JPH11233492A - プラズマ処理装置のプラズマ光の検出窓 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 検出窓の表面に付着物が付着しても発光スペ
クトルの透過量が変化しないプラズマ処理装置のプラズ
マ光の検出窓を提供する。 【解決手段】 エッチング装置１００の処理室１０２側
壁の所定の位置に取り付けられる検出窓１２２は，第１
部材１２６と第２部材１２８とから構成されている。第
１部材１２６は，表面が陽極酸化処理されたアルミニウ
ム，または表面が水素還元反応処理された鉛ガラスから
成り，多数の微細貫通孔１２６ａが形成されると共に，
第２部材は，石英から成る構成となっている。処理室１
０２側壁の検出窓取り付け口１３２に，処理室１０２外
部から第１部材１２６を嵌装した後，第２部材１２８を
嵌装して，取り付けネジ１３０により検出窓１２２を処
理室１０２側壁に締着する。微細貫通孔１２６ａ内に進
入した発光スペクトルのみが，第２部材１２８を介して
終点検出器１２４の光受容部に伝達される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，プラズマ処理装置
のプラズマ光の検出窓に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より，気密な処理容器内に形成され
た処理室内に，上部電極と下部電極とを対向配置したエ
ッチング装置が提案されている。かかるエッチング装置
においては，下部電極上に被処理体を載置した後，処理
室内に所定の処理ガスを導入し，次いで，例えば下部電
極に対して所定の高周波電力を印加することにより，処
理室内にプラズマを励起し，そのプラズマにより被処理
体に対して所定のエッチング処理を施す構成となってい
る。

【０００３】ところで，エッチング処理の終点検出は，
処理室内で励起されたプラズマの発光スペクトルの変化
に基づいて，次のようにして行われる。すなわち，まず
処理室内の発光スペクトルを，発光スペクトルの検出光
路中の処理室側壁に配置された，例えば石英から成るプ
ラズマ光の検出窓を介して，処理室外部の終点検出器の
光受容部に伝達する。次いで，伝達された発光スペクト
ルの変化に基づいて，終点検出器でエッチング処理の終
点を検出する構成となっている。

【０００４】しかし，処理時には，例えば反応生成物な
どの付着物が処理室内に生じるため，その付着物が検出
窓の処理室側面に付着し，プラズマ光の透過性が低下し
て，エッチング処理の終点の検出が次第に困難となって
いた。そこで，従来より，検出窓の処理室側面に，例え
ば盲孔を形成して表面積を拡大し，処理時間当たりの付
着物の付着量を低下させて，検出窓の洗浄又は交換時期
の延長を図る技術などが提案されている。また，発光ス
ペクトルの検出光路中に検出窓の盲孔内を配置した場合
には，検出窓の処理室側面（盲孔底面）と終点検出器側
面との距離が相対的に短くなるため，光受容部に達する
発光スペクトルの光量が増加し，終点検出を容易に行う
ことができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上述し
た盲孔を有する検出窓は，プラズマ光透過性材料から形
成されているため，発光スペクトルが盲孔底面以外から
も終点検出器に伝達される。従って，付着物が検出窓の
処理室側面や盲孔内壁面等に付着した場合には，終点検
出器に到達する発光スペクトルの光量が，その付着物の
付着に伴って低下し，所望の確実な終点検出を行うこと
が困難であった。

【０００６】本発明は，従来のプラズマ処理装置のプラ
ズマ光の検出窓が有する上記のような問題点に鑑みて成
されたものであり，付着物が検出窓の表面に付着した場
合でも，プラズマの発光スペクトルの光量が低下するこ
となく終点検出器に伝達され，所望の正確な終点検出を
行うことが可能な，新規かつ改良されたプラズマ処理装
置のプラズマ光の検出窓を提供することを目的としてい
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は，処理室内に生
成するプラズマの発光スペクトルを，終点検出器の光受
容部に透過するプラズマ処理装置のプラズマ光の検出窓
に関するものである。そして，請求項１に記載の発明
は，発光スペクトルの検出光路中に設けられる検出窓
は，処理室内に配置される多数の微細貫通孔を備え，少
なくともその表面が発光スペクトルに対し不透過性を有
する材料から形成された第１部材と，処理室の壁部の一
部を成し光透過性を有する第２部材とから成ることを特
徴としている。

【０００８】かかる構成によれば，第１部材に形成され
た貫通孔は，微細貫通孔であるため，付着物が微細貫通
孔内を通じて第２部材にまで到達し難くなる。その結
果，第２部材の洗浄又は交換時期の延長を図ることがで
きる。また，かかる検出窓は，第１部材と第２部材とか
ら構成されているため，プラズマ雰囲気に曝される部材
を第１部材に限定することができ，検出窓がエッチング
された場合には，その第１部材のみを交換すればよい。
また，第１部材は，表面のみが光不透過性を有する材料
から形成されるため，例えば多数の微細貫通孔を備えた
光透過性材料の表面に，光不透過性処理を施して第１部
材を形成することができる。従って，第１部材の構成材
料を，光不透過性材料に限定する必要がない。さらに，
第１部材は，上述した表面のみが光不透過性を有する材
料や，プラズマ光不透過性材料から形成されるため，第
１部材の微細貫通孔内を通過した発光スペクトルのみ
が，第２部材を介して終点検出器に伝達される。従っ
て，付着物が第１部材の表面に付着した場合でも，終点
検出器の光受容部に伝達される発光スペクトルの光量が
低下しないため，所望の正確な終点検出を行うことがで
きる。

【０００９】また，請求項２に記載の発明は，第１部材
は，その表面が陽極酸化処理されたアルミニウムから形
成されることを特徴としている。かかる構成によれば，
第１部材は，アルミニウムから構成されているため，微
細貫通孔の形成が容易であると共に，その表面には，陽
極酸化処理が施されているため，処理室内のプラズマ雰
囲気に曝される第１部材の耐エッチング性を向上させ，
交換頻度を減少させることができる。

【００１０】さらに，請求項３に記載の発明は，第１部
材は，鉛ガラスから形成されると共に，その表面に水素
還元反応処理が施されていることを特徴としている。か
かる構成によれば，第１部材は鉛ガラスから構成されて
いるため，例えば多数のキャピラリガラスを束ねて第１
部材を形成することができ，多数の微細貫通孔を容易に
形成することができる。また，鉛ガラスを所定の形状に
形成した後，水素還元反応処理を施すことのみで，光不
透過性を有する第１部材を形成することができるため，
第１部材の生産がさらに容易となる。

【００１１】また，請求項４に記載の発明は，第１部材
と第２部材とは，所定の間隔をもって配置されることを
特徴としている。かかる構成によれば，第１部材と第２
部材との間には，所定の間隔領域が形成されるため，第
１部材の微細貫通孔内に進入した付着物の第２部材の第
１部材側面への付着を抑制することができる。従って，
第２部材の洗浄又は交換時期の延長を図ることができ
る。

【００１２】さらに，請求項５に記載の発明によれば，
所定の間隔内には，排気経路が形成されることを特徴と
している。かかる構成によれば，所定の間隔内に排気経
路が形成されているため，第１部材の微細貫通孔内に進
入した付着物が第２部材まで到達することなく排気さ
れ，第２部材の第１部材側面に付着することがない。従
って，第２部材の洗浄又は交換時期をさらに延長するこ
とができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下に，添付図面を参照しなが
ら，本発明にかかるプラズマ処理装置のプラズマ光の検
出窓を，エッチング装置のプラズマ光の検出窓に適用し
た，実施の形態について詳細に説明する。なお，以下の
説明において，略同一の機能及び構成を有する構成要素
については，同一符号を付することにより，重複説明を
省略することとする。

【００１４】まず，本実施の形態を適用可能なエッチン
グ装置１００の構成について説明する。図１に示したエ
ッチング装置１００の処理室１０２は，導電性材料から
成り，気密に閉塞自在な略円筒形状の処理容器１０４内
に形成されている。また，処理室１０２内底部に形成さ
れた絶縁支持板１０６上には，下部電極を構成する略円
筒形状のサセプタ１０８が配置されている。

【００１５】このサセプタ１０８は，導電性材料から成
り，その上部には被処理体，例えば半導体ウェハ（以
下，「ウェハ」と称する。）Ｗを載置可能なように構成
されている。また，サセプタ１０８には，不図示の温度
調整機構が内装されているため，サセプタ１０８上に載
置されたウェハＷを，所望の温度に維持することができ
る。また，サセプタ１０８のウェハＷの載置面には，不
図示の静電チャックが配置されており，ウェハＷを所望
の状態で吸着保持できるように構成されている。さら
に，サセプタ１１０の載置面の外縁部には，絶縁性材料
から成る略環状の不図示のフォーカスリングが設けられ
ている。従って，処理時には，フォーカスリング１２６
によってプラズマがウェハＷに効果的に入射するため，
ウェハＷに対して均一な処理を施すことができる。

【００１６】また，サセプタ１０８の載置面と対向する
位置には，導電性材料から成る略円盤状の上部電極１１
０が配置されており，この上部電極１１０は処理室１０
２の天井部に取り付けられる構成となっている。また，
上部電極１１０内には，空間部１１０ａが形成されてい
ると共に，上部電極１１０のサセプタ１０８側には，空
間部１１０ａと処理室１０２内とを連通するガス吐出孔
１１０ｂが多数形成されている。さらに，空間部１１０
ａの上部略中央には，ガス導入管１１２が接続されてお
り，このガス導入管１１２は不図示のガス供給源に接続
されている。従って，処理時には，所定の処理ガスがガ
ス供給源からガス導入管１１２，空間部１１０ａ及びガ
ス吐出孔１１０ｂを介して，サセプタ１０８上に載置さ
れたウェハＷの表面に，均一に吐出される構成となって
いる。

【００１７】また，処理室１０２下部側壁には，排気管
１１４が接続されており，この排気管１４６は，不図示
の真空引き機構に接続されている。従って，真空引き機
構の作動により，処理室１０２内を所定の減圧雰囲気に
まで真空引きし，その減圧度を維持することが可能なよ
うに構成されている。

【００１８】次いで，エッチング装置１００の高周波電
力の供給系について説明すると，サセプタ１０８には，
整合器１１６を介して高周波電源１１８が接続されてい
ると共に，上部電極１１０は接地線１２０を介して接地
されている。そして，処理時には，所定の高周波電力を
高周波電源１１８から整合器１１６を介してサセプタ１
０８に印加する構成となっている。その結果，処理室１
０２内に導入された処理ガスが解離してプラズマ化し，
このプラズマによりウェハＷに対して所定のエッチング
処理を施す構成となっている。

【００１９】次に，第１の実施の形態に係るプラズマ光
の検出窓１２２について詳細に説明する。かかる検出窓
１２２は，図１及び図２に示したように，発光スペクト
ルの検出光路中，すなわち処理室１０８内のプラズマの
発光スペクトルを，処理室１０２外部の終点検出器１２
４に伝達可能な位置の処理室１０８側壁に取り付けられ
る構成となっている。また，検出窓１２２は，処理室１
０２側に配置され，処理室１０２内部側壁の一部をなす
第１部材１２６と，終点検出器１２４側に配置され，処
理室１０２外部側壁の一部をなす第２部材１２８とから
構成されている。

【００２０】まず，第１部材１２６の構成について説明
すると，第１部材１２６は，例えば鉛ガラスから成るキ
ャピラリ（毛細管）を多数束ねて成形したキャピラリプ
レートから成り，その表面に水素還元反応処理を施して
プラズマ光不透過性膜（黒色膜）を形成した構成となっ
ている。また，第１部材１２６が処理室１０２側壁に取
り付けられた際には，上記多数のキャピラリにより，処
理室１０２内と第２部材１２８とを連通する多数の微細
貫通孔１２６ａが第１部材１２６に形成される構成とな
っている。また，微細貫通孔１２６ａは，図３に示した
ように，例えば約４ｃｍ×３ｃｍのキャピラリプレート
の場合，例えば直径１ｍｍの微細貫通孔が例えば１６０
個設けられる構成となっている。さらに，第１部材１２
６の表面を被覆するプラズマ光不透過性膜により，微細
貫通孔１２６ａ内に進入したプラズマ光以外が第２部材
１２８を介して終点検出器１２４に到達しないように構
成されている。また，第１部材１２６は，プラズマ光不
透過性材料，例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニ
ウムから成るプレートに，微細貫通孔１２６ａを多数配
置して形成しても，上記鉛ガラス性の第１部材１２６と
同様の効果を得ることができる。なお，第１部材１２６
をアルミニウムプレートから形成した場合でも，上述の
如く例えば約４ｃｍ×３ｃｍのアルミニウムプレートの
場合，例えば直径１ｍｍの微細貫通孔が例えば１６０個
設けられる構成となっている。

【００２１】また，第１部材１２６の上部及び下部に
は，それぞれに対応する張り出し部１２６ｂ，１２６ｃ
が形成されている。さらに，それら張り出し部１２６
ｂ，１２６ｃには，それぞれに対応して取り付けネジ１
３０を挿入可能な貫通口１２６ｂ’，１２６ｃ’が設け
られている。

【００２２】次いで，第２部材１２８の構成について説
明すると，第２部材１２８は，光透過性材料，例えば石
英から成り，図３に示したように，第１部材１２６の第
２部材１２８側面と略同一の形状に成形されている。ま
た，第２部材１２８には，第１部材１２６の貫通口１２
６ｂ’，１２８ｃ’に対応する位置に，それら貫通口１
２６ｂ’，１２６ｃ’と略同径の貫通口１２８ａ，１２
８ｂが設けられている。

【００２３】次いで，本実施の形態に係る検出窓１２２
の処理室１０２側壁への取り付け構成について説明す
る。検出窓１２２が取り付けられる処理室１０２側壁に
は，図２及び４に示したように，検出窓取り付け口１３
２が形成されている。また，この検出窓取り付け口１３
２の処理室１０２側開口部の上部及び下部には，図４に
示したように，それぞれに対応する肩部１３２ａ，１３
２ｂが設けられている。

【００２４】そして，検出窓１２２を構成する第１部材
１２６と第２部材１２８とは，同図に示したように，上
述した検出窓取り付け口１３２内に取り付けられる。す
なわち，まず処理室１０２外部から，処理室１０２側壁
に形成された検出窓取り付け口１３２内に第１部材１２
６を嵌装する。この際，第１部材１２６の張り出し部１
２６ｂ，１２６ｃと，検出窓取り付け口１３２の肩部１
３２ａ，１３２ｂとが気密に係合するように構成されて
いる。次いで，第１部材１２６と同様にして，第２部材
１２８を検出窓取り付け口１３２内に嵌装する。次い
で，第２部材１２８の貫通口１２８ａ，１２８ｂに取り
付けネジ１３０を挿入し，この取り付けネジ１３０を締
めることにより，第１部材１２６と第２部材１２８とが
処理室１０２側壁に気密に固定される構成となってい
る。さらに，処理室１０２側壁と第１部材１２６との間
及び第１部材１２６と第２部材１２８との間には，不図
示のＯリングが介装されるため，処理室１０２内の気密
性が一層保たれる構成となっている。そして，検出窓１
２２を検出窓取り付け口１３２内に取り付けた際には，
第１部材１２６の処理室１０２側面と，処理室１０２の
内壁面とが略同一面状に配置され，処理室１０２内に突
出部が形成されないように構成されている。

【００２５】次に，本実施の形態に係る検出窓１２２を
介して，プラズマ光の発光スペクトルを終点検出器１２
４に伝達する伝達構成について説明する。処理時には，
処理室１０２内にプラズマが励起され，そのプラズマに
よりウェハＷに対して所定のエッチング処理が施され
る。この際，ウェハＷの処理に伴ってプラズマの発光ス
ペクトルが変化する。次いで，その発光スペクトルは，
第１部材１２６に形成された多数の微細貫通孔１２６ａ
内及び第２部材１２８を介して，終点検出器１２４に伝
達される。そして，この終点検出器１２４において，伝
達された発光スペクトルの変化に基づいてエッチング処
理の終点を検出し，エッチング処理を終了させるように
構成されている。

【００２６】第１の実施の形態に係るプラズマ光の検出
窓１２２は，以上のように構成されており，第１部材１
２６の微細貫通孔１２６ａ内のみを通過した発光スペク
トルが第２部材１２８を介して終点検出器１２４に伝達
されるため，付着物が第１部材１２６の表面，例えば処
理室１０２側面や微細貫通孔１２６ａの内壁面に付着し
た場合でも，伝達される発光スペクトルの光量が低下す
ることがない。

【００２７】次に，第２の実施の形態に係るプラズマ光
の検出窓２００について説明する。かかる検出窓２００
は，図５に示したように，第１部材１２６と第２部材２
０２とから構成されている。また，第２部材２０２は，
上述した第２部材１２８と略同一の材料から成り，第２
部材２０２の第１部材１２６側の微細貫通孔１２６ａに
対応する位置には，凹部２０２ａが形成されている。

【００２８】そして，第１部材１２６と第２部材２０２
とを検出窓取り付け口１３２内に嵌装し，固定した場合
には，微細貫通孔１２６ａの第２部材２０２側開口部
と，第２部材２０２の微細貫通孔１２６ａに対応する面
との間に，所定の空間部２０４が形成される構成となっ
ている。従って，空間部２０４の形成によって第２部材
２０２の第１部材側面の表面積が増加し，かつ微細貫通
孔１２６ａの第２部材２０２側開口部と，第２部材２０
２の第１部材１２６側面とが直接接触することがない。
その結果，微細貫通孔１２６ａ内に進入した付着物が，
第２部材２０２の第１部材１２６側面に付着し難くなる
ため，第２部材２０２の洗浄又は交換時期の延長を図る
ことができる。なお，検出窓２００の検出窓取り付け口
１３２への取り付け構成は，検出窓１２２を略同一であ
る。

【００２９】次に，第３の実施の形態に係るプラズマ光
の検出窓３００について説明する。かかる検出窓３００
は，図６に示したように，第１部材３０２と第２部材３
０４と第３部材３０６とから構成されており，第３部材
３０６は第１の実施の形態に係る第２部材１２８と略同
一の構成となっている。また，第１部材３０２及び第２
部材３０４は，上述した第１部材１２６と略同一の材料
から構成されている。

【００３０】また，第１部材３０２には，処理室１０２
と第２部材３０４とを連通する多数の微細貫通孔３０２
ａが形成されている。この微細貫通孔３０２ａ内径は，
処理室１０２側開口部よりも第２部材３０４側開口部の
方が相対的に大きく構成されている。また，第２部材に
は，第１部材３０２と第３部材３０６とを連通し，かつ
第１部材３０２の微細貫通孔３０２ａに対応する多数の
微細貫通孔３０４ａが形成されている。さらに，第２部
材３０４の微細貫通孔３０４ａ内径は，第３部材３０６
側開口部よりも第１部材３０２側開口部の方が相対的に
大きく構成されている。さらにまた，微細貫通孔３０４
ａの第１部材３０２側開口部の径は，微細貫通孔３０２
ａの第２部材３０４側開口部の径と略同一に構成されて
いる。

【００３１】また，検出窓取り付け口３０８の処理室１
０２側の上部及び下部には，それぞれに対応する張り出
し部３０８ａ，３０８ｂが形成されている。また，これ
ら張り出し部３０６ａ，３０６ｂの先端には，それぞれ
に対応する肩部３０６ａ’，３０６ｂ’が形成されてい
る。また，第１部材３０２の上部及び下部には，張り出
し部３０２ｂ，３０２ｃが形成されている。そして，第
１部材３０２を検出窓取り付け口３０８内に嵌装した際
には，張り出し部３０２ｂ，３０２ｃと，それぞれに対
応する肩部３０８ａ’３０８ｂ’とが気密に係合する構
成となっている。また，第２部材３０４は，第３部材３
０６と気密に密着するように構成されている。さらに，
第２部材３０４の第１部材３０２側面の上部及び下部
が，それぞれに対応する張り出し部３０８ａ，３０８ｂ
に気密に密着するように構成されている。そして，検出
窓３００の検出窓取り付け口３０８への取り付けは，第
１の実施の形態で説明したように取り付けネジ１３０を
用いて，第２部材３０４及び第３部材３０６を締着する
ことにより行われる構成となっている。

【００３２】そして，検出窓取り付け口３０８内に，検
出窓３００を嵌装した際には，微細貫通孔３０２ａの第
２部材３０４側開口部と微細貫通孔３０４ａの第１部材
３０２側開口後部との連通部分に，空間部３１０が形成
されるように構成されている。また，この空間部３１０
の内径は，微細貫通孔３０２ａの処理室１０２側開口
部，または微細貫通孔３０４ａの第３部材３０６側開口
部の内径よりも，相対的に大きく構成されている。従っ
て，微細貫通孔３０２ａ，３０４ａ内壁面の表面積が相
対的に増加するため，付着物が微細貫通孔３０４ａの第
３部材３０６側開口部にまで到達し難くなり，第３部材
３０６の洗浄又は交換時期を延長させることができる。
また，第３部材３０６に，例えば第２部材３０４側に溝
部を形成するなどの表面積を広げる加工を施す必要がな
いため，第３部材３０６の生産コストを下げることがで
きる。

【００３３】次に，図７に示す第４の実施の形態に係る
プラズマ光の検出窓４００について説明する。まず，か
かる検出窓４００が適用されるエッチング装置について
説明する。当該エッチング装置は，処理室１０２の側壁
以外は，上述したエッチング装置１００と略同一の構成
となっている。そして，その処理室１０２の側壁は，図
７に示したように，処理室１０２を覆うように配置され
る第１側壁４０２と，その第１側壁４０２の外壁面を覆
うように配置される第２側壁４０４とから構成されてい
る。また，第１側壁４０２と第２側壁４０４との間に
は，所定の空間領域４０６が形成され，この空間領域４
０６内に排気経路が形成される構成となっている。さら
に，第１側壁４０２と第２側壁４０４との発光スペクト
ルの検出光路に対応する位置には，それぞれに対応する
第１検出窓取り付け口４０８と第２検出窓取り付け口４
１０とが形成される構成となっている。

【００３４】次いで，検出窓４００について説明する
と，検出窓４００は，第１検出窓取り付け口４０８に嵌
装される第１部材１２６と，第２検出窓取り付け口４１
０に嵌装される第２部材４１２とから構成されている。
また，第２部材４１２は，上述した第２部材１２８と略
同一の材料から構成されていると共に，第２部材４１２
の外形は，微細貫通孔１２６ａが形成されていないこと
以外は第１部材１２６と略同一の形状となっている。そ
して，取り付けネジ１３０によって第１部材１２６と第
２部材４１２とを，それぞれに対応する第１検出窓取り
付け口４０８と第２検出窓取り付け口４１０とに締着し
た際には，処理室１０２内と空間領域４０６内と処理室
１０２外部とが，それぞれ気密に隔絶されるように構成
されている。

【００３５】そして，処理時には，空間領域４０６内雰
囲気は，例えば図７中の矢印方向に排気される構成とな
っている。従って，付着物が微細貫通孔１２６ａの空間
領域４０６側開口部に達した場合でも，空間領域４０６
内で排気されてしまうため，第２部材４１２の空間領域
４０６側面にまで到達し，付着することなく排気される
構成となっている。従って，第２部材４１２の洗浄又は
交換時期を大幅に延長することができる。

【００３６】以上，本発明の好適な実施の形態につい
て，添付図面を参照しながら説明したが，本発明はかか
る構成に限定されない。特許請求の範囲に記載された技
術的思想の範疇において，当業者であれば，各種の変更
例及び修正例に想到し得るものであり，それら変更例及
び修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと
了解される。

【００３７】例えば，上記第１〜４の実施の形態におい
て，検出窓を処理室側壁に配置した構成を例に挙げて説
明したが，本発明はかかる構成に限定されるものではな
く，プラズマの発光スペクトルの検出光路中，例えば発
光スペクトルを処理室内から終点検出器に伝達可能な処
理室壁部に配置される構成であれば，本発明は適用可能
である。

【００３８】また，上記第１〜４の実施の形態におい
て，検出窓をそれぞれ特定の第１部材と第２部材，また
は第１部材と第２部材と第３部材とから構成した例を挙
げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されるもの
ではなく，処理室側に少なくとも表面にプラズマ光不透
過性処理が施された材料から成り，多数の微細貫通孔が
形成された部材を配置し，その部材の終点検出器側にプ
ラズマ光透過性材料から成る部材を配置した構成であれ
ばよく，例えば上述した組合わせ以外の組合わせに係る
検出窓を処理装置に適用しても，本発明は実施可能であ
る。

【００３９】さらに，上記第１〜４の実施の形態におい
て，かかる検出窓をウェハに対してエッチング処理を施
すエッチング装置に適用した例を挙げて説明したが，本
発明はかかる構成に限定されるものではなく，被処理体
としては，例えばＬＣＤ用ガラス基板などを使用しても
よく，また処理装置としては，例えばＣＶＤ装置やスパ
ッタ装置などにも本発明を適用することができる。

【００４０】

【発明の効果】本発明によれば，プラズマの発光スペク
トルは，第１部材に形成された微細貫通孔内以外からは
伝達されないため，付着物が第１部材の処理室側面や微
細貫通孔の内壁面に付着した場合でも，終点検出器に達
する発光スペクトルの光量が低下することがない。その
結果，終点検出器に伝達される発光スペクトルの光量が
安定するため，所望の正確な終点検出を行うことがで
き，所望のプラズマ処理を被処理体に施すことができ
る。さらに，付着物が第１部材の表面に付着した場合で
も，発光スペクトルの光量が低下しないため，検出窓の
洗浄又は交換時期の延長を図ることができる。また，処
理室内雰囲気に曝される第１部材は，表面が陽極酸化処
理されたアルミニウム，または表面が水素還元反応処理
された鉛ガラスから形成されているため，被処理体の材
質や処理装置の構成等に応じて，本発明を適用すること
ができる。さらに，第１部材と第２部材とを間隔をもっ
て配置し，その間隔内に排気経路を形成した場合には，
微細貫通孔内に進入した付着物が第２部材に達すること
なく排気されてしまうため，検出窓の洗浄又は交換時期
を大幅に延長することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用可能なエッチング装置を示した概
略的な断面図である。

【図２】図１に示したエッチング装置を同図中のＸ−Ｘ
線に沿う平面において切断した概略的な断面図である。

【図３】図１に示した検出窓を表した概略的な斜視図で
ある。

【図４】図１に示したエッチング装置の検出窓の取り付
け部分を示した概略的な拡大断面図である。

【図５】他の実施の形態に係る検出窓を示した概略的な
断面図である。

【図６】他の実施の形態に係る検出窓を示した概略的な
断面図である。

【図７】他の実施の形態に係る検出窓を示した概略的な
断面図である。

【符号の説明】

１００ エッチング装置 １０２ 処理室 １０８ サセプタ １１０ 上部電極 １２２ 検出窓 １２４ 終点検出器 １２６ 第１部材 １２８ 第２部材 １３２ 検出窓取り付け口

フロントページの続き (72)発明者 湯之上 隆 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理室内に生成するプラズマの発光スペ
   クトルを，終点検出器の光受容部に透過するプラズマ処
   理装置のプラズマ光の検出窓であって，前記発光スペク
   トルの検出光路中に設けられる前記検出窓は，前記処理
   室内に配置される多数の微細貫通孔を備え，少なくとも
   その表面が発光スペクトルに対し不透過性を有する材料
   から形成された第１部材と，前記処理室の壁部の一部を
   成し光透過性を有する第２部材とから成ることを特徴と
   する，プラズマ処理装置のプラズマ光の検出窓。
2. 【請求項２】 前記第１部材は，少なくともその表面が
   前記発光スペクトルに対して不透過性を有する材料から
   形成されることを特徴とする，請求項１に記載のプラズ
   マ処理装置のプラズマ光の検出窓。
3. 【請求項３】 前記第１部材は，鉛ガラスから形成され
   ると共に，その表面に水素還元反応処理が施されている
   ことを特徴とする，請求項１に記載のプラズマ処理装置
   のプラズマ光の検出窓。
4. 【請求項４】 前記第１部材と前記第２部材とは，所定
   の間隔をもって配置されることを特徴とする，請求項
   １，２又は３のいずれかに記載のプラズマ処理装置のプ
   ラズマ光の検出窓。
5. 【請求項５】 前記所定の間隔内には，排気経路が形成
   されることを特徴とする，請求項１，２，３又は４のい
   ずれかに記載のプラズマ処理装置のプラズマ光の検出
   窓。