JPH01281756A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH01281756A JPH01281756A JP63111041A JP11104188A JPH01281756A JP H01281756 A JPH01281756 A JP H01281756A JP 63111041 A JP63111041 A JP 63111041A JP 11104188 A JP11104188 A JP 11104188A JP H01281756 A JPH01281756 A JP H01281756A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- solder bump
- deformation
- bump electrode
- electrical characteristics
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野１
本発明は、例えば半田バンプ電極を有する半導体素子の
製造方法に関し、半田バンプ電極のキズ、変形、剥離の
防止を図ることに関するものである。
製造方法に関し、半田バンプ電極のキズ、変形、剥離の
防止を図ることに関するものである。
〔発明の概要ｊ
本発明は、半田バンプ電極を有する半導体素子において
、電気的特性検査後に半田バンプ電極を再溶融し成形す
ることによって、電気的特性検査時に発生する半田バン
プ電極のキズ、変形、剥離の発生を防止したものである
。
、電気的特性検査後に半田バンプ電極を再溶融し成形す
ることによって、電気的特性検査時に発生する半田バン
プ電極のキズ、変形、剥離の発生を防止したものである
。
〔従来の技術］
半導体素子の電気的特性検査においては、プローブ針と
半導体素子の′：ｉｔ極の接触により、電気的導通を計
る。一方、半田バンプ電極を有する半導体素子において
は、電極の高密度化、電極自身の高さ確保のため、ｉｉ
ｔ極形成後再溶融し、形状の再成形を行なう。
半導体素子の′：ｉｔ極の接触により、電気的導通を計
る。一方、半田バンプ電極を有する半導体素子において
は、電極の高密度化、電極自身の高さ確保のため、ｉｉ
ｔ極形成後再溶融し、形状の再成形を行なう。
従来、半導体素子の電気的特性検査は最終製造工程とし
て行なわれるため、半田バンプ電極を有する素子の場合
、再溶融工程の後に行なわれていた。
て行なわれるため、半田バンプ電極を有する素子の場合
、再溶融工程の後に行なわれていた。
［発明が解決しようとする課題１
しかし、従来の再溶融後の電気的特性検査では、電極表
面の傷、変形が発生し、半導体素子の組立時において接
着強度の低下を招く６更に、再溶融による成形によって
電極自身の高さが高くなることより、プローブ針から加
わる力によって。
面の傷、変形が発生し、半導体素子の組立時において接
着強度の低下を招く６更に、再溶融による成形によって
電極自身の高さが高くなることより、プローブ針から加
わる力によって。
電極自体の剥離も発生する。
そこで、本発明では、この様な問題点を解決するため、
傷、変形及び剥離の発生を未然に防ぐ製造方法を得るこ
とを目的としている。
傷、変形及び剥離の発生を未然に防ぐ製造方法を得るこ
とを目的としている。
上記問題点を解決するため１本発明の製造方法は、再溶
融工程前に電気的特性検査を行なうことを特徴とする。
融工程前に電気的特性検査を行なうことを特徴とする。
〔実 施 例１
以下、本発明の実施例に基づき詳細に説明する。
第１図は、本発明の実施例を工程順に示す図である。ま
ず、ａ図の如く、ウェハー１上の電極に対し半田バンプ
電極の形成をおこなう。次いで、ｂ図の如く、プローブ
針を用いて半田バンプ電極と電気的導通な計り、電気的
特性検査を行なう。
ず、ａ図の如く、ウェハー１上の電極に対し半田バンプ
電極の形成をおこなう。次いで、ｂ図の如く、プローブ
針を用いて半田バンプ電極と電気的導通な計り、電気的
特性検査を行なう。
この時、半田バンプ電極の表面は、プローブ針によって
、傷、変形が発生する。しかし、電極自身の高さが低く
、上面が平であるため剥離は発生しない０次に、Ｃ図の
如（フラックスを塗布し、半田の融点温度まで加熱する
ことによって、半田バンプ電極の再成形を行なう６ｄ図
は、再溶融によって再成形された半田バンプ電極を示す
。
、傷、変形が発生する。しかし、電極自身の高さが低く
、上面が平であるため剥離は発生しない０次に、Ｃ図の
如（フラックスを塗布し、半田の融点温度まで加熱する
ことによって、半田バンプ電極の再成形を行なう６ｄ図
は、再溶融によって再成形された半田バンプ電極を示す
。
上述の如く本発明の贋造工程によれば、電気的特性検査
によって発生する半田バンプ電極の傷、変形が、その後
の再溶融工程での再成形によって防止することが出来る
。
によって発生する半田バンプ電極の傷、変形が、その後
の再溶融工程での再成形によって防止することが出来る
。
第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の半田バンプ電極を有
する半導体素子の製造方法の実施例を示す工程図である
。第２図（ａ）〜（ｄ）は従来の製造方法の実施例を示
す図である。 ｌ・・・ウェハー ２・・・半田バンプ１を極 ３・・・プローブ針 ４・・・フラックス ５・・・加熱 ↓↓↓ Ｓ ｆＩｏ弛 第 １ 巳 ４↓↓ ｙ趙艶 躬ＺＡ
する半導体素子の製造方法の実施例を示す工程図である
。第２図（ａ）〜（ｄ）は従来の製造方法の実施例を示
す図である。 ｌ・・・ウェハー ２・・・半田バンプ１を極 ３・・・プローブ針 ４・・・フラックス ５・・・加熱 ↓↓↓ Ｓ ｆＩｏ弛 第 １ 巳 ４↓↓ ｙ趙艶 躬ＺＡ
Claims (1)
- 半田バンプ電極形成後、電気的特性検査を行ない、最
終工程として半田バンプ電極の再溶融を行なうことを特
徴とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63111041A JPH01281756A (ja) | 1988-05-07 | 1988-05-07 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63111041A JPH01281756A (ja) | 1988-05-07 | 1988-05-07 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01281756A true JPH01281756A (ja) | 1989-11-13 |
Family
ID=14550911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63111041A Pending JPH01281756A (ja) | 1988-05-07 | 1988-05-07 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01281756A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6156635A (en) * | 1998-02-17 | 2000-12-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of correcting solder bumps |
| CN111725083A (zh) * | 2020-07-06 | 2020-09-29 | 颀中科技（苏州）有限公司 | 一种芯片金属凸块成型方法 |
-
1988
- 1988-05-07 JP JP63111041A patent/JPH01281756A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6156635A (en) * | 1998-02-17 | 2000-12-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of correcting solder bumps |
| CN111725083A (zh) * | 2020-07-06 | 2020-09-29 | 颀中科技（苏州）有限公司 | 一种芯片金属凸块成型方法 |
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