JPH11233554A - 半田バンプの矯正方法 - Google Patents
半田バンプの矯正方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好な半田付けができるように改良された半
田バンプの矯正方法を提供することを主要な目的とす
る。 【解決手段】 複数個の半田バンプ２が設けられたＩＣ
基板１を準備する。半田バンプ２にフラックスを塗布す
る。半田バンプ２を加熱溶融する。半田バンプ２を、フ
ラットな面を有する加熱部５に押し当てる。半田バンプ
２を冷却する。
田バンプの矯正方法を提供することを主要な目的とす
る。 【解決手段】 複数個の半田バンプ２が設けられたＩＣ
基板１を準備する。半田バンプ２にフラックスを塗布す
る。半田バンプ２を加熱溶融する。半田バンプ２を、フ
ラットな面を有する加熱部５に押し当てる。半田バンプ
２を冷却する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、一般に半田バン
プの矯正方法に関するものであり、より特定的には、良
好な半田付けができるように改良された半田バンプの矯
正方法に関する。
プの矯正方法に関するものであり、より特定的には、良
好な半田付けができるように改良された半田バンプの矯
正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の携帯機器には、ＩＣ（集積回路）
チップの外形に限りなく近い寸法のチップスケールパッ
ケージ（ＣＳＰ）型のＩＣやボールグリッドアレイ（Ｂ
ＧＡ）型のＩＣが採用され始めている。これらは、小型
軽量薄型の電子機器に向いているために、今後ますま
す、その採用頻度は増加すると考えられる。これらのＩ
Ｃを、プリント基板に実装する場合、ＩＣの一部に設け
られている半田バンプを、プリント基板の所定の位置に
当てて、半田バンプをリフローする。これによって、Ｉ
Ｃとプリント基板は、半田付けによって固定される。
チップの外形に限りなく近い寸法のチップスケールパッ
ケージ（ＣＳＰ）型のＩＣやボールグリッドアレイ（Ｂ
ＧＡ）型のＩＣが採用され始めている。これらは、小型
軽量薄型の電子機器に向いているために、今後ますま
す、その採用頻度は増加すると考えられる。これらのＩ
Ｃを、プリント基板に実装する場合、ＩＣの一部に設け
られている半田バンプを、プリント基板の所定の位置に
当てて、半田バンプをリフローする。これによって、Ｉ
Ｃとプリント基板は、半田付けによって固定される。
【０００３】図７は、ＣＳＰのＩＣを、プリント基板に
半田付けする様子を図示したものである。
半田付けする様子を図示したものである。
【０００４】図７（ａ）はリフロー前の、ＣＳＰのＩＣ
の断面図である。ＩＣ基板１に、半田バンプ２が設けら
れている。図７（ｂ）は、半田バンプ２をプリント基板
３に当てがって、リフローした後の様子を示す図であ
る。半田バンプ２は、プリント基板３の導体部に塗布さ
れたフラックスの粘着力で、プリント基板３に仮固定さ
れる。リフローによる加熱で、半田バンプ２が溶融し、
ＩＣ基板１とプリント基板３とが結合する。
の断面図である。ＩＣ基板１に、半田バンプ２が設けら
れている。図７（ｂ）は、半田バンプ２をプリント基板
３に当てがって、リフローした後の様子を示す図であ
る。半田バンプ２は、プリント基板３の導体部に塗布さ
れたフラックスの粘着力で、プリント基板３に仮固定さ
れる。リフローによる加熱で、半田バンプ２が溶融し、
ＩＣ基板１とプリント基板３とが結合する。
【０００５】半田付けを良好に行なうためには、複数個
の半田バンプ２が同時にプリント基板３に接触しなけれ
ばならない。複数個の半田バンプ２をプリント基板３に
半田付けするためには、半田バンプ２の高さのばらつき
は、一般的には、５０μｍ以下であることが必要であ
る。
の半田バンプ２が同時にプリント基板３に接触しなけれ
ばならない。複数個の半田バンプ２をプリント基板３に
半田付けするためには、半田バンプ２の高さのばらつき
は、一般的には、５０μｍ以下であることが必要であ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図８は、ＣＳＰのＩＣ
を製造する工程を、さらに詳細に説明するための図であ
る。
を製造する工程を、さらに詳細に説明するための図であ
る。
【０００７】ＣＳＰのＩＣを製造する工程には、テスト
およびバーンインの工程がある。いずれの工程でも、Ｉ
Ｃの半田バンプ２にコンタクトピンを接触させ、次に電
気信号を与えて、テストまたはバーンインを行なう。各
々の工程の温度は、一般的に、テストの場合、２５℃
（室温）または８０℃（高温）である。バーンインの場
合、温度は１２５℃である。
およびバーンインの工程がある。いずれの工程でも、Ｉ
Ｃの半田バンプ２にコンタクトピンを接触させ、次に電
気信号を与えて、テストまたはバーンインを行なう。各
々の工程の温度は、一般的に、テストの場合、２５℃
（室温）または８０℃（高温）である。バーンインの場
合、温度は１２５℃である。
【０００８】図８（ａ）は、テストの前のＩＣの様子を
示す図である。図８（ｂ）を参照して、コンタクトピン
を半田バンプ２に接触させてテストする場合、一般的
に、半田バンプ２にコンタクトピン（図示せず）を接触
させ、コンタクトピンに一定の力を加える。これによっ
て、コンタクトピンで半田バンプ２を擦り、または削
り、半田バンプ２の表面の酸化膜（あるいはその類物）
を除去し、これによって、良好な電気的な接触を得てい
る。このとき、図８（ｂ）を参照して、半田バンプ２が
高温の雰囲気にさらされると、半田バンプ２に傷がつい
たり、凹み等が生じる。半田バンプ２に使用される半田
は、いわゆる共晶半田を含めて、元来柔らかいものであ
り、高温では、さらに柔らかくなる性質を持ち、図８
（ｂ）のように、傷、凹みおよび変形が加えられる。こ
のように、半田バンプ２は、テストとバーンインの工程
において、コンタクトピンが接触するため、変形するこ
とは避けられない。
示す図である。図８（ｂ）を参照して、コンタクトピン
を半田バンプ２に接触させてテストする場合、一般的
に、半田バンプ２にコンタクトピン（図示せず）を接触
させ、コンタクトピンに一定の力を加える。これによっ
て、コンタクトピンで半田バンプ２を擦り、または削
り、半田バンプ２の表面の酸化膜（あるいはその類物）
を除去し、これによって、良好な電気的な接触を得てい
る。このとき、図８（ｂ）を参照して、半田バンプ２が
高温の雰囲気にさらされると、半田バンプ２に傷がつい
たり、凹み等が生じる。半田バンプ２に使用される半田
は、いわゆる共晶半田を含めて、元来柔らかいものであ
り、高温では、さらに柔らかくなる性質を持ち、図８
（ｂ）のように、傷、凹みおよび変形が加えられる。こ
のように、半田バンプ２は、テストとバーンインの工程
において、コンタクトピンが接触するため、変形するこ
とは避けられない。
【０００９】ＣＳＰ等の半田バンプは、特に、高温のバ
ーンイン時に変形する。したがって、従来の方法では、
半田バンプ２の高さのばらつきが、許容範囲外になる
と、図８（ｃ）を参照して、半田付けの不良が発生し、
ＩＣ基板１とプリント基板３との接続不良が発生すると
いう問題点があった。
ーンイン時に変形する。したがって、従来の方法では、
半田バンプ２の高さのばらつきが、許容範囲外になる
と、図８（ｃ）を参照して、半田付けの不良が発生し、
ＩＣ基板１とプリント基板３との接続不良が発生すると
いう問題点があった。
【００１０】それゆえに、この発明の目的は、テストと
バーンインによって変形した半田バンプを初期の正常な
形に戻し、ひいては、良好な半田付けができるように改
良された、半田バンプの矯正方法を提供することにあ
る。
バーンインによって変形した半田バンプを初期の正常な
形に戻し、ひいては、良好な半田付けができるように改
良された、半田バンプの矯正方法を提供することにあ
る。
【００１１】この発明はまた、テストとバーンインによ
って変形した半田バンプの高さのばらつきを許容範囲内
にすることによって、良好な半田付けができるように改
良された、半田バンプの矯正方法を提供することにあ
る。
って変形した半田バンプの高さのばらつきを許容範囲内
にすることによって、良好な半田付けができるように改
良された、半田バンプの矯正方法を提供することにあ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る半田バン
プの矯正方法においては、まず、複数個の半田バンプが
設けられたＩＣ基板を準備する（第１工程）。上記半田
バンプにフラックスを塗布する（第２工程）。上記半田
バンプを加熱溶融する（第３工程）。上記複数個の半田
バンプを、フラットな面を有する加熱部に押し当てる
（第４工程）。上記半田バンプを冷却する（第５工
程）。
プの矯正方法においては、まず、複数個の半田バンプが
設けられたＩＣ基板を準備する（第１工程）。上記半田
バンプにフラックスを塗布する（第２工程）。上記半田
バンプを加熱溶融する（第３工程）。上記複数個の半田
バンプを、フラットな面を有する加熱部に押し当てる
（第４工程）。上記半田バンプを冷却する（第５工
程）。
【００１３】請求項１に係る半田バンプの矯正方法によ
れば、半田バンプを加熱溶融した後、該半田バンプを、
フラットな面を有する加熱部に押し当てるので、半田バ
ンプに生じていた傷、凹み等の変形が減少し、ほぼ、元
の形状へ復帰する。
れば、半田バンプを加熱溶融した後、該半田バンプを、
フラットな面を有する加熱部に押し当てるので、半田バ
ンプに生じていた傷、凹み等の変形が減少し、ほぼ、元
の形状へ復帰する。
【００１４】請求項２に係る発明によれば、上記加熱部
に冷却機能を持たせ、上記第４の工程と上記第５の工程
を同時に行なう。
に冷却機能を持たせ、上記第４の工程と上記第５の工程
を同時に行なう。
【００１５】請求項２に係る発明によれば、上記第４工
程と上記第５工程を同時に行なうことができるので、半
田バンプの矯正に要する時間が短縮される。
程と上記第５工程を同時に行なうことができるので、半
田バンプの矯正に要する時間が短縮される。
【００１６】請求項３に係る半田バンプの矯正方法によ
れば、上記ＩＣ基板は、チップスケールパッケージ型の
ＩＣ基板を含む。
れば、上記ＩＣ基板は、チップスケールパッケージ型の
ＩＣ基板を含む。
【００１７】この発明によれば、チップスケールパッケ
ージ型のＩＣにおいて、半田バンプの形状が元の形状に
戻り、良好な半田付けができる。
ージ型のＩＣにおいて、半田バンプの形状が元の形状に
戻り、良好な半田付けができる。
【００１８】請求項４に係る半田バンプの矯正方法によ
れば、上記ＩＣ基板は、ボールグリッドアレイ型のＩＣ
基板を含む。
れば、上記ＩＣ基板は、ボールグリッドアレイ型のＩＣ
基板を含む。
【００１９】請求項４に係る半田バンプの矯正方法によ
れば、ボールグリッドアレイ型のＩＣ基板において、半
田バンプが初期の正常な形に戻り、良好な半田付けがで
きる。
れば、ボールグリッドアレイ型のＩＣ基板において、半
田バンプが初期の正常な形に戻り、良好な半田付けがで
きる。
【００２０】請求項５に係る半田バンプの矯正方法によ
れば、上記加熱部はホットプレートを含む。
れば、上記加熱部はホットプレートを含む。
【００２１】請求項５に係る半田バンプの矯正方法によ
れば、汎用の装置で上記加熱部を構成することができ
る。
れば、汎用の装置で上記加熱部を構成することができ
る。
【００２２】請求項６に係る半田バンプの矯正方法によ
れば、上記半田バンプを上記加熱部に向けて、下側から
押し当てる。
れば、上記半田バンプを上記加熱部に向けて、下側から
押し当てる。
【００２３】請求項７に係る半田バンプの矯正方法によ
れば、上記半田バンプを上記加熱部に向けて、上側から
押し当てる。
れば、上記半田バンプを上記加熱部に向けて、上側から
押し当てる。
【００２４】請求項８に係る半田バンプの矯正方法によ
れば、上記第１工程〜第５工程は、前記ＩＣ基板のテス
トを行なった後に行なう。
れば、上記第１工程〜第５工程は、前記ＩＣ基板のテス
トを行なった後に行なう。
【００２５】請求項８に係る半田バンプの矯正方法によ
れば、ＩＣ基板のテストを行なった後に行なうので、テ
スト後変形した半田バンプの形状を、元の形状に戻すこ
とができる。
れば、ＩＣ基板のテストを行なった後に行なうので、テ
スト後変形した半田バンプの形状を、元の形状に戻すこ
とができる。
【００２６】請求項９に係る半田バンプの矯正方法によ
れば、上記第１〜第５工程を、上記ＩＣ基板のバーンイ
ン工程の後に行なう。
れば、上記第１〜第５工程を、上記ＩＣ基板のバーンイ
ン工程の後に行なう。
【００２７】請求項９に係る半田バンプの矯正方法によ
れば、上記ＩＣ基板のバーンイン工程の後に行なうの
で、バーンイン工程において生じた半田バンプの傷、凹
み等は回復し、ほぼ元の形状へ復帰する。
れば、上記ＩＣ基板のバーンイン工程の後に行なうの
で、バーンイン工程において生じた半田バンプの傷、凹
み等は回復し、ほぼ元の形状へ復帰する。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
について説明する。
について説明する。
【００２９】図１は、実施の形態に係る半田バンプの矯
正方法を説明するためのフローチャート図である。
正方法を説明するためのフローチャート図である。
【００３０】実施の形態に係る半田バンプの矯正方法
は、フラックスの塗布工程と、再加熱・再溶融の工程と
フラックス残渣の洗浄工程を含む。ＩＣのテストまたは
ＩＣのバーンインの工程前は、半田バンプは、初期の正
常な形状で形成されている。すべての半田バンプの高さ
のばらつきは許容範囲内である。
は、フラックスの塗布工程と、再加熱・再溶融の工程と
フラックス残渣の洗浄工程を含む。ＩＣのテストまたは
ＩＣのバーンインの工程前は、半田バンプは、初期の正
常な形状で形成されている。すべての半田バンプの高さ
のばらつきは許容範囲内である。
【００３１】しかし、ＩＣのテストまたはＩＣのバーン
インの工程を経ると、上述のように半田バンプは変形
し、半田付けに重要な条件である、高さのばらつきが許
容範囲を超えている場合が多い。
インの工程を経ると、上述のように半田バンプは変形
し、半田付けに重要な条件である、高さのばらつきが許
容範囲を超えている場合が多い。
【００３２】半田の特性として、酸化して変形したもの
を再溶融しても、元の正常な形には戻り難い。しかし、
フラックスの塗布によって、半田バンプを加熱し、溶融
すれば、生じていた傷、凹み等の変形は減少し、ほぼ元
の形状へ復帰する。フラックス塗布は、スプレー方式
で、半田バンプに直接塗布することで、容易に実現でき
る。
を再溶融しても、元の正常な形には戻り難い。しかし、
フラックスの塗布によって、半田バンプを加熱し、溶融
すれば、生じていた傷、凹み等の変形は減少し、ほぼ元
の形状へ復帰する。フラックス塗布は、スプレー方式
で、半田バンプに直接塗布することで、容易に実現でき
る。
【００３３】実施の形態に係る半田バンプの矯正方法
を、さらに詳細に説明する。図２〜図５は、実施の形態
に係る半田バンプの矯正方法の主要工程を示す図であ
る。図６は、実施の形態に係る半田バンプの矯正方法を
実現するための装置の概念図である。
を、さらに詳細に説明する。図２〜図５は、実施の形態
に係る半田バンプの矯正方法の主要工程を示す図であ
る。図６は、実施の形態に係る半田バンプの矯正方法を
実現するための装置の概念図である。
【００３４】図２〜図５に示す工程を説明する前に、図
６に示す半田バンプの矯正装置について説明しておく。
６に示す半田バンプの矯正装置について説明しておく。
【００３５】矯正装置は、再加熱部（ａ）と再溶融部
（ｂ）と冷却部（ｃ）とからなる。再加熱部（ａ）に
は、半田バンプを半田の融点付近まで加熱するヒータ４
が設けられている。再溶融部（ｂ）には、半田の融点付
近まで加熱されたフラットな平面を持つホットプレート
５が設けられている。冷却部（ｃ）には、半田バンプに
冷風を与えるファン等からなる冷却器６が設けられてい
る。
（ｂ）と冷却部（ｃ）とからなる。再加熱部（ａ）に
は、半田バンプを半田の融点付近まで加熱するヒータ４
が設けられている。再溶融部（ｂ）には、半田の融点付
近まで加熱されたフラットな平面を持つホットプレート
５が設けられている。冷却部（ｃ）には、半田バンプに
冷風を与えるファン等からなる冷却器６が設けられてい
る。
【００３６】図２に戻って、ＩＣのテストまたはバーン
インを行なった後の、ＩＣ基板１を準備する。このと
き、半田バンプ２には、傷や凹み等が生じている。半田
バンプ２に、フラックスを塗布する（図示せず）。その
後、図６に示す矯正装置の再加熱部（ａ）にＩＣ基板１
を送り込み、半田バンプの再加熱・再溶融を行なう。半
田バンプの再加熱・再溶融のためのヒータ４としては、
ハロゲンヒータが好ましく用いられる。
インを行なった後の、ＩＣ基板１を準備する。このと
き、半田バンプ２には、傷や凹み等が生じている。半田
バンプ２に、フラックスを塗布する（図示せず）。その
後、図６に示す矯正装置の再加熱部（ａ）にＩＣ基板１
を送り込み、半田バンプの再加熱・再溶融を行なう。半
田バンプの再加熱・再溶融のためのヒータ４としては、
ハロゲンヒータが好ましく用いられる。
【００３７】図３を参照して、半田バンプ２の再加熱・
再溶融によって、半田バンプ２に生じていた、コンタク
ト時の傷や凹み等の変形は縮小され、図のように、半田
バンプ２は、下側に垂れた楕円形の断面を持つ形状（以
下、フットボール形状という）になっている。しかし、
半田バンプ２の再加熱による矯正だけでは、半田バンプ
２の高さにはばらつきがあり、良好な半田付けは期待で
きない。したがって、このままでは、接続不良の発生す
る可能性が高い。
再溶融によって、半田バンプ２に生じていた、コンタク
ト時の傷や凹み等の変形は縮小され、図のように、半田
バンプ２は、下側に垂れた楕円形の断面を持つ形状（以
下、フットボール形状という）になっている。しかし、
半田バンプ２の再加熱による矯正だけでは、半田バンプ
２の高さにはばらつきがあり、良好な半田付けは期待で
きない。したがって、このままでは、接続不良の発生す
る可能性が高い。
【００３８】図４と図６を参照して、フットボール形状
の半田バンプ２を有するＩＣ基板１を、再溶融部（ｂ）
に送り込み、テフロンコーティングやフッ素コーティン
グ等を行なった、フラットな表面を有する加熱されたホ
ットプレート５に押し付ける。これによって、半田バン
プ２の高さのばらつきは、最小限になる。これによっ
て、ＩＣ基板１とプリント基板との接続の信頼性を向上
させる。高さのばらつきのあるフットボール形状の半田
バンプ２は、ホットプレート５のフラットな面に押し付
けられることにより、球を押し潰したような団子状の半
田バンプ２になる。しかし、すべての半田バンプ２の、
高さが均一となり、良好な半田付けを行なうことができ
るようになる。
の半田バンプ２を有するＩＣ基板１を、再溶融部（ｂ）
に送り込み、テフロンコーティングやフッ素コーティン
グ等を行なった、フラットな表面を有する加熱されたホ
ットプレート５に押し付ける。これによって、半田バン
プ２の高さのばらつきは、最小限になる。これによっ
て、ＩＣ基板１とプリント基板との接続の信頼性を向上
させる。高さのばらつきのあるフットボール形状の半田
バンプ２は、ホットプレート５のフラットな面に押し付
けられることにより、球を押し潰したような団子状の半
田バンプ２になる。しかし、すべての半田バンプ２の、
高さが均一となり、良好な半田付けを行なうことができ
るようになる。
【００３９】図５と図６を参照して、ＩＣ基板１を冷却
部（ｃ）に送り込み、冷却器４より冷風を半田バンプ２
に送り、半田バンプ２の温度を下げる。半田バンプ２の
温度が低下しても、その形状は、保持される。
部（ｃ）に送り込み、冷却器４より冷風を半田バンプ２
に送り、半田バンプ２の温度を下げる。半田バンプ２の
温度が低下しても、その形状は、保持される。
【００４０】なお、上記発明の実施の形態では、再溶融
部（ｂ）と冷却部（ｃ）を別々に設けた場合を例示した
が、これらを１つにすることも可能である。すなわち、
ホットプレート５の温度制御に、昇温機能と降温機能の
両方を持たせることで、１つにすることができる。
部（ｂ）と冷却部（ｃ）を別々に設けた場合を例示した
が、これらを１つにすることも可能である。すなわち、
ホットプレート５の温度制御に、昇温機能と降温機能の
両方を持たせることで、１つにすることができる。
【００４１】本発明の実施の形態によると、半田バンプ
の高さのばらつきを、良好な半田付けのできる範囲内に
抑えたので、ＩＣ基板とプリント基板との接続の信頼性
が向上する。
の高さのばらつきを、良好な半田付けのできる範囲内に
抑えたので、ＩＣ基板とプリント基板との接続の信頼性
が向上する。
【００４２】また、上記発明の実施の形態では、１個の
ＣＳＰのＩＣを処理する方法について説明したが、この
発明はこれに限られるものでなく、複数個のＩＣを同時
に処理するように、変形することも可能である。
ＣＳＰのＩＣを処理する方法について説明したが、この
発明はこれに限られるものでなく、複数個のＩＣを同時
に処理するように、変形することも可能である。
【００４３】また、図６を参照して、再溶融部（ｂ）に
おいて、ＣＳＰのＩＣをホットプレート５の上に置い
て、再溶融を行なう場合について説明したが、この発明
はこれに限られるものではない。すなわち、ホットプレ
ート５が上側にあり、ＣＳＰのＩＣを、下側からホット
プレート５のフラットな面に押し当てるようにしても、
同等の効果が得られる。
おいて、ＣＳＰのＩＣをホットプレート５の上に置い
て、再溶融を行なう場合について説明したが、この発明
はこれに限られるものではない。すなわち、ホットプレ
ート５が上側にあり、ＣＳＰのＩＣを、下側からホット
プレート５のフラットな面に押し当てるようにしても、
同等の効果が得られる。
【００４４】さらに、上記発明の実施の形態では、ＩＣ
のテストやバーンインの工程の後のＩＣ基板に適用する
場合について説明したが、この発明はこれに限られるも
のではない。すなわち、ＩＣのテストやバーンインの前
の段階において、もう既に、半田バンプの高さにばらつ
きが生じていたものに対しても、本発明を適用すること
ができる。これによっても、半田バンプのばらつきを最
小限に抑えられ、良好な半田付けが行なえるようにな
る。
のテストやバーンインの工程の後のＩＣ基板に適用する
場合について説明したが、この発明はこれに限られるも
のではない。すなわち、ＩＣのテストやバーンインの前
の段階において、もう既に、半田バンプの高さにばらつ
きが生じていたものに対しても、本発明を適用すること
ができる。これによっても、半田バンプのばらつきを最
小限に抑えられ、良好な半田付けが行なえるようにな
る。
【００４５】
【発明の効果】以上、説明したように、請求項１〜９に
かかる発明によれば、半田バンプのばらつきを最小限に
抑えられ、ひいては良好な半田付けが行なえるという効
果を奏する。
かかる発明によれば、半田バンプのばらつきを最小限に
抑えられ、ひいては良好な半田付けが行なえるという効
果を奏する。
【図１】 実施の形態に係る半田バンプの矯正方法を説
明するためのフローチャート図である。
明するためのフローチャート図である。
【図２】 実施の形態に係る半田バンプの矯正方法の第
１の工程を示す図である。
１の工程を示す図である。
【図３】 実施の形態に係る半田バンプの矯正方法の第
２の工程を示す図である。
２の工程を示す図である。
【図４】 実施の形態に係る半田バンプの矯正方法の第
３の工程を示す図である。
３の工程を示す図である。
【図５】 実施の形態に係る半田バンプの矯正方法の第
４の工程を示す図である。
４の工程を示す図である。
【図６】 実施の形態に係る半田バンプの矯正方法を実
現するための装置の概念図である。
現するための装置の概念図である。
【図７】 従来のＩＣをプリント基板に半田付けすると
きの様子を示した図である。
きの様子を示した図である。
【図８】 従来の半田付けの問題点を示す図である。
１ ＩＣ基板、２ 半田バンプ、５ ホットプレート、
６ 冷却器。
６ 冷却器。
Claims (9)
- 【請求項１】 複数個の半田バンプが設けられたＩＣ基
板を準備する第１工程と、 前記半田バンプにフラックスを塗布する第２工程と、 前記半田バンプを加熱溶融する第３工程と、 前記半田バンプを、フラットな面を有する加熱部に押し
当てる第４工程と、 前記半田バンプを冷却させる第５工程と、を備えた半田
バンプの矯正方法。 - 【請求項２】 前記加熱部に冷却機能を持たせ、前記第
４工程と前記第５工程を同時に行なう、請求項１に記載
の半田バンプの矯正方法。 - 【請求項３】 前記ＩＣ基板は、チップスケールパッケ
ージ型のＩＣ基板を含む、請求項１に記載の半田バンプ
の矯正方法。 - 【請求項４】 前記ＩＣ基板は、ボールグリッドアレイ
型のＩＣ基板を含む、請求項１に記載の半田バンプの矯
正方法。 - 【請求項５】 前記加熱部はホットプレートを含む、請
求項１に記載の半田バンプの矯正方法。 - 【請求項６】 前記半田バンプを前記加熱部に向けて、
下側から押し当てる、請求項１に記載の半田バンプの矯
正方法。 - 【請求項７】 前記半田バンプを前記加熱部に向けて、
上側から押し当てる、請求項１に記載の半田バンプの矯
正方法。 - 【請求項８】 前記第１〜第５工程は、前記ＩＣ基板の
テストを行なった後に行なう、請求項１に記載の半田バ
ンプの矯正方法。 - 【請求項９】 前記第１〜第５工程は、前記ＩＣ基板の
バーンイン工程の後に行なう、請求項１に記載の半田バ
ンプの矯正方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10034505A JPH11233554A (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 半田バンプの矯正方法 |
| US09/126,735 US6156635A (en) | 1998-02-17 | 1998-07-31 | Method of correcting solder bumps |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10034505A JPH11233554A (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 半田バンプの矯正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233554A true JPH11233554A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12416128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10034505A Pending JPH11233554A (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 半田バンプの矯正方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6156635A (ja) |
| JP (1) | JPH11233554A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1074844A3 (en) * | 1999-08-03 | 2003-08-06 | Lucent Technologies Inc. | Testing integrated circuits |
| JP2007266544A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Koa Corp | 複合電子部品の製造法および複合電子部品 |
| JP2011216660A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Ngk Spark Plug Co Ltd | はんだバンプを有する配線基板の製造方法 |
| JP2015130414A (ja) * | 2014-01-08 | 2015-07-16 | 東レエンジニアリング株式会社 | 自動ボンディング装置 |
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| US6774026B1 (en) | 2002-06-20 | 2004-08-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Structure and method for low-stress concentration solder bumps |
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Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63117450A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01281756A (ja) * | 1988-05-07 | 1989-11-13 | Seiko Epson Corp | 半導体素子の製造方法 |
| US5289631A (en) * | 1992-03-04 | 1994-03-01 | Mcnc | Method for testing, burn-in, and/or programming of integrated circuit chips |
| US5686353A (en) * | 1994-12-26 | 1997-11-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US5765744A (en) * | 1995-07-11 | 1998-06-16 | Nippon Steel Corporation | Production of small metal bumps |
| US5872051A (en) * | 1995-08-02 | 1999-02-16 | International Business Machines Corporation | Process for transferring material to semiconductor chip conductive pads using a transfer substrate |
| KR0169820B1 (ko) * | 1995-08-22 | 1999-01-15 | 김광호 | 금속 회로 기판을 갖는 칩 스케일 패키지 |
-
1998
- 1998-02-17 JP JP10034505A patent/JPH11233554A/ja active Pending
- 1998-07-31 US US09/126,735 patent/US6156635A/en not_active Expired - Fee Related
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| JP2015130414A (ja) * | 2014-01-08 | 2015-07-16 | 東レエンジニアリング株式会社 | 自動ボンディング装置 |
| WO2015104890A1 (ja) * | 2014-01-08 | 2015-07-16 | 東レエンジニアリング株式会社 | 自動ボンディング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6156635A (en) | 2000-12-05 |
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