JPH11229120A - 透明導電性薄膜の形成方法 - Google Patents
透明導電性薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH11229120A JPH11229120A JP4444298A JP4444298A JPH11229120A JP H11229120 A JPH11229120 A JP H11229120A JP 4444298 A JP4444298 A JP 4444298A JP 4444298 A JP4444298 A JP 4444298A JP H11229120 A JPH11229120 A JP H11229120A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- laser beam
- conductor
- vapor deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 31
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 20
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 abstract description 8
- 239000004033 plastic Substances 0.000 abstract description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 abstract 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 9
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GENZLHCFIPDZNJ-UHFFFAOYSA-N [In+3].[O-2].[Mg+2] Chemical compound [In+3].[O-2].[Mg+2] GENZLHCFIPDZNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Lasers (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 蒸着の際に、基板を加熱する必要がなく、こ
れまで変形、軟化などのトラブルを伴うために使用する
ことができなかったプラスチックのような基板に対して
も適用しうる、新規な蒸着法による透明導電性薄膜の形
成方法を提供する。 【解決手段】 非加熱状態の基板上に、紫外光レーザを
照射しながら酸化物半導体を蒸着させて透明導電性薄膜
を形成させる。
れまで変形、軟化などのトラブルを伴うために使用する
ことができなかったプラスチックのような基板に対して
も適用しうる、新規な蒸着法による透明導電性薄膜の形
成方法を提供する。 【解決手段】 非加熱状態の基板上に、紫外光レーザを
照射しながら酸化物半導体を蒸着させて透明導電性薄膜
を形成させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラスチック基
板、ガラス基板、半導体基板などの基板上に、蒸着法に
より透明導電性薄膜を形成させる方法の改良に関するも
のである。
板、ガラス基板、半導体基板などの基板上に、蒸着法に
より透明導電性薄膜を形成させる方法の改良に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、透明導電性薄膜は、例えば帯電防
止膜、熱線反射膜、面発熱体、光電交換素子、透明電極
などとして利用されており、特にインジウムチンオキシ
ド（ＩＴＯ）で代表される酸化物半導体からなる透明導
電性薄膜は、各種電子部品の材料として重要である。
止膜、熱線反射膜、面発熱体、光電交換素子、透明電極
などとして利用されており、特にインジウムチンオキシ
ド（ＩＴＯ）で代表される酸化物半導体からなる透明導
電性薄膜は、各種電子部品の材料として重要である。
【０００３】この酸化物半導体からなる透明導電性薄膜
は、一般的には、真空蒸着法、スパッタリング法、イオ
ンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などのＰＶＤ法
（物理的気相蒸着法）、ＣＶＤ法（化学的気相蒸着
法）、あるいはスプレー法などの蒸着法によって、基板
上に形成される。
は、一般的には、真空蒸着法、スパッタリング法、イオ
ンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などのＰＶＤ法
（物理的気相蒸着法）、ＣＶＤ法（化学的気相蒸着
法）、あるいはスプレー法などの蒸着法によって、基板
上に形成される。
【０００４】しかしながら、これらの方法においては、
蒸着に際し、基板を、通常４００℃以上に加熱する必要
があるため、基板材料としては、４００℃以上の温度で
安定なものを用いなければならず、例えば変形温度が４
００℃よりも低いプラスチック基板は用いることができ
ないという欠点があった。
蒸着に際し、基板を、通常４００℃以上に加熱する必要
があるため、基板材料としては、４００℃以上の温度で
安定なものを用いなければならず、例えば変形温度が４
００℃よりも低いプラスチック基板は用いることができ
ないという欠点があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、蒸着の際
に、基板を加熱する必要がなく、したがって、これまで
変形、軟化などのトラブルを伴うために使用することが
できなかったプラスチックのような基板に対しても適用
しうる、新規な蒸着法による透明導電性薄膜の形成方法
を提供することを目的としてなされたものである。
に、基板を加熱する必要がなく、したがって、これまで
変形、軟化などのトラブルを伴うために使用することが
できなかったプラスチックのような基板に対しても適用
しうる、新規な蒸着法による透明導電性薄膜の形成方法
を提供することを目的としてなされたものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、蒸着法に
よる透明導電性薄膜の形成方法について鋭意研究を重ね
た結果、基板上に酸化物半導体を蒸着法により成長させ
る際に、該基板に紫外光レーザを照射することにより、
薄膜成長過程における最表面層のみの光励起によって、
微細構造が安定化するため、基板温度が低くても電気抵
抗率及び可視光透過率を同時に改善させうることを見出
し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
よる透明導電性薄膜の形成方法について鋭意研究を重ね
た結果、基板上に酸化物半導体を蒸着法により成長させ
る際に、該基板に紫外光レーザを照射することにより、
薄膜成長過程における最表面層のみの光励起によって、
微細構造が安定化するため、基板温度が低くても電気抵
抗率及び可視光透過率を同時に改善させうることを見出
し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【０００７】すなわち、本発明は、非加熱状態の基板上
に、紫外光レーザを照射しながら酸化物半導体を蒸着さ
せることを特徴とする透明導電性薄膜の形成方法を提供
するものである。
に、紫外光レーザを照射しながら酸化物半導体を蒸着さ
せることを特徴とする透明導電性薄膜の形成方法を提供
するものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明方法において用いられる基
板としては特に制限はなく、従来、蒸着法による酸化物
半導体薄膜の形成に慣用されている基板、例えばパイレ
ックスガラスや石英ガラスなどのガラス基板、シリコン
やＧａＡｓなどの半導体基板はもちろん、これまでの蒸
着法では基板温度を高くしなければならないために使用
することができなかったプラスチック基板のような耐熱
性に劣る基板も用いることができる。
板としては特に制限はなく、従来、蒸着法による酸化物
半導体薄膜の形成に慣用されている基板、例えばパイレ
ックスガラスや石英ガラスなどのガラス基板、シリコン
やＧａＡｓなどの半導体基板はもちろん、これまでの蒸
着法では基板温度を高くしなければならないために使用
することができなかったプラスチック基板のような耐熱
性に劣る基板も用いることができる。
【０００９】また、本発明方法における酸化物半導体と
しては、これまで蒸着法により基板上に透明導電性薄膜
を形成する際に用いられていたものの中から任意に選ん
で用いることができ、特に制限はない。このような酸化
物半導体としては、例えば酸化インジウム、酸化スズ、
酸化亜鉛、酸化ガリウム、あるいはこれらの複合酸化物
系や、インジウム酸マグネシウム系などが挙げられる。
上記複合酸化物系半導体としては、インジウムチンオキ
シド（ＩＴＯ）が代表的なものとして知られている。
しては、これまで蒸着法により基板上に透明導電性薄膜
を形成する際に用いられていたものの中から任意に選ん
で用いることができ、特に制限はない。このような酸化
物半導体としては、例えば酸化インジウム、酸化スズ、
酸化亜鉛、酸化ガリウム、あるいはこれらの複合酸化物
系や、インジウム酸マグネシウム系などが挙げられる。
上記複合酸化物系半導体としては、インジウムチンオキ
シド（ＩＴＯ）が代表的なものとして知られている。
【００１０】次に、本発明方法で用いる蒸着法の種類に
ついても特に制限はなく、真空蒸着法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法、高周波イオンプレーティ
ング法、電子ビーム蒸着法、化学的気相蒸着法（ＣＶＤ
法）など、従来透明導電性薄膜の形成に用いられていた
方法のいずれを用いてもよい。
ついても特に制限はなく、真空蒸着法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法、高周波イオンプレーティ
ング法、電子ビーム蒸着法、化学的気相蒸着法（ＣＶＤ
法）など、従来透明導電性薄膜の形成に用いられていた
方法のいずれを用いてもよい。
【００１１】本発明方法においては、基板に紫外光レー
ザを照射させながら、蒸着処理すること、すなわち成長
中の酸化物半導体に紫外光レーザを照射させながら、酸
化物半導体を蒸着させることが必要である。この際照射
する紫外光レーザとしては、例えばＡｒＦ、ＫｒＦ、Ｘ
ｅＦ、ＸｅＣｌなどのエキシマレーザ光やＹＡＧレーザ
光の高調波などが用いられる。
ザを照射させながら、蒸着処理すること、すなわち成長
中の酸化物半導体に紫外光レーザを照射させながら、酸
化物半導体を蒸着させることが必要である。この際照射
する紫外光レーザとしては、例えばＡｒＦ、ＫｒＦ、Ｘ
ｅＦ、ＸｅＣｌなどのエキシマレーザ光やＹＡＧレーザ
光の高調波などが用いられる。
【００１２】本発明方法で用いる紫外光レーザの平均エ
ネルギー密度は、対象材料である酸化物半導体の結晶化
温度などの諸物性に左右される。例えば、酸化物半導体
として、酸化インジウム−５重量％酸化スズの複合酸化
物系を使用し、その電気伝導率及び可視光透過率を最適
化するには、１ｍＷ／ｃｍ2以上のレーザ出力が必要で
ある。この紫外光レーザは、通常、レーザ発振器からの
光を、アッテネーターやレンズなどでレーザ出力を調整
して使用される。
ネルギー密度は、対象材料である酸化物半導体の結晶化
温度などの諸物性に左右される。例えば、酸化物半導体
として、酸化インジウム−５重量％酸化スズの複合酸化
物系を使用し、その電気伝導率及び可視光透過率を最適
化するには、１ｍＷ／ｃｍ2以上のレーザ出力が必要で
ある。この紫外光レーザは、通常、レーザ発振器からの
光を、アッテネーターやレンズなどでレーザ出力を調整
して使用される。
【００１３】本発明方法においては、従来方法のように
蒸着処理に際し、基板を加熱する必要はなく、周囲温度
例えば室温において行うことができる。また、周囲環境
によっては、室温以上の温度に上昇する場合、例えば５
０〜１００℃の周囲温度になる場合もあるが、もちろん
その場合でも特に冷却することなく、非加熱状態のまま
で蒸着を行うことができる。
蒸着処理に際し、基板を加熱する必要はなく、周囲温度
例えば室温において行うことができる。また、周囲環境
によっては、室温以上の温度に上昇する場合、例えば５
０〜１００℃の周囲温度になる場合もあるが、もちろん
その場合でも特に冷却することなく、非加熱状態のまま
で蒸着を行うことができる。
【００１４】このように、本発明方法は、基板を加熱し
ないこと及び紫外光レーザを照射することのみが従来方
法と異なっているだけで、それ以外の蒸着条件はすべて
従来の方法と同じであり、特に変更する必要はない。
ないこと及び紫外光レーザを照射することのみが従来方
法と異なっているだけで、それ以外の蒸着条件はすべて
従来の方法と同じであり、特に変更する必要はない。
【００１５】このようにして、従来方法によれば、基板
温度を４００℃以上に加熱しなければ得ることができな
かった、電気抵抗率３×１０-4Ω・ｃｍ以下、可視光透
過率９０％以上の酸化物半導体薄膜を室温において形成
させることができる。
温度を４００℃以上に加熱しなければ得ることができな
かった、電気抵抗率３×１０-4Ω・ｃｍ以下、可視光透
過率９０％以上の酸化物半導体薄膜を室温において形成
させることができる。
【００１６】次に、添付図面に従って本発明方法を説明
する。図１は、本発明方法を実施するために用いられる
蒸着装置の１例の説明図であって、内部を真空に保持す
るための真空ポンプ１１に連結した排気バルブ２を有す
る真空容器１内には、蒸着材料を電子ビーム蒸着又はス
パッタリングするための蒸発源５、基板８近傍に酸素ガ
ス導入管３が設置されている。また、レーザ発振器９か
ら基板８に照射する紫外光レーザビーム６のレーザ出力
を調整するための光学系７及び真空容器１内に紫外光レ
ーザビーム６を導入するための石英窓４が設けられてい
る。上記の蒸発源５は電子銃蒸着装置電源１２及び制御
盤１３により制御されている。
する。図１は、本発明方法を実施するために用いられる
蒸着装置の１例の説明図であって、内部を真空に保持す
るための真空ポンプ１１に連結した排気バルブ２を有す
る真空容器１内には、蒸着材料を電子ビーム蒸着又はス
パッタリングするための蒸発源５、基板８近傍に酸素ガ
ス導入管３が設置されている。また、レーザ発振器９か
ら基板８に照射する紫外光レーザビーム６のレーザ出力
を調整するための光学系７及び真空容器１内に紫外光レ
ーザビーム６を導入するための石英窓４が設けられてい
る。上記の蒸発源５は電子銃蒸着装置電源１２及び制御
盤１３により制御されている。
【００１７】まず、真空容器１内に基板８を装着したの
ち、排気バルブ２を開放し、真空ポンプ１１によって容
器内の真空度を１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒ程度になるまで
排気後、酸素ガス導入管３から、酸素雰囲気圧が１０-2
〜１０-4Ｔｏｒｒ程度になるように酸素ガスを導入す
る。次いで、紫外光レーザビーム６を光学系７及び石英
窓４を通して、試料ホルダー１０に支持された基板８に
照射させながら、蒸発源５により、酸化物半導体を基板
８上に蒸着させる。この際、基板８は加熱しなくてもよ
いが、所望により、基板に影響を与えない程度に加熱し
てもよい。基板としてプラスチック基板を用いた場合に
は、基板温度は１００℃以下が好ましい。蒸着時間は特
に制限はなく、形成される透明導電性薄膜の所望膜厚に
応じて、適宜選定すればよい。
ち、排気バルブ２を開放し、真空ポンプ１１によって容
器内の真空度を１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒ程度になるまで
排気後、酸素ガス導入管３から、酸素雰囲気圧が１０-2
〜１０-4Ｔｏｒｒ程度になるように酸素ガスを導入す
る。次いで、紫外光レーザビーム６を光学系７及び石英
窓４を通して、試料ホルダー１０に支持された基板８に
照射させながら、蒸発源５により、酸化物半導体を基板
８上に蒸着させる。この際、基板８は加熱しなくてもよ
いが、所望により、基板に影響を与えない程度に加熱し
てもよい。基板としてプラスチック基板を用いた場合に
は、基板温度は１００℃以下が好ましい。蒸着時間は特
に制限はなく、形成される透明導電性薄膜の所望膜厚に
応じて、適宜選定すればよい。
【００１８】このようにして、電気抵抗率が３×１０-4
Ω・ｃｍ以下で、かつ可視光透過率が９０％以上の優れ
た透明導電性を有する酸化物半導体薄膜が形成される。
この酸化物半導体薄膜の厚さは、用途に応じて異なる
が、通常０．０１〜１０μｍ程度である。
Ω・ｃｍ以下で、かつ可視光透過率が９０％以上の優れ
た透明導電性を有する酸化物半導体薄膜が形成される。
この酸化物半導体薄膜の厚さは、用途に応じて異なる
が、通常０．０１〜１０μｍ程度である。
【００１９】
【発明の効果】本発明方法によれば、非加熱状態の基板
に紫外光レーザを照射しながら、酸化物半導体を蒸着さ
せることにより、効率よく透明導電性に優れる酸化物半
導体薄膜を基板上に形成させることができる。したがっ
て、従来の蒸着法では使用できなかったプラスチック基
板などの耐熱性に劣る基板も、本発明方法では用いるこ
とができる。本発明方法で得られた酸化物半導体からな
る透明導電性薄膜は、例えば帯電防止膜、熱線反射膜、
面発熱体、光電変換素子、透明電極などとして有用であ
る。
に紫外光レーザを照射しながら、酸化物半導体を蒸着さ
せることにより、効率よく透明導電性に優れる酸化物半
導体薄膜を基板上に形成させることができる。したがっ
て、従来の蒸着法では使用できなかったプラスチック基
板などの耐熱性に劣る基板も、本発明方法では用いるこ
とができる。本発明方法で得られた酸化物半導体からな
る透明導電性薄膜は、例えば帯電防止膜、熱線反射膜、
面発熱体、光電変換素子、透明電極などとして有用であ
る。
【００２０】
【実施例】次に、本発明を実施例により、さらに詳細に
説明するが、本発明は、この例によってなんら限定され
るものではない。
説明するが、本発明は、この例によってなんら限定され
るものではない。
【００２１】実施例 図１に示す装置を用い、下記のように実施した。まず、
真空容器１内に、パイレックスガラス基板８を所定位置
に設置して、排気バルブ２を開放し、容器内の真空度が
５×１０-6Ｔｏｒｒ程度になるまで真空ポンプ１１で排
気したのち、酸素ガス導入管（ステンレス鋼管）３か
ら、酸素雰囲気圧が２×１０-3Ｔｏｒｒになるように、
酸素ガスを導入した。次いで、電子ビーム蒸発源５によ
り、酸化物半導体である酸化インジウム−５重量％酸化
スズタブレットを蒸発させ、基板８上に酸化物半導体を
蒸着させた。この際の成膜速度は１〜２Å／秒とした。
この蒸着と同時に、成膜中の基板８に、ＫｒＦエキシマ
レーザビーム６を光学系７及び石英窓４を通して、平均
レーザ出力を変化させ、繰り返し数４０Ｈｚで照射し、
膜厚０．２μｍの薄膜を形成させた。なお、基板の温度
は室温とした。
真空容器１内に、パイレックスガラス基板８を所定位置
に設置して、排気バルブ２を開放し、容器内の真空度が
５×１０-6Ｔｏｒｒ程度になるまで真空ポンプ１１で排
気したのち、酸素ガス導入管（ステンレス鋼管）３か
ら、酸素雰囲気圧が２×１０-3Ｔｏｒｒになるように、
酸素ガスを導入した。次いで、電子ビーム蒸発源５によ
り、酸化物半導体である酸化インジウム−５重量％酸化
スズタブレットを蒸発させ、基板８上に酸化物半導体を
蒸着させた。この際の成膜速度は１〜２Å／秒とした。
この蒸着と同時に、成膜中の基板８に、ＫｒＦエキシマ
レーザビーム６を光学系７及び石英窓４を通して、平均
レーザ出力を変化させ、繰り返し数４０Ｈｚで照射し、
膜厚０．２μｍの薄膜を形成させた。なお、基板の温度
は室温とした。
【００２２】このようにして、室温基板上に形成された
酸化インジウム・酸化スズ薄膜における平均レーザ出力
と電気抵抗率（Ａ）、電子移動度（Ｂ）、電子密度
（Ｃ）との関係を図２でグラフに示す。レーザ出力が１
ｍＷ／ｃｍ2において、透明導電薄膜の電気抵抗率とし
て、通常４００℃で達成される値、すなわち電気抵抗率
３×１０-4Ω・ｃｍ以下が得られた。
酸化インジウム・酸化スズ薄膜における平均レーザ出力
と電気抵抗率（Ａ）、電子移動度（Ｂ）、電子密度
（Ｃ）との関係を図２でグラフに示す。レーザ出力が１
ｍＷ／ｃｍ2において、透明導電薄膜の電気抵抗率とし
て、通常４００℃で達成される値、すなわち電気抵抗率
３×１０-4Ω・ｃｍ以下が得られた。
【００２３】このレーザ出力１ｍＷ／ｃｍ2において、
室温基板上に形成された透明導電性薄膜における波長と
光透過率との関係を図３にグラフで示す。平均可視光透
過率は、通常４００℃で達成される値、すなわち９０％
以上の値が室温において得られた。この薄膜のＸ線回折
チャートを図４に示す。図中の＊印のピークは酸化イン
ジウム結晶に基づくものである。この図から結晶性のよ
い酸化インジウム結晶が室温基板上に形成されているこ
とが分かる。
室温基板上に形成された透明導電性薄膜における波長と
光透過率との関係を図３にグラフで示す。平均可視光透
過率は、通常４００℃で達成される値、すなわち９０％
以上の値が室温において得られた。この薄膜のＸ線回折
チャートを図４に示す。図中の＊印のピークは酸化イン
ジウム結晶に基づくものである。この図から結晶性のよ
い酸化インジウム結晶が室温基板上に形成されているこ
とが分かる。
【図１】 本発明方法の説明図。
【図２】 本発明方法で得られた透明導電性薄膜の１例
の電気的特性を示すグラフ。
の電気的特性を示すグラフ。
【図３】 本発明方法で得られた透明導電性薄膜の１例
の波長と光透過率との関係を示すグラフ。
の波長と光透過率との関係を示すグラフ。
【図４】 本発明方法で得られた透明導電性薄膜の１例
のＸ線回折チャート。
のＸ線回折チャート。
１ 真空容器 ２ 排気バルブ ３ 酸素ガス導入管 ４ 石英窓 ５ 蒸発源 ６ 紫外光レーザビーム ７ レーザ出力調整用光学系 ８ 基板 ９ レーザ発振器 １０ 試料ホルダー １１ 真空ポンプ １２ 電源 １３ 制御盤
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１月８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】本発明方法で用いる紫外光レーザの平均エ
ネルギー密度は、対象材料である酸化物半導体の結晶化
温度などの諸物性に左右される。例えば、酸化物半導体
として、酸化インジウム−５重量％酸化スズの複合酸化
物系を使用し、その電気伝導率及び可視光透過率を最適
化するには、１Ｗ／ｃｍ2以上のレーザ出力が必要であ
る。この紫外光レーザは、通常、レーザ発振器からの光
を、アッテネーターやレンズなどでレーザ出力を調整し
て使用される。
ネルギー密度は、対象材料である酸化物半導体の結晶化
温度などの諸物性に左右される。例えば、酸化物半導体
として、酸化インジウム−５重量％酸化スズの複合酸化
物系を使用し、その電気伝導率及び可視光透過率を最適
化するには、１Ｗ／ｃｍ2以上のレーザ出力が必要であ
る。この紫外光レーザは、通常、レーザ発振器からの光
を、アッテネーターやレンズなどでレーザ出力を調整し
て使用される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】このようにして、室温基板上に形成された
酸化インジウム・酸化スズ薄膜における平均レーザ出力
と電気抵抗率（Ａ）、電子移動度（Ｂ）、電子密度
（Ｃ）との関係を図２でグラフに示す。レーザ出力が１
Ｗ／ｃｍ2において、透明導電薄膜の電気抵抗率とし
て、通常４００℃で達成される値、すなわち電気抵抗率
３×１０-4Ω・ｃｍ以下が得られた。
酸化インジウム・酸化スズ薄膜における平均レーザ出力
と電気抵抗率（Ａ）、電子移動度（Ｂ）、電子密度
（Ｃ）との関係を図２でグラフに示す。レーザ出力が１
Ｗ／ｃｍ2において、透明導電薄膜の電気抵抗率とし
て、通常４００℃で達成される値、すなわち電気抵抗率
３×１０-4Ω・ｃｍ以下が得られた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】このレーザ出力１Ｗ／ｃｍ2において、室
温基板上に形成された透明導電性薄膜における波長と光
透過率との関係を図３にグラフで示す。平均可視光透過
率は、通常４００℃で達成される値、すなわち９０％以
上の値が室温において得られた。この薄膜のＸ線回折チ
ャートを図４に示す。図中の＊印のピークは酸化インジ
ウム結晶に基づくものである。この図から結晶性のよい
酸化インジウム結晶が室温基板上に形成されていること
が分かる。
温基板上に形成された透明導電性薄膜における波長と光
透過率との関係を図３にグラフで示す。平均可視光透過
率は、通常４００℃で達成される値、すなわち９０％以
上の値が室温において得られた。この薄膜のＸ線回折チ
ャートを図４に示す。図中の＊印のピークは酸化インジ
ウム結晶に基づくものである。この図から結晶性のよい
酸化インジウム結晶が室温基板上に形成されていること
が分かる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 勝村 宗英 香川県高松市林町2217番14 工業技術院四 国工業技術研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 非加熱状態の基板上に、紫外光レーザを
照射しながら酸化物半導体を蒸着させることを特徴とす
る透明導電性薄膜の形成方法。 - 【請求項２】 基板温度を周囲温度に保持して行う請求
項１記載の透明導電性薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4444298A JP2945968B2 (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 透明導電性薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4444298A JP2945968B2 (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 透明導電性薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11229120A true JPH11229120A (ja) | 1999-08-24 |
| JP2945968B2 JP2945968B2 (ja) | 1999-09-06 |
Family
ID=12691613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4444298A Expired - Lifetime JP2945968B2 (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 透明導電性薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2945968B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006502589A (ja) * | 2002-10-11 | 2006-01-19 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 透明酸化物半導体薄膜トランジスタ |
| JP2008192604A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-08-21 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 透明導電膜用材料 |
| JP2008255444A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Hoya Corp | ＺｎＣｕＳｅ薄膜付き基板およびその製造方法 |
| JP2011214043A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Mitsubishi Materials Corp | Ｉｔｏ透明導電膜の形成方法及びその形成装置 |
| JP2012219320A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Mitsubishi Materials Corp | 太陽電池用透明導電膜の形成方法およびその形成装置 |
-
1998
- 1998-02-10 JP JP4444298A patent/JP2945968B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006502589A (ja) * | 2002-10-11 | 2006-01-19 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 透明酸化物半導体薄膜トランジスタ |
| EP3196925A1 (en) * | 2002-10-11 | 2017-07-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
| JP2008192604A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-08-21 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 透明導電膜用材料 |
| JP2008255444A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Hoya Corp | ＺｎＣｕＳｅ薄膜付き基板およびその製造方法 |
| JP2011214043A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Mitsubishi Materials Corp | Ｉｔｏ透明導電膜の形成方法及びその形成装置 |
| JP2012219320A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Mitsubishi Materials Corp | 太陽電池用透明導電膜の形成方法およびその形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2945968B2 (ja) | 1999-09-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6383345B1 (en) | Method of forming indium tin oxide thin film using magnetron negative ion sputter source | |
| KR100766153B1 (ko) | 투명성 산화인듐주석의 전자 빔 증발법 | |
| JPH04280975A (ja) | ＺｎＯ透明導電膜の製造方法 | |
| US4058638A (en) | Method of optical thin film coating | |
| JP4110752B2 (ja) | 基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。 | |
| US4428810A (en) | Method and apparatus for depositing conducting oxide on a substrate | |
| JPS61274314A (ja) | レ−ザ−加熱タ−ゲツトからの蒸発増強方法 | |
| JP2945968B2 (ja) | 透明導電性薄膜の形成方法 | |
| US3392056A (en) | Method of making single crystal films and the product resulting therefrom | |
| JPH0433327A (ja) | 半導体結晶化膜の形成方法 | |
| JP2001335918A (ja) | Ｉｔｏ透明導電膜の形成方法 | |
| CN107326326A (zh) | 一种电学器件用Al掺杂的氧化锌薄膜制备方法 | |
| CN206872934U (zh) | 一种制备掺杂薄膜的脉冲激光沉积装置 | |
| US10276740B1 (en) | Co-deposition of black silicon | |
| JPS62171990A (ja) | 結晶薄膜の製造方法 | |
| JPH058527B2 (ja) | ||
| JP4126372B2 (ja) | ソーラーパネルとその製造方法 | |
| KR930005825B1 (ko) | 고분자 투명도전성 필름제조방법 | |
| EP0020456A1 (en) | TRANSPARENT THERMAL MIRRORS FORMED ON POLYMERIC SUBSTRATES. | |
| CN108330444A (zh) | 一种制备硫化锌膜的方法 | |
| Abdullahi | RF Sputtered Zinc Oxide (ZnO) Thin Films: A Review | |
| JPH089767B2 (ja) | 低抵抗透明導電膜の製造方法 | |
| KR970005159B1 (ko) | 박막제조장치 | |
| CN2408126Y (zh) | 沉积类金刚石薄膜的镀膜机 | |
| JPS62222058A (ja) | 透明導電膜の形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |