JPH11233572A - 半導体試験装置 - Google Patents
半導体試験装置Info
- Publication number
- JPH11233572A JPH11233572A JP10031892A JP3189298A JPH11233572A JP H11233572 A JPH11233572 A JP H11233572A JP 10031892 A JP10031892 A JP 10031892A JP 3189298 A JP3189298 A JP 3189298A JP H11233572 A JPH11233572 A JP H11233572A
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- semiconductor integrated
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハ状態の半導体集積回路の試験時に、誤
判定を防止すると共に、良好なウエハテストの結果を得
ることができる半導体試験装置を得る。 【解決手段】 チャックトップ７を、最外部から順番に
シールド部７ｃ、絶縁層７ｂ、及び半導体集積回路６が
載置されるバイアス電極部７ａで構成し、更に試験実施
エリア全体１２の内壁にシールド壁１３を設け、このシ
ールド壁１３を絶縁層１４で覆う。
判定を防止すると共に、良好なウエハテストの結果を得
ることができる半導体試験装置を得る。 【解決手段】 チャックトップ７を、最外部から順番に
シールド部７ｃ、絶縁層７ｂ、及び半導体集積回路６が
載置されるバイアス電極部７ａで構成し、更に試験実施
エリア全体１２の内壁にシールド壁１３を設け、このシ
ールド壁１３を絶縁層１４で覆う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体集積回路
の半導体試験装置、特にその中のウエハプローバに関す
るものである。
の半導体試験装置、特にその中のウエハプローバに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の半導体試験装置のウエハプ
ローバを示す断面側面図であり、図において、３１は図
示しない半導体集積回路の試験装置（ＬＳＩテスタ）に
よって発生された電気信号を送信する信号線、３２はウ
エハプローバのフレーム部分、３３はこのフレーム部分
３２の一部で、ウエハプローブカード３４をネジ止めな
どで固定する部分、３５はウエハプローブカード３４上
に固定されたプローブ針、３６はウエハ状態の半導体集
積回路、３７はウエハプローバの内部に構成されると共
に、半導体集積回路３６を固定し、所望の電極とプロー
ブ針３５の位置合わせ並びに接触を行なうためのチャッ
クトップ、３８はチャックトップ３７を載置する移動ス
テージ、３９はウエハプローバの内部に設けられた制御
回路、４０はウエハ状態の半導体集積回路３６をその保
管用キャリア４１からチャックトップ３７上に移動させ
るロボットである。
ローバを示す断面側面図であり、図において、３１は図
示しない半導体集積回路の試験装置（ＬＳＩテスタ）に
よって発生された電気信号を送信する信号線、３２はウ
エハプローバのフレーム部分、３３はこのフレーム部分
３２の一部で、ウエハプローブカード３４をネジ止めな
どで固定する部分、３５はウエハプローブカード３４上
に固定されたプローブ針、３６はウエハ状態の半導体集
積回路、３７はウエハプローバの内部に構成されると共
に、半導体集積回路３６を固定し、所望の電極とプロー
ブ針３５の位置合わせ並びに接触を行なうためのチャッ
クトップ、３８はチャックトップ３７を載置する移動ス
テージ、３９はウエハプローバの内部に設けられた制御
回路、４０はウエハ状態の半導体集積回路３６をその保
管用キャリア４１からチャックトップ３７上に移動させ
るロボットである。
【０００３】次に図５は従来のウエハプローバのチャッ
クトップ３７及び移動ステージ３８を示す斜視図、図６
は図５におけるＢ−Ｂ線断面図であり、図において、４
２はテスト対象となるウエハ状態の半導体集積回路３６
上に構成されたチップ、４２ａはチップ４２の電極であ
り、ウエハテストは、プローブ針３５を電極４２ａに接
触させることにより実現される。チャックトップ３７は
移動ステージ３８上に電気的絶縁層４３を介して設置さ
れており、移動ステージ３８に搭載されたＸ，Ｙ，Ｚの
３次元方向のそれぞれの移動用モータ４４，４５，４６
とチャックトップ３７の回転用モータ４７によって、半
導体集積回路３６上の電極４２ａとプローブ針３５の位
置合わせ並びに接触を行なうようになっている。４８は
ウエハ状態の半導体集積回路３６を固定するための真空
引き穴である。
クトップ３７及び移動ステージ３８を示す斜視図、図６
は図５におけるＢ−Ｂ線断面図であり、図において、４
２はテスト対象となるウエハ状態の半導体集積回路３６
上に構成されたチップ、４２ａはチップ４２の電極であ
り、ウエハテストは、プローブ針３５を電極４２ａに接
触させることにより実現される。チャックトップ３７は
移動ステージ３８上に電気的絶縁層４３を介して設置さ
れており、移動ステージ３８に搭載されたＸ，Ｙ，Ｚの
３次元方向のそれぞれの移動用モータ４４，４５，４６
とチャックトップ３７の回転用モータ４７によって、半
導体集積回路３６上の電極４２ａとプローブ針３５の位
置合わせ並びに接触を行なうようになっている。４８は
ウエハ状態の半導体集積回路３６を固定するための真空
引き穴である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体試験装置
は以上のように構成されているが、チャックトップ３７
は単なる金属の塊に金等のメッキを施しただけのもので
あり、ウエハプローバの内部、例えばウエハプローバの
制御回路３９やロボット４０、並びに図示しないＬＳＩ
テスタ等から発生されるノイズを直接受け、チャックト
ップ３７上には数十から百数十ｍＶのノイズが発生して
いることがある。このノイズがウエハ状態の半導体集積
回路３６の裏面の電位を変動させることにより、ウエハ
テスト中の半導体集積回路３６のテスト結果を誤らせる
こともある。特に近年の高速、小振幅の信号を扱う半導
体集積回路３６においては問題が顕著になってくる。
は以上のように構成されているが、チャックトップ３７
は単なる金属の塊に金等のメッキを施しただけのもので
あり、ウエハプローバの内部、例えばウエハプローバの
制御回路３９やロボット４０、並びに図示しないＬＳＩ
テスタ等から発生されるノイズを直接受け、チャックト
ップ３７上には数十から百数十ｍＶのノイズが発生して
いることがある。このノイズがウエハ状態の半導体集積
回路３６の裏面の電位を変動させることにより、ウエハ
テスト中の半導体集積回路３６のテスト結果を誤らせる
こともある。特に近年の高速、小振幅の信号を扱う半導
体集積回路３６においては問題が顕著になってくる。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ウエハ状態の半導体集積回路の
試験時に、誤判定を防止すると共に、良好なウエハテス
トの結果を得ることができる半導体試験装置を提供する
ことを目的とする。
ためになされたもので、ウエハ状態の半導体集積回路の
試験時に、誤判定を防止すると共に、良好なウエハテス
トの結果を得ることができる半導体試験装置を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る半導体試験装置は、チャックトップ上に載置された半
導体集積回路にプローブ針を接触させることによりウエ
ハテストを行なうものであって、チャックトップを最外
部から順番にシールド部、絶縁層及び半導体集積回路が
載置されるバイアス電極部で構成し、バイアス電極部に
電位固定線を接続すると共に、シールド部にＧＮＤ接続
線を接続し、更にチャックトップの移動空間の内壁にシ
ールド壁を設け、このシールド壁を絶縁層で覆うと共
に、シールド壁にＧＮＤ接続線を接続したものである。
る半導体試験装置は、チャックトップ上に載置された半
導体集積回路にプローブ針を接触させることによりウエ
ハテストを行なうものであって、チャックトップを最外
部から順番にシールド部、絶縁層及び半導体集積回路が
載置されるバイアス電極部で構成し、バイアス電極部に
電位固定線を接続すると共に、シールド部にＧＮＤ接続
線を接続し、更にチャックトップの移動空間の内壁にシ
ールド壁を設け、このシールド壁を絶縁層で覆うと共
に、シールド壁にＧＮＤ接続線を接続したものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１はこの発明の
一実施形態による半導体試験装置のウエハプローバを示
す断面側面図であり、図において、１は図示しない半導
体集積回路の試験装置（ＬＳＩテスタ）によって発生さ
れた電気信号を送信する信号線、２はウエハプローバの
フレーム部分、３はこのフレーム部分２の一部で、ウエ
ハプローブカード４をネジ止めなどで固定する部分、５
はウエハプローブカード４上に固定されたプローブ針、
６はウエハ状態の半導体集積回路、７はウエハプローバ
の内部に構成されると共に、半導体集積回路６を固定
し、所望の電極とプローブ針５の位置合わせ並びに接触
を行なうためのチャックトップ、８はチャックトップ７
を載置する移動ステージ、９はウエハプローバの内部に
設けられた制御回路、１０はウエハ状態の半導体集積回
路６をその保管用キャリア１１からチャックトップ７上
に移動させるロボットである。
一実施形態による半導体試験装置のウエハプローバを示
す断面側面図であり、図において、１は図示しない半導
体集積回路の試験装置（ＬＳＩテスタ）によって発生さ
れた電気信号を送信する信号線、２はウエハプローバの
フレーム部分、３はこのフレーム部分２の一部で、ウエ
ハプローブカード４をネジ止めなどで固定する部分、５
はウエハプローブカード４上に固定されたプローブ針、
６はウエハ状態の半導体集積回路、７はウエハプローバ
の内部に構成されると共に、半導体集積回路６を固定
し、所望の電極とプローブ針５の位置合わせ並びに接触
を行なうためのチャックトップ、８はチャックトップ７
を載置する移動ステージ、９はウエハプローバの内部に
設けられた制御回路、１０はウエハ状態の半導体集積回
路６をその保管用キャリア１１からチャックトップ７上
に移動させるロボットである。
【０００８】ここで、本実施形態においては、従来はシ
ールドされていなかったウエハ状態の半導体集積回路６
の試験実施エリア全体１２をシールド室とするものであ
る。１３はチャックトップ７の周囲を外来のノイズから
シールドするためのシールド壁であり、チャックトップ
７と移動ステージ８の稼働部分である試験実施エリア全
体１２の内壁に導体によって構成される。１４はシール
ド壁１３とプローバ本体のフレーム部分２を電気的に絶
縁するための絶縁層、１５はシールド壁１３を図示しな
いＬＳＩテスタのシステムＧＮＤに接続するための接続
線である。このようにして、試験実施エリア全体１２の
内壁をウエハプローバのフレーム部分２と電気的な絶縁
層１４を介してシールド壁１３で覆い、更にＬＳＩテス
タのＧＮＤにＧＮＤ接続線１５によって接続すること
で、例えばロボット１０や制御回路９等で発生されるノ
イズが、内部のウエハ状態の半導体集積回路６に到達す
ることを防ぐことができる。なお、ウエハプローバの動
作については、各ウエハプローバメーカの説明書に記載
されているような従来の装置と同様であるので説明を省
略する。
ールドされていなかったウエハ状態の半導体集積回路６
の試験実施エリア全体１２をシールド室とするものであ
る。１３はチャックトップ７の周囲を外来のノイズから
シールドするためのシールド壁であり、チャックトップ
７と移動ステージ８の稼働部分である試験実施エリア全
体１２の内壁に導体によって構成される。１４はシール
ド壁１３とプローバ本体のフレーム部分２を電気的に絶
縁するための絶縁層、１５はシールド壁１３を図示しな
いＬＳＩテスタのシステムＧＮＤに接続するための接続
線である。このようにして、試験実施エリア全体１２の
内壁をウエハプローバのフレーム部分２と電気的な絶縁
層１４を介してシールド壁１３で覆い、更にＬＳＩテス
タのＧＮＤにＧＮＤ接続線１５によって接続すること
で、例えばロボット１０や制御回路９等で発生されるノ
イズが、内部のウエハ状態の半導体集積回路６に到達す
ることを防ぐことができる。なお、ウエハプローバの動
作については、各ウエハプローバメーカの説明書に記載
されているような従来の装置と同様であるので説明を省
略する。
【０００９】次に図２はウエハプローバのチャックトッ
プ７部分を示す斜視図、図３は図２におけるＡ−Ａ線断
面図であり、図において、１６はテスト対象となるウエ
ハ状態の半導体集積回路６上に構成されたチップ、１６
ａはチップ１６の電極でありり、ウエハテストは、プロ
ーブ針５を電極１６ａに接触させることにより実現され
る。また、移動ステージ８に搭載されたＸ，Ｙ，Ｚの３
次元方向のそれぞれの移動用モータとチャックトップ７
の回転用モータによって、半導体集積回路６上の電極１
６ａとプローブ針５の位置合わせ並びに接触を行なうよ
うになっている。なお、１７はウエハ状態の半導体集積
回路６を固定するための真空引き穴である。
プ７部分を示す斜視図、図３は図２におけるＡ−Ａ線断
面図であり、図において、１６はテスト対象となるウエ
ハ状態の半導体集積回路６上に構成されたチップ、１６
ａはチップ１６の電極でありり、ウエハテストは、プロ
ーブ針５を電極１６ａに接触させることにより実現され
る。また、移動ステージ８に搭載されたＸ，Ｙ，Ｚの３
次元方向のそれぞれの移動用モータとチャックトップ７
の回転用モータによって、半導体集積回路６上の電極１
６ａとプローブ針５の位置合わせ並びに接触を行なうよ
うになっている。なお、１７はウエハ状態の半導体集積
回路６を固定するための真空引き穴である。
【００１０】更に、７ａ，７ｂ，７ｃはそれぞれチャッ
クトップ７を構成する一部分であって、７ａはウエハ状
態の半導体集積回路６の裏面の電位を固定するバイアス
電極部であり、金属で構成され、その表面（半導体集積
回路６と接触する部分）は金等でメッキされている。７
ｂはバイアス電極部７ａと後述するシールド部７ｃを電
気的に絶縁するための絶縁層、７ｃは外部からのノイズ
をバイアス電極部７ａに伝えないためのシールド部であ
り、金属で構成されている。１８はバイアス電極部７ａ
の電位を任意の電位に固定するための電位固定線で、図
示しないＬＳＩテスタ等と接続する。１９は移動ステー
ジ８とチャックトップ７を電気的に絶縁するための絶縁
層、２０はシールド部７ｃとＬＳＩテスタのシステムＧ
ＮＤを接続し、ノイズを軽減させるためのＧＮＤ接続線
である。
クトップ７を構成する一部分であって、７ａはウエハ状
態の半導体集積回路６の裏面の電位を固定するバイアス
電極部であり、金属で構成され、その表面（半導体集積
回路６と接触する部分）は金等でメッキされている。７
ｂはバイアス電極部７ａと後述するシールド部７ｃを電
気的に絶縁するための絶縁層、７ｃは外部からのノイズ
をバイアス電極部７ａに伝えないためのシールド部であ
り、金属で構成されている。１８はバイアス電極部７ａ
の電位を任意の電位に固定するための電位固定線で、図
示しないＬＳＩテスタ等と接続する。１９は移動ステー
ジ８とチャックトップ７を電気的に絶縁するための絶縁
層、２０はシールド部７ｃとＬＳＩテスタのシステムＧ
ＮＤを接続し、ノイズを軽減させるためのＧＮＤ接続線
である。
【００１１】次に動作について説明する。チャックトッ
プ７の外部で発生したノイズはシールド部７ｃによって
吸収され、そのままシールド部７ｃに接続されたＧＮＤ
接続線２０によってＬＳＩテスタのシステムＧＮＤに放
出される。半導体集積回路６の裏面が直接接触している
バイアス電極部７ａとシールド部７ｃの間には電気的な
絶縁層７ｂが構成されているので、ノイズが伝搬するこ
とはない。また、バイアス電極部７ａには電位固定線１
８を接続することにより、半導体集積回路６の裏面電位
を任意の電位に固定するので、ウエハ状態のテスト結果
を安定させることができる。
プ７の外部で発生したノイズはシールド部７ｃによって
吸収され、そのままシールド部７ｃに接続されたＧＮＤ
接続線２０によってＬＳＩテスタのシステムＧＮＤに放
出される。半導体集積回路６の裏面が直接接触している
バイアス電極部７ａとシールド部７ｃの間には電気的な
絶縁層７ｂが構成されているので、ノイズが伝搬するこ
とはない。また、バイアス電極部７ａには電位固定線１
８を接続することにより、半導体集積回路６の裏面電位
を任意の電位に固定するので、ウエハ状態のテスト結果
を安定させることができる。
【００１２】以上のようにこの発明によれば、ウエハ状
態の半導体集積回路の試験時に、チャックトップ７上に
発生する外来ノイズをシールド部７ｃで遮断し、かつテ
ストシステムのＧＮＤに放出することで、ウエハテスト
時の誤判定を防止することができ、良好なウエハテスト
の結果を得ることができる。
態の半導体集積回路の試験時に、チャックトップ７上に
発生する外来ノイズをシールド部７ｃで遮断し、かつテ
ストシステムのＧＮＤに放出することで、ウエハテスト
時の誤判定を防止することができ、良好なウエハテスト
の結果を得ることができる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように、この発明の半導体試験装
置によれば、チャックトップ上に載置された半導体集積
回路にプローブ針を接触させることによりウエハテスト
を行なう半導体試験装置であって、チャックトップを、
最外部から順番にシールド部、絶縁層、及び半導体集積
回路が載置されるバイアス電極部で構成し、バイアス電
極部に電位固定線を接続すると共に、シールド部にＧＮ
Ｄ接続線を接続し、更にチャックトップの移動空間の内
壁にシールド壁を設け、このシールド壁を絶縁層で覆う
と共に、シールド壁にＧＮＤ接続線を接続したので、ウ
エハテスト時の誤判定を防止することができ、良好なウ
エハテストの結果を得ることができる。
置によれば、チャックトップ上に載置された半導体集積
回路にプローブ針を接触させることによりウエハテスト
を行なう半導体試験装置であって、チャックトップを、
最外部から順番にシールド部、絶縁層、及び半導体集積
回路が載置されるバイアス電極部で構成し、バイアス電
極部に電位固定線を接続すると共に、シールド部にＧＮ
Ｄ接続線を接続し、更にチャックトップの移動空間の内
壁にシールド壁を設け、このシールド壁を絶縁層で覆う
と共に、シールド壁にＧＮＤ接続線を接続したので、ウ
エハテスト時の誤判定を防止することができ、良好なウ
エハテストの結果を得ることができる。
【図１】 この発明の一実施形態による半導体試験装置
を示す断面側面図である。
を示す断面側面図である。
【図２】 この発明の一実施形態によるウエハプローバ
のチャックトップ部を示す斜視図である。
のチャックトップ部を示す斜視図である。
【図３】 図２におけるＡ−Ａ線断面図である。
【図４】 従来の半導体試験装置を示す断面側面図であ
る。
る。
【図５】 従来のウエハプローバのチャックトップ及び
移動ステージを示す斜視図である。
移動ステージを示す斜視図である。
【図６】 図５におけるＢ−Ｂ線断面図である。
５ プローブ針、６ 半導体集積回路、７ チャックト
ップ、７ａ バイアス電極部、７ｂ 絶縁層、７ｃ シ
ールド部、１３ シールド壁、１４ 絶縁層、１５，２
０ ＧＮＤ接続線、１８ 電位固定線。
ップ、７ａ バイアス電極部、７ｂ 絶縁層、７ｃ シ
ールド部、１３ シールド壁、１４ 絶縁層、１５，２
０ ＧＮＤ接続線、１８ 電位固定線。
Claims (1)
- 【請求項１】 チャックトップ上に載置された半導体集
積回路にプローブ針を接触させることによりウエハテス
トを行なう半導体試験装置において、上記チャックトッ
プを、最外部から順番にシールド部、絶縁層、及び上記
半導体集積回路が載置されるバイアス電極部で構成し、
上記バイアス電極部に電位固定線を接続すると共に、上
記シールド部にＧＮＤ接続線を接続し、更に上記チャッ
クトップの移動空間の内壁にシールド壁を設け、このシ
ールド壁を絶縁層で覆うと共に、上記シールド壁にＧＮ
Ｄ接続線を接続したことを特徴とする半導体試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10031892A JPH11233572A (ja) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | 半導体試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10031892A JPH11233572A (ja) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | 半導体試験装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233572A true JPH11233572A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12343683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10031892A Pending JPH11233572A (ja) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | 半導体試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233572A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1353188A3 (en) * | 2002-04-08 | 2004-01-14 | The Micromanipulator Group, Inc. | High resolution analytical probe station |
| US7183782B2 (en) | 2003-10-31 | 2007-02-27 | Tokyo Electron Limited | Stage for placing target object |
| JP2008131047A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Suss Microtec Test Systems Gmbh | 標本支持台と標本支持台の使用の下で検査物質を検査する方法 |
| JP2011501403A (ja) * | 2007-10-10 | 2011-01-06 | カスケード・マイクロテク・ドレスデン・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | 所定の温度条件下で試験基板を検査する方法及び温度条件を設定可能な検査装置 |
-
1998
- 1998-02-16 JP JP10031892A patent/JPH11233572A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7180317B2 (en) | 1998-08-27 | 2007-02-20 | The Micromanipulator Co., Inc. | High resolution analytical probe station |
| EP1353188A3 (en) * | 2002-04-08 | 2004-01-14 | The Micromanipulator Group, Inc. | High resolution analytical probe station |
| US7183782B2 (en) | 2003-10-31 | 2007-02-27 | Tokyo Electron Limited | Stage for placing target object |
| KR100709796B1 (ko) * | 2003-10-31 | 2007-04-23 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 피처리체 탑재대 |
| JP2008131047A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Suss Microtec Test Systems Gmbh | 標本支持台と標本支持台の使用の下で検査物質を検査する方法 |
| JP2011501403A (ja) * | 2007-10-10 | 2011-01-06 | カスケード・マイクロテク・ドレスデン・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | 所定の温度条件下で試験基板を検査する方法及び温度条件を設定可能な検査装置 |
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