JPH11223568A - 半導体圧力検出装置 - Google Patents

半導体圧力検出装置

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JPH11223568A
JPH11223568A JP10025446A JP2544698A JPH11223568A JP H11223568 A JPH11223568 A JP H11223568A JP 10025446 A JP10025446 A JP 10025446A JP 2544698 A JP2544698 A JP 2544698A JP H11223568 A JPH11223568 A JP H11223568A
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JP
Japan
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base plate
hole
pedestal
semiconductor pressure
package
Prior art date
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Application number
JP10025446A
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English (en)
Inventor
Takanobu Takeuchi
孝信 竹内
Motomi Ichihashi
素海 市橋
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14—Housings
    • G01L19/142—Multiple part housings
    • G01L19/143—Two part housings

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 安価で信頼性が高くしかも比較的高い圧力を
測定することができる半導体圧力センサを提供する。 【解決手段】 圧力導入孔を有するパッケージと、中央
部に第１貫通孔を有し該第１貫通孔が圧力導入孔と略同
心となるようにその周辺部でパッケージ内に接合された
ベース板と、中央部に第２貫通孔を有し該第２貫通孔が
第１貫通孔と略同心となるようにかつパッケージとベー
ス板との接合部分の内側に位置するようにベース板上に
設けられた台座と、台座上に設けられ圧力導入孔及び第
１第２貫通孔を介して導入された圧力を検出する半導体
圧力センサチップとを備えた半導体圧力検出装置であっ
て、ベース板において接合部分の内側の位置に台座を取
り囲むように溝を設けた。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、比較的高い圧力を
検出する歪みゲージ型の半導体圧力検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の歪みゲージ型の半導体圧力検出装
置は、例えば、特開平７−２９４３５３号公報に開示さ
れている。ここに開示された半導体圧力検出装置は、図
４に示すように、ボティ１０１に形成された凹部１０１
ａ上に、金属台座１０２（本発明におけるベース板に対
応する。）とガラス台座１０３とを介して圧力センサチ
ップ１０４が設けられ、ボティ１０１、金属台座１０２
及びガラス台座１０３にそれぞれ互いに同心となるよう
に設けられた貫通孔１０１ａ、１０２ａ、１０３ａを介
して圧力センサチップ１０４に圧力が印加される。ここ
で、金属台座１０２はその周辺部でボディ１０１にレー
ザ溶接されて固定されるが、この従来例では、レーザ溶
接部分の内側に貫通孔１０２ａと同心の溝１０２ｂが形
成されるように中央部を高くすることにより、レーザ溶
接時の熱による各部品の熱膨張によってガラス台座１０
３及び圧力センサチップ１０４に不要な応力がかかるの
を防止している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
の半導体圧力検出装置は、レーザ溶接工程に時間がかか
るため、安価に製造することができないという問題点が
あった。また、この問題点を解決するために、プロジェ
クション溶接を用いることも考えられるが、この場合、
接合時の衝撃又は熱による残留応力により台座接合部が
破損する場合があるという問題点があった。さらに、外
部から高い圧力を加えたときに金属台座が反り、高い圧
力まで測定するための十分なマージンが得られないとい
う問題点があった。
【０００４】そこで、本発明は、以上の従来例の問題点
を解決して、安価で信頼性が高くしかも比較的高い圧力
を測定することができる半導体圧力検出装置を提供する
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、以上の従来例
の持つ問題点を解決するために、鋭意検討の結果なされ
たものである。すなわち、本発明に係る第１の半導体圧
力検出装置は、圧力導入孔を有するパッケージと、中央
部に第１貫通孔を有し該第１貫通孔が上記圧力導入孔と
略同心となるようにその周辺部で上記パッケージ内に接
合されたベース板と、中央部に第２貫通孔を有し該第２
貫通孔が上記第１貫通孔と略同心となるようにかつ上記
パッケージと上記ベース板との接合部分の内側に位置す
るように上記ベース板上に設けられた台座と、上記台座
上に設けられ上記圧力導入孔及び上記第１第２貫通孔を
介して導入された圧力を検出する半導体圧力センサチッ
プとを備えた半導体圧力検出装置であって、上記ベース
板において、上記接合部分の内側の位置に上記台座を取
り囲むように溝を設けたことを特徴とする。これによっ
て、上記ベース板において上記溝の内側の外力による変
形を小さくでき、上記台座を介して半導体圧力センサチ
ップに対して不要な外力が印加されるのを防止でき、か
つ台座とベース板との接続部分の信頼性を高くできる。
【０００６】また、本発明に係る第１の半導体圧力検出
装置において、上記溝は、上記台座を挟んで互いに対向
するように形成された第１と第２の溝と、上記台座を挟
むように互いに対向しかつ上記第１及び第２の溝にそれ
ぞれ略垂直になるように形成された第３及び第４の溝と
によって構成されることが好ましい。これによって、よ
り効果的に溝によって囲まれた部分の外力による変形を
抑えることができる。
【０００７】また、本発明に係る第２の半導体圧力検出
装置は、圧力導入孔を有するパッケージと、中央部に第
１貫通孔を有し該第１貫通孔が上記圧力導入孔と略同心
となるようにその周辺部で上記パッケージ内に接合され
たベース板と、中央部に第２貫通孔を有し該第２貫通孔
が上記第１貫通孔と略同心となるようにかつ上記パッケ
ージと上記ベース板との接合部分の内側に位置するよう
に上記ベース板上に設けられた台座と、上記台座上に設
けられ上記圧力導入孔及び上記第１第２貫通孔を介して
導入された圧力を検出する半導体圧力センサチップとを
備えた半導体圧力検出装置であって、上記ベース板は、
下面の外周周辺部で上記パッケージに接合された第１の
ベース板と、上記第１のベース板の上面の上記外周周辺
部より内側の位置で上記第１のベース板と接合された第
２のベース板とからなり、該第２のベース板上に台座を
介して半導体圧力センサチップが設けられていることを
特徴とするこれによって、上記第２のベース板の外力に
よる変形を、上記第１のベース板の変形に比較して小さ
くでき、上記台座を介して半導体圧力センサチップに対
して不要な外力が印加されるのを防止でき、かつ台座と
ベース板との接続部分の信頼性を高くできる。
【０００８】また、本発明に係る第２の半導体圧力検出
装置においては、上記第１のベース板と上記第２のベー
ス板との接合部分がさらに、上記台座の外周の内側に位
置することが好ましい。これによって、より効果的に第
２のベース板の外力による変形を抑えることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る実施の形態について説明する。図１は、本発明に係る
実施の形態１の半導体圧力センサの構成を示す模式的な
断面図であり、該半導体圧力センサは、パッケージ４内
に半導体圧力センサチップ１が以下のように設けられて
構成される。
【００１０】まず、本実施の形態１の半導体圧力センサ
における各要素について説明する。 （１）半導体圧力センサチップ１は、薄肉部に拡散抵抗
からなるブリッジ回路が形成されたシリコン基板からな
り、薄肉部に圧力が印加されると応力歪みに対応した抵
抗値の変化が生じ、この抵抗値の変化によりブリッジ回
路のバランスがくずれて、印加された圧力に対応した電
気信号を出力する。 （２）パッケージ４は、パッケージ本体部４ａとパッケ
ージカバー部４ｂとからなり、パッケージ本体部４ａと
パッケージカバー部４ｂとが組み合わされて、内部に半
導体圧力センサチップ１を収納するための空間を形成す
る。尚、パッケージ本体部４ａには、中央部に圧力導入
孔４０が形成され、該圧力導入孔４０と同心になるよう
に円柱形状の凹部４２が形成され、凹部４２の底面４２
ａには凹部４２と同心円状に溶接用の突起部６が形成さ
れる。
【００１１】（３）ベース板３は、図２に示すように、
略円盤形状に形成され、中央に貫通孔３０を有しかつ外
周部分に薄肉部５を有する。尚、本実施の形態１におい
ては、ベース板３の外径は、凹部４２より若干小さくな
るように設定し、薄肉部５は、ベース板３が底面４２ａ
上に載置されたときに、溶接用の突起部６上に位置する
ように形成される。さらに、上記ベース板３には、貫通
孔３０を取り囲むように溝が形成されている。すなわ
ち、本実施の形態１では、貫通孔３０を挟んで互いに平
行な溝７ａ，７ｂを形成し、貫通孔３０を挟んで互いに
平行でかつ溝７ａ，７ｂと略平行な溝７ｃ，７ｄとを形
成して、上述の貫通孔３０を取り囲む方形の溝を形成し
ている。 （４）台座２は、中央に貫通孔２０を有する、柱形状の
Ｓｉ又はガラス等からなる。尚、台座２の横断面形状は
半導体圧力センサチップ１の横断面形状と略同一にする
ように形成され、通常、該横断面形状は四角形である。
ここで、本発明では、台座２の外径は、台座２が貫通孔
３０を取り囲む方形の溝の内側に位置するように該方形
の一辺より短くなるように設定される。本発明において
は、溝によって効果的に応力を緩和するために、台座２
の横断面形状と、台座２を取り囲む方形の溝の内側の横
断面形状とを略一致させることが好ましい。尚、上述の
説明における略一致という表現は、製造上、例えば組み
立て工程等における製造バラツキである０．５ｍｍ程度
の差は一致していることを意味する。
【００１２】以上のように形成されたパッケージ本体部
４ａに、ベース板３、台座２、半導体圧力センサチップ
１及び回路基板５０を設け、必要な配線をした後、パッ
ケージカバー４ｂを取り付けて、実施の形態１の半導体
圧力センサを作成する。さらに詳細に説明すると、本実
施の形態１において、ベース板３は、パッケージ本体部
４ａに、貫通孔３０が圧力導入孔４０と略同心になるよ
うに載置され、薄肉部５と突起部６とをプロジェクショ
ン溶接することにより固定される。また、台座２は、貫
通孔２０と貫通孔３０が略同心になるようにかつ貫通孔
３０を取り囲む方形の溝の内側に位置するようにベース
板３上に接着されて固定される。半導体圧力センサチッ
プ１は、拡散抵抗が形成された薄肉部が貫通孔２０の直
上に位置するように、台座２上に接着剤等を用いて固定
される。尚、半導体圧力センサチップ１は、例えばワイ
ヤボンディング等により必要な内部配線がされ、検出し
た信号は、パッケージ本体部４ａの周囲平坦部４１ａに
設けられた周辺配線部５０及び出力端子５１を介して出
力される。
【００１３】以上のように構成された実施の形態１の半
導体圧力センサは、ベース基板３において台座２が接合
された周囲に台座２を取り囲むように溝が形成されてい
るので、ベース板３全体にかかる応力を該溝で吸収する
ことができ、方形の溝の内側（すなわち、台座２が設け
られた部分）における応力による変形を小さくできる。
従って、本実施の形態１の半導体圧力センサは、以下の
種々の優れた効果を有する。 （１）すなわち、比較的高い圧力の測定をする場合にお
いても、その圧力よるベース板３の変形が台座２を介し
て半導体チップ１に伝達されるのを防止できるので、ベ
ース板３の変形による誤差を生じることなく高い圧力を
測定することができる。 （２）また、本実施の形態１の半導体圧力センサは、溶
接時の衝撃や熱による応力が台座２に伝達されるのを阻
止でき、台座２とベース板３との接合部の破損を防止す
ることができる。従って、本実施の形態１の半導体圧力
センサは、レーザ溶接等に比較して短時間で溶接するこ
とができるプロジェクション溶接を用いて製造すること
ができ、安価に製造できる。
【００１４】実施の形態１の半導体圧力センサでは、貫
通孔３０を取り囲む溝を方形に形成したが、本発明は該
溝は方形に限定されるものではなく、他の多角形又は円
形等であってもよい。しかしながら、本発明において
は、効果的にベース板３にかかる応力を吸収するために
は、方形であることが好ましい。
【００１５】実施の形態２．図３は、本発明に係る実施
の形態２の半導体圧力センサの構成を示す部分断面図で
あって、パッケージ本体部４ａ上に設けられたベース板
１３、台座２及び半導体圧力センサチップ１の部分を拡
大して示している。本実施の形態２の半導体圧力センサ
において、ベース板１３は、図３に示すように第１のベ
ース板１３ａと第２のベース板１３ｂとからなり、以下
のようにパッケージ本体部４ａに接合されている。すな
わち、第１のベース板１３ａは、中央部に貫通孔３１ａ
が形成された円盤形状を有し、貫通孔３１ａがパッケー
ジ本体部４ａの圧力導入孔４０と同心になるように本体
部４ａに載置され、第１のベース板１３ａの下面の外周
周辺部でパッケージ本体部４ａに圧力導入孔４０と同心
円状に形成された突起部６と溶接される。尚、第１のベ
ース板１３ａの上面には、貫通孔３１ａと同心円状に突
起部１６が形成されている。ここで、本実施の形態２で
は、突起部１６の円の径は、パッケージ本体部４ａの突
起部６の円の径より小さくなるようにかつ第２のベース
板１３ｂの外径より小さくなるように設定される。
【００１６】また、第２のベース板１３ｂは、中央部に
貫通孔３１ｂが形成された円盤形状を有し、貫通孔３１
ｂが第１のベース板１３ａの貫通孔３１ａと同心になる
ように第１のベース板３１ａ上に載置され、第２のベー
ス板１３ｂの下面で第１のベース板１３ａに形成された
突起部１６と溶接される。そして、第２のベース板１３
ｂ上に、台座２を介して半導体圧力センサチップが設け
られる。
【００１７】以上のように構成された実施の形態２の半
導体圧力センサでは、ベース板１３を第１のベース板１
３ａと第２のベース板１３ｂとによって構成し、かつ第
１のベース板３ａが溶接される本体部４ａの突起部６の
径より、第２のベース板１３ｂが溶接される第１のベー
ス板の突起部１６の径を小さくしているので、外力によ
る第１のベース板１３ａの変形に比較して第２のベース
板１３ｂの変形を小さくすることができ、以下の種々の
効果を有する。 （１）すなわち、実施の形態２の半導体圧力センサは、
比較的高い圧力の測定をする場合においても、その圧力
よる第２のベース板１３ｂの変形を小さくできるので、
ベース板１３の変形による誤差を生じることなく高い圧
力を測定することができる。 （２）また、本実施の形態２の半導体圧力センサは、溶
接時の衝撃や熱による応力による第２のベース板１３ｂ
の変形を小さくできるので、台座２とベース板３との接
合部の破損を防止することができる。従って、本実施の
形態２の半導体圧力センサは、レーザ溶接等に比較して
短時間で溶接することができるプロジェクション溶接を
用いて製造することができ、安価に製造できる。
【００１８】以上の実施の形態２の半導体圧力センサに
おいて、効果的に第２のベース板１３ｂの外力による変
形を抑えるために、図３に示すように、第１のベース板
１３ａに形成された突起部１６の径を、台座２の径より
小さく設定することが好ましい。
【００１９】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る第１の半導体圧力検出装置は、上記ベース板におい
て、上記接合部分の内側の位置に上記台座を取り囲むよ
うに溝を設けているので、上記溝の内側の外力による変
形を小さくでき、上記台座を介して半導体圧力センサチ
ップに対して不要な外力が印加されるのを防止できる。
これによって、本発明の第１の半導体圧力検出装置は、
製造時に短時間で溶接が可能なプロジェクション溶接を
用いて製造できるので、安価に製造でき、かつ使用時に
おいて圧力が印加されたときに半導体センサチップに不
要な応力がかかるのを防止できるので、信頼性を高くで
きしかも比較的高い圧力まで測定することができる。
【００２０】また、本発明に係る第１の半導体圧力検出
装置において、上記溝は、上記台座を挟んで互いに対向
するように形成された第１と第２の溝と、上記台座を挟
むように互いに対向しかつ上記第１及び第２の溝にそれ
ぞれ略垂直になるように形成された第３及び第４の溝と
によって構成することにより、より効果的に溝に囲まれ
た部分の外力による変形を抑えることができるので、圧
力が印加されたときに半導体圧力センサチップに不要な
応力がかかるのをより効果的に防止でき、より信頼性を
高くできかつより高い圧力まで測定することが可能とな
る。
【００２１】また、本発明に係る第２の半導体圧力検出
装置は、上記ベース板を下面の外周周辺部で上記パッケ
ージに接合された第１のベース板と、上記第１のベース
板の上面の上記外周周辺部より内側の位置で上記第１の
ベース板と接合された第２のベース板とによって構成
し、該第２のベース板上に台座を介して半導体圧力セン
サチップを設けているので、上記第２のベース板の外力
による変形を小さくでき、上記台座を介して半導体圧力
センサチップに対して不要な外力が印加されるのを防止
できる。これによって、本発明の第２の半導体圧力検出
装置は、製造時に短時間で溶接が可能なプロジェクショ
ン溶接を用いて製造できるので、安価に製造でき、かつ
使用時において圧力が印加されたときに半導体センサチ
ップに不要な応力がかかるのを防止できるので、信頼性
を高くできしかも比較的高い圧力まで測定することがで
きる。
【００２２】また、本発明に係る第２の半導体圧力検出
装置においては、上記第１のベース板と上記第２のベー
ス板との接合部分が上記台座の外周の内側に位置するよ
うに構成することにより、より効果的に第２のベース板
の外力による変形を抑えることができるので、圧力が印
加されたときに半導体センサチップに不要な応力がかか
るのをより効果的に防止でき、より信頼性を高くできか
つより高い圧力まで測定が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係る実施の形態１の半導体圧力検出
装置の構成を示す断面図である。
【図２】 実施の形態１のベース板の斜視図である。
【図３】 本発明に係る実施の形態２の半導体圧力検出
装置の構成を示す部分断面図である。
【図４】 従来例の半導体圧力検出装置の構成を示す断
面図である。
【符号の説明】
１ 半導体圧力センサチップ、２ 台座、３，１３ ベ
ース板、４ パッケージ、４ａ パッケージ本体部、５
薄肉部、６，１６ 突起部、７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ
溝、１３ａ 第１のベース板、１３ｂ 第２のベース
板、２０，３０，３１ａ，３１ｂ 貫通孔、４０ 圧力
導入孔、４２ 凹部。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 圧力導入孔を有するパッケージと、中央
    部に第１貫通孔を有し該第１貫通孔が上記圧力導入孔と
    略同心となるようにその周辺部で上記パッケージ内に接
    合されたベース板と、中央部に第２貫通孔を有し該第２
    貫通孔が上記第１貫通孔と略同心となるようにかつ上記
    パッケージと上記ベース板との接合部分の内側に位置す
    るように上記ベース板上に設けられた台座と、上記台座
    上に設けられ上記圧力導入孔及び上記第１第２貫通孔を
    介して導入された圧力を検出する半導体圧力センサチッ
    プとを備えた半導体圧力検出装置であって、 上記ベース板において、上記接合部分の内側の位置に上
    記台座を取り囲むように溝を設けたことを特徴とする半
    導体圧力検出装置。
  2. 【請求項２】 上記溝は、上記台座を挟んで互いに対向
    するように形成された第１と第２の溝と、上記台座を挟
    むように互いに対向しかつ上記第１及び第２の溝にそれ
    ぞれ略垂直になるように形成された第３及び第４の溝か
    らなる請求項１記載の半導体圧力検出装置。
  3. 【請求項３】 圧力導入孔を有するパッケージと、中央
    部に第１貫通孔を有し該第１貫通孔が上記圧力導入孔と
    略同心となるようにその周辺部で上記パッケージ内に接
    合されたベース板と、中央部に第２貫通孔を有し該第２
    貫通孔が上記第１貫通孔と略同心となるようにかつ上記
    パッケージと上記ベース板との接合部分の内側に位置す
    るように上記ベース板上に設けられた台座と、上記台座
    上に設けられ上記圧力導入孔及び上記第１第２貫通孔を
    介して導入された圧力を検出する半導体圧力センサチッ
    プとを備えた半導体圧力検出装置であって、 上記ベース板は、下面の外周周辺部で上記パッケージに
    接合された第１のベース板と、上記第１のベース板の上
    面の上記外周周辺部より内側の位置で上記第１のベース
    板と接合された第２のベース板とからなり、該第２のベ
    ース板上に台座を介して上記半導体圧力センサチップが
    設けられていることを特徴とする半導体圧力検出装置。
  4. 【請求項４】 上記第１のベース板と上記第２のベース
    板との接合部分がさらに、上記台座の外周の内側に位置
    する請求項３記載の半導体圧力検出装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015115367A1 (ja) * 2014-01-30 2015-08-06 日立オートモティブシステムズ株式会社 力学量測定装置およびセンサユニット
JP2016535846A (ja) * 2013-10-25 2016-11-17 オキシトロル エス．アー． 温度変化に対して耐性を示す接着剤層を制御するための構造を含む圧力センサ

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011039566A1 (de) * 2009-09-30 2011-04-07 Tecsis Gmbh Messvorrichtung mit erfassung von deformationen
US20150211901A1 (en) * 2014-01-24 2015-07-30 Solar Turbines Inc. Cover assembly

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3436440A1 (de) * 1984-10-04 1986-04-10 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Halbleiter-messeinrichtung
JPS6272178A (ja) * 1985-09-26 1987-04-02 Nippon Denso Co Ltd 半導体圧力検出装置およびその製造方法
US4790192A (en) * 1987-09-24 1988-12-13 Rosemount Inc. Silicon side by side coplanar pressure sensors
US5062302A (en) * 1988-04-29 1991-11-05 Schlumberger Industries, Inc. Laminated semiconductor sensor with overpressure protection
JPH0269630A (ja) * 1988-09-05 1990-03-08 Nippon Denso Co Ltd 半導体圧力センサ
US5119196A (en) * 1990-06-25 1992-06-02 At&T Bell Laboratories Ghost cancellation of analog tv signals
JPH06125096A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力センサ
US5324683A (en) * 1993-06-02 1994-06-28 Motorola, Inc. Method of forming a semiconductor structure having an air region
JP3365038B2 (ja) * 1994-04-28 2003-01-08 松下電工株式会社 圧力センサ
JPH07294354A (ja) * 1994-04-28 1995-11-10 Nippondenso Co Ltd 半導体圧力センサ
US5454270A (en) * 1994-06-06 1995-10-03 Motorola, Inc. Hermetically sealed pressure sensor and method thereof

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016535846A (ja) * 2013-10-25 2016-11-17 オキシトロル エス．アー． 温度変化に対して耐性を示す接着剤層を制御するための構造を含む圧力センサ
WO2015115367A1 (ja) * 2014-01-30 2015-08-06 日立オートモティブシステムズ株式会社 力学量測定装置およびセンサユニット
CN105829851A (zh) * 2014-01-30 2016-08-03 日立汽车系统株式会社 力学量测量装置及传感器单元
JPWO2015115367A1 (ja) * 2014-01-30 2017-03-23 日立オートモティブシステムズ株式会社 力学量測定装置
US10481023B2 (en) 2014-01-30 2019-11-19 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Mechanical quantity measuring device and sensor unit

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