JPH11233309A - 積層バリスタ - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 7
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 230000036039 immunity Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100513612 Microdochium nivale MnCO gene Proteins 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
ティングをせずにサージ耐量を向上させた積層バリスタ
を提供する。 【解決手段】 バリスタ層8と内部電極層10とを交互
に積層した特性部3と、特性部3の上下面を外装する外
装部5とからなる積層体2と、積層体2の両側面に形成
された外部電極13とからなる積層バリスタ1であっ
て、外装部5を構成する外装セラミック層12の絶縁抵
抗値R1と、バリスタ層8の絶縁抵抗値R2との比R1/
R2が1.24〜4.54の範囲であることを特徴とす
る。
Description
る。
それに伴って使用される電子部品も小型化が要求されて
いる。とりわけ、回路上に表面実装できるチップ型の電
子部品は、回路自体の小型化に有用であり、使用される
割合が増加している。
保護するために用いられているバリスタは、吸収できる
サージ電流を大きくするために素子の電極面積を広くと
ってサージ耐量を大きくしたものが好ましい。そこで、
素子の小型化が図れ、かつ、サージ耐量を大きくできる
バリスタとして、バリスタ材料中に内部電極を複数枚内
蔵し、実質的に電極の面積を大きくしてサージ耐量を大
きくした積層型のバリスタ(以下、積層バリスタとす
る)が用いられている。
ば、図3に示すようなものがある。すなわち、この積層
バリスタ20は、半導体セラミックからなるバリスタ層
24とバリスタ層24上に形成された内部電極層25と
からなる特性部22と、バリスタ層24を積層した外装
部23とを有し、この特性部22と外装部23とからな
る積層体21と、その外側に設けられた外部電極27と
からなる。
製造方法としては、以下のようなものがある。すなわ
ち、バリスタ層24となるセラミックグリーンシートの
上に一方端面が導出するように内部電極層25となる内
部電極ペースト層を形成し、内部電極ペースト層が導出
される方向が交互となるように所定枚数積層し、特性部
22とする。次に、特性部22の上下にバリスタ材料と
同じ材質のセラミック層24からなる外装部23を積層
して積層体21とする。さらに、積層体21を焼成、再
酸化処理した後、積層体21の内部電極層25が導出さ
れている側面に外部電極27を形成する。
部電極の面積と電極の面積が同じである単板バリスタに
比べ、サージ耐量が30〜70%となっていた。これ
は、積層バリスタの構造であると、バリスタ機構を働か
せる内部電極を形成したバリスタ層を積層し、特性部と
した以外の部分(例えば、外部電極と、外部電極と接続
していない内部電極との間)でバリスタ機構が働き、表
面放電が生じていたためである。この原因としては、特
性部の外側に設けられた外装部の厚みt1と、特性部を
構成するバリスタ層の厚みt2との比が関係している。
一般に、外装部の厚みt1とバリスタ層の厚みt2とがt
1≦t2となっている場合には、t1へと流れる電流が生
じて表面放電となる。また、t1>t2であっても、外装
部とバリスタ層とを構成する材質が同一であるもの、す
なわち、外装部の絶縁抵抗値R1/バリスタ層の絶縁抵
抗値R2=1である場合には、表面放電が生じないよう
にするには、t1>2.5t2である必要がある。従来の
積層バリスタは、外装部の厚みt1がバリスタ層の厚み
t2に比べて、十分に大きくなかったため、表面放電が
生じやすい状態であった。
解決するものとして、特性部の厚みに対して外装部の厚
みを十分に取った積層バリスタや、表面をガラスや樹脂
でコーティングして絶縁化した積層バリスタなどが提案
されている。
積層バリスタ20には、以下のような問題点があった。
24の厚みを大きくし、バリスタ電圧を上昇させたもの
は、大きくしたバリスタ層24の厚みに対して外装部2
3の厚み十分に取った場合、その外形寸法が大きくなる
ため、積層バリスタの特長である小型化が図れなくな
る。
よる影響より、材質に用いている粒子の抵抗値による影
響が大きいため、積層バリスタのバリスタ電圧が変化し
ても、I−V曲線の傾きはほぼ変化しない。したがっ
て、高電圧対応とするために、バリスタ層24の厚みを
大きくし、バリスタ電圧を上昇させたものは、そのI−
V特性を示すI−V曲線が上昇したバリスタ電圧の分、
上方向へシフトする。一方、バリスタ層24と外装部2
3の材質が同じであるため、バリスタがサージ破壊する
ときの電圧(サージ耐量の制限電圧)は一定の値をと
る。よって、I−V曲線が上方向へシフトした分サージ
耐量が低下してしまう。
て絶縁化した積層バリスタは、ガラスや樹脂をコーティ
ングするために、余分な設備や工程が必要であり、製造
コストが高くなる。また、積層バリスタのさらなる小型
化を図ることができない。
き、かつ、表面にコーティングをせずにサージ耐量を向
上させた積層バリスタを提供することにある。
みてなされたものである。第1の発明の積層バリスタ
は、バリスタ層と内部電極層とを交互に積層した特性部
と、前記特性部の上下面を外装する外装部とからなる積
層体と、前記積層体の両側面に形成された外部電極とか
らなる積層バリスタであって、前記外装部を構成する外
装セラミック層の絶縁抵抗値R1と、前記バリスタ層の
絶縁抵抗値R2との比R1/R2が1.24〜4.54の
範囲であることを特徴とする。
ジ電流を外装部に流入しにくくし、特性部にスムーズに
流入させて、表面放電を抑制することができる。すなわ
ち、サージ耐量の制限電圧を上昇させ、サージ耐量を2
000A以上に向上させることができる。また、外装部
自体の絶縁抵抗値を上げるので、従来の積層バリスタに
比べ、外装部の厚みをより薄くすることができる。した
がって、バリスタ層の厚みが従来のものと同じであれ
ば、積層バリスタの低背化が可能となる。
は、前記外装セラミック層には、SiO2が0.5〜4
0.0重量%添加されていることを特徴とする。
は、前記外装セラミック層には、少なくともSiO2を
成分とするガラスが添加されており、前記外装セラミッ
ク層に対して前記SiO2の含有量は、0.5〜40.
0重量%であることを特徴とする。
によって、積層バリスタのサージ耐量の制限電圧を向上
させて、サージ耐量を向上させることができる。
について説明する。図1は本発明の積層バリスタの概略
断面図、図2は本発明の積層バリスタの分解斜視図を示
す。まず、出発原料としていずれも純度99%以上のZ
nO,Bi2O3,CoCO3,MnCO3およびSb2O3
を所定量調合して混合し、混合物とした。次に、得られ
た混合物をボールミルを用いて粉砕し、その後、800
℃で仮焼して仮焼物を得た。さらに、得られた仮焼物を
再度ボールミルを用いて粉砕した後、篩いにかけて造粒
し、バリスタ材料とした。次に、得られたバリスタ材料
に、B2O3,ZnO,SiO2を主成分とするガラスを
混合して外装セラミック材料とした。さらに、バリスタ
材料および外装セラミック材料にバインダー、分散剤、
可塑剤を加えて有機溶剤中で攪拌してスラリーとし、こ
れをドクターブレード法によってシート状に成形して、
それぞれバリスタ用セラミックグリーンシート、外装用
セラミックグリーンシートとした。
たバリスタ用セラミックグリーンシート7上にAg−P
d合金からなる電極ペーストをスクリーン印刷によって
塗布し、内部電極用ペースト層9を形成した。そして、
内部電極用ペースト層9を形成したバリスタ用セラミッ
クグリーンシート7を所定枚数積層して特性部3とした
後、さらに、その外側に外装用セラミックグリーンシー
ト11を所定枚数積層して外装部5を形成し、圧着して
積層体2とした。
加工した後、脱バインダー処理を行い、焼成炉によって
900℃で2時間焼成し、バリスタ用セラミックグリー
ンシート7、外装用セラミックグリーンシート11、内
部電極ペースト9を焼結させてそれぞれ、バリスタ層、
外装セラミック層、内部電極層とした。しかるのち、図
1のように、バリスタ層8と、内部電極層10と、外装
セラミック層12とからなる積層体2の面上のうち、内
部電極層10が露出している相対する面上にAgペース
トを塗布して外部電極13を形成して積層バリスタ1と
した。
ラスの添加量を変動させて、外装セラミック材料の抵抗
比とサージ耐量を測定した。その結果を表1に示す。な
お、表中の※印は本発明の請求項2から請求項4におけ
る範囲外を示す。また、比較例は、バリスタ材料と外装
セラミック材料とにB−Zn−Si系ガラスを同量ずつ
添加して焼成し、どちらも同じ絶縁抵抗値としたもので
ある。
絶縁抵抗値R1をバリスタ層の絶縁抵抗値R2より大きく
すると、サージ耐量が大幅に向上することがわかる。
層の絶縁抵抗値R1とバリスタ層の絶縁抵抗値R2との抵
抗比R1/R2を1.24〜4.54としたのは、試料番
号1のように、抵抗比R1/R2が1.24より小さい場
合には、サージ耐量が低くなり、好ましくないからであ
る。一方、試料番号10のように、抵抗比R1/R2が
4.54より大きい場合にも、サージ耐量が低くなり、
好ましくないからである。
外装セラミック層中のSiO2の添加量を0.3〜40
重量%に限定したのは、試料番号1のように、SiO2
の添加量が0.3より小さい場合には、サージ耐量が低
くなり、好ましくないからである。一方、試料番号10
のように、SiO2の添加量が4.6より大きい場合に
も、サージ耐量が低くなり、好ましくないからである。
内部電極層とを交互に積層した特性部と、この特性部の
上下面を外装する外装部とからなる積層体と、この積層
体の両側面に形成された外部電極とからなる積層バリス
タであって、この外装部を構成する外装セラミック層の
絶縁抵抗値R1と、前記バリスタ層の絶縁抵抗値R2との
比R1/R2が1.24〜4.54の範囲であることを特
徴とする。外装セラミック層で構成されている外装部が
薄くても表面放電を生じないようにすることができる。
また、サージ耐量の制限電圧を向上させることができ
る。よって、小型化を図ることができ、かつ、サージ耐
量を向上させた積層バリスタとすることができる。
図。
ト 8 バリスタ層 9 内部電極用ペースト層 10 内部電極層 11 外装用セラミックグリーンシート 12 外装セラミック層 13 外部電極
Claims (3)
- 【請求項1】 バリスタ層と内部電極層とを交互に積層
した特性部と、前記特性部の上下面を外装する外装部と
からなる積層体と、前記積層体の両側面に形成された外
部電極とからなる積層バリスタであって、 前記外装部を構成する外装セラミック層の絶縁抵抗値R
1と、前記バリスタ層の絶縁抵抗値R2との比R1/R2が
1.24〜4.54の範囲であることを特徴とする請求
項1に記載の積層バリスタ。 - 【請求項2】 前記外装セラミック層には、SiO2が
0.3〜40.0重量%添加されていることを特徴とす
る請求項1に記載の積層バリスタ。 - 【請求項3】 前記外装セラミック層には、少なくとも
SiO2を成分とするガラスが添加されており、前記外
装セラミック層に対して前記SiO2の含有量は、0.
3〜40.0重量%であることを特徴とする請求項1に
記載の積層バリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02859198A JP3832071B2 (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 積層バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02859198A JP3832071B2 (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 積層バリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233309A true JPH11233309A (ja) | 1999-08-27 |
| JP3832071B2 JP3832071B2 (ja) | 2006-10-11 |
Family
ID=12252849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02859198A Expired - Fee Related JP3832071B2 (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 積層バリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3832071B2 (ja) |
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-
1998
- 1998-02-10 JP JP02859198A patent/JP3832071B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPWO2020194812A1 (ja) * | 2019-03-22 | 2020-10-01 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3832071B2 (ja) | 2006-10-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050712 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090728 Year of fee payment: 3 |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100728 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110728 Year of fee payment: 5 |
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