JPH11225033A - 積層型バンドパスフィルタ - Google Patents
積層型バンドパスフィルタInfo
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- JPH11225033A JPH11225033A JP10025771A JP2577198A JPH11225033A JP H11225033 A JPH11225033 A JP H11225033A JP 10025771 A JP10025771 A JP 10025771A JP 2577198 A JP2577198 A JP 2577198A JP H11225033 A JPH11225033 A JP H11225033A
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- inductor line
- inductor
- capacitor
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Links
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Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フィルタ特性も良好で、小型化が可能な積層
型バンドパスフィルタを提供することを目的とする。 【解決手段】 誘電体層と電極パターンとを積層一体化
してなるバンドパスフィルタにおいて、アース電極を上
下に有し、インダクタラインは、上部アース電極側に、
コンデンサ電極は前記インダクタラインと誘電体層を介
し、下部アース電極側に配置されており、前記インダク
タラインは、2本形成され、第1のインダクタライン
は、誘電体層の第1の側面から、該側面に対向する第2
の側面に向かって伸び、第2のインダクタラインは、誘
電体層の第2の側面から第1の側面に向かって伸びてい
る。
型バンドパスフィルタを提供することを目的とする。 【解決手段】 誘電体層と電極パターンとを積層一体化
してなるバンドパスフィルタにおいて、アース電極を上
下に有し、インダクタラインは、上部アース電極側に、
コンデンサ電極は前記インダクタラインと誘電体層を介
し、下部アース電極側に配置されており、前記インダク
タラインは、2本形成され、第1のインダクタライン
は、誘電体層の第1の側面から、該側面に対向する第2
の側面に向かって伸び、第2のインダクタラインは、誘
電体層の第2の側面から第1の側面に向かって伸びてい
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波通信機
器などに使用される積層型バンドパスフィルタに関する
ものである。
器などに使用される積層型バンドパスフィルタに関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、マイクロ波通信機器などに使
用される積層型バンドパスフィルタについては、種々の
構成が提案されている。例えば、特開平8−31603
5号公報の図9に示されるものがある。この従来例を図
5に示す。この従来例は、3つの誘電体層2a、2b、
2c上に、それぞれアース電極(グランド電極)3a、
3b、3cが形成され、2つのアース電極3a、3bの
間に、コンデンサ電極4a、4bおよびコンデンサ電極
5a、5bと、共通電極6が形成されている。さらに、
2つのアース電極3b、3cの間に、2つのインダクタ
ンス電極7a、7bが形成されている。この従来例は、
図6に示す等価回路を有し、インダクタンスとキャパシ
タンスとからなる2つの共振器が、別のキャパシタンス
を介して結合していると説明されている。
用される積層型バンドパスフィルタについては、種々の
構成が提案されている。例えば、特開平8−31603
5号公報の図9に示されるものがある。この従来例を図
5に示す。この従来例は、3つの誘電体層2a、2b、
2c上に、それぞれアース電極(グランド電極)3a、
3b、3cが形成され、2つのアース電極3a、3bの
間に、コンデンサ電極4a、4bおよびコンデンサ電極
5a、5bと、共通電極6が形成されている。さらに、
2つのアース電極3b、3cの間に、2つのインダクタ
ンス電極7a、7bが形成されている。この従来例は、
図6に示す等価回路を有し、インダクタンスとキャパシ
タンスとからなる2つの共振器が、別のキャパシタンス
を介して結合していると説明されている。
【0003】また、特開平8−316035号公報によ
れば、上記の構造は、インダクタンス電極が隣接して形
成されているため、インダクタンス電極間に磁気結合が
生じる。同じ数の共振器を有するバンドパスフィルタで
比べると、通常、共振器が磁気結合しているものより、
容量結合しているもののほうが、通過帯域外の減衰量が
大きい。したがって、良好な特性を有するフィルタを得
るためには、インダクタンス電極間の磁気結合を小さく
することが望ましいと説明され、その磁気結合の小さい
電子部品を得るための一手段が記載されている。
れば、上記の構造は、インダクタンス電極が隣接して形
成されているため、インダクタンス電極間に磁気結合が
生じる。同じ数の共振器を有するバンドパスフィルタで
比べると、通常、共振器が磁気結合しているものより、
容量結合しているもののほうが、通過帯域外の減衰量が
大きい。したがって、良好な特性を有するフィルタを得
るためには、インダクタンス電極間の磁気結合を小さく
することが望ましいと説明され、その磁気結合の小さい
電子部品を得るための一手段が記載されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この積層型バンドパス
フィルタは、マイクロ波通信機器の例えば携帯電話など
に使用される。この携帯電話においては、常に小型、軽
量化の検討が進められ、使用される部品に対しても、小
型、軽量化の要求が強い。もちろん、この部品に対する
小型、軽量化の要求は、携帯電話に限られたものではな
い。
フィルタは、マイクロ波通信機器の例えば携帯電話など
に使用される。この携帯電話においては、常に小型、軽
量化の検討が進められ、使用される部品に対しても、小
型、軽量化の要求が強い。もちろん、この部品に対する
小型、軽量化の要求は、携帯電話に限られたものではな
い。
【0005】図5に示した従来の構造においては、イン
ダクタンス電極7a、7bが約1ターンのコイル状とな
っており、このコイル形状を維持するためには、一定の
スペースが必要であり、小型化には不適当である。ま
た、上記のとおり、コイル状のインダクタンス電極7
a、7bを隣接して形成していることから、共振器が磁
気結合し、フィルタ特性においても、通過帯域外の減衰
量が比較的小さいという欠点を有している。さらに、特
開平8−316035号公報では、フィルタ特性を改善
するため、インダクタンス電極の間に、シールド電極を
形成するものであり、小型化に逆行する構造となってい
る。
ダクタンス電極7a、7bが約1ターンのコイル状とな
っており、このコイル形状を維持するためには、一定の
スペースが必要であり、小型化には不適当である。ま
た、上記のとおり、コイル状のインダクタンス電極7
a、7bを隣接して形成していることから、共振器が磁
気結合し、フィルタ特性においても、通過帯域外の減衰
量が比較的小さいという欠点を有している。さらに、特
開平8−316035号公報では、フィルタ特性を改善
するため、インダクタンス電極の間に、シールド電極を
形成するものであり、小型化に逆行する構造となってい
る。
【0006】本発明は、フィルタ特性が良好であり、小
型化が可能であり、容量結合型であるなどの少なくとも
いずれか一つを解決する積層型バンドパスフィルタを提
供することを目的とする。
型化が可能であり、容量結合型であるなどの少なくとも
いずれか一つを解決する積層型バンドパスフィルタを提
供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、誘電体層と電
極パターンとを積層一体化してなるバンドパスフィルタ
において、アース電極を上下に有し、該アース電極に挟
まれた領域内にインダクタライン及びコンデンサ電極を
配し、該インダクタラインは、上部アース電極側に、該
コンデンサ電極は前記インダクタラインと誘電体層を介
し、下部アース電極側に配置されており、前記インダク
タラインは、2本形成され、第1のインダクタライン
は、誘電体層の第1の側面から、該側面に対向する第2
の側面に向かって伸び、第2のインダクタラインは、誘
電体層の第2の側面から第1の側面に向かって伸びてい
ることを特徴とする積層型バンドパスフィルタである。
極パターンとを積層一体化してなるバンドパスフィルタ
において、アース電極を上下に有し、該アース電極に挟
まれた領域内にインダクタライン及びコンデンサ電極を
配し、該インダクタラインは、上部アース電極側に、該
コンデンサ電極は前記インダクタラインと誘電体層を介
し、下部アース電極側に配置されており、前記インダク
タラインは、2本形成され、第1のインダクタライン
は、誘電体層の第1の側面から、該側面に対向する第2
の側面に向かって伸び、第2のインダクタラインは、誘
電体層の第2の側面から第1の側面に向かって伸びてい
ることを特徴とする積層型バンドパスフィルタである。
【0008】本発明では、共振器のインダクタンスを構
成する電極パターンを、積層する誘電体層の一面上に2
つのインダクタラインで構成している。そのインダクタ
ラインは直線状に形成され、一方のインダクタラインは
対向する一方の側面から伸びるように形成され、他方の
インダクタラインは他方の側面から伸びるように形成さ
れている。つまり、2つのインダクタラインは、互いに
逆方向に伸びるように形成されている。この伸びる方向
は、誘電体層の長手方向であることが望ましい。また、
この構成により、共振器の磁気結合を弱くしている。そ
して、この構成により、ひいては広帯域で大きな減衰量
を得るのに格別の効果がある。また、従来例の1ターン
コイルと異なり小面積で形成できることから、小型化が
達成可能である。
成する電極パターンを、積層する誘電体層の一面上に2
つのインダクタラインで構成している。そのインダクタ
ラインは直線状に形成され、一方のインダクタラインは
対向する一方の側面から伸びるように形成され、他方の
インダクタラインは他方の側面から伸びるように形成さ
れている。つまり、2つのインダクタラインは、互いに
逆方向に伸びるように形成されている。この伸びる方向
は、誘電体層の長手方向であることが望ましい。また、
この構成により、共振器の磁気結合を弱くしている。そ
して、この構成により、ひいては広帯域で大きな減衰量
を得るのに格別の効果がある。また、従来例の1ターン
コイルと異なり小面積で形成できることから、小型化が
達成可能である。
【0009】また第2の本発明は、前記インダクタライ
ンと並列に接続され、共振器を構成するコンデンサ電極
は、下部のアース電極と対向して形成されている積層型
バンドパスフィルタである。この下部側のコンデンサ電
極と上部側のインダクタラインとはスルーホールで接続
することが好ましい。
ンと並列に接続され、共振器を構成するコンデンサ電極
は、下部のアース電極と対向して形成されている積層型
バンドパスフィルタである。この下部側のコンデンサ電
極と上部側のインダクタラインとはスルーホールで接続
することが好ましい。
【0010】本発明によれば、共振器用のインダクタラ
インとコンデンサ電極とを別々の電極で構成し、それぞ
れ上側のアース電極側と下側のアース電極側とに別々に
形成している。
インとコンデンサ電極とを別々の電極で構成し、それぞ
れ上側のアース電極側と下側のアース電極側とに別々に
形成している。
【0011】また第3の本発明は、入出力端子に接続さ
れ、入出力結合容量を形成するコンデンサ電極は、前記
インダクタラインと、前記インダクタラインと並列に接
続され共振器を構成するコンデンサ電極との間に配置さ
れている積層型バンドパスフィルタである。
れ、入出力結合容量を形成するコンデンサ電極は、前記
インダクタラインと、前記インダクタラインと並列に接
続され共振器を構成するコンデンサ電極との間に配置さ
れている積層型バンドパスフィルタである。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明に係る一実施例の内部構造
図を図1に、斜視図を図2に、等価回路図を図3に示
す。この実施例は、誘電体材料からなるグリーンシート
に、所定の電極パターンを印刷し、そのグリーンシート
を積層し、焼結させて構成している。この誘電体材料
は、900℃で焼結可能な材料であり、誘電率が約8の
材料を用いた。また、電極パターンは、Agペーストを
スクリーン印刷により印刷形成した。
図を図1に、斜視図を図2に、等価回路図を図3に示
す。この実施例は、誘電体材料からなるグリーンシート
に、所定の電極パターンを印刷し、そのグリーンシート
を積層し、焼結させて構成している。この誘電体材料
は、900℃で焼結可能な材料であり、誘電率が約8の
材料を用いた。また、電極パターンは、Agペーストを
スクリーン印刷により印刷形成した。
【0013】図1に示した内部構造を詳細に説明する。
これは、図中下から上の順に積層される。まず、最下部
の誘電体層(グリーンシート)11には、アース電極2
4が形成されている。このアース電極24は、対向する
両側面に達している。その上の誘電体層12には、コン
デンサ電極25、26が形成されている。その上の誘電
体層13には、アース電極27が形成されている。この
アース電極27は、アース電極24と同じ外形である
が、スルーホール28が2ヶ所に形成されており、その
スルーホール28を避けるように、そのスルーホール2
8の周囲に電極を無くした形状に形成されている。その
上の誘電体層14には、コンデンサ電極29、30が形
成され、そのコンデンサ電極には、スルーホール28が
形成されている。
これは、図中下から上の順に積層される。まず、最下部
の誘電体層(グリーンシート)11には、アース電極2
4が形成されている。このアース電極24は、対向する
両側面に達している。その上の誘電体層12には、コン
デンサ電極25、26が形成されている。その上の誘電
体層13には、アース電極27が形成されている。この
アース電極27は、アース電極24と同じ外形である
が、スルーホール28が2ヶ所に形成されており、その
スルーホール28を避けるように、そのスルーホール2
8の周囲に電極を無くした形状に形成されている。その
上の誘電体層14には、コンデンサ電極29、30が形
成され、そのコンデンサ電極には、スルーホール28が
形成されている。
【0014】この誘電体層11、12、13、14によ
り、等価回路のC2、C4を構成している。つまり、コ
ンデンサ電極25、26は、下のアース電極24及び上
のアース電極27との間に静電容量を構成し、コンデン
サ電極29、30は、下のアース電極27との間に静電
容量を構成し、コンデンサ電極25、29がスルーホー
ル28にて並列に接続され、等価回路のC2を、コンデ
ンサ電極26、30がスルーホール28にて並列に接続
され、等価回路のC4を構成している。この構成によれ
ば、アース電極の形成された誘電体層とコンデンサ電極
の形成された誘電体層とをそれぞれ複数個積層し、並列
接続することにより大きな静電容量を得るように構成さ
れている。
り、等価回路のC2、C4を構成している。つまり、コ
ンデンサ電極25、26は、下のアース電極24及び上
のアース電極27との間に静電容量を構成し、コンデン
サ電極29、30は、下のアース電極27との間に静電
容量を構成し、コンデンサ電極25、29がスルーホー
ル28にて並列に接続され、等価回路のC2を、コンデ
ンサ電極26、30がスルーホール28にて並列に接続
され、等価回路のC4を構成している。この構成によれ
ば、アース電極の形成された誘電体層とコンデンサ電極
の形成された誘電体層とをそれぞれ複数個積層し、並列
接続することにより大きな静電容量を得るように構成さ
れている。
【0015】その上の誘電体層15には、コンデンサ電
極31が形成され、それとは別に2つのスルーホール2
8が形成されている。その上の誘電体層16には、コン
デンサ電極32、33と、2つのスルーホール28が形
成されている。このコンデンサ電極32は、スルーホー
ル28と導通しないように、凹部を有し、一側面に達す
るリード部を有している。またコンデンサ電極33も同
様に、スルーホールと導通しないための凹部と、別の側
面に達するリード部を有している。
極31が形成され、それとは別に2つのスルーホール2
8が形成されている。その上の誘電体層16には、コン
デンサ電極32、33と、2つのスルーホール28が形
成されている。このコンデンサ電極32は、スルーホー
ル28と導通しないように、凹部を有し、一側面に達す
るリード部を有している。またコンデンサ電極33も同
様に、スルーホールと導通しないための凹部と、別の側
面に達するリード部を有している。
【0016】その上の誘電体層17には、コンデンサ電
極34、35が形成されている。このコンデンサ電極3
4、35には、スルーホール28が形成されている。そ
の上の誘電体層18には、コンデンサ電極36、37が
形成されている。このコンデンサ電極36、37は、誘
電体層16のコンデンサ電極32、33と同様に形成さ
れている。また、この誘電体層18には、2つのスルー
ホール28が形成されている。その上の誘電体層19に
は、コンデンサ電極38と2つのスルーホール28が形
成されている。この誘電体層19の電極パターンは、誘
電体層15と同一である。
極34、35が形成されている。このコンデンサ電極3
4、35には、スルーホール28が形成されている。そ
の上の誘電体層18には、コンデンサ電極36、37が
形成されている。このコンデンサ電極36、37は、誘
電体層16のコンデンサ電極32、33と同様に形成さ
れている。また、この誘電体層18には、2つのスルー
ホール28が形成されている。その上の誘電体層19に
は、コンデンサ電極38と2つのスルーホール28が形
成されている。この誘電体層19の電極パターンは、誘
電体層15と同一である。
【0017】この誘電体層15、16、17、18、1
9は、誘電体層17を中心として、その上下に同じ電極
パターンを有する誘電体層16、18が配置され、さら
にその上下に同じ電極パターンを有する誘電体層15、
19が配置された構造となっている。これにより、所望
の静電容量を得ることが出来ている。このコンデンサ電
極32、36は、それぞれコンデンサ電極34と対向す
ることにより、等価回路のC1を構成し、コンデンサ電
極33、37は、それぞれコンデンサ電極35と対向す
ることにより、等価回路のC3を構成している。また等
価回路のC5は、コンデンサ電極32、31、33及び
コンデンサ電極36、38、37により構成されてい
る。
9は、誘電体層17を中心として、その上下に同じ電極
パターンを有する誘電体層16、18が配置され、さら
にその上下に同じ電極パターンを有する誘電体層15、
19が配置された構造となっている。これにより、所望
の静電容量を得ることが出来ている。このコンデンサ電
極32、36は、それぞれコンデンサ電極34と対向す
ることにより、等価回路のC1を構成し、コンデンサ電
極33、37は、それぞれコンデンサ電極35と対向す
ることにより、等価回路のC3を構成している。また等
価回路のC5は、コンデンサ電極32、31、33及び
コンデンサ電極36、38、37により構成されてい
る。
【0018】その上の誘電体層20には、2つのスルー
ホール28が形成されている。その上の誘電体層21に
は、2本のインダクタライン39、40が形成されてい
る。このインダクタライン39は、誘電体層の長手方向
の一側面から対向する側面に向かって直線状に伸び、そ
の手前で折れ曲がり、スルーホール28が形成されてい
る。またインダクタライン40は、インダクタライン3
9とは180度回転対称な形状であり、誘電体層の長手
方向の一側面から対向する側面に向かって直線状に伸
び、その手前で折れ曲がり、スルーホール28が形成さ
れている。
ホール28が形成されている。その上の誘電体層21に
は、2本のインダクタライン39、40が形成されてい
る。このインダクタライン39は、誘電体層の長手方向
の一側面から対向する側面に向かって直線状に伸び、そ
の手前で折れ曲がり、スルーホール28が形成されてい
る。またインダクタライン40は、インダクタライン3
9とは180度回転対称な形状であり、誘電体層の長手
方向の一側面から対向する側面に向かって直線状に伸
び、その手前で折れ曲がり、スルーホール28が形成さ
れている。
【0019】このインダクタライン39は、等価回路の
L1を、インダクタライン40は、等価回路のL2を構
成している。また、インダクタラインとコンデンサ電極
38との間には、スルーホール28のみの誘電体層を介
在させ、インダクタラインとコンデンサ電極との間隔を
設け、干渉を防いでいる。この間隔は、200μm以上
であることが好ましい。
L1を、インダクタライン40は、等価回路のL2を構
成している。また、インダクタラインとコンデンサ電極
38との間には、スルーホール28のみの誘電体層を介
在させ、インダクタラインとコンデンサ電極との間隔を
設け、干渉を防いでいる。この間隔は、200μm以上
であることが好ましい。
【0020】その上の誘電体層22には、アース電極4
1が形成されている。このアース電極41は、誘電体層
11のアース電極24と同じ形状となっている。その上
の誘電体層23は、この積層体の保護層であり、表面に
は、識別用の電極が形成されることが多い。
1が形成されている。このアース電極41は、誘電体層
11のアース電極24と同じ形状となっている。その上
の誘電体層23は、この積層体の保護層であり、表面に
は、識別用の電極が形成されることが多い。
【0021】この各誘電体層は、通常一定の広さを有
し、複数個分の電極パターンが形成され、それを所定の
積層順に積層し、圧着した後、各チップに切断され、焼
成される。焼成後、バレル研磨し、外部電極を印刷焼付
した後、メッキして構成されることが多い。この実施例
の外部電極を形成した斜視図を図2に示す。この積層型
バンドパスフィルタは、長手方向の両端部にアース用の
外部電極45、46が形成され、それとは、別の対向す
る側面に、入出力用の外部電極43、44が形成されて
いる。
し、複数個分の電極パターンが形成され、それを所定の
積層順に積層し、圧着した後、各チップに切断され、焼
成される。焼成後、バレル研磨し、外部電極を印刷焼付
した後、メッキして構成されることが多い。この実施例
の外部電極を形成した斜視図を図2に示す。この積層型
バンドパスフィルタは、長手方向の両端部にアース用の
外部電極45、46が形成され、それとは、別の対向す
る側面に、入出力用の外部電極43、44が形成されて
いる。
【0022】この実施例の構成により、外形寸法が3.
2mm×1.6mm×1.0mm(高さ)の超小型の積
層型バンドパスフィルタを得ることができた。また、こ
の積層型バンドパスフィルタの減衰特性を図4に示す。
この実施例によれば、中心周波数f0が1.9GHz
で、通過帯域幅25MHz、挿入損失1.3dB、f0
−240MHzで25dB以上、f0−480MHzで
35dB以上の特性を得ることが出来た。本発明によれ
ば、超小型で、特性の良好な積層型バンドパスフィルタ
を得ることができた。
2mm×1.6mm×1.0mm(高さ)の超小型の積
層型バンドパスフィルタを得ることができた。また、こ
の積層型バンドパスフィルタの減衰特性を図4に示す。
この実施例によれば、中心周波数f0が1.9GHz
で、通過帯域幅25MHz、挿入損失1.3dB、f0
−240MHzで25dB以上、f0−480MHzで
35dB以上の特性を得ることが出来た。本発明によれ
ば、超小型で、特性の良好な積層型バンドパスフィルタ
を得ることができた。
【0023】この実施例では、インダクタラインは、ス
ルーホール接続のため、L字形と見ることも可能である
が、基本的に直線状のラインで構成されている。しかも
誘電体層の長手方向に伸びるように形成されている。こ
れによれば、従来のコイル状の電極パターンを用いるこ
とがなく、小型化が可能である。しかも、小型化した上
で、出来る限りの長いラインを構成するために、長手方
向に形成している。また、2本のインダクタラインを隣
り合うように形成しているが、形成方向が逆向きであ
り、磁気結合し難い構成としている。しかも、1層で2
本のインダクタラインを構成し、しかも他の電極パター
ン、例えば、従来技術のようなシールド電極を形成する
こと無く、小型化に有利な構造となっている。
ルーホール接続のため、L字形と見ることも可能である
が、基本的に直線状のラインで構成されている。しかも
誘電体層の長手方向に伸びるように形成されている。こ
れによれば、従来のコイル状の電極パターンを用いるこ
とがなく、小型化が可能である。しかも、小型化した上
で、出来る限りの長いラインを構成するために、長手方
向に形成している。また、2本のインダクタラインを隣
り合うように形成しているが、形成方向が逆向きであ
り、磁気結合し難い構成としている。しかも、1層で2
本のインダクタラインを構成し、しかも他の電極パター
ン、例えば、従来技術のようなシールド電極を形成する
こと無く、小型化に有利な構造となっている。
【0024】このインダクタラインと接続され、共振器
を構成するコンデンサ電極は、インダクタラインが積層
の最上部側に構成されるのに対し、最下部側に構成され
ている。このため、本構成では、アース電極を除いた最
上部のインダクタラインから最下部のコンデンサ電極ま
でをスルーホールで接続している。このインダクタライ
ンとコンデンサ電極を最上部側と最下部側に分けて構成
することにより、不要な干渉を少なくしている。
を構成するコンデンサ電極は、インダクタラインが積層
の最上部側に構成されるのに対し、最下部側に構成され
ている。このため、本構成では、アース電極を除いた最
上部のインダクタラインから最下部のコンデンサ電極ま
でをスルーホールで接続している。このインダクタライ
ンとコンデンサ電極を最上部側と最下部側に分けて構成
することにより、不要な干渉を少なくしている。
【0025】また上記実施例では、共振器用のコンデン
サの一部を構成するためのコンデンサ電極29、30
(誘電体層14)と誘電体層15のコンデンサ電極31
との間で、共振器間の容量結合のための静電容量を形成
している。このように、本発明では、共振器間の結合を
容量結合とし、特に低域側の減衰量を改善することがで
きた。
サの一部を構成するためのコンデンサ電極29、30
(誘電体層14)と誘電体層15のコンデンサ電極31
との間で、共振器間の容量結合のための静電容量を形成
している。このように、本発明では、共振器間の結合を
容量結合とし、特に低域側の減衰量を改善することがで
きた。
【0026】
【発明の効果】本発明によれば、非常に小型で、特性の
良好な積層型バンドパスフィルタを得ることが出来る。
これにより、携帯電話等のマイクロ波通信機器の小型、
軽量化に役立つことが出来る。
良好な積層型バンドパスフィルタを得ることが出来る。
これにより、携帯電話等のマイクロ波通信機器の小型、
軽量化に役立つことが出来る。
【図1】本発明に係る一実施例の積層内部構造図であ
る。
る。
【図2】本発明に係る一実施例の斜視図である。
【図3】本発明に係る一実施例の等価回路図である。
【図4】本発明に係る一実施例の減衰特性図である。
【図5】従来例の積層内部構造図である。
【図6】従来例の等価回路図である。
11、12、13、14、15、16、17、18、1
9、20、21、22、23 誘電体層(グリーンシー
ト) 24、27、41 アース電極 25、26、29、30 コンデンサ電極(C2、C4
形成用) 31、38 コンデンサ電極(C5形成用) 32、33、34、35、36、37 コンデンサ電極
(C1、C3形成用) 39、40 インダクタライン
9、20、21、22、23 誘電体層(グリーンシー
ト) 24、27、41 アース電極 25、26、29、30 コンデンサ電極(C2、C4
形成用) 31、38 コンデンサ電極(C5形成用) 32、33、34、35、36、37 コンデンサ電極
(C1、C3形成用) 39、40 インダクタライン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武田 剛志 鳥取県鳥取市南栄町70番地2号日立金属株 式会社鳥取工場内 (72)発明者 田中 俊彦 鳥取県鳥取市南栄町70番地2号日立金属株 式会社鳥取工場内
Claims (3)
- 【請求項1】 誘電体層と電極パターンとを積層一体化
してなる積層型バンドパスフィルタにおいて、該積層構
造の上下にアース電極を有し、該アース電極に挟まれた
領域内にインダクタライン及びコンデンサ電極を配し、
該インダクタラインは、上部アース電極側に、該コンデ
ンサ電極は前記インダクタラインと誘電体層を介し、下
部アース電極側に配置されており、前記インダクタライ
ンは、2本形成され、第1のインダクタラインは、誘電
体層の第1の側面から、該側面に対向する第2の側面に
向かって伸び、第2のインダクタラインは、誘電体層の
前記第2の側面から前記第1の側面に向かって伸びてい
ることを特徴とする請求項1記載の積層型バンドパスフ
ィルタ。 - 【請求項2】 前記インダクタラインと並列に接続さ
れ、共振器を構成するコンデンサ電極は、下部のアース
電極と対向して形成されていることを特徴とする請求項
1記載の積層型バンドパスフィルタ。 - 【請求項3】 入出力端子に接続され、入出力結合容量
を形成するコンデンサ電極は、前記インダクタライン
と、前記インダクタラインと並列に接続され共振器を構
成するコンデンサ電極との間に配置されていることを特
徴とする請求項1又は2記載の積層型バンドパスフィル
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10025771A JPH11225033A (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 積層型バンドパスフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10025771A JPH11225033A (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 積層型バンドパスフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11225033A true JPH11225033A (ja) | 1999-08-17 |
Family
ID=12175122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10025771A Pending JPH11225033A (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 積層型バンドパスフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11225033A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003046358A (ja) * | 2001-05-16 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層フィルタ、積層複合デバイス、および通信装置 |
| KR100423399B1 (ko) * | 2001-11-05 | 2004-03-18 | 삼성전기주식회사 | 다연 노이즈저감 필터 |
| WO2007119356A1 (ja) * | 2006-04-14 | 2007-10-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層帯域通過フィルタ |
| JP2010041266A (ja) * | 2008-08-04 | 2010-02-18 | Tdk Corp | 積層型電子部品 |
| US7671706B2 (en) | 2006-04-14 | 2010-03-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd | High frequency multilayer bandpass filter |
| JP2018064266A (ja) * | 2016-10-07 | 2018-04-19 | 株式会社村田製作所 | 高周波フィルタおよび高周波モジュール |
| CN114301410A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-08 | 上海芯波电子科技有限公司 | 一种拓扑结构、设计方法及滤波器 |
| JP2023121294A (ja) * | 2022-02-21 | 2023-08-31 | Tdk株式会社 | フィルタ |
-
1998
- 1998-02-06 JP JP10025771A patent/JPH11225033A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003046358A (ja) * | 2001-05-16 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層フィルタ、積層複合デバイス、および通信装置 |
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| JP2011244503A (ja) * | 2006-04-14 | 2011-12-01 | Murata Mfg Co Ltd | 積層帯域通過フィルタ |
| JPWO2007119356A1 (ja) * | 2006-04-14 | 2009-08-27 | 株式会社村田製作所 | 積層帯域通過フィルタ |
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| JP2011244504A (ja) * | 2006-04-14 | 2011-12-01 | Murata Mfg Co Ltd | 積層帯域通過フィルタ |
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| JP5142985B2 (ja) * | 2006-04-14 | 2013-02-13 | 株式会社村田製作所 | 積層帯域通過フィルタ |
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| JP2023121294A (ja) * | 2022-02-21 | 2023-08-31 | Tdk株式会社 | フィルタ |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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