JPH11229187A - 絶縁性に優れた電子材料用基板及びその製造方法 - Google Patents
絶縁性に優れた電子材料用基板及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH11229187A JPH11229187A JP13713998A JP13713998A JPH11229187A JP H11229187 A JPH11229187 A JP H11229187A JP 13713998 A JP13713998 A JP 13713998A JP 13713998 A JP13713998 A JP 13713998A JP H11229187 A JPH11229187 A JP H11229187A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- oxide
- insulating layer
- electronic material
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 割れにくく可撓性を有し、しかもガラス基板
よりも軽量化を図ることのできる絶縁性に優れた電子材
料用基板及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基体と表面絶縁層からなる電子材料用基
板において、上記表面絶縁層を１種以上の金属酸化物と
それ以外の非導電性物質から構成する。上記金属酸化物
としてはＡｌ酸化物，Ｔｉ酸化物，Ｚｒ酸化物，Ｍｇ酸
化物，Ｓｉ酸化物，Ｓｎ酸化物等が挙げられ、中でもＡ
ｌ酸化物が好ましく、上記非導電性物質としては、Ａ
ｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｓｎ，Ｚｎよりな
る群から選択される１種以上の元素の酸化物，窒化物，
水酸化物または酸水酸化物が挙げられる。上記非導電性
物質としてはＳｉ酸化物が好ましく、この場合にはＳｉ
−Ｏ結合を有する化合物が溶解された溶液を陽極酸化皮
膜の表面に塗布し焼成すれば、Ｓｉ酸化物を含有する表
面絶縁層を形成することが可能である。
よりも軽量化を図ることのできる絶縁性に優れた電子材
料用基板及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基体と表面絶縁層からなる電子材料用基
板において、上記表面絶縁層を１種以上の金属酸化物と
それ以外の非導電性物質から構成する。上記金属酸化物
としてはＡｌ酸化物，Ｔｉ酸化物，Ｚｒ酸化物，Ｍｇ酸
化物，Ｓｉ酸化物，Ｓｎ酸化物等が挙げられ、中でもＡ
ｌ酸化物が好ましく、上記非導電性物質としては、Ａ
ｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｓｎ，Ｚｎよりな
る群から選択される１種以上の元素の酸化物，窒化物，
水酸化物または酸水酸化物が挙げられる。上記非導電性
物質としてはＳｉ酸化物が好ましく、この場合にはＳｉ
−Ｏ結合を有する化合物が溶解された溶液を陽極酸化皮
膜の表面に塗布し焼成すれば、Ｓｉ酸化物を含有する表
面絶縁層を形成することが可能である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池や液晶デ
ィスプレイ等の電子材料の絶縁基板として好適な絶縁性
に優れた電子材料用基板及びその製造方法に関するもの
である。
ィスプレイ等の電子材料の絶縁基板として好適な絶縁性
に優れた電子材料用基板及びその製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】上記電子材料の基板としては、ガラス基
板が汎用されているが、割れ易いことから取り扱いに十
分な注意が必要であると共に、フレキシブル性に欠ける
ことから使用範囲が限定されていた。更に、最近では住
宅等の建造物用の電力供給源として太陽電池が注目を集
めており、十分な供給電力を確保する上で、太陽電池の
大型化が不可欠であり、太陽電池の大面積化を図る上で
基板の軽量化が望まれている。しかしながら、軽量化を
目的として、ガラス基板を薄くすると一層割れ易くなっ
てしまうことから、割れにくくフレキシブルであり、し
かもガラス基板よりも軽量化を図ることのできる基板材
料の開発が要望されていた。
板が汎用されているが、割れ易いことから取り扱いに十
分な注意が必要であると共に、フレキシブル性に欠ける
ことから使用範囲が限定されていた。更に、最近では住
宅等の建造物用の電力供給源として太陽電池が注目を集
めており、十分な供給電力を確保する上で、太陽電池の
大型化が不可欠であり、太陽電池の大面積化を図る上で
基板の軽量化が望まれている。しかしながら、軽量化を
目的として、ガラス基板を薄くすると一層割れ易くなっ
てしまうことから、割れにくくフレキシブルであり、し
かもガラス基板よりも軽量化を図ることのできる基板材
料の開発が要望されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に着
目してなされたものであって、割れにくく可撓性を有
し、しかもガラス基板よりも軽量化を図ることのできる
絶縁性に優れた電子材料用基板及びその製造方法を提供
しようとするものである。
目してなされたものであって、割れにくく可撓性を有
し、しかもガラス基板よりも軽量化を図ることのできる
絶縁性に優れた電子材料用基板及びその製造方法を提供
しようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成した本発
明の電子材料用基板とは、基体と表面絶縁層からなる電
子材料用基板であって、上記表面絶縁層が１種以上の金
属酸化物とそれ以外の非導電性物質からなるものである
ことを要旨とするものである。上記金属酸化物としては
Ａｌ酸化物，Ｔｉ酸化物，Ｚｒ酸化物，Ｍｇ酸化物，Ｓ
ｉ酸化物，Ｓｎ酸化物等が挙げられ、中でもＡｌ酸化物
が好ましく、上記非導電性物質としては、Ａｌ，Ｓｉ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｓｎ，Ｚｎよりなる群から選
択される１種以上の元素の酸化物，窒化物，水酸化物ま
たは酸水酸化物が挙げられる。上記基体としては、基板
としての適度な機械的強度や耐食性を有する材料を用い
ればよいが、中でもＡｌ又はＡｌ合金やＴｉ又はＴｉ合
金等の軽金属材料が好ましく、基体としてＡｌ又はＡｌ
合金を採用する場合には、陽極酸化処理を施せば表面絶
縁層を形成することができる。
明の電子材料用基板とは、基体と表面絶縁層からなる電
子材料用基板であって、上記表面絶縁層が１種以上の金
属酸化物とそれ以外の非導電性物質からなるものである
ことを要旨とするものである。上記金属酸化物としては
Ａｌ酸化物，Ｔｉ酸化物，Ｚｒ酸化物，Ｍｇ酸化物，Ｓ
ｉ酸化物，Ｓｎ酸化物等が挙げられ、中でもＡｌ酸化物
が好ましく、上記非導電性物質としては、Ａｌ，Ｓｉ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｓｎ，Ｚｎよりなる群から選
択される１種以上の元素の酸化物，窒化物，水酸化物ま
たは酸水酸化物が挙げられる。上記基体としては、基板
としての適度な機械的強度や耐食性を有する材料を用い
ればよいが、中でもＡｌ又はＡｌ合金やＴｉ又はＴｉ合
金等の軽金属材料が好ましく、基体としてＡｌ又はＡｌ
合金を採用する場合には、陽極酸化処理を施せば表面絶
縁層を形成することができる。
【０００５】また前記課題を解決した本発明の電子材料
用基板としては、ＡｌまたはＡｌ合金製基体上に陽極酸
化皮膜が形成され、上記陽極酸化皮膜のポアが非導電性
物質で封鎖されてなる電子材料用基板であっても良く、
或いはＡｌまたはＡｌ合金製基体上に陽極酸化皮膜が形
成され、上記陽極酸化皮膜の表面が非導電性物質で被覆
されてなる電子材料用基板であっても良い。更には、Ａ
ｌまたはＡｌ合金製基体上に陽極酸化皮膜が形成され、
上記陽極酸化皮膜が上記基体の陽極酸化によって生成さ
れた物質以外の非導電性物質を含有する電子材料用基板
であっても良い。
用基板としては、ＡｌまたはＡｌ合金製基体上に陽極酸
化皮膜が形成され、上記陽極酸化皮膜のポアが非導電性
物質で封鎖されてなる電子材料用基板であっても良く、
或いはＡｌまたはＡｌ合金製基体上に陽極酸化皮膜が形
成され、上記陽極酸化皮膜の表面が非導電性物質で被覆
されてなる電子材料用基板であっても良い。更には、Ａ
ｌまたはＡｌ合金製基体上に陽極酸化皮膜が形成され、
上記陽極酸化皮膜が上記基体の陽極酸化によって生成さ
れた物質以外の非導電性物質を含有する電子材料用基板
であっても良い。
【０００６】尚、上記非導電性物質としてはＳｉ酸化物
が好ましく、この場合にはＳｉ−Ｏ結合を有する化合物
が溶解された溶液を陽極酸化皮膜の表面に塗布し焼成す
れば、Ｓｉ酸化物を含有する表面絶縁層を形成すること
が可能である。
が好ましく、この場合にはＳｉ−Ｏ結合を有する化合物
が溶解された溶液を陽極酸化皮膜の表面に塗布し焼成す
れば、Ｓｉ酸化物を含有する表面絶縁層を形成すること
が可能である。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明者らは金属材料の高い強度
及び靭性と、薄板化した場合の可撓性に着目し、金属材
料を薄く形成して用いれば、ガラス基板より軽量化を図
ることも可能であることから、軽金属材料の基体の表面
に絶縁層を形成することにより電子材料用基板とするこ
とを考えた。そこでＡｌ製基板を用いて、陽極酸化処理
を施すことによりＡｌ表面にＡｌ酸化物を主体とする陽
極酸化皮膜（Ａｌ−Ｏ，Ａｌ−ＯＨ，Ａｌ−Ｏ−ＯＨの
混合相）を形成し、これを絶縁層とした基板を作製し、
その絶縁性を調べた。その結果、理論的には十分な絶縁
性を有するはずの陽極酸化皮膜から電流が漏れることが
確認された。
及び靭性と、薄板化した場合の可撓性に着目し、金属材
料を薄く形成して用いれば、ガラス基板より軽量化を図
ることも可能であることから、軽金属材料の基体の表面
に絶縁層を形成することにより電子材料用基板とするこ
とを考えた。そこでＡｌ製基板を用いて、陽極酸化処理
を施すことによりＡｌ表面にＡｌ酸化物を主体とする陽
極酸化皮膜（Ａｌ−Ｏ，Ａｌ−ＯＨ，Ａｌ−Ｏ−ＯＨの
混合相）を形成し、これを絶縁層とした基板を作製し、
その絶縁性を調べた。その結果、理論的には十分な絶縁
性を有するはずの陽極酸化皮膜から電流が漏れることが
確認された。
【０００８】そこで本発明者らは更に鋭意研究を重ねた
結果、図１〜図３に示す方法により、上記陽極酸化皮膜
に非導電性物質を複合化するか、含有させれば上記陽極
酸化皮膜の絶縁性を高めることができることを見出し、
本発明に想到した。図１は、非導電性物質３を陽極酸化
皮膜２のポア内の一部又は全部に充填して空孔を封鎖す
る様に存在させる方法、図２は、陽極酸化皮膜２の表面
を非導電性物質３で被覆する方法、図３は陽極酸化皮膜
２の表面及び／又はポアから皮膜内部に非導電性物質４
を浸透させて存在させる方法である。図２または図３の
含有形態を選択する場合には、非導電性物質として、Ａ
ｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｓｎ，Ｚｎよりな
る群から選択される１種以上の元素の酸化物，窒化物，
水酸化物または酸水酸化物を用いれば良く、また図３の
含有形態を選択する場合には、非導電性物質として陽極
酸化皮膜の構成化合物以外の非導電性化合物を用いれば
良く、具体的にはＳｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｓ
ｎ，Ｚｎよりなる群から選択される１種以上の元素の酸
化物，窒化物，水酸化物または酸水酸化物を用いるか、
或いはＡｌ窒化物を用いれば良い。
結果、図１〜図３に示す方法により、上記陽極酸化皮膜
に非導電性物質を複合化するか、含有させれば上記陽極
酸化皮膜の絶縁性を高めることができることを見出し、
本発明に想到した。図１は、非導電性物質３を陽極酸化
皮膜２のポア内の一部又は全部に充填して空孔を封鎖す
る様に存在させる方法、図２は、陽極酸化皮膜２の表面
を非導電性物質３で被覆する方法、図３は陽極酸化皮膜
２の表面及び／又はポアから皮膜内部に非導電性物質４
を浸透させて存在させる方法である。図２または図３の
含有形態を選択する場合には、非導電性物質として、Ａ
ｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｓｎ，Ｚｎよりな
る群から選択される１種以上の元素の酸化物，窒化物，
水酸化物または酸水酸化物を用いれば良く、また図３の
含有形態を選択する場合には、非導電性物質として陽極
酸化皮膜の構成化合物以外の非導電性化合物を用いれば
良く、具体的にはＳｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｓ
ｎ，Ｚｎよりなる群から選択される１種以上の元素の酸
化物，窒化物，水酸化物または酸水酸化物を用いるか、
或いはＡｌ窒化物を用いれば良い。
【０００９】尚、陽極酸化処理皮膜の細孔を無機酸化物
で封孔したり、或いは陽極酸化処理皮膜の表面を無機酸
化物によって被覆する技術については、特開平６−３１
６７８７号公報及び特開平８−１３４６９４号公報に示
されているが、これらの技術はいずれも陽極酸化皮膜の
耐食性を向上させることを目的とするものであり、陽極
酸化皮膜の絶縁性に関する知見は何ら示されていない。
で封孔したり、或いは陽極酸化処理皮膜の表面を無機酸
化物によって被覆する技術については、特開平６−３１
６７８７号公報及び特開平８−１３４６９４号公報に示
されているが、これらの技術はいずれも陽極酸化皮膜の
耐食性を向上させることを目的とするものであり、陽極
酸化皮膜の絶縁性に関する知見は何ら示されていない。
【００１０】また図４に示した様に、図１と図３の方法
を組み合わせた形態のものや、図５に示した様に、図２
と図３の方法を組み合わせた形態のものを採用すれば、
より一層絶縁性が向上して望ましい。例えば、図１の形
態により陽極酸化皮膜（厚さ１０μｍ）にＳｉ酸化物を
2.5×10-7g/mm2 で封孔した基板では、後述する実施例
と同じ方法で測定した漏れ電流が 2.5×10-6A/mm2 であ
るのに対して、図４の形態を採用した以外は同様の条件
で得た基板の漏れ電流は 1.0×10-8A/mm2 まで小さくな
っており、数１０分の１以下に低減できた。この様に陽
極酸化皮膜自体のバルクマトリックス中に、陽極酸化皮
膜の構成化合物以外の非導電性物質を存在させることが
絶縁特性を得る上で極めて有効であり、更に陽極酸化処
理皮膜の細孔を非導電性物質で封孔するか、或いは陽極
酸化処理皮膜の表面を非導電性物質によって被覆すれば
絶縁性が飛躍的に向上するので特に望ましい。
を組み合わせた形態のものや、図５に示した様に、図２
と図３の方法を組み合わせた形態のものを採用すれば、
より一層絶縁性が向上して望ましい。例えば、図１の形
態により陽極酸化皮膜（厚さ１０μｍ）にＳｉ酸化物を
2.5×10-7g/mm2 で封孔した基板では、後述する実施例
と同じ方法で測定した漏れ電流が 2.5×10-6A/mm2 であ
るのに対して、図４の形態を採用した以外は同様の条件
で得た基板の漏れ電流は 1.0×10-8A/mm2 まで小さくな
っており、数１０分の１以下に低減できた。この様に陽
極酸化皮膜自体のバルクマトリックス中に、陽極酸化皮
膜の構成化合物以外の非導電性物質を存在させることが
絶縁特性を得る上で極めて有効であり、更に陽極酸化処
理皮膜の細孔を非導電性物質で封孔するか、或いは陽極
酸化処理皮膜の表面を非導電性物質によって被覆すれば
絶縁性が飛躍的に向上するので特に望ましい。
【００１１】更に、本発明に係る電子材料用基板では、
図１〜５のいずれか単独の形態を採用してもよいが、図
１〜５の形態の２種以上の組合わせであってもよく、例
えば波型やその他の形状に成形された基板の場合におい
ては、適用部位に応じて採用する形態を適宜選択して複
数の形態を組み合わせてもよい。
図１〜５のいずれか単独の形態を採用してもよいが、図
１〜５の形態の２種以上の組合わせであってもよく、例
えば波型やその他の形状に成形された基板の場合におい
ては、適用部位に応じて採用する形態を適宜選択して複
数の形態を組み合わせてもよい。
【００１２】尚、上記図１及び図２の形態と、図３の形
態は、含有させる際の化合物の状態によって決まると考
えられ、また化合物を何らかの媒体（例えば、アルコー
ル類等）に分散または溶解させて溶液状にした場合に
は、化合物の濃度や溶液中での物質のクラスタ状態（分
子団の大きさ）などに依存し、例えば後述する塗布ガラ
スの場合には、原料物質（ex. ポリメチルシルセスキオ
キサン）の分子量や、溶媒に分散させた際に何個の分子
が集合体としても分子団を形成しているかということ等
に依存することが考えられる。更に、溶媒自身の粘度や
溶液とした場合の粘度、または含浸させる際の溶液温度
などによっても含有形態は変化すると考えられる。即
ち、陽極酸化処理皮膜等の表面絶縁層のバルクマトリッ
クス内に侵入できれば、図３の形態が得られ、バルクマ
トリックス内に侵入できない状態であれば、図１または
図２の形態となり、更にそれらの状態が混在する場合に
は図４または図５の形態が得られるものと考えられる。
態は、含有させる際の化合物の状態によって決まると考
えられ、また化合物を何らかの媒体（例えば、アルコー
ル類等）に分散または溶解させて溶液状にした場合に
は、化合物の濃度や溶液中での物質のクラスタ状態（分
子団の大きさ）などに依存し、例えば後述する塗布ガラ
スの場合には、原料物質（ex. ポリメチルシルセスキオ
キサン）の分子量や、溶媒に分散させた際に何個の分子
が集合体としても分子団を形成しているかということ等
に依存することが考えられる。更に、溶媒自身の粘度や
溶液とした場合の粘度、または含浸させる際の溶液温度
などによっても含有形態は変化すると考えられる。即
ち、陽極酸化処理皮膜等の表面絶縁層のバルクマトリッ
クス内に侵入できれば、図３の形態が得られ、バルクマ
トリックス内に侵入できない状態であれば、図１または
図２の形態となり、更にそれらの状態が混在する場合に
は図４または図５の形態が得られるものと考えられる。
【００１３】また、Ａｌ合金製基体１の表面に形成され
た陽極酸化皮膜２には、Ａｌ合金中に不可避的に含まれ
るＦｅや添加元素の一つであるＳｉ等の化合物からなる
析出物や晶出物５が存在する場合もあり［図６(a) ］、
これらの析出物や晶出物が何らかの要因で陽極酸化皮膜
から脱離してその後に欠陥部が生じた場合にリーク電流
が発生することも予想される。本発明の電子材料用基板
では図３に示す様に、陽極酸化皮膜のマトリックス中に
非導電性物質４を存在させることにより膜質自体を変化
させて優れた絶縁特性を発現させるか、或いは／更には
図１，図２，図４，図５や図６(b) の様に、非導電性物
質３で陽極酸化皮膜のポア及び／又は上記欠陥部に補填
することにより電流の漏れを防止して確実な絶縁性が得
られるものである。
た陽極酸化皮膜２には、Ａｌ合金中に不可避的に含まれ
るＦｅや添加元素の一つであるＳｉ等の化合物からなる
析出物や晶出物５が存在する場合もあり［図６(a) ］、
これらの析出物や晶出物が何らかの要因で陽極酸化皮膜
から脱離してその後に欠陥部が生じた場合にリーク電流
が発生することも予想される。本発明の電子材料用基板
では図３に示す様に、陽極酸化皮膜のマトリックス中に
非導電性物質４を存在させることにより膜質自体を変化
させて優れた絶縁特性を発現させるか、或いは／更には
図１，図２，図４，図５や図６(b) の様に、非導電性物
質３で陽極酸化皮膜のポア及び／又は上記欠陥部に補填
することにより電流の漏れを防止して確実な絶縁性が得
られるものである。
【００１４】陽極酸化皮膜の膜厚としては、十分な絶縁
性を得る上で、０．０１μｍ以上が望ましく、０．１μ
ｍ以上であればより望ましい。但し、厚過ぎると内部応
力が高まり陽極酸化皮膜が割れる恐れが生じると共に、
厚く形成するには陽極酸化処理溶液中に長時間浸漬する
ことが必要であり、電解溶液に長時間さらされると最表
面の表面性状が粗くなるので５０μｍ以下が望ましく、
３０μｍ以下であればより望ましい。
性を得る上で、０．０１μｍ以上が望ましく、０．１μ
ｍ以上であればより望ましい。但し、厚過ぎると内部応
力が高まり陽極酸化皮膜が割れる恐れが生じると共に、
厚く形成するには陽極酸化処理溶液中に長時間浸漬する
ことが必要であり、電解溶液に長時間さらされると最表
面の表面性状が粗くなるので５０μｍ以下が望ましく、
３０μｍ以下であればより望ましい。
【００１５】本発明は陽極酸化処理に用いる電解溶液を
限定するものでなく、例えば硫酸溶液，しゅう酸溶液，
ほう酸系溶液，りん酸系溶液等を単独で、又は混合して
用いれば良く、溶液濃度，電解電圧，電解電流等の条件
を制御することにより、所定の膜厚とすればよい。尚、
陽極酸化処理中には上記電解溶液からＳ，Ｃ，Ｎ，Ｐ，
Ｂなどの元素が陽極酸化皮膜に含まれるものであり、通
常上記元素の１種以上が０．０１質量％以上含まれる。
限定するものでなく、例えば硫酸溶液，しゅう酸溶液，
ほう酸系溶液，りん酸系溶液等を単独で、又は混合して
用いれば良く、溶液濃度，電解電圧，電解電流等の条件
を制御することにより、所定の膜厚とすればよい。尚、
陽極酸化処理中には上記電解溶液からＳ，Ｃ，Ｎ，Ｐ，
Ｂなどの元素が陽極酸化皮膜に含まれるものであり、通
常上記元素の１種以上が０．０１質量％以上含まれる。
【００１６】陽極酸化皮膜内に含有させる非導電性物質
としては、前述の通り、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｌｉ，Ｍ
ｇ，Ｓｎ，Ｚｎよりなる群から選択される１種以上の元
素の酸化物，窒化物，水酸化物または酸水酸化物を用い
るか、或いはＡｌ窒化物を用いればよいが、いずれの化
合物であっても絶縁性を十分に発揮させる上で、金属換
算で１×１０-10 ｇ／ｍｍ2 以上含有させることが好ま
しく、１×１０-8ｇ／ｍｍ2 以上であればより好まし
い。
としては、前述の通り、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｌｉ，Ｍ
ｇ，Ｓｎ，Ｚｎよりなる群から選択される１種以上の元
素の酸化物，窒化物，水酸化物または酸水酸化物を用い
るか、或いはＡｌ窒化物を用いればよいが、いずれの化
合物であっても絶縁性を十分に発揮させる上で、金属換
算で１×１０-10 ｇ／ｍｍ2 以上含有させることが好ま
しく、１×１０-8ｇ／ｍｍ2 以上であればより好まし
い。
【００１７】また、陽極酸化皮膜の表面及び／又はポア
から内部に侵入して存在させる非導電性物質の量は、現
状技術では正確な定量値を得ることは困難であるが、概
算では金属に換算して１×１０-13 ｇ／ｍｍ2 以上が好
ましいものと考えられる。尚、正確な定量値は得られて
いないものの、上記非導電性物質の存在はＡＥＳ（オー
ジェ分光分析），ＩＭＡ（イオンマイクロ分析），ＴＥ
Ｍ（透過電子顕微鏡）等の物理解析手法により確認する
ことが可能である。
から内部に侵入して存在させる非導電性物質の量は、現
状技術では正確な定量値を得ることは困難であるが、概
算では金属に換算して１×１０-13 ｇ／ｍｍ2 以上が好
ましいものと考えられる。尚、正確な定量値は得られて
いないものの、上記非導電性物質の存在はＡＥＳ（オー
ジェ分光分析），ＩＭＡ（イオンマイクロ分析），ＴＥ
Ｍ（透過電子顕微鏡）等の物理解析手法により確認する
ことが可能である。
【００１８】更に、前記非導電性物質の中でもＳｉ酸化
物は、優れた絶縁性を得る上で、また電子材料として用
いた場合に汚染源とならないため、特に好ましい化合物
である。上記陽極酸化皮膜にＳｉ酸化物を含有させる方
法としては、Ｓｉ−Ｏ結合を有する化合物を溶媒に溶か
した溶液を、陽極酸化皮膜に塗布するか含浸させ、焼成
することが推奨される。上記Ｓｉ−Ｏ結合を有する化合
物は、モノマー，オリゴマー，ポリマーのいずれの形態
であってもよく、側鎖にメチル基やフェニル基等の官能
基を有するオルガノポリシロキサンやオルガノシルセス
キオキサン（例えば、フェニルシルセスキオキサン
等），シラノール等を用いれば良く、これらの化合物を
溶媒に溶かし、陽極酸化皮膜に塗布するか、或いは含浸
させた後、焼成してＳｉ酸化物とすればよい。尚、上記
Ｓｉ−Ｏ結合を有する化合物としては、電子工業の分野
でＳＯＧ（spin on glass)や塗布ガラスと呼ばれている
ものを用いることができる。
物は、優れた絶縁性を得る上で、また電子材料として用
いた場合に汚染源とならないため、特に好ましい化合物
である。上記陽極酸化皮膜にＳｉ酸化物を含有させる方
法としては、Ｓｉ−Ｏ結合を有する化合物を溶媒に溶か
した溶液を、陽極酸化皮膜に塗布するか含浸させ、焼成
することが推奨される。上記Ｓｉ−Ｏ結合を有する化合
物は、モノマー，オリゴマー，ポリマーのいずれの形態
であってもよく、側鎖にメチル基やフェニル基等の官能
基を有するオルガノポリシロキサンやオルガノシルセス
キオキサン（例えば、フェニルシルセスキオキサン
等），シラノール等を用いれば良く、これらの化合物を
溶媒に溶かし、陽極酸化皮膜に塗布するか、或いは含浸
させた後、焼成してＳｉ酸化物とすればよい。尚、上記
Ｓｉ−Ｏ結合を有する化合物としては、電子工業の分野
でＳＯＧ（spin on glass)や塗布ガラスと呼ばれている
ものを用いることができる。
【００１９】また上記Ｓｉ−Ｏ結合を有する化合物を溶
かす溶媒としては、トルエン，エタノール，イソプロパ
ノール，ブタノール，メチルイソブチルケトン（ＭＩＢ
Ｋ），アセトン，酢酸エチル，酢酸ブチル等の有機溶媒
を用いれば良い。
かす溶媒としては、トルエン，エタノール，イソプロパ
ノール，ブタノール，メチルイソブチルケトン（ＭＩＢ
Ｋ），アセトン，酢酸エチル，酢酸ブチル等の有機溶媒
を用いれば良い。
【００２０】焼成温度条件は、Ｓｉ−Ｏ結合を有する化
合物の種類等に応じて適宜設定すれば良く、例えば側鎖
にメチル基とフェニル基を２：１のモル比で有するオル
ガノポリシロキサンの場合、２５０〜３００℃で焼成す
れば良く、また側鎖がメチル基だけのオルガノポリシロ
キサンの場合には、２００℃以下で焼成することが可能
である。焼成により側鎖のフェニル基は取れ易く、メチ
ル基は残り易いが、有機官能基が陽極酸化皮膜中に存在
することによりＡｌ酸化物層の可撓性の向上にも有効に
作用するものと考えられる。
合物の種類等に応じて適宜設定すれば良く、例えば側鎖
にメチル基とフェニル基を２：１のモル比で有するオル
ガノポリシロキサンの場合、２５０〜３００℃で焼成す
れば良く、また側鎖がメチル基だけのオルガノポリシロ
キサンの場合には、２００℃以下で焼成することが可能
である。焼成により側鎖のフェニル基は取れ易く、メチ
ル基は残り易いが、有機官能基が陽極酸化皮膜中に存在
することによりＡｌ酸化物層の可撓性の向上にも有効に
作用するものと考えられる。
【００２１】尚、Ｓｉ−Ｏ結合を有する化合物としてフ
ェニルシルセスキオキサンを用い、これをアルコールや
ケトン類（例えば、ＭＩＢＫ）に溶解する場合には、濃
度を５〜４０％とすれば良く、焼成は、まず８０〜２０
０℃で１〜５分間加熱し、次に２５０〜３５０℃で１０
〜３０分間加熱することが推奨される。
ェニルシルセスキオキサンを用い、これをアルコールや
ケトン類（例えば、ＭＩＢＫ）に溶解する場合には、濃
度を５〜４０％とすれば良く、焼成は、まず８０〜２０
０℃で１〜５分間加熱し、次に２５０〜３５０℃で１０
〜３０分間加熱することが推奨される。
【００２２】また本発明の電子材料用基板としては、基
体と表面絶縁層からなる基板であって、上記表面絶縁層
が１種以上の金属酸化物とそれ以外の非導電性物質から
なるものを採用してもよい。上記表面絶縁層を、金属酸
化物とそれ以外の非導電性物質により構成し、金属酸化
物と上記非導電性物質の混合相とすることにより、残留
応力が緩和され、耐久性も向上するという作用を有し、
しかも電気的回路を形成する上層との密着性を向上させ
るという作用も有する。
体と表面絶縁層からなる基板であって、上記表面絶縁層
が１種以上の金属酸化物とそれ以外の非導電性物質から
なるものを採用してもよい。上記表面絶縁層を、金属酸
化物とそれ以外の非導電性物質により構成し、金属酸化
物と上記非導電性物質の混合相とすることにより、残留
応力が緩和され、耐久性も向上するという作用を有し、
しかも電気的回路を形成する上層との密着性を向上させ
るという作用も有する。
【００２３】上記金属酸化物としてはＡｌ酸化物，Ｔｉ
酸化物，Ｚｒ酸化物，Ｍｇ酸化物，Ｓｉ酸化物，Ｓｎ酸
化物等が挙げられ、中でもＡｌ酸化物が好ましい。Ａｌ
酸化物を主体として、Ａｌ酸化物以外の非導電性物質を
含有する表面絶縁層はＡｌまたはＡｌ合金（1000系，30
00系，5000系，6000系等が適用でき、特に限定されな
い）製基板を陽極酸化することによりＡｌ酸化物皮膜を
形成した後、図１〜図５の表面絶縁層とすればよいが、
Ａｌ酸化物皮膜は前記陽極酸化処理以外の方法で形成し
ても良く、例えば、溶射，ＣＶＤ，イオンプレーティン
グ，スパッタリング，蒸着等により基体上に形成しても
良い。また基体としては、ＡｌまたはＡｌ合金以外にも
他の金属を用いても良く、ＴｉまたはＴｉ合金やステン
レス鋼等の鋼材，Ｎｉ合金，Ｍｇ合金等を用いることも
でき、上記非導電性物質としては、上記金属酸化物と異
なる化合物であれば、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｌｉ，
Ｍｇ，Ｓｎ，Ｚｎよりなる群から選択される１種以上の
元素の酸化物，窒化物または水酸化物を用いることがで
きる。
酸化物，Ｚｒ酸化物，Ｍｇ酸化物，Ｓｉ酸化物，Ｓｎ酸
化物等が挙げられ、中でもＡｌ酸化物が好ましい。Ａｌ
酸化物を主体として、Ａｌ酸化物以外の非導電性物質を
含有する表面絶縁層はＡｌまたはＡｌ合金（1000系，30
00系，5000系，6000系等が適用でき、特に限定されな
い）製基板を陽極酸化することによりＡｌ酸化物皮膜を
形成した後、図１〜図５の表面絶縁層とすればよいが、
Ａｌ酸化物皮膜は前記陽極酸化処理以外の方法で形成し
ても良く、例えば、溶射，ＣＶＤ，イオンプレーティン
グ，スパッタリング，蒸着等により基体上に形成しても
良い。また基体としては、ＡｌまたはＡｌ合金以外にも
他の金属を用いても良く、ＴｉまたはＴｉ合金やステン
レス鋼等の鋼材，Ｎｉ合金，Ｍｇ合金等を用いることも
でき、上記非導電性物質としては、上記金属酸化物と異
なる化合物であれば、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｌｉ，
Ｍｇ，Ｓｎ，Ｚｎよりなる群から選択される１種以上の
元素の酸化物，窒化物または水酸化物を用いることがで
きる。
【００２４】以下、本発明を実施例によって更に詳細に
説明するが、下記実施例は本発明を限定する性質のもの
ではなく、前・後記の主旨に徴して設計変更することは
いずれも本発明の技術的範囲内に含まれるものである。
説明するが、下記実施例は本発明を限定する性質のもの
ではなく、前・後記の主旨に徴して設計変更することは
いずれも本発明の技術的範囲内に含まれるものである。
【００２５】
【実施例】実施例１ Ａｌ合金（A5052)からなる冷延板に、電解液として硫酸
溶液（200g/l ;10℃）を用いて陽極酸化処理を行い１０
μｍの厚さの陽極酸化皮膜を形成した。上記陽極酸化皮
膜にポリメチルシルセスキオキサンをメチルイソブチル
ケトンで溶解・分散させた溶液（濃度１６％）を、Ｓｉ
換算で2.5 ×10-7ｇ／ｍｍ2 塗布した。次いで、大気中
において８０℃で５分間加熱した後、さらにＮ2 雰囲気
中２５０℃で３０分間加熱する焼成を行い試験用基板Ｎ
ｏ．１を作製した。
溶液（200g/l ;10℃）を用いて陽極酸化処理を行い１０
μｍの厚さの陽極酸化皮膜を形成した。上記陽極酸化皮
膜にポリメチルシルセスキオキサンをメチルイソブチル
ケトンで溶解・分散させた溶液（濃度１６％）を、Ｓｉ
換算で2.5 ×10-7ｇ／ｍｍ2 塗布した。次いで、大気中
において８０℃で５分間加熱した後、さらにＮ2 雰囲気
中２５０℃で３０分間加熱する焼成を行い試験用基板Ｎ
ｏ．１を作製した。
【００２６】次に、Ａｌ合金（A3004)からなる冷延板
に、電解液としてしゅう酸溶液（30g/l ;10 ℃）を用い
て陽極酸化処理を行い５μｍの厚さの陽極酸化皮膜を形
成した。上記陽極酸化皮膜にポリフェニルシルセスキオ
キサンをエタノール・ブタノール混合液で溶解／分散さ
せた溶液（濃度３０％）を、Ｓｉ換算で6.0 ×10-7ｇ／
ｍｍ2 塗布した。次いで、大気中において１４０℃で５
分間加熱した後、さらにＮ2 雰囲気中３５０℃で３０分
間加熱する焼成を行い試験用基板Ｎｏ．２を作製した。
に、電解液としてしゅう酸溶液（30g/l ;10 ℃）を用い
て陽極酸化処理を行い５μｍの厚さの陽極酸化皮膜を形
成した。上記陽極酸化皮膜にポリフェニルシルセスキオ
キサンをエタノール・ブタノール混合液で溶解／分散さ
せた溶液（濃度３０％）を、Ｓｉ換算で6.0 ×10-7ｇ／
ｍｍ2 塗布した。次いで、大気中において１４０℃で５
分間加熱した後、さらにＮ2 雰囲気中３５０℃で３０分
間加熱する焼成を行い試験用基板Ｎｏ．２を作製した。
【００２７】更に陽極酸化処理条件と上記溶液の塗布量
を変化させて試験用基板Ｎｏ．３〜６を作製した。
を変化させて試験用基板Ｎｏ．３〜６を作製した。
【００２８】また試験用基板Ｎｏ．７は陽極酸化処理に
代えてＡｌ2 Ｏ3 を常圧でプラズマスプレー溶射するこ
とによりＡｌ酸化物層を形成し、また試験用基板Ｎｏ．
８は、Ｔｉ合金を用いてその表面にＡｌ2 Ｏ3 を溶射
し、次いで上記Ｎｏ．１と同様にしてＡｌ酸化物層中に
Ｓｉ酸化物を含有させた。
代えてＡｌ2 Ｏ3 を常圧でプラズマスプレー溶射するこ
とによりＡｌ酸化物層を形成し、また試験用基板Ｎｏ．
８は、Ｔｉ合金を用いてその表面にＡｌ2 Ｏ3 を溶射
し、次いで上記Ｎｏ．１と同様にしてＡｌ酸化物層中に
Ｓｉ酸化物を含有させた。
【００２９】比較例として、Ａｌ合金製基体に陽極酸化
皮膜を形成しただけで、Ｓｉ酸化物を含有させていない
試験用基板Ｎｏ．９〜１１を用意し、またＡｌ合金製基
体にＡｌ酸化物層を形成せずに直接前記溶媒を塗布し焼
成してＳｉ酸化物からなる絶縁層を形成した試験用基板
Ｎｏ．１２〜１３を準備した。
皮膜を形成しただけで、Ｓｉ酸化物を含有させていない
試験用基板Ｎｏ．９〜１１を用意し、またＡｌ合金製基
体にＡｌ酸化物層を形成せずに直接前記溶媒を塗布し焼
成してＳｉ酸化物からなる絶縁層を形成した試験用基板
Ｎｏ．１２〜１３を準備した。
【００３０】これらの試験用基板Ｎｏ．１〜１３を用い
て、図７に示す形状にＡｌ電極（膜厚１μｍ）をスパッ
タリングで形成し、図８に示す構成により任意の電極を
選択して、電圧を０Ｖから１００Ｖまで上昇させてパラ
メータアナライザ（ヒューレット・パッカード社製 HP4
156A）により漏れ電流を測定した。結果は、焼成後の絶
縁層中のＳｉ酸化物含有量（Ｓｉ量換算）と共に、表１
に示す。
て、図７に示す形状にＡｌ電極（膜厚１μｍ）をスパッ
タリングで形成し、図８に示す構成により任意の電極を
選択して、電圧を０Ｖから１００Ｖまで上昇させてパラ
メータアナライザ（ヒューレット・パッカード社製 HP4
156A）により漏れ電流を測定した。結果は、焼成後の絶
縁層中のＳｉ酸化物含有量（Ｓｉ量換算）と共に、表１
に示す。
【００３１】
【表１】
【００３２】Ｎｏ．１〜８は本発明に係る基板であり、
絶縁層中にＳｉ酸化物が含有されていないＮｏ．９〜１
１と比較して、漏れ電流の値が非常に小さいことが分か
る。尚、Ａｌ酸化物層を形成せずにＳｉ酸化物層を形成
したＮｏ．１２，１３は、絶縁耐圧不足で測定不能であ
った。
絶縁層中にＳｉ酸化物が含有されていないＮｏ．９〜１
１と比較して、漏れ電流の値が非常に小さいことが分か
る。尚、Ａｌ酸化物層を形成せずにＳｉ酸化物層を形成
したＮｏ．１２，１３は、絶縁耐圧不足で測定不能であ
った。
【００３３】また、Ｎｏ．１の基板における絶縁層中の
Ｓｉ酸化物の存在形態を分析したところ、図４に示す形
態のものであった。
Ｓｉ酸化物の存在形態を分析したところ、図４に示す形
態のものであった。
【００３４】実施例２ 絶縁層に含有させる非導電性物質として、Ｓｉ酸化物以
外の化合物を用いたこと以外は、実施例１と同様にして
表２に示す基板を作製し、漏れ電流を測定した。結果は
表２に併記する。
外の化合物を用いたこと以外は、実施例１と同様にして
表２に示す基板を作製し、漏れ電流を測定した。結果は
表２に併記する。
【００３５】
【表２】
【００３６】Ｎｏ．２１〜２８は本発明に係る基板であ
り、絶縁層中にＳｉ酸化物が含有されていない前記Ｎ
ｏ．９〜１１と比較して、漏れ電流の値が非常に小さい
ことが分かる。
り、絶縁層中にＳｉ酸化物が含有されていない前記Ｎ
ｏ．９〜１１と比較して、漏れ電流の値が非常に小さい
ことが分かる。
【００３７】
【発明の効果】本発明は以上の様に構成されているの
で、割れにくく、可撓性を有し、しかもガラス基板より
も軽量化を図ることのできる絶縁性に優れた電子材料用
基板及びその製造方法が提供できることとなった。
で、割れにくく、可撓性を有し、しかもガラス基板より
も軽量化を図ることのできる絶縁性に優れた電子材料用
基板及びその製造方法が提供できることとなった。
【図１】本発明に係る基板における表面絶縁層の形態
（封鎖タイプ）を模式的に示す説明図である。
（封鎖タイプ）を模式的に示す説明図である。
【図２】本発明に係る基板における表面絶縁層の形態
（被覆タイプ）を模式的に示す説明図である。
（被覆タイプ）を模式的に示す説明図である。
【図３】本発明に係る基板における表面絶縁層の形態
（含有タイプ）を模式的に示す説明図である。
（含有タイプ）を模式的に示す説明図である。
【図４】本発明に係る基板における表面絶縁層の形態
（封鎖＋含有タイプ）を模式的に示す説明図である。
（封鎖＋含有タイプ）を模式的に示す説明図である。
【図５】本発明に係る基板における表面絶縁層の形態
（被覆＋含有タイプ）を模式的に示す説明図である。
（被覆＋含有タイプ）を模式的に示す説明図である。
【図６】本発明に係る基板の断面説明図である。
【図７】実施例における漏れ電流測定時の電極形成パタ
ーンを示す説明図である。
ーンを示す説明図である。
【図８】実施例における漏れ電流の測定方法を示す説明
図である。
図である。
１ Ａｌ合金製基体 ２ 陽極酸化皮膜 ３ 非導電性物質 ４ 非導電性物質 ５ 晶出物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 増井 卓也 神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会 社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 鈴木 康平 神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会 社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 中上 明光 神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会 社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内
Claims (9)
- 【請求項１】 基体と表面絶縁層からなる電子材料用基
板であって、上記表面絶縁層が１種以上の金属酸化物と
それ以外の非導電性物質からなるものであることを特徴
とする絶縁性に優れた電子材料用基板。 - 【請求項２】 前記非導電性物質が、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔ
ｉ，Ｚｒ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｓｎ，Ｚｎよりなる群から選択
される１種以上の元素の酸化物，窒化物，水酸化物また
は酸水酸化物である請求項１に記載の電子材料用基板。 - 【請求項３】 前記基体が金属からなる請求項１または
２に記載の電子材料用基板。 - 【請求項４】 前記基体がＡｌまたはＡｌ合金である請
求項３に記載の電子材料用基板。 - 【請求項５】 前記表面絶縁層が陽極酸化処理により形
成されたものである請求項４に記載の電子材料用基板。 - 【請求項６】 ＡｌまたはＡｌ合金製基体上に陽極酸化
皮膜が形成され、上記陽極酸化皮膜のポアが非導電性物
質で封鎖されてなることを特徴とする絶縁性に優れた電
子材料用基板。 - 【請求項７】 ＡｌまたはＡｌ合金製基体上に陽極酸化
皮膜が形成され、上記陽極酸化皮膜の表面が非導電性物
質で被覆されてなることを特徴とする絶縁性に優れた電
子材料用基板。 - 【請求項８】 ＡｌまたはＡｌ合金製基体上に陽極酸化
皮膜が形成され、上記陽極酸化皮膜が上記基体の陽極酸
化によって生成された物質以外の非導電性物質を含有す
ることを特徴とする絶縁性に優れた電子材料用基板。 - 【請求項９】 ＡｌまたはＡｌ合金からなる基体に、陽
極酸化処理を施して陽極酸化皮膜を形成した後、Ｓｉ−
Ｏ結合を有する化合物が溶解された溶液を上記陽極酸化
皮膜の表面に塗布し焼成することにより、表面絶縁層を
形成することを特徴とする絶縁性に優れた電子材料用基
板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13713998A JPH11229187A (ja) | 1997-12-11 | 1998-05-19 | 絶縁性に優れた電子材料用基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34168097 | 1997-12-11 | ||
| JP9-341680 | 1997-12-11 | ||
| JP13713998A JPH11229187A (ja) | 1997-12-11 | 1998-05-19 | 絶縁性に優れた電子材料用基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11229187A true JPH11229187A (ja) | 1999-08-24 |
Family
ID=26470555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13713998A Pending JPH11229187A (ja) | 1997-12-11 | 1998-05-19 | 絶縁性に優れた電子材料用基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11229187A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003096598A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Art Metal Mfg Co Ltd | アルミニウムの表面処理方法、摺動部材の製造方法、摺動機構、および軸受装置 |
| WO2009041657A1 (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Fujifilm Corporation | 太陽電池用基板および太陽電池 |
| EP2248662A1 (en) | 2009-05-01 | 2010-11-10 | Fujifilm Corporation | Metal composite substrate and method of producing the same |
| JP2010258255A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Fujifilm Corp | 陽極酸化基板、それを用いた光電変換素子の製造方法、光電変換素子及び太陽電池 |
| US20130233600A1 (en) * | 2010-12-23 | 2013-09-12 | Anomax Sdn Bhd | Integrated plated circuit heat sink and method of manufacture |
| JP2014503036A (ja) * | 2011-02-14 | 2014-02-06 | アノマックス エスディーエヌ． ビーエイチディー． | 集積基板回路ヒートシンクおよび製造方法 |
| JP2014506728A (ja) * | 2011-02-08 | 2014-03-17 | ケンブリッジ ナノサーム リミティド | 絶縁金属基板 |
| JP5724021B1 (ja) * | 2014-06-25 | 2015-05-27 | アイシン軽金属株式会社 | 高耐アルカリ性アルミニウム部材及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-05-19 JP JP13713998A patent/JPH11229187A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003096598A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Art Metal Mfg Co Ltd | アルミニウムの表面処理方法、摺動部材の製造方法、摺動機構、および軸受装置 |
| WO2009041657A1 (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Fujifilm Corporation | 太陽電池用基板および太陽電池 |
| JP2010258255A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Fujifilm Corp | 陽極酸化基板、それを用いた光電変換素子の製造方法、光電変換素子及び太陽電池 |
| EP2248662A1 (en) | 2009-05-01 | 2010-11-10 | Fujifilm Corporation | Metal composite substrate and method of producing the same |
| US20130233600A1 (en) * | 2010-12-23 | 2013-09-12 | Anomax Sdn Bhd | Integrated plated circuit heat sink and method of manufacture |
| EP2656704A4 (en) * | 2010-12-23 | 2016-12-07 | Anomax Sdn Bhd | COOLING BODY WITH INTEGRATED FLAT CIRCUIT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| JP2014506728A (ja) * | 2011-02-08 | 2014-03-17 | ケンブリッジ ナノサーム リミティド | 絶縁金属基板 |
| KR20140048849A (ko) * | 2011-02-08 | 2014-04-24 | 캠브리지 나노썸 리미티드 | 절연 금속 기판 |
| US9551082B2 (en) | 2011-02-08 | 2017-01-24 | Cambridge Nanotherm Limited | Insulated metal substrate |
| US9677187B2 (en) | 2011-02-08 | 2017-06-13 | Cambridge Nanolitic Limited | Non-metallic coating and method of its production |
| JP2014503036A (ja) * | 2011-02-14 | 2014-02-06 | アノマックス エスディーエヌ． ビーエイチディー． | 集積基板回路ヒートシンクおよび製造方法 |
| JP5724021B1 (ja) * | 2014-06-25 | 2015-05-27 | アイシン軽金属株式会社 | 高耐アルカリ性アルミニウム部材及びその製造方法 |
| WO2015198726A1 (ja) * | 2014-06-25 | 2015-12-30 | アイシン軽金属株式会社 | 高耐アルカリ性アルミニウム部材及びその製造方法 |
| US11035052B2 (en) | 2014-06-25 | 2021-06-15 | Aisin Keikinzoku Co., Ltd. | Highly alkali-resistant aluminum member |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5925228A (en) | Electrophoretically active sol-gel processes to backfill, seal, and/or densify porous, flawed, and/or cracked coatings on electrically conductive material | |
| Chou et al. | Sol-gel-derived hybrid coatings for corrosion protection | |
| JP6336477B2 (ja) | 耐食皮膜を用意する方法 | |
| Taveira et al. | Initiation and growth of self-organized TiO2 nanotubes anodically formed in NH4F∕(NH4) 2SO4 electrolytes | |
| EP0058023B1 (en) | Process of treating anodic oxide film, printed wiring board and process of making the same | |
| Hu et al. | A new sol-gel route to prepare dense Al2O3 thin films | |
| JPH11229187A (ja) | 絶縁性に優れた電子材料用基板及びその製造方法 | |
| JPH06192887A (ja) | 高温で使用される金属部品のための保護被覆 | |
| EP3019644B1 (de) | Verfahren zur herstellung eines korrosionsbeständigen und verschleissfähigen aluminiumsubstrats | |
| Younis et al. | Corrosion protection of pure aluminium and aluminium alloy (AA7075) in salt solution with silane‐based sol–gel coatings | |
| CN102123970A (zh) | 表面处理陶瓷构件、其制造方法及真空处理装置 | |
| KR102006759B1 (ko) | 차열막의 제조 방법 | |
| US4108736A (en) | Method of producing protective coatings | |
| JP3261482B2 (ja) | アルミニウム電解コンデンサの電極およびその製造方法 | |
| KR20200084270A (ko) | 마그네슘 합금 표면상의 무기 폴리실라잔 코팅 방법 및 이에 의해 형성된 마그네슘 합금 | |
| US20140154441A1 (en) | Reactive Silicon Oxide Precursor Facilitated Anti-Corrosion Treatment | |
| CN104789964A (zh) | 一种高温合金表面高温绝缘涂层的制备方法 | |
| KR102257077B1 (ko) | 우루시올을 포함하는 양극 산화 피막 형성 방법 | |
| JP3371083B2 (ja) | コロナ放電処理用セラミックロール及びその製造方法 | |
| JP5863380B2 (ja) | 太陽電池用絶縁被膜付きステンレス箔及びその製造方法 | |
| JPH0679444B2 (ja) | 電気皮膜 | |
| Verma et al. | Anodic oxide films on niobium and tantalum in different aqueous electrolytes and their impedance characteristics | |
| JP2574987B2 (ja) | 溶射皮膜の封孔処理方法 | |
| JP2002212787A (ja) | 高耐食性Ａｌ合金部材およびその製法 | |
| JP3171027B2 (ja) | アルミニウム酸化皮膜およびその製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20040803 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041014 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041130 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050131 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20060214 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20060417 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20060620 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20061017 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |