとも一方を回路基板１１の内層に形成する。これに
より、回路基板１１の体積を有効に利用できると共に、
モジュールの小型化を図れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回路パターンが形
成された回路基板に、積層コンデンサや積層インダクタ
などのチップ部品や半導体部品を搭載して回路を構成し
たハイブリッドモジュールに関し、特に回路基板上に電
界効果型トランジスタやパワー半導体等の発熱性を有す
る回路部品を搭載したハイブリッドモジュールに関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、回路基板上に電界効果型トランジ
スタやパワー半導体等の発熱性を有する回路部品を搭載
したハイブリッドモジュールでは、回路部品から放熱を
図るため、特殊な放熱手段を設けたものがある。例え
ば、特開平５−１３６２７号公報に示されたハイブリッ
ドモジュールでは、図２に示すように、回路基板２１に
放熱フィン２２を設け、回路基板２１上に搭載された発
熱性を有する回路部品２３を、板バネ状の熱伝導部材２
４を介して放熱フィン２２と接続したものである。この
ハイブリッドモジュール２０では、回路部品２３で発生
した熱が、放熱フィン２２を介して大気中に放出され
る。

【０００３】また、回路基板上に発熱性を有する回路部
品を搭載したハイブリッドモジュールの他の従来例とし
て、図３に示すようなものもある。このハイブリッドモ
ジュール２０’では、回路基板２５として窒化アルミニ
ウム系のセラミックが使用され、この回路基板２５上の
ランド電極２６上にチップ状電子部品２７が実装される
と共に、ランド電極２６上に半田バンプ２８を介して発
熱性を有する半導体素子等の回路部品２９が搭載されて
いる。

【０００４】また、回路基板２５は親回路基板３０上に
搭載されると共に、回路基板２５の端子電極２５ａが、
親回路基板３０上に形成されたランド電極３１に半田で
接続されている。

【０００５】さらに、回路基板２５と親回路基板３０と
の対向した面は、親回路基板３０の上に形成された熱伝
導性の良好な導体膜３２を介して接合されている。

【０００６】窒化アルミニウム系セラミックは、熱伝導
性が良い絶縁材料として注目されている。前述したハイ
ブリッドモジュールでは、回路基板２５上に搭載された
回路部品２９から発生する熱が、窒化アルミニウム系セ
ラミックからなる熱伝導性良好な回路基板２５と導体膜
３２を介して親回路基板３０へと伝導され、放熱され
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来例における前者のハイブリッドモジュール２０
は、放熱フィン２２を介して回路部品２３で発生した熱
を大気中に放出するものであり、放熱効率を高めるため
には、必然的に放熱フィン２２の表面積を広げることが
必要となる。このため、ハイブリッドモジュール２０に
おいて放熱フィン２２の占める容積が大きくなり、小型
化し難くなるという問題点があった。

【０００８】また、前述した従来例における後者のハイ
ブリッドモジュール２０’では、回路部品２９で発生し
た熱が回路基板２５を介して親回路基板３０へと放熱さ
れるため、放熱フィンは不要であり、回路基板２５が放
熱手段を兼ねるため、容積の増大はないが、窒化アルミ
ニウム系セラミックは、熱伝導性が良いものの、現在で
はアルミナ等の一般的な基板材料に比べて極めて高価で
あり、材料のコスト高を招くという問題点があった。

【０００９】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、小型
で且つ放熱性の良好なハイブリッドモジュールを提供す
ることにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために請求項１では、回路基板と、該回路基板上
に実装された発熱性を有する回路部品と、前記回路基板
に形成されたストリップラインとを備え、親回路基板上
に実装して使用されるハイブリッドモジュールにおい
て、前記回路基板は多層基板であり且つ前記親回路基板
と対向する主面に形成された凹部を有すると共に、前記
回路部品は前記回路基板の凹部内に実装され、少なくと
も１つのストリップラインは、少なくとも一方のグラン
ドラインが前記回路基板の内層に形成されたトリプレー
ト型ストリップラインからなり、前記回路部品から前記
親回路基板に熱伝導されるハイブリッドモジュールを提
案する。

【００１１】該ハイブリッドモジュールによれば、回路
基板が多層基板によって構成され、該回路基板には、親
回路基板に実装する際に親回路基板に対向する主面に凹
部が形成され、該凹部内に回路部品が実装される。これ
により、前記回路基板を親回路基板に実装したときに、
前記回路部品は親回路基板に直接或いは放熱部材を介し
て当接され、前記回路部品からの発熱は親回路基板に熱
伝導されて放熱されるので、小型にして効率よく放熱を
行うことができる。さらに、少なくとも１つのストリッ
プラインは、信号ラインを挟む２つのグランドラインの
うちの少なくとも一方が回路基板の内層に形成されたト
リプレート型に構成されているため、回路基板の体積を
有効に利用できると共に、モジュールの小型化を図れ
る。

【００１２】また、請求項２では、回路基板と、該回路
基板上に実装された発熱性を有する回路部品とを備え、
親回路基板上に実装して使用されるハイブリッドモジュ
ールにおいて、前記回路基板は前記親回路基板と対向す
る主面に形成された凹部を有し、該凹部内に前記回路部
品が実装され、前記回路部品から前記親回路基板に熱伝
導されると共に、前記回路基板には、前記主面以外の所
定の面に形成された測定用端子電極と、一端が前記測定
用端子電極に接続され且つ他端が前記回路部品の所定端
子に接続された測定用接続導体とが設けられているハイ
ブリッドモジュールを提案する。

【００１３】該ハイブリッドモジュールによれば、回路
基板には、親回路基板に実装する際に親回路基板に対向
する主面に凹部が形成され、該凹部内に回路部品が実装
される。これにより、前記回路基板を親回路基板に実装
したときに、前記回路部品は親回路基板に直接或いは放
熱部材を介して当接され、前記回路部品からの発熱は親
回路基板に熱伝導されて放熱されるので、小型にして効
率よく放熱を行うことができる。さらに、前記回路基板
には、測定用接続導体によって前記回路部品の所定端子
に接続された測定用端子電極が前記主面以外の所定の面
に形成されているため、前記凹部内に回路部品を実装し
た後にも前記測定用端子電極を用いて回路部品の評価を
容易に行うことができる。

【００１４】また、請求項３では、回路基板と、該回路
基板上に実装された発熱性を有する回路部品とを備え、
親回路基板上に実装して使用されるハイブリッドモジュ
ールにおいて、前記回路基板は前記親回路基板と対向す
る主面に形成された凹部を有し、該凹部内に前記回路部
品が実装され、前記回路部品から前記親回路基板に熱伝
導されると共に、前記凹部内の回路部品実装面は、前記
回路部品の端子と接続されるランドを有すると共に、該
回路部品実装面上のランド以外の部分はランドと絶縁さ
れたグランド導体パターンによって覆われているハイブ
リッドモジュールを提案する。

【００１５】該ハイブリッドモジュールによれば、回路
基板には、親回路基板に実装する際に親回路基板に対向
する主面に凹部が形成され、該凹部内に回路部品が実装
される。これにより、前記回路基板を親回路基板に実装
したときに、前記回路部品は親回路基板に直接或いは放
熱部材を介して当接され、前記回路部品からの発熱は親
回路基板に熱伝導されて放熱されるので、小型にして効
率よく放熱を行うことができる。さらに、前記凹部内の
回路部品実装面は、前記回路部品の端子と接続されたラ
ンド以外の部分が、ランドと絶縁されたグランド導体パ
ターンによって覆われているため、前記回路基板上に実
装された他のチップ部品や回路パターンと前記親回路基
板との間のアイソレーションが向上し、良好な特性を有
すると共にバラツキの無いモジュールが得られる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の一
実施形態を説明する。図１は、本発明の第１の実施形態
の高周波電力増幅用のハイブリッドモジュールを示す側
面断面図である。図において、１０はハイブリッドモジ
ュールで、回路パターンが形成された回路基板１１に複
数のチップ状電子部品１２と発熱性を有する半導体素子
等の回路部品１３が搭載されて構成されている。

【００１７】回路基板１１は、直方体形状のアルミナを
主体としたセラミック多層基板からなり、その底面、即
ち親回路基板３０への実装時に親回路基板に対向する主
面１１ａには、発熱性の回路部品１３を搭載するための
凹部１４が形成されている。

【００１８】凹部１４は、２段階に形成され、主面１１
ａ側に第１の凹部１４Ａが形成され、さらに第１の凹部
１４Ａ内にやや小さい第２の凹部１４Ｂが形成されてい
る。

【００１９】第２の凹部１４Ｂは、その中に実装される
回路部品１３の形状に合わせて、その縦横厚み寸法より
やや大きく形成される。さらに、この第２の凹部１４Ｂ
の底面には、前記回路部品１３の端子電極を接続するラ
ンド電極１５が形成されている。

【００２０】第２の凹部１４Ｂの中には発熱性を有する
半導体素子，ＦＥＴ等の回路部品１３が収納されると共
に、回路部品１３の端子電極は凹部１４Ｂの底面に形成
されたランド電極１５に接続され、隣り合うランド電極
１５間には絶縁性の封止樹脂が充填されている。この状
態で、回路部品１３の裏面は、第１の凹部１４Ａの底面
とほぼ同じ面となる。

【００２１】ここで、回路部品１３の端子電極とランド
電極１５との接続は、半田付けしても良いし、導電性樹
脂用いた接続、異方導電性樹脂（ＡＣＦ）用いた接続、
或いはランド電極１５上に金（Ａｕ）を用いたボールバ
ンプを形成し超音波併用熱圧着する等して行う。

【００２２】上記導電性樹脂を用いた接続では、安価で
あり、導電性樹脂によって応力を吸収できるため高信頼
性が得られるという効果がある。さらに、異方導電性樹
脂を用いれば、ランド電極１５間を絶縁する封止樹脂が
不要となり、コストの低減を図ることができる。

【００２３】また、上記ランド電極１５上にボールバン
プを形成し超音波併用熱圧着する方法によれば、ドライ
プロセスであるためメッキ液による回路部品１３へのダ
メージが少なく、設備コストを低減できると共に、回路
基板１１への回路部品１３の実装作業時間を短縮でき、
実装コストを低減できる。さらに、Au-Au接合なので接
触抵抗が少なく高信頼性を得られる。

【００２４】また、上記半田を用いた方法では、セルフ
アラインメントにより位置補正されるため、実装精度を
必要としない、また、実装時に低荷重で実装できるため
回路部品１３へのダメージが少なく、さらに、半田バン
プにより応力吸収できるため高信頼性を得られる。

【００２５】一方、第１の凹部１４Ａ内には、第１の凹
部１４Ａに嵌合する大きさの放熱板１６が装着され、放
熱板１６と第１の凹部１４Ａの底側面及び回路部品１３
の裏面との間は熱伝導性樹脂１７によって接着され、凹
部１４は放熱板１６によって封止されている。この状態
で、放熱板１６の表面は回路基板１１の主面１１ａとほ
ぼ同じ面となる。

【００２６】また、回路基板１１の主面１１ａと対向す
る面、即ち図示における回路基板１１の上面にはランド
電極１５が形成され、このランド電極１５にチップ状電
子部品１２が半田付けされ、これらのチップ状電子部品
１２は、回路基板１１の上面に嵌合する金属ケース１８
によって覆われている。さらに、回路基板１１の側面に
は回路パターンに接続された複数の端子電極１９が形成
されている。

【００２７】一方、前述したように、回路基板１１は多
層構造になっており、その内部に回路パターンが形成さ
れ、各ランド電極１５はこの回路パターンに接続され、
さらに、回路部品１３への信号供給線路及び回路部品１
３からの信号出力線路はトリプレート型ストリップライ
ン４１から構成され、このストリップライン４１の信号
ライン４１ａと、この信号ライン４１ａを挟む２つのグ
ランドライン４１ｂ，４１ｃの一方のグランドライン４
１ｂは、回路基板１１の内層に形成されている。これに
より、回路基板の体積を有効に利用して、モジュールの
小型化を図っている。

【００２８】前述の構成よりなるハイブリッドモジュー
ル１０を親回路基板に実装するときは、図４に示すよう
に、回路基板１１の回路部品１３が搭載された凹部１４
側を下側に向け、主面１１ａを親回路基板３０に対向さ
せて実装し、回路基板１１の側面の端子電極１９を親回
路基板３０のランド電極３１に半田付けする。

【００２９】この親回路基板３０の表面において、ハイ
ブリッドモジュール１０の放熱板１６と対向する位置に
は、ランド電極３１と共に、熱伝導性の導体膜３２（例
えばグランドパターン等）が予め形成されており、回路
基板１１の端子電極１９がランド電極３１に半田付けさ
れるのと同時に、この導体膜３２に放熱板１６の表面が
半田付けされる。

【００３０】尚、放熱板１６と導体膜３２とは半田付け
でなくても、単に当接させるのみ、或いは熱伝導性樹脂
を介して当接させても良いし、導体膜３２を介すること
なく放熱板１６を直接親回路基板３０の表面に当接して
も良い。

【００３１】このハイブリッドモジュールでは、発熱性
を有する半導体素子等の回路部品１３から生じる熱が放
熱板１６、熱伝導性樹脂１７及び導体膜３２を介して親
回路基板３０に伝導され、或いはグランド等の広い導体
膜に伝導されて放熱される。

【００３２】従って、小型にして効率よく放熱を行うこ
とができるハイブリッドモジュールを安価にて製造する
ことができる。

【００３３】さらに、ストリップライン４１は、信号ラ
イン４１ａを挟む２つのグランドライン４１ｂ，４１ｃ
のうちの少なくとも一方が回路基板１１の内層に形成さ
れたトリプレート型に構成されているため、回路基板１
１の体積を有効に利用できると共に、モジュールの小型
化を図ることができる。

【００３４】次に、本発明の第２の実施形態を説明す
る。

【００３５】図５は、第２の実施形態のハイブリッドモ
ジュール５０を示す側面断面図である。図において、前
述した第１の実施形態と同一構成部分は同一符号をもっ
て表しその説明を省略する。

【００３６】また、第１の実施形態と第２の実施形態と
の相違点は、回路基板１１の上面に測定用端子電極５１
を設けると共に、測定用接続導体５２を介して測定用端
子電極５１と回路部品１３の所定の端子電極とを接続し
たことにある。

【００３７】即ち、測定用接続導体５２は、例えば、回
路基板１１の所定の内層に形成されたスルーホール５３
の充填導体によって形成され、測定用接続導体５２の一
端が回路部品１３の端子電極に、また他端が測定用端子
電極５１にそれぞれ接続されている。

【００３８】前述の構成よりなるハイブリッドモジュー
ル５０によれば、第１の実施形態の効果に加えて、凹部
１４内に回路部品１３を実装した後にも測定用端子電極
５１を用いて回路部品１３の評価を容易に行うことがで
きるという効果を奏する。

【００３９】尚、第２の実施形態では測定用接続導体５
２を複数のスルーホール５３のみによって構成したが、
図６に示すように、スルーホール５３と内層導体パター
ン５４を組み合わせて構成しても良い。また、回路基板
１１に回路部品１３を実装し、測定用端子電極５１を用
いて回路部品１３の動作試験を行った後にチップ状電子
部品１２を実装するならば、測定用端子電極５１とチッ
プ状電子部品１２用のランド電極１５を併用しても良
い。

【００４０】次に、本発明の第３の実施形態を説明す
る。

【００４１】図７は、第３の実施形態のハイブリッドモ
ジュール６０を示す側面断面図である。図において、前
述した第２の実施形態と同一構成部分は同一符号をもっ
て表しその説明を省略する。

【００４２】また、第２の実施形態と第３の実施形態と
の相違点は、第２の凹部１４Ｂの底面のランド電極１５
以外の部分に、ランド電極１５に対して絶縁されたグラ
ンド導体パターン６１を形成したことにある。

【００４３】即ち、回路基板１１の主面１１ａに形成さ
れている第２の凹部１４Ｂの底面には、回路部品１３の
端子電極を接続するランド電極１５が形成されると共
に、第２の凹部１４Ｂの底面を含む内層面にはランド電
極１５及び他の信号伝達用回路パターン以外の部分にこ
れらと絶縁されたグランド導体パターン６１が形成され
ている。これにより、回路基板１１上に実装された他の
チップ状電子部品１２や回路パターンと親回路基板３０
との間のアイソレーションが向上し、良好な特性を有す
るバラツキの無いモジュールが得られる。

【００４４】さらに、親回路基板３０の表面において、
ハイブリッドモジュール６０の放熱板１６と対向して設
けられた熱伝導性の導体膜３２をグランド導体パターン
によって構成すれば、回路部品１３に対するシールド効
果をより高めることができる。

【００４５】尚、前述した第１乃至第３の実施形態にお
いては、放熱板１６を介して回路部品１３からの発熱を
親回路基板３０に熱伝導するようにしたが、図８に示す
ハイブリッドモジュール７０のように放熱板１６を設け
ず、回路部品１３の裏面を導体膜３２に直接当接或いは
半田付け等するようにしても良い。

【００４６】また、高周波電力増幅用の回路部品１３と
しては、ＧａＡｓＭＥＳ型ＦＥＴ、ＧａＡｓＰＨＥＭＴ
型ＦＥＴ、或いはＩｎＰ系ＦＥＴを用いることが望まし
い。

【００４７】即ち、回路部品１３としてＧａＡｓＭＥＳ
型ＦＥＴを用いた場合、素子内部での電子の移動が早い
ため素子からの発熱が少ない、ＧａＡｓの線膨張係数が
６ｐｐｍ／℃とシリコン（Ｓｉ）よりも大きく、回路基
板１１、放熱板１６、及び熱伝導性樹脂１７等の線膨張
係数と近くなるため、温度変化によって発生する応力が
小さくなり高信頼性を得られる。

【００４８】また、回路部品１３としてＧａＡｓＰＨＥ
ＭＴ型ＦＥＴを用いた場合には、素子内部での電子の移
動速度がＭＥＳ型ＦＥＴよりも速いため、素子からの発
熱をさらに小さくできると共に、同様に線膨張係数がシ
リコン（Ｓｉ）よりも大きく、回路基板１１、放熱板１
６、及び熱伝導性樹脂１７等の線膨張係数と近くなるた
め、温度変化によって発生する応力が小さくなり高信頼
性を得られる。

【００４９】さらに、回路部品１３としてＩｎＰ系ＦＥ
Ｔを用いた場合には、素子内部での電子の移動速度がＧ
ａＡｓよりも速いため、素子からの発熱をさらに小さく
できると共に、線膨張係数が５ｐｐｍ／℃とシリコン
（Ｓｉ）よりも大きく、回路基板１１、放熱板１６、及
び熱伝導性樹脂１７等の線膨張係数と近くなるため、温
度変化によって発生する応力が小さくなり高信頼性を得
られる。

【００５０】また、上記回路部品１３の端子電極間の絶
縁（パシベーション）にＳｉＮ又はＳｉＯ₂ 或いはこれ
らの複合膜を用いることが好ましい。これらを用いるこ
とにより、上記封止樹脂の防湿性が不十分であっても素
子の特性を劣化させることが無く、封止樹脂にボイドが
生じて水分の進入があっても素子の信頼性を劣化させな
い。さらに、上記封止樹脂の残留イオンが多くても素子
の信頼性が劣化しないため、安価な封止樹脂を用いるこ
とができる。

【００５１】また、上記実施形態では、発熱性の回路部
品１３を１個実装したモジュールを構成したが、複数の
発熱性回路部品を実装したモジュールであっても良く、
この場合のも同様の効果を得ることができる。

【００５２】ここで、複数の発熱性ＦＥＴを用いる場合
には、これら複数のＦＥＴを１つのＧａＡｓ上に形成し
た回路部品１３を用いることが好ましい。これにより、
複数のＦＥＴを個別に実装するよりも実装エリアを縮小
できると共に、一度の実装作業で済むため実装コストを
低減することができる。さらに、複数のＦＥＴを個別に
実装した場合に比べて、放熱板１６或いは親回路基板３
０と容易に接触させることができ、放熱性を安定化させ
ることができる。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１記
載のハイブリッドモジュールによれば、親回路基板に対
向する主面に形成された凹部内に回路部品が実装され、
前記回路基板を親回路基板に実装したときに、前記回路
部品は親回路基板に直接或いは放熱部材を介して当接さ
れ、前記回路部品からの発熱は親回路基板に熱伝導され
て放熱されるので、小型にして効率よく放熱を行うこと
ができる。さらに、少なくとも１つのストリップライン
は、信号ラインを挟む２つのグランドラインのうちの少
なくとも一方が回路基板の内層に形成されたトリプレー
ト型に構成されているため、回路基板の体積を有効に利
用できると共に、モジュールの小型化を図ることができ
る。

【００５４】また、請求項２記載のハイブリッドモジュ
ールによれば、親回路基板に対向する主面に形成された
凹部内に回路部品が実装され、前記回路基板を親回路基
板に実装したときに、前記回路部品は親回路基板に直接
或いは放熱部材を介して当接され、前記回路部品からの
発熱は親回路基板に熱伝導されて放熱されるので、小型
にして効率よく放熱を行うことができる。さらに、前記
回路基板には、測定用接続導体によって前記回路部品の
所定端子に接続された測定用端子電極が前記主面以外の
所定の面に形成されているため、前記凹部内に回路部品
を実装した後にも前記測定用端子電極を用いて回路部品
の評価を容易に行うことができる。

【００５５】また、請求項３記載のハイブリッドモジュ
ールによれば、親回路基板に対向する主面に形成された
凹部内に回路部品が実装され、前記回路基板を親回路基
板に実装したときに、前記回路部品は親回路基板に直接
或いは放熱部材を介して当接され、前記回路部品からの
発熱は親回路基板に熱伝導されて放熱されるので、小型
にして効率よく放熱を行うことができる。さらに、前記
凹部内の回路部品実装面は、前記回路部品の端子と接続
されたランド以外の部分が、ランドと絶縁されたグラン
ド導体パターンによって覆われているため、前記回路基
板上に実装された他のチップ部品や回路パターンと前記
親回路基板との間のアイソレーションが向上し、良好な
特性を有すると共にバラツキの無いモジュールが得られ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態のハイブリッドモジュ
ールを示す側面断面図

【図２】従来例のハイブリッドモジュールを示す側面断
面図

【図３】従来例の他のハイブリッドモジュールを示す側
面断面図

【図４】本発明の第１の実施形態のハイブリッドモジュ
ールの親回路基板搭載例を示す図

【図５】本発明の第２の実施形態のハイブリッドモジュ
ールを示す側面断面図

【図６】本発明の第２の実施形態における測定用接続導
体の他の構成例を説明する図

【図７】本発明の第３施形態のハイブリッドモジュール
を示す側面断面図

【図８】本発明のハイブリッドモジュールの他の実施形
態を示す側面断面図

【符号の説明】

１０，５０，６０，７０…ハイブリッドモジュール、１
１…回路基板、１１ａ…主面、１２…チップ状電子部
品、１３…発熱性の回路部品、１４…凹部、１４Ａ…第
１の凹部、１４Ｂ…第２の凹部、１５…ランド電極、１
６…放熱板、１７…熱伝導性樹脂、１８…金属ケース、
１９…端子電極、３０…親回路基板、３１…ランド電
極、３２…熱伝導性の導体膜、４１…トリプレート型ス
トリップライン、４１ａ…信号ライン、４２ｂ，４２ｃ
…グランドライン、５１…測定用端子電極、５２…測定
用接続導体、５３…スルーホール、６１…グランド導体
パターン。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 回路基板と、該回路基板上に実装された
   発熱性を有する回路部品と、前記回路基板に形成された
   ストリップラインとを備え、親回路基板上に実装して使
   用されるハイブリッドモジュールにおいて、 前記回路基板は多層基板であり且つ前記親回路基板と対
   向する主面に形成された凹部を有すると共に、 前記回路部品は前記回路基板の凹部内に実装され、 少なくとも１つのストリップラインは、少なくとも一方
   のグランドラインが前記回路基板の内層に形成されたト
   リプレート型ストリップラインからなり、 前記回路部品から前記親回路基板に熱伝導されることを
   特徴とするハイブリッドモジュール。
2. 【請求項２】 回路基板と、該回路基板上に実装された
   発熱性を有する回路部品とを備え、親回路基板上に実装
   して使用されるハイブリッドモジュールにおいて、 前記回路基板は前記親回路基板と対向する主面に形成さ
   れた凹部を有し、 該凹部内に前記回路部品が実装され、前記回路部品から
   前記親回路基板に熱伝導されると共に、 前記回路基板には、前記主面以外の所定の面に形成され
   た測定用端子電極と、一端が前記測定用端子電極に接続
   され且つ他端が前記回路部品の所定端子に接続された測
   定用接続導体とが設けられていることを特徴とするハイ
   ブリッドモジュール。
3. 【請求項３】 回路基板と、該回路基板上に実装された
   発熱性を有する回路部品とを備え、親回路基板上に実装
   して使用されるハイブリッドモジュールにおいて、 前記回路基板は前記親回路基板と対向する主面に形成さ
   れた凹部を有し、 該凹部内に前記回路部品が実装され、前記回路部品から
   前記親回路基板に熱伝導されると共に、 前記凹部内の回路部品実装面は、前記回路部品の端子と
   接続されるランドを有すると共に、該回路部品実装面上
   のランド以外の部分はランドと絶縁されたグランド導体
   パターンによって覆われていることを特徴とするハイブ
   リッドモジュール。