JPH11232609A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH11232609A JPH11232609A JP2896698A JP2896698A JPH11232609A JP H11232609 A JPH11232609 A JP H11232609A JP 2896698 A JP2896698 A JP 2896698A JP 2896698 A JP2896698 A JP 2896698A JP H11232609 A JPH11232609 A JP H11232609A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードライトギャップを０．３μｍ以下の微
細に精度良く形成できて、孤立したリードライトギャッ
プの周囲に磁性体を埋め込む手間もかからない水平型磁
気ヘッドの製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１上に、後に除去可能な膜２を選択
的に形成する工程と、前記基板１及び前記除去可能な膜
２を覆うように、第１の絶縁膜３を形成する工程と、前
記第１の絶縁膜３を異方性エッチングして、前記除去可
能な膜２の側壁に残す工程と、前記除去可能な膜２を除
去して、前記基板１上に凸状の第１の絶縁膜５を形成す
る工程と、前記基板１及び前記凸状の第１の絶縁膜５上
に、磁性膜６を形成する工程と、前記磁性膜６が前記凸
状の第１の絶縁膜５の両側にわたって形成されるように
パターニングする工程と、前記磁性膜６及び前記凸状の
第１の絶縁膜５を覆うように、第２の絶縁膜７を形成す
る工程と、前記第２の絶縁膜７及び前記磁性膜６を研磨
して前記凸状の第１の絶縁膜５を一部露出する工程とを
有する。
細に精度良く形成できて、孤立したリードライトギャッ
プの周囲に磁性体を埋め込む手間もかからない水平型磁
気ヘッドの製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１上に、後に除去可能な膜２を選択
的に形成する工程と、前記基板１及び前記除去可能な膜
２を覆うように、第１の絶縁膜３を形成する工程と、前
記第１の絶縁膜３を異方性エッチングして、前記除去可
能な膜２の側壁に残す工程と、前記除去可能な膜２を除
去して、前記基板１上に凸状の第１の絶縁膜５を形成す
る工程と、前記基板１及び前記凸状の第１の絶縁膜５上
に、磁性膜６を形成する工程と、前記磁性膜６が前記凸
状の第１の絶縁膜５の両側にわたって形成されるように
パターニングする工程と、前記磁性膜６及び前記凸状の
第１の絶縁膜５を覆うように、第２の絶縁膜７を形成す
る工程と、前記第２の絶縁膜７及び前記磁性膜６を研磨
して前記凸状の第１の絶縁膜５を一部露出する工程とを
有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスクド
ライブ（ＨＤＤ）装置に用いられる磁気ヘッド及びその
製造方法に関する。
ライブ（ＨＤＤ）装置に用いられる磁気ヘッド及びその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７及び図８は、従来の水平型磁気ヘッ
ドの製造方法の工程を示す断面図である。基板７１上に
絶縁層７２を形成し、絶縁層７２上に、レジスト膜を形
成した後に、イオン・エッチングなどによりレジスト膜
７３を残す（図７（ａ））。次に、絶縁層７２及びレジ
スト膜７３上に磁性層７４を形成する（図７（ｂ））。
さらに、磁性層７４上に絶縁膜７５を形成する（図７
（ｃ））。そして、絶縁膜７５上を図７（ｄ）のように
平坦化する。絶縁膜７５上に絶縁層７６を形成する。そ
して、図８（ａ）に示すように、フォトリソグラフィー
によりギャップ７７を形成する。最後に、絶縁層７６の
凹部内に磁気ピース７８を埋め込んで完成する（図８
（ｂ））。
ドの製造方法の工程を示す断面図である。基板７１上に
絶縁層７２を形成し、絶縁層７２上に、レジスト膜を形
成した後に、イオン・エッチングなどによりレジスト膜
７３を残す（図７（ａ））。次に、絶縁層７２及びレジ
スト膜７３上に磁性層７４を形成する（図７（ｂ））。
さらに、磁性層７４上に絶縁膜７５を形成する（図７
（ｃ））。そして、絶縁膜７５上を図７（ｄ）のように
平坦化する。絶縁膜７５上に絶縁層７６を形成する。そ
して、図８（ａ）に示すように、フォトリソグラフィー
によりギャップ７７を形成する。最後に、絶縁層７６の
凹部内に磁気ピース７８を埋め込んで完成する（図８
（ｂ））。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
水平型磁気ヘッドでは、リソグラフィーによるパターン
形成により構造の寸法が決定されるので、リソグラフィ
ーが寸法の限界を決定する。そのため、リードライトギ
ャップを０．３μｍ以下の微細に、精度良く形成するこ
とが困難であるという問題があった。また、孤立したリ
ードライトギャップの周囲に磁気ピースを埋め込む手間
がかかるという問題もあった。
水平型磁気ヘッドでは、リソグラフィーによるパターン
形成により構造の寸法が決定されるので、リソグラフィ
ーが寸法の限界を決定する。そのため、リードライトギ
ャップを０．３μｍ以下の微細に、精度良く形成するこ
とが困難であるという問題があった。また、孤立したリ
ードライトギャップの周囲に磁気ピースを埋め込む手間
がかかるという問題もあった。
【０００４】本発明では、リードライトギャップを０．
３μｍ以下の微細に精度良く形成できて、孤立したリー
ドライトギャップの周囲に磁性体を埋め込む手間もかか
らない水平型磁気ヘッド及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
３μｍ以下の微細に精度良く形成できて、孤立したリー
ドライトギャップの周囲に磁性体を埋め込む手間もかか
らない水平型磁気ヘッド及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、第１の
発明である、基板上に、後に除去可能な膜を選択的に形
成する工程と、前記基板及び前記除去可能な膜を覆うよ
うに、第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁
膜を異方性エッチングして、前記除去可能な膜の側壁に
残す工程と、前記除去可能な膜を除去して、前記基板上
に凸状の第１の絶縁膜を形成する工程と、前記基板及び
前記凸状の第１の絶縁膜上に、磁性膜を形成する工程
と、前記磁性膜が前記凸状の第１の絶縁膜の両側にわた
って形成されるようにパターニングする工程と、前記磁
性膜及び前記凸状の第１の絶縁膜を覆うように、第２の
絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜及び前記磁
性膜を研磨して前記凸状の第１の絶縁膜を一部露出する
工程とを有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法
及びその製造方法により製造した磁気ヘッドにより解決
する。
発明である、基板上に、後に除去可能な膜を選択的に形
成する工程と、前記基板及び前記除去可能な膜を覆うよ
うに、第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁
膜を異方性エッチングして、前記除去可能な膜の側壁に
残す工程と、前記除去可能な膜を除去して、前記基板上
に凸状の第１の絶縁膜を形成する工程と、前記基板及び
前記凸状の第１の絶縁膜上に、磁性膜を形成する工程
と、前記磁性膜が前記凸状の第１の絶縁膜の両側にわた
って形成されるようにパターニングする工程と、前記磁
性膜及び前記凸状の第１の絶縁膜を覆うように、第２の
絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜及び前記磁
性膜を研磨して前記凸状の第１の絶縁膜を一部露出する
工程とを有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法
及びその製造方法により製造した磁気ヘッドにより解決
する。
【０００６】第１の発明の磁気ヘッド及びその製造方法
においては、基板及び除去可能な膜を覆うように、後に
リードライトギャップとなる第１の絶縁膜を形成する。
そして、第１の絶縁膜を異方性エッチングして、除去可
能な膜の側壁に第１の絶縁膜を残し、また、除去可能な
膜を除去して基板上に凸状の第１の絶縁膜を残してい
る。さらに、磁性膜の形成後、研磨することにより、第
１の絶縁膜を挟んで両側に磁性膜を形成している。
においては、基板及び除去可能な膜を覆うように、後に
リードライトギャップとなる第１の絶縁膜を形成する。
そして、第１の絶縁膜を異方性エッチングして、除去可
能な膜の側壁に第１の絶縁膜を残し、また、除去可能な
膜を除去して基板上に凸状の第１の絶縁膜を残してい
る。さらに、磁性膜の形成後、研磨することにより、第
１の絶縁膜を挟んで両側に磁性膜を形成している。
【０００７】そのため、この磁性膜を磁極として用いた
場合、第１の絶縁膜の膜厚を、そのままリードライトギ
ャプのギャップ幅とすることができる。さらに、第１の
絶縁膜の膜厚を調整することは容易である。これによ
り、０．３μｍ以下の微細なギャップ幅のリードライト
ギャップを得ることができる。また、全工程を通して、
埋め込むという工程はない。
場合、第１の絶縁膜の膜厚を、そのままリードライトギ
ャプのギャップ幅とすることができる。さらに、第１の
絶縁膜の膜厚を調整することは容易である。これによ
り、０．３μｍ以下の微細なギャップ幅のリードライト
ギャップを得ることができる。また、全工程を通して、
埋め込むという工程はない。
【０００８】そのため、孤立したリードライトギャップ
の周囲に磁性体を埋め込む手間も省くことができる。ま
た、上記した課題は、第２の発明である、基板上に、第
１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上に、
後に除去可能な膜を選択的に形成する工程と、前記第１
の絶縁膜をエッチングし、前記第１の絶縁膜のエッチン
グ生成物を前記除去可能な膜の側壁に付着させる工程
と、前記除去可能な膜を除去して、前記基板上に前記凸
状の第１の絶縁膜のエッチング生成物を残す工程と、前
記基板及び前記凸状の第１の絶縁膜のエッチング生成物
上に、磁性膜を形成する工程と、前記磁性膜が前記凸状
の第１の絶縁膜のエッチング生成物の両側にわたって形
成されるようにパターニングする工程と、前記磁性膜及
び前記凸状の第１の絶縁膜のエッチング生成物を覆うよ
うに、第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁
膜及び前記磁性膜を研磨して前記凸状の第１の絶縁膜の
エッチング生成物を一部露出する工程とを有することを
特徴とする磁気ヘッドの製造方法及びその製造方法によ
り製造された磁気ヘッドにより解決する。
の周囲に磁性体を埋め込む手間も省くことができる。ま
た、上記した課題は、第２の発明である、基板上に、第
１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上に、
後に除去可能な膜を選択的に形成する工程と、前記第１
の絶縁膜をエッチングし、前記第１の絶縁膜のエッチン
グ生成物を前記除去可能な膜の側壁に付着させる工程
と、前記除去可能な膜を除去して、前記基板上に前記凸
状の第１の絶縁膜のエッチング生成物を残す工程と、前
記基板及び前記凸状の第１の絶縁膜のエッチング生成物
上に、磁性膜を形成する工程と、前記磁性膜が前記凸状
の第１の絶縁膜のエッチング生成物の両側にわたって形
成されるようにパターニングする工程と、前記磁性膜及
び前記凸状の第１の絶縁膜のエッチング生成物を覆うよ
うに、第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁
膜及び前記磁性膜を研磨して前記凸状の第１の絶縁膜の
エッチング生成物を一部露出する工程とを有することを
特徴とする磁気ヘッドの製造方法及びその製造方法によ
り製造された磁気ヘッドにより解決する。
【０００９】第２の発明の磁気ヘッド及びその製造方法
においては、基板上に形成された、後にリードライトギ
ャップとなる第１の絶縁膜をエッチングし、第１の絶縁
膜のエッチング生成物を除去可能な膜の側壁に付着させ
ている。エッチングの方向とエッチングの強さを変える
ことにより、エッチングされて飛び出した第１の絶縁膜
を構成する粒子の飛び出す方向と量を変えることができ
る。そのため、除去可能な膜の側壁に付着させる、後に
リードライトギャップとなる凸状の第１の絶縁膜のエッ
チング生成物の膜厚と形状を決定することができる。
においては、基板上に形成された、後にリードライトギ
ャップとなる第１の絶縁膜をエッチングし、第１の絶縁
膜のエッチング生成物を除去可能な膜の側壁に付着させ
ている。エッチングの方向とエッチングの強さを変える
ことにより、エッチングされて飛び出した第１の絶縁膜
を構成する粒子の飛び出す方向と量を変えることができ
る。そのため、除去可能な膜の側壁に付着させる、後に
リードライトギャップとなる凸状の第１の絶縁膜のエッ
チング生成物の膜厚と形状を決定することができる。
【００１０】実験結果によれば、先端部分に向かって徐
々に細くなり、先端部分が尖った第１の絶縁膜のエッチ
ング生成物を得ることができる。さらに、第２の絶縁膜
及び磁性膜を研磨して、凸状の第１の絶縁膜のエッチン
グ生成物を露出することにより、露出した凸状の第１の
絶縁膜のエッチング生成物をリードライトギャップとし
ている。
々に細くなり、先端部分が尖った第１の絶縁膜のエッチ
ング生成物を得ることができる。さらに、第２の絶縁膜
及び磁性膜を研磨して、凸状の第１の絶縁膜のエッチン
グ生成物を露出することにより、露出した凸状の第１の
絶縁膜のエッチング生成物をリードライトギャップとし
ている。
【００１１】そのため、凸状の第１の絶縁膜のエッチン
グ生成物を露出する際、第２の絶縁膜が研磨のストッパ
の役割をし、リードライトギャップの先端部分を研磨し
すぎることがなく、先端部分の幅を調整することができ
る。したがって、第２の発明の磁気ヘッド及びその製造
方法においては、第１の発明と同様に、所望の幅のリー
ドライトギャップを０．３μｍ以下の微細に、精度良く
形成することができる。また、孤立したリードライトギ
ャップの周囲に磁性体を埋め込むという手間も省くこと
ができる。
グ生成物を露出する際、第２の絶縁膜が研磨のストッパ
の役割をし、リードライトギャップの先端部分を研磨し
すぎることがなく、先端部分の幅を調整することができ
る。したがって、第２の発明の磁気ヘッド及びその製造
方法においては、第１の発明と同様に、所望の幅のリー
ドライトギャップを０．３μｍ以下の微細に、精度良く
形成することができる。また、孤立したリードライトギ
ャップの周囲に磁性体を埋め込むという手間も省くこと
ができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付の図面を用いて説明する。図１及び図２は本発
明の第１の実施の形態の水平型磁気ヘッドの製造方法の
工程を示す断面図、図３は同じく水平型磁気ヘッドの製
造方法の工程を示す上面図である。図１及び図２は、図
３でのＡ−Ａ線での断面図である。図４は完成した水平
型磁気ヘッドの断面図、図５は完成した水平型磁気ヘッ
ドの斜視図である。
て、添付の図面を用いて説明する。図１及び図２は本発
明の第１の実施の形態の水平型磁気ヘッドの製造方法の
工程を示す断面図、図３は同じく水平型磁気ヘッドの製
造方法の工程を示す上面図である。図１及び図２は、図
３でのＡ−Ａ線での断面図である。図４は完成した水平
型磁気ヘッドの断面図、図５は完成した水平型磁気ヘッ
ドの斜視図である。
【００１３】まず、図１（ａ）に示すように、基板１上
に、膜厚１〜２μｍのレジスト膜（除去可能な膜）２を
形成した後、フォトリソグラフィーによって、レジスト
膜２の一部を残す。このレジスト膜２は、側壁が基板１
に対してほぼ垂直となっている。なお、基板１は、図４
に示すように、ライトコア４５とライトコア４５を周回
するコイル４１とライトコア４５の上部の間隙にＭＲ４
３，ＭＲコア４４があり、それらの隙間に絶縁膜４２が
埋め込まれている。
に、膜厚１〜２μｍのレジスト膜（除去可能な膜）２を
形成した後、フォトリソグラフィーによって、レジスト
膜２の一部を残す。このレジスト膜２は、側壁が基板１
に対してほぼ垂直となっている。なお、基板１は、図４
に示すように、ライトコア４５とライトコア４５を周回
するコイル４１とライトコア４５の上部の間隙にＭＲ４
３，ＭＲコア４４があり、それらの隙間に絶縁膜４２が
埋め込まれている。
【００１４】次に、図１（ｂ）に示すように、基板１及
びレジスト膜２を覆うように、後にリードライトギャッ
プの材料となるアルミナ膜３を、スパッタ法あるいはＣ
ＶＤ法（Chemical Vapor Deposition ）により膜厚０．
１〜０．２μｍとなるよう蒸着させる。そして、図１
（ｃ）に示すように、基板１に対してレジスト膜２側方
向から斜めにＡｒ+ ４でスパッタし、アルミナ膜３をエ
ッチングする。このエッチングにより、レジスト膜２の
側壁とその近傍にアルミナ膜５が残る。この時、上面か
ら見ると、図３（ａ）のようになっている。アルミナ膜
５a はアルミナ膜５のレジスト２の側壁に残った部分を
示し、アルミナ膜５b はアルミナ膜５の基板１上に残っ
た部分を示す。
びレジスト膜２を覆うように、後にリードライトギャッ
プの材料となるアルミナ膜３を、スパッタ法あるいはＣ
ＶＤ法（Chemical Vapor Deposition ）により膜厚０．
１〜０．２μｍとなるよう蒸着させる。そして、図１
（ｃ）に示すように、基板１に対してレジスト膜２側方
向から斜めにＡｒ+ ４でスパッタし、アルミナ膜３をエ
ッチングする。このエッチングにより、レジスト膜２の
側壁とその近傍にアルミナ膜５が残る。この時、上面か
ら見ると、図３（ａ）のようになっている。アルミナ膜
５a はアルミナ膜５のレジスト２の側壁に残った部分を
示し、アルミナ膜５b はアルミナ膜５の基板１上に残っ
た部分を示す。
【００１５】その後、図１（ｄ）のように、レジスト膜
２をウエットエッチングにより除去し、基板１上にアル
ミナ膜５が残る。さらに、図２（ａ）に示すように、基
板１及びアルミナ膜５上に、パーマロイ膜６をパターニ
ングして形成する。パターニング後のパーマロイ膜６
は、アルミナ膜５の上部付近が盛り上がった形状となっ
ている。また、上面から見ると、図３（ｂ）に示すよう
に、パーマロイ膜６は、アルミナ膜５を横切る部分が細
く帯状になっていて、帯状の部分から遠くなるにつれて
しだいに拡がる形状にパターニングされている。
２をウエットエッチングにより除去し、基板１上にアル
ミナ膜５が残る。さらに、図２（ａ）に示すように、基
板１及びアルミナ膜５上に、パーマロイ膜６をパターニ
ングして形成する。パターニング後のパーマロイ膜６
は、アルミナ膜５の上部付近が盛り上がった形状となっ
ている。また、上面から見ると、図３（ｂ）に示すよう
に、パーマロイ膜６は、アルミナ膜５を横切る部分が細
く帯状になっていて、帯状の部分から遠くなるにつれて
しだいに拡がる形状にパターニングされている。
【００１６】そして、図２（ｂ）に示すように、全面に
膜厚約０．１μｍとなるようにＳｉＯ2 膜７を形成す
る。この時、上面から見れば、図３（ｃ）に示すように
なっている。最後に、図２（ｃ）に示すように、ＳｉＯ
2 膜７面からＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing
）により研磨し、表面を平坦化する。パーマロイ膜６
の盛り上がった部分が研磨されていき、ちょうどＳｉＯ
2 膜７の平坦な部分で研磨を終える。即ち、ＳｉＯ2 膜
７は研磨のストッパの役目をしている。これにより、ア
ルミナ膜５が表面に露出してリードライトギャップ８が
形成されるとともに、パーマロイ膜６がこのリードライ
トギャップ８により分離されて、パーマロイ膜６からな
る磁極が形成される。磁極は、図３（ｄ）に示すよう
に、リードライトギャップ８により分離された部分が、
細い帯状になっていて、分離された部分から遠くなるに
つれてしだいに拡がる形状となっている。そして、図４
及び図５に示す第１の実施の形態の水平型磁気ヘッドが
完成する。
膜厚約０．１μｍとなるようにＳｉＯ2 膜７を形成す
る。この時、上面から見れば、図３（ｃ）に示すように
なっている。最後に、図２（ｃ）に示すように、ＳｉＯ
2 膜７面からＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing
）により研磨し、表面を平坦化する。パーマロイ膜６
の盛り上がった部分が研磨されていき、ちょうどＳｉＯ
2 膜７の平坦な部分で研磨を終える。即ち、ＳｉＯ2 膜
７は研磨のストッパの役目をしている。これにより、ア
ルミナ膜５が表面に露出してリードライトギャップ８が
形成されるとともに、パーマロイ膜６がこのリードライ
トギャップ８により分離されて、パーマロイ膜６からな
る磁極が形成される。磁極は、図３（ｄ）に示すよう
に、リードライトギャップ８により分離された部分が、
細い帯状になっていて、分離された部分から遠くなるに
つれてしだいに拡がる形状となっている。そして、図４
及び図５に示す第１の実施の形態の水平型磁気ヘッドが
完成する。
【００１７】第１の実施の形態の水平型磁気ヘッドの製
造方法によれば、基板１及びレジスト膜２上に、後にリ
ードライトギャップ８となるアルミナ膜３を膜厚０．１
〜０．２μｍとなるよう蒸着させる。その後、アルミナ
膜３をエッチングして、レジスト膜２の側壁とその近傍
にアルミナ膜５を残し、さらに、レジスト膜２を除去し
て基板１上に凸上のアルミナ膜５を残している。さらに
パーマロイ膜６の形成後、ＳｉＯ2 膜７面から研磨する
ことにより、アルミナ膜５からなるリードライトギャッ
プ８を挟んで両側にパーマロイ膜６からなる磁極を形成
している。
造方法によれば、基板１及びレジスト膜２上に、後にリ
ードライトギャップ８となるアルミナ膜３を膜厚０．１
〜０．２μｍとなるよう蒸着させる。その後、アルミナ
膜３をエッチングして、レジスト膜２の側壁とその近傍
にアルミナ膜５を残し、さらに、レジスト膜２を除去し
て基板１上に凸上のアルミナ膜５を残している。さらに
パーマロイ膜６の形成後、ＳｉＯ2 膜７面から研磨する
ことにより、アルミナ膜５からなるリードライトギャッ
プ８を挟んで両側にパーマロイ膜６からなる磁極を形成
している。
【００１８】そのため、蒸着させるアルミナ膜３の膜厚
でリードライトギャップ８のギャップ幅を決定できる。
さらに、アルミナ膜３の膜厚を０．１〜０．２μｍに調
整することは容易である。このため、ギャップ幅を膜厚
０．１〜０．２μｍのリードライトギャップ８を形成す
ることができる。なお、全工程を通して、埋め込むとい
う工程を有しておらず、従来技術に見られるような、孤
立したリードライトギャップの周囲に磁性体を埋め込む
という手間も省くことができる。
でリードライトギャップ８のギャップ幅を決定できる。
さらに、アルミナ膜３の膜厚を０．１〜０．２μｍに調
整することは容易である。このため、ギャップ幅を膜厚
０．１〜０．２μｍのリードライトギャップ８を形成す
ることができる。なお、全工程を通して、埋め込むとい
う工程を有しておらず、従来技術に見られるような、孤
立したリードライトギャップの周囲に磁性体を埋め込む
という手間も省くことができる。
【００１９】また、Ａｒ+ ４でのスパッタ方向を基板１
に対して垂直方向に近づければ、レジスト膜２の側壁に
残ったアルミナ膜５の側面をエッチングすることができ
る。そのため、レジスト膜２の側壁とその近傍に残すア
ルミナ膜５の形状と膜厚をさらに微細にすることも可能
である。さらに、ＣＭＰによる研磨の際、ＳｉＯ2 膜７
が研磨ストッパの役割をする。そのため、アルミナ膜６
とリードライトギャップ８の研磨が、ＳｉＯ2 膜７の平
坦な部分で終える。また、リードライトギャップ８の基
板１からの高さは、レジスト膜２の膜厚によって決ま
る。よって、レジスト膜２の膜厚と、ＳｉＯ2 膜７の平
坦な部分の膜厚とを調整することにより、リードライト
ギャップ８の先端部の研磨する量を変えることができ、
先端部の幅を調整することができる。従って、リードラ
イトギャップ８を研磨しすぎることがなく、先端部が所
望の幅となるようなリードライトギャップ８を微細に正
確に形成することができる。
に対して垂直方向に近づければ、レジスト膜２の側壁に
残ったアルミナ膜５の側面をエッチングすることができ
る。そのため、レジスト膜２の側壁とその近傍に残すア
ルミナ膜５の形状と膜厚をさらに微細にすることも可能
である。さらに、ＣＭＰによる研磨の際、ＳｉＯ2 膜７
が研磨ストッパの役割をする。そのため、アルミナ膜６
とリードライトギャップ８の研磨が、ＳｉＯ2 膜７の平
坦な部分で終える。また、リードライトギャップ８の基
板１からの高さは、レジスト膜２の膜厚によって決ま
る。よって、レジスト膜２の膜厚と、ＳｉＯ2 膜７の平
坦な部分の膜厚とを調整することにより、リードライト
ギャップ８の先端部の研磨する量を変えることができ、
先端部の幅を調整することができる。従って、リードラ
イトギャップ８を研磨しすぎることがなく、先端部が所
望の幅となるようなリードライトギャップ８を微細に正
確に形成することができる。
【００２０】以下、本発明の第２の実施の形態につい
て、添付の図面を用いて説明する。図６は、本発明の第
２の実施の形態の水平型磁気ヘッドの製造方法を示す図
である。まず、図６（ａ）に示すように、基板１上に、
膜厚０．１〜０．２μｍのアルミナ膜６１を形成する。
なお、基板１は、第１の実施の形態と同様な構造となっ
ている。
て、添付の図面を用いて説明する。図６は、本発明の第
２の実施の形態の水平型磁気ヘッドの製造方法を示す図
である。まず、図６（ａ）に示すように、基板１上に、
膜厚０．１〜０．２μｍのアルミナ膜６１を形成する。
なお、基板１は、第１の実施の形態と同様な構造となっ
ている。
【００２１】次に、図６（ｂ）に示すように、アルミナ
膜６１上に、レジスト膜２を形成した後に、フォトリソ
グラフィーによりレジスト膜２の一部を残す。このレジ
スト膜２は、第１の実施の形態と同様に、側壁がアルミ
ナ膜６１に対してほぼ垂直になるように形成する。さら
に、図６（ｃ）に示すように、Ａｒ+ ４でアルミナ膜６
１に対してほぼ垂直にスパッタする。これにより、アル
ミナ膜６１を形成する粒子を弾き飛ばして、レジスト膜
２の側壁とその近傍に付着させてアルミナ膜６２を堆積
させる。アルミナ膜６２は、先端部に向かって徐々に細
くなっていき、先端部が尖がった形状となる。
膜６１上に、レジスト膜２を形成した後に、フォトリソ
グラフィーによりレジスト膜２の一部を残す。このレジ
スト膜２は、第１の実施の形態と同様に、側壁がアルミ
ナ膜６１に対してほぼ垂直になるように形成する。さら
に、図６（ｃ）に示すように、Ａｒ+ ４でアルミナ膜６
１に対してほぼ垂直にスパッタする。これにより、アル
ミナ膜６１を形成する粒子を弾き飛ばして、レジスト膜
２の側壁とその近傍に付着させてアルミナ膜６２を堆積
させる。アルミナ膜６２は、先端部に向かって徐々に細
くなっていき、先端部が尖がった形状となる。
【００２２】その後、図６（ｄ）に示すように、レジス
ト膜２をウエットエッチングした後、アルミナ膜６１及
びアルミナ膜６２上にパーマロイ膜６を、第１の実施の
形態と同様にパターニングして形成する。パターニング
後のパーマロイ膜６は、アルミナ膜６２の上部付近が盛
り上がった形状となっている。また、上面から見ると、
パーマロイ膜６は、アルミナ膜６２を横切る部分が細く
帯状になっていて、帯状の部分から遠くなるにつれてし
だいに拡がる形状にパターニングされている。そして、
全面にパーマロイ膜６上にＳｉＯ2 膜７を形成する。
ト膜２をウエットエッチングした後、アルミナ膜６１及
びアルミナ膜６２上にパーマロイ膜６を、第１の実施の
形態と同様にパターニングして形成する。パターニング
後のパーマロイ膜６は、アルミナ膜６２の上部付近が盛
り上がった形状となっている。また、上面から見ると、
パーマロイ膜６は、アルミナ膜６２を横切る部分が細く
帯状になっていて、帯状の部分から遠くなるにつれてし
だいに拡がる形状にパターニングされている。そして、
全面にパーマロイ膜６上にＳｉＯ2 膜７を形成する。
【００２３】最後に、図６（ｅ）に示すように、ＳｉＯ
2 膜７面からＣＭＰにより表面を研磨し平坦化する。パ
ーマロイ膜６の盛り上がった部分が研磨されていき、ち
ょうどＳｉＯ2 膜７の平坦な部分で研磨を終える。即
ち、ＳｉＯ2 膜７は研磨のストッパの役目をしている。
これにより、アルミナ膜６２が表面に露出してリードラ
イトギャップ８が形成されるとともに、パーマロイ膜６
がこのリードライトギャップ８により分離されて、パー
マロイ膜６からなる磁極が形成される。磁極は、リード
ライトギャップ６３により分離された部分が、細い帯状
になっていて、分離された部分から遠くなるにつれてし
だいに拡がる形状となっている。これにより、図６
（ｅ）に示すように、本発明の第２の実施の形態の水平
型磁気ヘッドが完成する。
2 膜７面からＣＭＰにより表面を研磨し平坦化する。パ
ーマロイ膜６の盛り上がった部分が研磨されていき、ち
ょうどＳｉＯ2 膜７の平坦な部分で研磨を終える。即
ち、ＳｉＯ2 膜７は研磨のストッパの役目をしている。
これにより、アルミナ膜６２が表面に露出してリードラ
イトギャップ８が形成されるとともに、パーマロイ膜６
がこのリードライトギャップ８により分離されて、パー
マロイ膜６からなる磁極が形成される。磁極は、リード
ライトギャップ６３により分離された部分が、細い帯状
になっていて、分離された部分から遠くなるにつれてし
だいに拡がる形状となっている。これにより、図６
（ｅ）に示すように、本発明の第２の実施の形態の水平
型磁気ヘッドが完成する。
【００２４】第２の実施の形態の水平型磁気ヘッドの製
造方法によれば、リードライトギャップ６３となるアル
ミナ膜６１を形成するとき、Ａｒ+ ４でアルミナ膜６１
をエッチングし、アルミナ膜６１の粒子を弾き飛ばして
レジスト膜２の側壁とその近傍に堆積させる。エッチン
グの方向とエッチングの強さにより、アルミナ膜６１の
粒子の弾き飛ばす方向と量を変えることができる。その
ため、レジスト膜２の側壁に堆積させるアルミナ膜６２
の膜厚と形状を決定することができる。
造方法によれば、リードライトギャップ６３となるアル
ミナ膜６１を形成するとき、Ａｒ+ ４でアルミナ膜６１
をエッチングし、アルミナ膜６１の粒子を弾き飛ばして
レジスト膜２の側壁とその近傍に堆積させる。エッチン
グの方向とエッチングの強さにより、アルミナ膜６１の
粒子の弾き飛ばす方向と量を変えることができる。その
ため、レジスト膜２の側壁に堆積させるアルミナ膜６２
の膜厚と形状を決定することができる。
【００２５】さらに、第１の実施の形態と同様に、ＣＭ
Ｐによる研磨の際、ＳｉＯ2 膜７が研磨ストッパの役割
をし、研磨しすぎることがなく、リードライトギャップ
８の先端部を所望の幅に正確に形成することができる。
なお、第１の実施の形態と同様に、全工程を通して、埋
め込むという工程を有しておらず、従来技術に見られる
ような、孤立したリードライトギャップの周囲に磁性体
を埋め込むという手間も省くことができる。
Ｐによる研磨の際、ＳｉＯ2 膜７が研磨ストッパの役割
をし、研磨しすぎることがなく、リードライトギャップ
８の先端部を所望の幅に正確に形成することができる。
なお、第１の実施の形態と同様に、全工程を通して、埋
め込むという工程を有しておらず、従来技術に見られる
ような、孤立したリードライトギャップの周囲に磁性体
を埋め込むという手間も省くことができる。
【００２６】除去可能な膜として、本実施の形態ではレ
ジスト膜を用いているがこれに限るものではない。例え
ば、ＳｉＯ2 膜を用いてもよい。
ジスト膜を用いているがこれに限るものではない。例え
ば、ＳｉＯ2 膜を用いてもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、第１の発明の磁気ヘッド
及びその製造方法においては、後にリードライトギャッ
プとなる第１の絶縁膜を形成した後に、第１の絶縁膜を
異方性エッチングして、除去可能な膜の側壁に凸上の第
１の絶縁膜を残している。そのため、基板及び除去可能
な膜上に形成した第１の絶縁膜の膜厚を、そのままリー
ドライトギャプのギャップ幅とすることができ、０．３
μｍ以下の微細なギャップ幅のリードライトギャップを
得ることができる。
及びその製造方法においては、後にリードライトギャッ
プとなる第１の絶縁膜を形成した後に、第１の絶縁膜を
異方性エッチングして、除去可能な膜の側壁に凸上の第
１の絶縁膜を残している。そのため、基板及び除去可能
な膜上に形成した第１の絶縁膜の膜厚を、そのままリー
ドライトギャプのギャップ幅とすることができ、０．３
μｍ以下の微細なギャップ幅のリードライトギャップを
得ることができる。
【００２８】また、全工程を通して、埋め込むという工
程がないため、孤立したリードライトギャップの周囲に
磁性体を埋め込む手間も省くことができる。第２の発明
の磁気ヘッド及びその製造方法においては、基板上に形
成された、後にリードライトギャップとなる第１の絶縁
膜をエッチングし、凸状の第１の絶縁膜のエッチング生
成物を除去可能な膜の側壁に付着させている。エッチン
グの方向を基板に対して垂直方向に近づければ、先端部
分に向かって徐々に細くなり、先端部分が尖った凸状の
第１の絶縁膜のエッチング生成物を得ることができる。
程がないため、孤立したリードライトギャップの周囲に
磁性体を埋め込む手間も省くことができる。第２の発明
の磁気ヘッド及びその製造方法においては、基板上に形
成された、後にリードライトギャップとなる第１の絶縁
膜をエッチングし、凸状の第１の絶縁膜のエッチング生
成物を除去可能な膜の側壁に付着させている。エッチン
グの方向を基板に対して垂直方向に近づければ、先端部
分に向かって徐々に細くなり、先端部分が尖った凸状の
第１の絶縁膜のエッチング生成物を得ることができる。
【００２９】したがって、本発明の磁気ヘッド及びその
製造方法においては、所望の幅のリードライトギャップ
を０．３μｍ以下の微細に、精度良く形成することがで
きる。また、孤立したリードライトギャップの周囲に磁
性体を埋め込むという手間も省くことができる。
製造方法においては、所望の幅のリードライトギャップ
を０．３μｍ以下の微細に、精度良く形成することがで
きる。また、孤立したリードライトギャップの周囲に磁
性体を埋め込むという手間も省くことができる。
【００３０】そして、高密度記録に対応できる狭いリー
ドライトギャップを高精度に形成できる。
ドライトギャップを高精度に形成できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態の水平型磁気ヘッド
の製造方法の工程を示す断面図（その１）である。
の製造方法の工程を示す断面図（その１）である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の水平型磁気ヘッド
の製造方法の工程を示す断面図（その２）である。
の製造方法の工程を示す断面図（その２）である。
【図３】同じく水平型磁気ヘッドの製造方法の工程を示
す上面図である。
す上面図である。
【図４】本発明の実施の形態の水平型磁気ヘッドの断面
図である。
図である。
【図５】同じく水平型磁気ヘッドの斜視図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態の水平型磁気ヘッド
の製造方法を示す図である。
の製造方法を示す図である。
【図７】従来の水平型磁気ヘッドの製造方法の工程を示
す断面図（その１）である。
す断面図（その１）である。
【図８】従来の水平型磁気ヘッドの製造方法の工程を示
す断面図（その２）である。
す断面図（その２）である。
１，７１ 基板、 ２，７３ レジスト膜、 ３，５，５ａ，５ｂ，６１，６２ アルミナ膜、 ４ Ａｒ+ 、 ６ パーマロイ膜、 ７ ＳｉＯ2 膜、 ８ リードライトギャップ、 ４１ コイル、 ４２，７５ 絶縁膜、 ４３ ＭＲ、 ４４ ＭＲコア、 ４５ ライトコア、 ６３ リードライトギャップ、 ７２，７６ 絶縁層、 ７４ 磁性層、 ７７ ギャップ、 ７８ 磁気ピース。
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に、後に除去可能な膜を選択的に
形成する工程と、 前記基板及び前記除去可能な膜を覆うように、第１の絶
縁膜を形成する工程と、 前記第１の絶縁膜を異方性エッチングして、前記除去可
能な膜の側壁に残す工程と、 前記除去可能な膜を除去して、前記基板上に凸状の第１
の絶縁膜を形成する工程と、 前記基板及び前記凸状の第１の絶縁膜上に、磁性膜を形
成する工程と、 前記磁性膜が前記凸状の第１の絶縁膜の両側にわたって
形成されるようにパターニングする工程と、 前記磁性膜及び前記凸状の第１の絶縁膜を覆うように、
第２の絶縁膜を形成する工程と、 前記第２の絶縁膜及び前記磁性膜を研磨して前記凸状の
第１の絶縁膜を一部露出する工程とを有することを特徴
とする磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 基板上に、第１の絶縁膜を形成する工程
と、 前記第１の絶縁膜上に、後に除去可能な膜を選択的に形
成する工程と、 前記第１の絶縁膜をエッチングし、前記第１の絶縁膜の
エッチング生成物を前記除去可能な膜の側壁に付着させ
る工程と、 前記除去可能な膜を除去して、前記基板上に凸状の前記
第１の絶縁膜のエッチング生成物を残す工程と、 前記基板及び前記凸状の第１の絶縁膜のエッチング生成
物上に、磁性膜を形成する工程と、 前記磁性膜が前記凸状の第１の絶縁膜のエッチング生成
物の両側にわたって形成されるようにパターニングする
工程と、 前記磁性膜及び前記凸状の第１の絶縁膜のエッチング生
成物を覆うように、第２の絶縁膜を形成する工程と、 前記第２の絶縁膜及び前記磁性膜を研磨して前記凸状の
第１の絶縁膜のエッチング生成物を一部露出する工程と
を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 前記除去可能な膜の材料が、レジスト又
はＳｉＯ2 であることを特徴とする請求項１又は請求項
２に記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】 前記第１の絶縁膜の材料が、アルミナで
あることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の磁
気ヘッドの製造方法。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項４のうちのいずれか
に記載の磁気ヘッドの製造方法により製造された磁気ヘ
ッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2896698A JPH11232609A (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2896698A JPH11232609A (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11232609A true JPH11232609A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12263166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2896698A Withdrawn JPH11232609A (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11232609A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7137191B2 (en) | 2003-11-20 | 2006-11-21 | Alps Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing magnetic head |
| US7305753B2 (en) | 2004-02-20 | 2007-12-11 | Alps Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing a magnetic head |
-
1998
- 1998-02-10 JP JP2896698A patent/JPH11232609A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7137191B2 (en) | 2003-11-20 | 2006-11-21 | Alps Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing magnetic head |
| US7305753B2 (en) | 2004-02-20 | 2007-12-11 | Alps Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing a magnetic head |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050510 |