JPH11233532A - リードフレームと半導体素子の接着方法 - Google Patents
リードフレームと半導体素子の接着方法Info
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- JPH11233532A JPH11233532A JP10029439A JP2943998A JPH11233532A JP H11233532 A JPH11233532 A JP H11233532A JP 10029439 A JP10029439 A JP 10029439A JP 2943998 A JP2943998 A JP 2943998A JP H11233532 A JPH11233532 A JP H11233532A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体素子と接着用フィルム間における空隙の
発生を効果的に抑制することのできるリードフレームへ
の半導体素子の接着方法を提供する。 【解決手段】予め片面に接着用フィルム７を貼り付けた
リードフレーム３と半導体素子４とをマウントヘッド
１、マウントステージ２間に供給し、これらマウントヘ
ッド１とマウントステージ２により加熱加圧することに
よって半導体素子４をリードフレーム３へ熱接着する際
に、リードフレーム３側のマウントヘッド１の加熱温度
を半導体素子４側のマウントステージ２よりも低温に設
定し、さらに、マウントステージ２の加熱温度を接着用
フィルム７の接着層６のガラス転移温度よりも高く設定
する。
発生を効果的に抑制することのできるリードフレームへ
の半導体素子の接着方法を提供する。 【解決手段】予め片面に接着用フィルム７を貼り付けた
リードフレーム３と半導体素子４とをマウントヘッド
１、マウントステージ２間に供給し、これらマウントヘ
ッド１とマウントステージ２により加熱加圧することに
よって半導体素子４をリードフレーム３へ熱接着する際
に、リードフレーム３側のマウントヘッド１の加熱温度
を半導体素子４側のマウントステージ２よりも低温に設
定し、さらに、マウントステージ２の加熱温度を接着用
フィルム７の接着層６のガラス転移温度よりも高く設定
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の接着
方法に関し、特に、リードフレームへ良好な状態で半導
体素子を接着することのできる半導体素子の接着方法に
関する。
方法に関し、特に、リードフレームへ良好な状態で半導
体素子を接着することのできる半導体素子の接着方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図５（イ）、（ロ）は、リードフレーム
３と半導体素子４とを接着用フィルム７によって接着し
た構成を示す。
３と半導体素子４とを接着用フィルム７によって接着し
た構成を示す。
【０００３】リードフレーム３は、たとえば、鉄−ニッ
ケル４２％合金（熱膨張係数：４．５×１０-5／℃）に
よって形成され、インナーリード３Ａおよびアウターリ
ード３Ｂを有する。
ケル４２％合金（熱膨張係数：４．５×１０-5／℃）に
よって形成され、インナーリード３Ａおよびアウターリ
ード３Ｂを有する。
【０００４】接着用フィルム７は、ポリイミドテープ３
（熱膨張係数：１７×１０-5／℃）と、その両面に設け
られた接着層６によって形成されている。
（熱膨張係数：１７×１０-5／℃）と、その両面に設け
られた接着層６によって形成されている。
【０００５】従来のリードフレームと半導体素子の接着
方法によると、内蔵したヒータにより所定の温度に加熱
されたマウントステージに半導体素子４を載置し、接着
フィルム７をインナーリード３Ａの先端に接着したリー
ドフレーム３を半導体素子４の上へ搬送し、リードフレ
ーム３の上方より内蔵したヒータによってマウントステ
ージと同一、あるいはそれより高い温度に加熱されたマ
ウントヘッドを下降して、マウントヘッドとマウントス
テージの間でリードフレーム３のインナーリード３Ａ、
接着フィルム７および半導体素子４を加熱加圧する。
方法によると、内蔵したヒータにより所定の温度に加熱
されたマウントステージに半導体素子４を載置し、接着
フィルム７をインナーリード３Ａの先端に接着したリー
ドフレーム３を半導体素子４の上へ搬送し、リードフレ
ーム３の上方より内蔵したヒータによってマウントステ
ージと同一、あるいはそれより高い温度に加熱されたマ
ウントヘッドを下降して、マウントヘッドとマウントス
テージの間でリードフレーム３のインナーリード３Ａ、
接着フィルム７および半導体素子４を加熱加圧する。
【０００６】図６（イ）、（ロ）は、このようにして接
着フィルム７によって接着されたインナーリード３Ａと
半導体素子４を示し、図５（イ）、（ロ）と異なった向
きおよび断面で示している。
着フィルム７によって接着されたインナーリード３Ａと
半導体素子４を示し、図５（イ）、（ロ）と異なった向
きおよび断面で示している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の半導体素子の接着方法によると、ポリイミドテープ
５がリードフレーム３より大きな熱膨張係数を有するた
め、ポリイミドテープ５の伸びによって半導体素子４と
ポリイミドテープ５との間に空隙８が発生することがあ
り、このため、空隙８の発生面積が大きな場合には、樹
脂封止後の半導体装置としての特性、たとえば、耐リフ
ロークラック性や耐サーマルショック性のような熱的特
性面において、問題を起こすことがあった。
来の半導体素子の接着方法によると、ポリイミドテープ
５がリードフレーム３より大きな熱膨張係数を有するた
め、ポリイミドテープ５の伸びによって半導体素子４と
ポリイミドテープ５との間に空隙８が発生することがあ
り、このため、空隙８の発生面積が大きな場合には、樹
脂封止後の半導体装置としての特性、たとえば、耐リフ
ロークラック性や耐サーマルショック性のような熱的特
性面において、問題を起こすことがあった。
【０００８】従って、本発明の目的は、半導体素子と接
着用フィルム間における空隙の発生を効果的に抑制する
ことのできる半導体素子の接着方法を提供することにあ
る。
着用フィルム間における空隙の発生を効果的に抑制する
ことのできる半導体素子の接着方法を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、両面に接着層を有する接着用フィルムを
リードフレームと半導体素子との間に介在させ、これら
の両側より加熱加圧して、前記リードフレームへ半導体
素子を接着する接着方法において、前記リードフレーム
側の加熱温度を前記半導体素子側の加熱温度より予め設
定した温度だけ低くし、前記半導体素子側の加熱温度を
前記接着層のガラス転移温度より高くすることを特徴と
するリードフレームと半導体素子の接着方法を提供する
ものである。
達成するため、両面に接着層を有する接着用フィルムを
リードフレームと半導体素子との間に介在させ、これら
の両側より加熱加圧して、前記リードフレームへ半導体
素子を接着する接着方法において、前記リードフレーム
側の加熱温度を前記半導体素子側の加熱温度より予め設
定した温度だけ低くし、前記半導体素子側の加熱温度を
前記接着層のガラス転移温度より高くすることを特徴と
するリードフレームと半導体素子の接着方法を提供する
ものである。
【００１０】上記の接着用フィルムとしては、たとえ
ば、ポリイミドテープのようなベースフィルムの両面
に、熱可塑性ポリエーテルアミドイミドや熱可塑性ポリ
エーテルアミドなどの接着層を形成したものが使用され
る。
ば、ポリイミドテープのようなベースフィルムの両面
に、熱可塑性ポリエーテルアミドイミドや熱可塑性ポリ
エーテルアミドなどの接着層を形成したものが使用され
る。
【００１１】リードフレームと半導体素子間への接着用
フィルムの供給は、半導体素子の接着時に行ってもよい
が、作業性の面からすると、予めリードフレームへ貼り
付けておくことが望ましい。
フィルムの供給は、半導体素子の接着時に行ってもよい
が、作業性の面からすると、予めリードフレームへ貼り
付けておくことが望ましい。
【００１２】リードフレーム側の加熱温度を半導体素子
側よりも低温に設定する度合は、少なくとも２０℃は必
要であり、温度差がこれ以下になると、空隙発生抑制効
果を得にくゝなるので、好ましくない。
側よりも低温に設定する度合は、少なくとも２０℃は必
要であり、温度差がこれ以下になると、空隙発生抑制効
果を得にくゝなるので、好ましくない。
【００１３】加熱加圧は、２〜６秒間継続して行うべき
であり、上下限ともこの範囲を外れると、空隙発生抑止
効果を得にくゝなる。
であり、上下限ともこの範囲を外れると、空隙発生抑止
効果を得にくゝなる。
【００１４】加熱加圧時の加圧力は、４Ｋｇｆ／ｃｍ2
以上に設定することが望ましく、これ以下になると、空
隙発生抑制効果が不充分なものとなる。
以上に設定することが望ましく、これ以下になると、空
隙発生抑制効果が不充分なものとなる。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に、本発明による半導体素子の
接着方法の実施形態について説明する。
接着方法の実施形態について説明する。
【００１６】図１において、１はマウントヘッド、２は
マウントヘッド１と対向配置されたマウントステージを
示し、これらはいずれもヒータを内蔵し、上下動するよ
うに構成されている。
マウントヘッド１と対向配置されたマウントステージを
示し、これらはいずれもヒータを内蔵し、上下動するよ
うに構成されている。
【００１７】３は、マウントヘッド１とマウントステー
ジ２の間に導入された鉄−ニッケル４２％合金製（熱膨
張係数：４．５×１０-5／℃）のリードフレーム、４は
リードフレーム３の下側になるように導入された半導体
素子を示す。
ジ２の間に導入された鉄−ニッケル４２％合金製（熱膨
張係数：４．５×１０-5／℃）のリードフレーム、４は
リードフレーム３の下側になるように導入された半導体
素子を示す。
【００１８】リードフレーム３には、ポリイミドテープ
５（熱膨張係数：１７×１０-5／℃）の両面に接着層６
を形成した接着用フィルム７が、前記接着層６の１つに
よって予め貼り付けられており、リードフレーム３は、
この接着用フィルム７が半導体素子４側になるようにし
てマウントヘッド１、マウントステージ２間へ導入され
る。
５（熱膨張係数：１７×１０-5／℃）の両面に接着層６
を形成した接着用フィルム７が、前記接着層６の１つに
よって予め貼り付けられており、リードフレーム３は、
この接着用フィルム７が半導体素子４側になるようにし
てマウントヘッド１、マウントステージ２間へ導入され
る。
【００１９】リードフレーム３と半導体素子４は、マウ
ントヘッド１が下降することによって加圧され、同時に
加熱されることによって熱接着される。
ントヘッド１が下降することによって加圧され、同時に
加熱されることによって熱接着される。
【００２０】図２は、以上のようにして得られた接着体
における半導体素子４と接着用フィルム７間の空隙の発
生状況を、マウントヘッド１およびマウントステージ２
の温度と関連づけてまとめたものである。
における半導体素子４と接着用フィルム７間の空隙の発
生状況を、マウントヘッド１およびマウントステージ２
の温度と関連づけてまとめたものである。
【００２１】すなわち、この図は、得られた接着体にお
ける図５のＥ部での空隙の発生度合を示したもので、Ｅ
部の面積に占める空隙の面積比率が２％以上５％未満の
ものをＡ、５％以上１０％未満のものをＢ、１０％以上
２０％未満のものをＣ、２０％以上のものをＤとして表
示した。
ける図５のＥ部での空隙の発生度合を示したもので、Ｅ
部の面積に占める空隙の面積比率が２％以上５％未満の
ものをＡ、５％以上１０％未満のものをＢ、１０％以上
２０％未満のものをＣ、２０％以上のものをＤとして表
示した。
【００２２】なお、マウントヘッド１とマウントステー
ジ２による加熱加圧時の圧力と加熱加圧時間とは、それ
ぞれ５Ｋｇｆ／ｃｍ2と４秒に設定し、接着用フィルム
の接着層を構成する材料としては、ガラス転移温度（Ｔ
ｇ）が２３０℃のものを適用した。
ジ２による加熱加圧時の圧力と加熱加圧時間とは、それ
ぞれ５Ｋｇｆ／ｃｍ2と４秒に設定し、接着用フィルム
の接着層を構成する材料としては、ガラス転移温度（Ｔ
ｇ）が２３０℃のものを適用した。
【００２３】この図２によれば、図１において、リード
フレーム３側のマウントヘッド１の温度を半導体素子４
側のマウントステージ２よりも低温に設定したものは、
その多くがＡ〜Ｂを示し、特に、マウントヘッド１をマ
ウントステージ２よりも２０℃以上低く設定したものに
Ａが集中していることが認められる。
フレーム３側のマウントヘッド１の温度を半導体素子４
側のマウントステージ２よりも低温に設定したものは、
その多くがＡ〜Ｂを示し、特に、マウントヘッド１をマ
ウントステージ２よりも２０℃以上低く設定したものに
Ａが集中していることが認められる。
【００２４】一方、これに比べ、マウントヘッド１の温
度をマウントステージ２の温度よりも高温に設定したも
のは、ＣないしＤが多く、これら両者を比べれば、本発
明による空隙発生抑制効果は明白である。
度をマウントステージ２の温度よりも高温に設定したも
のは、ＣないしＤが多く、これら両者を比べれば、本発
明による空隙発生抑制効果は明白である。
【００２５】図３は、マウントステージ２の温度を４０
０℃に設定し、加圧力を５Ｋｇｆ／ｃｍ2に設定した状
態での、マウントヘッド１の温度と加熱加圧時間との関
係を示したもので、これによれば、加熱加圧時間は２〜
６秒であることが望ましい。
０℃に設定し、加圧力を５Ｋｇｆ／ｃｍ2に設定した状
態での、マウントヘッド１の温度と加熱加圧時間との関
係を示したもので、これによれば、加熱加圧時間は２〜
６秒であることが望ましい。
【００２６】また、図４は、リードフレーム側のマウン
トヘッド１と半導体素子側のマウントステージ２の温度
をそれぞれ３８０℃と４００℃とに設定し、加圧力と加
熱加圧時間とを変更したときの空隙の発生度合を示した
ものである。
トヘッド１と半導体素子側のマウントステージ２の温度
をそれぞれ３８０℃と４００℃とに設定し、加圧力と加
熱加圧時間とを変更したときの空隙の発生度合を示した
ものである。
【００２７】これによれば、加圧力が４Ｋｇｆ／ｃｍ2
以上のものと、４Ｋｇｆ／ｃｍ2 未満のものとの間に
は、明確な差が認められ、この結果から加圧力として
は、４Ｋｇｆ／ｃｍ2以上に設定することが望ましい。
以上のものと、４Ｋｇｆ／ｃｍ2 未満のものとの間に
は、明確な差が認められ、この結果から加圧力として
は、４Ｋｇｆ／ｃｍ2以上に設定することが望ましい。
【００２８】また、加熱加圧時間おいて、２〜６秒と８
秒とを比べてみると、８秒に設定されたものには大きな
空隙が発生しており、従って、このことから加熱加圧時
間としては、２〜６秒の範囲に設定することが望まし
い。なお、図４においてＡＡは、空隙面積比が２％未満
のものを意味する。
秒とを比べてみると、８秒に設定されたものには大きな
空隙が発生しており、従って、このことから加熱加圧時
間としては、２〜６秒の範囲に設定することが望まし
い。なお、図４においてＡＡは、空隙面積比が２％未満
のものを意味する。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるリー
ドフレームと半導体素子の接着方法によれば、リードフ
レーム側の加熱温度を半導体素子側の加熱温度より予め
設定した温度だけ低くし、さらに、半導体素子側の加熱
温度を接着用フィルムの接着層のガラス転移温度よりも
高く設定することにより、接着用フィルムと半導体素子
間における空隙の発生を効果的に抑制できるものであ
り、従って、耐リフロークラック性や耐ヒートショック
性などの熱的特性に優れた半導体装置を提供することが
できる。
ドフレームと半導体素子の接着方法によれば、リードフ
レーム側の加熱温度を半導体素子側の加熱温度より予め
設定した温度だけ低くし、さらに、半導体素子側の加熱
温度を接着用フィルムの接着層のガラス転移温度よりも
高く設定することにより、接着用フィルムと半導体素子
間における空隙の発生を効果的に抑制できるものであ
り、従って、耐リフロークラック性や耐ヒートショック
性などの熱的特性に優れた半導体装置を提供することが
できる。
【図１】本発明によるリードフレームと半導体素子の接
着方法の一実施形態説明図。
着方法の一実施形態説明図。
【図２】図１の実施形態において、マウントヘッドおよ
びマウントステージの温度と、空隙の発生度合との関係
をまとめたグラフ。
びマウントステージの温度と、空隙の発生度合との関係
をまとめたグラフ。
【図３】図１の実施形態において、マウントヘッドの温
度と加熱加圧時間とが、空隙の発生に及ぼす影響度合を
まとめたグラフ。
度と加熱加圧時間とが、空隙の発生に及ぼす影響度合を
まとめたグラフ。
【図４】図１の実施形態において、加圧力と加熱加圧時
間とが、空隙の発生に及ぼす影響度合をまとめたグラ
フ。
間とが、空隙の発生に及ぼす影響度合をまとめたグラ
フ。
【図５】リードフレームへの半導体素子の接着構造を示
す説明図であり、（イ）は平面図、（ロ）は（イ）のＡ
−Ａ断面図である。
す説明図であり、（イ）は平面図、（ロ）は（イ）のＡ
−Ａ断面図である。
【図６】従来の接着方法の問題点を示す説明図であり、
（イ）は部分平面図、（ロ）は（イ）のＤ−Ｄ断面図で
ある。
（イ）は部分平面図、（ロ）は（イ）のＤ−Ｄ断面図で
ある。
１ マウントヘッド ２ マウントステージ ３ リードフレーム ４ 半導体素子 ６ 接着層 ７ 接着用フィルム ８ 空隙
Claims (5)
- 【請求項１】両面に接着層を有する接着用フィルムをリ
ードフレームと半導体素子との間に介在させ、これらの
両側より加熱加圧して、前記リードフレームへ前記半導
体素子を接着する半導体素子の接着方法において、 前記リードフレーム側の加熱温度を前記半導体素子側の
加熱温度より予め設定した温度だけ低くし、 前記半導体素子側の加熱温度を前記接着層のガラス転移
温度より高くすることを特徴とするリードフレームと半
導体素子の接着方法。 - 【請求項２】前記リードフレーム側の加熱温度は、前記
半導体素子側の加熱温度よりも、前記予め設定した温度
として少なくとも２０℃低い温度に設定されることを特
徴とする請求項第１項記載のリードフレームと半導体素
子の接着方法。 - 【請求項３】前記加熱加圧は、２〜６秒間継続して行わ
れることを特徴とする請求項第１項記載のリードフレー
ムと半導体素子の接着方法。 - 【請求項４】前記加熱加圧は、４Ｋｇｆ／ｃｍ2以上の
圧力下で行われることを特徴とする請求項第１項記載の
リードフレームと半導体素子の接着方法。 - 【請求項５】前記接着用フィルムは、前記両面の接着層
の１つによって前記リードフレームに予め貼り付けられ
ていることを特徴とする請求項第１項ないし第５項のい
ずれかに記載のリードフレームと半導体素子の接着方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02943998A JP3279516B2 (ja) | 1998-02-12 | 1998-02-12 | リードフレームと半導体素子の接着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02943998A JP3279516B2 (ja) | 1998-02-12 | 1998-02-12 | リードフレームと半導体素子の接着方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233532A true JPH11233532A (ja) | 1999-08-27 |
| JP3279516B2 JP3279516B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=12276176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02943998A Expired - Fee Related JP3279516B2 (ja) | 1998-02-12 | 1998-02-12 | リードフレームと半導体素子の接着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3279516B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8016518B2 (en) | 2008-09-25 | 2011-09-13 | Terra Technologies, LLC | Sheet pile for the subterranean support of underground conduits |
| US8342778B2 (en) | 2009-04-16 | 2013-01-01 | Hercules Machinery Corporation | Method and apparatus for facilitating the subterranean support of underground conduits having a fixed insertion axis |
| US8096733B2 (en) | 2009-07-10 | 2012-01-17 | Hercules Machinery Corporation | Apparatus for inserting sheet pile having an independently adjustable insertion axis and method for using the same |
-
1998
- 1998-02-12 JP JP02943998A patent/JP3279516B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JP3279516B2 (ja) | 2002-04-30 |
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|---|---|---|---|
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