JPH11222676A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH11222676A JPH11222676A JP4128198A JP4128198A JPH11222676A JP H11222676 A JPH11222676 A JP H11222676A JP 4128198 A JP4128198 A JP 4128198A JP 4128198 A JP4128198 A JP 4128198A JP H11222676 A JPH11222676 A JP H11222676A
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Landscapes
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】炭素膜から成る保護層を有し、グライド特性に
優れた磁気記録媒体の製造方法を提供する。 【解決手段】非磁性基板上に少なくとも磁性層を形成し
た後に炭素膜から成る保護層を形成する磁気記録媒体の
製造方法において、原料モノマーの分解を含む成膜装置
により上記の炭素膜を形成するに当たり、所定の式に基
づいて計算される原料モノマー分子の衝突回数（Ｆ）を
１〜２００の範囲に調節して成膜する。
優れた磁気記録媒体の製造方法を提供する。 【解決手段】非磁性基板上に少なくとも磁性層を形成し
た後に炭素膜から成る保護層を形成する磁気記録媒体の
製造方法において、原料モノマーの分解を含む成膜装置
により上記の炭素膜を形成するに当たり、所定の式に基
づいて計算される原料モノマー分子の衝突回数（Ｆ）を
１〜２００の範囲に調節して成膜する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体の製
造方法に関するものであり、詳しくは、炭素膜から成る
保護層を有し、グライド特性に優れた磁気記録媒体の製
造方法に関するものである。
造方法に関するものであり、詳しくは、炭素膜から成る
保護層を有し、グライド特性に優れた磁気記録媒体の製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体は、非磁性基板上に少なく
とも磁性層を形成した後に炭素膜から成る保護層を形成
することによって製造される。斯かる保護層の形成に
は、原料モノマーの分解を含む成膜装置、例えば、イオ
ンビーム成膜装置などの各種の化学的気相成膜装置（以
下「ＣＶＤ装置」と略す）等が採用される。
とも磁性層を形成した後に炭素膜から成る保護層を形成
することによって製造される。斯かる保護層の形成に
は、原料モノマーの分解を含む成膜装置、例えば、イオ
ンビーム成膜装置などの各種の化学的気相成膜装置（以
下「ＣＶＤ装置」と略す）等が採用される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、本発明者ら
の検討により、上記の成膜装置の運転条件（製膜条件）
によっては得られる磁気記録媒体のグライド特性が低下
するという問題が見い出された。その原因は次の様に推
定される。すなわち、成膜条件が適切でない場合は、気
相で発生したパーティクルや装置内部壁面に付着した薄
膜からの剥離片（以下これらを併せてパーティクルと総
称する）が磁気記録媒体に付着する。その結果、磁気記
録媒体の駆動の際、パーティクルにヘッドが衝突してグ
ライド特性が低下する。
の検討により、上記の成膜装置の運転条件（製膜条件）
によっては得られる磁気記録媒体のグライド特性が低下
するという問題が見い出された。その原因は次の様に推
定される。すなわち、成膜条件が適切でない場合は、気
相で発生したパーティクルや装置内部壁面に付着した薄
膜からの剥離片（以下これらを併せてパーティクルと総
称する）が磁気記録媒体に付着する。その結果、磁気記
録媒体の駆動の際、パーティクルにヘッドが衝突してグ
ライド特性が低下する。
【０００４】本発明は、上記実情に鑑みなされたもので
あり、その目的は、炭素膜から成る保護層を有し、グラ
イド特性に優れた磁気記録媒体の製造方法を提供するこ
とにある。
あり、その目的は、炭素膜から成る保護層を有し、グラ
イド特性に優れた磁気記録媒体の製造方法を提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の要旨
は、非磁性基板上に少なくとも磁性層を形成した後に炭
素膜から成る保護層を形成する磁気記録媒体の製造方法
において、原料モノマーの分解を含む成膜装置により上
記の炭素膜を形成するに当たり、下記の式（１）に基づ
いて計算される原料モノマー分子の衝突回数（Ｆ）を１
〜２００の範囲に調節して成膜することを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法に存する。
は、非磁性基板上に少なくとも磁性層を形成した後に炭
素膜から成る保護層を形成する磁気記録媒体の製造方法
において、原料モノマーの分解を含む成膜装置により上
記の炭素膜を形成するに当たり、下記の式（１）に基づ
いて計算される原料モノマー分子の衝突回数（Ｆ）を１
〜２００の範囲に調節して成膜することを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法に存する。
【０００６】
【数２】 Ｆ＝Ｄ／λ （１） λ＝１／（２0.5×π×ｄ2×ｃ） （２） （上記の各式中、Ｄは製膜装置の電極から非磁性基板の
保護層形成表面までの迄の距離（ｍ）、λは原料モノマ
ーの平均自由行程（ｍ）、ｄは原料モノマーの径
（ｍ）、ｃは原料モノマーの個数濃度（個／ｍ3）を表
す。）
保護層形成表面までの迄の距離（ｍ）、λは原料モノマ
ーの平均自由行程（ｍ）、ｄは原料モノマーの径
（ｍ）、ｃは原料モノマーの個数濃度（個／ｍ3）を表
す。）
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明において、非磁性基板（以下、基板と略記する）
としては、アルミニウム合金基板、ガラス基板またはケ
イ素基板が好適に使用されるが、銅、チタン等のその他
の金属基板、セラミック基板または樹脂基板を使用する
ことも出来る。上記のケイ素基板は、純ケイ素基板の
他、ケイ素に強度増加のための微量元素を添加したケイ
素合金基板を使用することが出来る。基板は、通常、円
盤状に形成されるが、その他の形状、例えば、カード状
であってもよい。
本発明において、非磁性基板（以下、基板と略記する）
としては、アルミニウム合金基板、ガラス基板またはケ
イ素基板が好適に使用されるが、銅、チタン等のその他
の金属基板、セラミック基板または樹脂基板を使用する
ことも出来る。上記のケイ素基板は、純ケイ素基板の
他、ケイ素に強度増加のための微量元素を添加したケイ
素合金基板を使用することが出来る。基板は、通常、円
盤状に形成されるが、その他の形状、例えば、カード状
であってもよい。
【０００８】基板の表面に直接に磁性層を形成すること
も出来るが、通常は、基板の表面に下地層を形成し、当
該下地層を介して磁性層を形成する。下地層としては、
ＮｉＰ合金から成る非磁性下地層が好適であり、斯かる
下地層は、通常、無電解メッキ法またはスパッタ法によ
り形成される。下地層の厚さは、通常５０〜２０，００
０ｎｍ、好ましくは１００〜１５，０００ｎｍである。
も出来るが、通常は、基板の表面に下地層を形成し、当
該下地層を介して磁性層を形成する。下地層としては、
ＮｉＰ合金から成る非磁性下地層が好適であり、斯かる
下地層は、通常、無電解メッキ法またはスパッタ法によ
り形成される。下地層の厚さは、通常５０〜２０，００
０ｎｍ、好ましくは１００〜１５，０００ｎｍである。
【０００９】基板または下地層と磁性層との間には、Ｃ
ｒ層、Ｃｕ層などの中間層を設けるのが好ましい。中間
層の厚さは、通常２０〜２００ｎｍ、好ましくは５０〜
１００ｎｍである。磁性層は、Ｃｏ−Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ系
合金等の強磁性合金薄膜によって構成され、無電解メッ
キ、電気メッキ、スパッタ、蒸着などの方法によって形
成される。磁性層の厚さは、通常３０〜７０ｎｍ程度で
ある。
ｒ層、Ｃｕ層などの中間層を設けるのが好ましい。中間
層の厚さは、通常２０〜２００ｎｍ、好ましくは５０〜
１００ｎｍである。磁性層は、Ｃｏ−Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ系
合金等の強磁性合金薄膜によって構成され、無電解メッ
キ、電気メッキ、スパッタ、蒸着などの方法によって形
成される。磁性層の厚さは、通常３０〜７０ｎｍ程度で
ある。
【００１０】本発明においては、磁性層を形成した後に
炭素膜から成る保護層を形成するが、原料モノマーの分
解を含む成膜装置により炭素膜を形成する。斯かる成膜
装置としては、イオンビーム法などの各種のＣＶＤ装置
などが挙げられる。
炭素膜から成る保護層を形成するが、原料モノマーの分
解を含む成膜装置により炭素膜を形成する。斯かる成膜
装置としては、イオンビーム法などの各種のＣＶＤ装置
などが挙げられる。
【００１１】本発明においては、内部にフィラメント状
カソード及びアノードを設置し、基板にバイアスを印加
し得るＣＶＤ装置（熱フィラメントＣＶＤ装置）が好適
に使用される。このＣＶＤ装置においては、カソードの
加熱フィラメントから発生し且つ対向配置されたアノー
ドで加速された熱電子の衝突により原料モノマーを分解
して成膜種を生成させ、基板バイアス電圧により基板に
導き成膜する。また、本発明においては、平行平板型プ
ラズマＣＶＤ装置（容量結合型）、コイル型プラズマＣ
ＶＤ装置（誘導結合型）等も使用することが出来、更
に、プラズマ密度を高めるため、成膜 装置に永久磁石
や電磁石を設置して磁場を利用することも出来る。
カソード及びアノードを設置し、基板にバイアスを印加
し得るＣＶＤ装置（熱フィラメントＣＶＤ装置）が好適
に使用される。このＣＶＤ装置においては、カソードの
加熱フィラメントから発生し且つ対向配置されたアノー
ドで加速された熱電子の衝突により原料モノマーを分解
して成膜種を生成させ、基板バイアス電圧により基板に
導き成膜する。また、本発明においては、平行平板型プ
ラズマＣＶＤ装置（容量結合型）、コイル型プラズマＣ
ＶＤ装置（誘導結合型）等も使用することが出来、更
に、プラズマ密度を高めるため、成膜 装置に永久磁石
や電磁石を設置して磁場を利用することも出来る。
【００１２】原料モノマーとしては、例えば、メタン、
エチレン、アセチレン等のアルキル系炭化水素、ベンゼ
ン、トルエン等の芳香族炭化水素、ピリジン、ピロール
等の窒素含有複素環化合物、アルコール類、シラン等の
シリコン系、ジボラン等のホウ素系が挙げられる。安全
性、取り扱いの容易さの観点から、トルエン又はピロー
ルが好適に使用される。原料モノマーは、種類の異なる
モノマー同士を混合して使用してもよく、Ａｒ、Ｈｅ等
の不活性ガス、Ｈ2、Ｎ2、Ｏ2等の反応性ガスと混合し
て使用してもよい。
エチレン、アセチレン等のアルキル系炭化水素、ベンゼ
ン、トルエン等の芳香族炭化水素、ピリジン、ピロール
等の窒素含有複素環化合物、アルコール類、シラン等の
シリコン系、ジボラン等のホウ素系が挙げられる。安全
性、取り扱いの容易さの観点から、トルエン又はピロー
ルが好適に使用される。原料モノマーは、種類の異なる
モノマー同士を混合して使用してもよく、Ａｒ、Ｈｅ等
の不活性ガス、Ｈ2、Ｎ2、Ｏ2等の反応性ガスと混合し
て使用してもよい。
【００１３】本発明の最大の特徴は、下記の式（１）に
基づいて計算される原料モノマー分子の衝突回数（Ｆ）
を１〜２００の範囲に調節して成膜する点にある。
基づいて計算される原料モノマー分子の衝突回数（Ｆ）
を１〜２００の範囲に調節して成膜する点にある。
【００１４】
【数３】 Ｆ＝Ｄ／λ （１） λ＝１／（２0.5×π×ｄ2×ｃ） （２）
【００１５】上記の各式中、Ｄは製膜装置の電極から基
板の保護層形成表面までの迄の距離（ｍ）、λは原料モ
ノマーの平均自由行程（ｍ）、ｄは原料モノマーの径
（ｍ）、ｃは原料モノマーの個数濃度（個／ｍ3）を表
す。
板の保護層形成表面までの迄の距離（ｍ）、λは原料モ
ノマーの平均自由行程（ｍ）、ｄは原料モノマーの径
（ｍ）、ｃは原料モノマーの個数濃度（個／ｍ3）を表
す。
【００１６】上記のＤの計算における電極は、熱フィラ
メントＣＶＤ装置）の場合は熱フィラメント、平行平板
型プラズマＣＶＤ装置（容量結合型）やコイル型プラズ
マＣＶＤ装置の場合は夫々の電極（平行平板電極やコイ
ル電極）である。
メントＣＶＤ装置）の場合は熱フィラメント、平行平板
型プラズマＣＶＤ装置（容量結合型）やコイル型プラズ
マＣＶＤ装置の場合は夫々の電極（平行平板電極やコイ
ル電極）である。
【００１７】上記の式（２）自体は、当業者にとって周
知である。製膜種に含まれるイオンは、通常、基板バイ
アス電圧によって基板の保護層形成表面に導かれる。そ
の際にイオンは加速される。従って、厳密に言えば、原
料モノマーの平均自由行程は、上記の式（２）から外れ
た値となる。しかしながら、本発明における原料モノマ
ー分子の衝突回数（Ｆ）の計算には、上記の式（２）か
ら算出される平均自由行程の概算値を十分に使用するこ
とが出来る。
知である。製膜種に含まれるイオンは、通常、基板バイ
アス電圧によって基板の保護層形成表面に導かれる。そ
の際にイオンは加速される。従って、厳密に言えば、原
料モノマーの平均自由行程は、上記の式（２）から外れ
た値となる。しかしながら、本発明における原料モノマ
ー分子の衝突回数（Ｆ）の計算には、上記の式（２）か
ら算出される平均自由行程の概算値を十分に使用するこ
とが出来る。
【００１８】上記の原料モノマー分子の衝突回数（Ｆ）
が１未満の場合は、製膜速度が余りにも遅すぎるため実
用的ではなく、２００を超える場合は、本発明の初期の
目的を達成することが出来ない。衝突回数（Ｆ）は、好
ましくは５〜２００である。なお、衝突回数（Ｆ）は、
基本的には、電極と基板との距離および製膜装置内の原
料モノマーの圧力によって調節することが出来る。
が１未満の場合は、製膜速度が余りにも遅すぎるため実
用的ではなく、２００を超える場合は、本発明の初期の
目的を達成することが出来ない。衝突回数（Ｆ）は、好
ましくは５〜２００である。なお、衝突回数（Ｆ）は、
基本的には、電極と基板との距離および製膜装置内の原
料モノマーの圧力によって調節することが出来る。
【００１９】本発明において、電源電圧、バイアス電
圧、成膜時間などの条件は、装置の形状、大きさ等によ
って異なるためも一概には決定し得ないが、何れも公知
の条件を採用することが出来る。
圧、成膜時間などの条件は、装置の形状、大きさ等によ
って異なるためも一概には決定し得ないが、何れも公知
の条件を採用することが出来る。
【００２０】通常、上記の保護層の表面には潤滑剤層が
設けられる。潤滑剤としては、例えば、フッ素系液体潤
滑剤（パーフルオロポリエーテル等）が好適に使用さ
れ、潤滑剤層は、通常、浸漬法などにより保護層の表面
に厚さ１〜３ｎｍ程度で形成される。
設けられる。潤滑剤としては、例えば、フッ素系液体潤
滑剤（パーフルオロポリエーテル等）が好適に使用さ
れ、潤滑剤層は、通常、浸漬法などにより保護層の表面
に厚さ１〜３ｎｍ程度で形成される。
【００２１】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明は、その要旨を超えない限り以下の実施
例により限定されるものではない。
するが、本発明は、その要旨を超えない限り以下の実施
例により限定されるものではない。
【００２２】実施例１ 先ず、表面の平均粗さが１．５ｎｍ、直径３．５インチ
のＮｉＰメッキ被覆Ａｌ合金ディスク基板上にテキスチ
ャー加工を施し、更に、ＣＳＳゾーンには高さ２５ｎｍ
のレーザーバンプを施した後、スパッタリング法により
基板温度２００℃でＣｒ下地層（厚さ４０ｎｍ）とＣｏ
合金磁性層（厚さ５０ｎｍ）を順次に形成した。
のＮｉＰメッキ被覆Ａｌ合金ディスク基板上にテキスチ
ャー加工を施し、更に、ＣＳＳゾーンには高さ２５ｎｍ
のレーザーバンプを施した後、スパッタリング法により
基板温度２００℃でＣｒ下地層（厚さ４０ｎｍ）とＣｏ
合金磁性層（厚さ５０ｎｍ）を順次に形成した。
【００２３】次いで、基板と加熱フィラメントとの距離
（基板距離）が２０ｃｍに調節された熱フィラメント型
ＣＶＤ装置内に上記の基板を設置し、その後、ターボ分
子ポンプの絞りを全開にし、対抗配置されたカソード側
から原料モノマーとしてのトルエンを各々４．０ｃｃｍ
ずつ流した。モノマーの圧力は０．２Ｐａであった。そ
して、−１０００Ｖの基板バイアス電圧を印加しながら
厚さ１０ｎｍのカーボン保護膜を形成した。この条件に
おける成膜種の平均自由行程は約２×１０-2ｍと計算さ
れ、成膜種の衝突回数（Ｆ）は１０であった。そして、
保護膜上にパーフルオロポリエーテル液体潤滑剤を２ｎ
ｍの厚さで塗布して磁気記録媒体を得た。
（基板距離）が２０ｃｍに調節された熱フィラメント型
ＣＶＤ装置内に上記の基板を設置し、その後、ターボ分
子ポンプの絞りを全開にし、対抗配置されたカソード側
から原料モノマーとしてのトルエンを各々４．０ｃｃｍ
ずつ流した。モノマーの圧力は０．２Ｐａであった。そ
して、−１０００Ｖの基板バイアス電圧を印加しながら
厚さ１０ｎｍのカーボン保護膜を形成した。この条件に
おける成膜種の平均自由行程は約２×１０-2ｍと計算さ
れ、成膜種の衝突回数（Ｆ）は１０であった。そして、
保護膜上にパーフルオロポリエーテル液体潤滑剤を２ｎ
ｍの厚さで塗布して磁気記録媒体を得た。
【００２４】実施例２ 実施例１において、基板距離を２．５ｃｍ、モノマーの
圧力を０．８Ｐａに変更することにより、計算される成
膜種の平均自由行程を約５×１０-3ｍに変更し、成膜種
の衝突回数（Ｆ）を５０とした以外は、 実施例１と同
様にして磁気記録媒体を得た。
圧力を０．８Ｐａに変更することにより、計算される成
膜種の平均自由行程を約５×１０-3ｍに変更し、成膜種
の衝突回数（Ｆ）を５０とした以外は、 実施例１と同
様にして磁気記録媒体を得た。
【００２５】実施例３ 実施例１において、基板距離を３０ｃｍ、モノマーの圧
力を１．３Ｐａに変更することにより、計算される成膜
種の平均自由行程を約３×１０-3ｍに変更し、成膜種の
衝突回数（Ｆ）を１００とした以外は、 実施例１と同
様にして磁気記録媒体を得た。
力を１．３Ｐａに変更することにより、計算される成膜
種の平均自由行程を約３×１０-3ｍに変更し、成膜種の
衝突回数（Ｆ）を１００とした以外は、 実施例１と同
様にして磁気記録媒体を得た。
【００２６】実施例４ 実施例１において、基板距離を３０ｃｍ、モノマーの圧
力を２．０Ｐａに変更することにより、計算される成膜
種の平均自由行程を約２×１０-3ｍに変更し、成膜種の
衝突回数（Ｆ）を１５０とした以外は、 実施例１と同
様にして磁気記録媒体を得た。
力を２．０Ｐａに変更することにより、計算される成膜
種の平均自由行程を約２×１０-3ｍに変更し、成膜種の
衝突回数（Ｆ）を１５０とした以外は、 実施例１と同
様にして磁気記録媒体を得た。
【００２７】比較例１ 実施例１において、基板距離を３０ｃｍに変更し、ター
ボ分子ポンプを１０％まで絞り、対抗配置されたカソー
ド側から原料モノマーとしてのトルエンを各々８．０ｃ
ｃｍずつ流し、モノマー圧力を４Ｐａに調節した以外
は、実施例１と同様の方法により磁気記録媒体を得た。
この条件における成膜種の平均自由行程は約１×１０-3
ｍと計算され、成膜種の衝突回数（Ｆ）は３００であっ
た。
ボ分子ポンプを１０％まで絞り、対抗配置されたカソー
ド側から原料モノマーとしてのトルエンを各々８．０ｃ
ｃｍずつ流し、モノマー圧力を４Ｐａに調節した以外
は、実施例１と同様の方法により磁気記録媒体を得た。
この条件における成膜種の平均自由行程は約１×１０-3
ｍと計算され、成膜種の衝突回数（Ｆ）は３００であっ
た。
【００２８】評価試験 上記の各磁気記録媒体についてＣＳＳ（コンタクトスタ
ートアンドストップ）試験を行った。ヘッドには、押付
荷重３ｇｆのＤＬＣ保護層付スライダを使用した。そし
て、ＣＳＳ試験の１サイクルは、７２００ｒｐｍで磁気
記録媒体を５秒間回転させた後、電源切り２５秒間放置
する操作とした。試験環境は６５℃１０％（相対湿度）
とした。
ートアンドストップ）試験を行った。ヘッドには、押付
荷重３ｇｆのＤＬＣ保護層付スライダを使用した。そし
て、ＣＳＳ試験の１サイクルは、７２００ｒｐｍで磁気
記録媒体を５秒間回転させた後、電源切り２５秒間放置
する操作とした。試験環境は６５℃１０％（相対湿度）
とした。
【００２９】上記の試験結果、実施例１〜４に記載の磁
気記録媒体は、何れも、摩擦係数の低い状態が保持さ
れ、２０，０００サイクル以上においてもヘッドクラッ
シュが起こらなかった。また、試験後の観察結果、媒体
表面の傷は見られなかった。一方、比較例１に記載の磁
気記録媒体は、徐々に摩擦係数が上昇し、１０，０００
サイクルでヘッドクラッシュが起こった。
気記録媒体は、何れも、摩擦係数の低い状態が保持さ
れ、２０，０００サイクル以上においてもヘッドクラッ
シュが起こらなかった。また、試験後の観察結果、媒体
表面の傷は見られなかった。一方、比較例１に記載の磁
気記録媒体は、徐々に摩擦係数が上昇し、１０，０００
サイクルでヘッドクラッシュが起こった。
【００３０】
【発明の効果】以上説明した本発明によれば、汚れが少
なくグライド特性に優れた磁気記録媒体が得られ、本発
明の工業的価値は大きい。
なくグライド特性に優れた磁気記録媒体が得られ、本発
明の工業的価値は大きい。
Claims (2)
- 【請求項１】 非磁性基板上に少なくとも磁性層を形成
した後に炭素膜から成る保護層を形成する磁気記録媒体
の製造方法において、原料モノマーの分解を含む成膜装
置により上記の炭素膜を形成するに当たり、下記の式
（１）に基づいて計算される原料モノマー分子の衝突回
数（Ｆ）を１〜２００の範囲に調節して成膜することを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 【数１】 Ｆ＝Ｄ／λ （１） λ＝１／（２0.5×π×ｄ2×ｃ） （２） （上記の各式中、Ｄは製膜装置の電極から非磁性基板の
保護層形成表面までの迄の距離（ｍ）、λは原料モノマ
ーの平均自由行程（ｍ）、ｄは原料モノマーの径
（ｍ）、ｃは原料モノマーの個数濃度（個／ｍ3）を表
す。） - 【請求項２】 成膜装置が化学的気相成膜装置である請
求項１に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4128198A JPH11222676A (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4128198A JPH11222676A (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11222676A true JPH11222676A (ja) | 1999-08-17 |
Family
ID=12604075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4128198A Pending JPH11222676A (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11222676A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007046115A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 保護膜形成方法およびその保護膜を備えた磁気記録媒体 |
| JP2010027175A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Showa Denko HD Singapore Pte Ltd | 炭素膜の形成方法、磁気記録媒体の製造方法、及び炭素膜の形成装置 |
-
1998
- 1998-02-06 JP JP4128198A patent/JPH11222676A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007046115A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 保護膜形成方法およびその保護膜を備えた磁気記録媒体 |
| JP2010027175A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Showa Denko HD Singapore Pte Ltd | 炭素膜の形成方法、磁気記録媒体の製造方法、及び炭素膜の形成装置 |
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