JPH11233697A - 半導体装置および製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造コストの増加を抑制しつつＦＥＴの放熱
性能を高める。 【解決手段】 ペレット１１が金箔１８で接続されたマ
ウント１５と、マウント１５が半田付け部３２で接続さ
れたステム２０と、ステム２０のマウント１５の外側に
半田付け部３２で固着されたスペーサ２４と、スペーサ
２４に銀蝋２６で固着されてペレット１１にワイヤ３４
で電気的に接続されたゲートリード２７およびドレイン
リード２８と、気密封止したキャップ３８とを備えてい
る。ステム２０は銅で、マウント１５はＣｕＷで製造さ
れ、マウント１５にはニッケルめっき被膜１６の上に金
めっき被膜１７が被着され、ステム２０にはニッケルめ
っき被膜２２が被着されている。 【効果】 銅製のステムにより高い放熱性能を確保しつ
つ製造コストを低減でき、ＣｕＷ製のマウントでペレッ
トとステムとの間の応力を緩和できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、特
に、放熱構造の改良に関し、例えば、高周波電力増幅用
電界効果トランジスタに利用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、普及が著しい通信機器としてＵＨ
Ｆ帯域の電磁波が使用された携帯電話機や自動車電話機
等の移動電話機がある。これらの移動電話機同士を電磁
波によって中継する無線中継局の高周波電力増幅ユニッ
トには高周波電力増幅用電界効果トランジスタ（以下、
ＦＥＴという。）が使用されている。

【０００３】無線中継局の高周波電力増幅ユニットに使
用される従来のＦＥＴとして、ＦＥＴ素子を含む増幅回
路が作り込まれた半導体ペレット（以下、ペレットとい
う。）と、ペレットが固着されたステムと、ステムのペ
レットの外側に固着されたスペーサと、スペーサに固着
されてワイヤによってペレットに電気的に接続されたゲ
ートリードおよびドレインリードと、ペレットおよびワ
イヤを気密封止したキャップとを備えているものがあ
る。

【０００４】このＦＥＴにおいては、ペレットの発熱は
ステムを経由して無線中継局の高周波電力増幅ユニット
のマザーボードに放熱されることになる。そこで、熱伝
導性および電気伝導性が良好で熱膨張係数がペレットの
材料に近い銅−タングステン合金（以下、ＣｕＷとい
う。）を使用してステムを形成することにより、ステム
の放熱性能を高める技術が提案されている。さらに、放
熱性能を高めるために、ＣｕＷ製のステムの中央部に台
を形成し、この台の上にペレットを固着することが考え
られる。

【０００５】なお、半導体装置においてＣｕＷ等の熱伝
導性の良好な材料を使用して放熱性能を高める技術を述
べてあるとして次のような例がある。すなわち、特開平
８−２２２６６８号公報には、チップ裏面にＣｕＷ放熱
板またはＣｕ放熱フィンを有するセラミックパッケージ
が提案されている。特開昭６１−７６１４８号公報に
は、チップ裏面にＣｕＷ製の放熱板を有するセラミック
パッケージが提案されている。特開昭６１−１６５５３
号公報には、チップ裏面にＣｕＷ製の放熱板または放熱
フィンを有するセラミックパッケージが提案されてい
る。特開昭６１−１１７８５５号公報には、チップ裏面
に銅−モリブデン合金製の放熱板またはアルミニウム放
熱フィンを有するセラミックＰＧＡ形パッケージが提案
されている。特開平８−３０６８４９号公報には放熱板
をＣｕＷおよびＣｕによって形成した樹脂封止パッケー
ジが提案されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ステム
をＣｕＷによって形成しステムに台を形成したＦＥＴに
おいては、ＣｕＷが高価であるばかりでなく、硬くて脆
いＣｕＷに切削加工が必要になるため、製造コストが増
加するという問題点があることが本発明者によって明ら
かにされた。

【０００７】本発明の目的は、製造コストの増加を抑制
しつつ放熱性能を高めることができる半導体装置を提供
することにある。

【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。

【００１０】すなわち、半導体素子を含む電気回路が作
り込まれた半導体ペレットと、半導体ペレットが固着さ
れたステムと、ステムの半導体ペレットの外側に固着さ
れたスペーサと、スペーサに固着されて半導体ペレット
に電気的に接続されたリードと、半導体ペレットおよび
リードの一部を封止した封止体とを備えている半導体装
置であって、前記半導体ペレットがマウントに固着さ
れ、このマウントが前記ステムに蝋付けされていること
を特徴とする。

【００１１】前記した手段によれば、ステムを形成する
材料として、熱伝導性および電気伝導性が良好で、か
つ、プレス加工が可能であり、しかも、低価格の材料を
使用することができるため、高い放熱性能を確保しつつ
製造コストを低減することができる。そして、半導体ペ
レットとステムとの間の残留応力を緩和するようにマウ
ントを構成することにより、当該残留応力による半導体
ペレットの損傷等の障害を防止することができる。ま
た、マウントはステムに比べて小さく、かつ、平板形状
に形成することができるため、高価な材料を使用しても
製造コストの増加を抑制することができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態である
ＦＥＴを示す側面断面図である。図２以降は本発明の一
実施形態であるＦＥＴの製造方法を示す各説明図であ
る。

【００１３】本実施形態において、本発明に係る半導体
装置は、ＦＥＴとして構成されている。このＦＥＴ１０
はシリコン基板が使用されて半導体素子を含む電気回路
が作り込まれたペレット１１と、ペレット１１が金箔１
８から形成された金−シリコン共晶層によって機械的か
つ電気的に接続されたマウント１５と、マウント１５が
半田付け部３２によって機械的かつ電気的に接続された
ステム２０と、ステム２０のマウント１５の外側に半田
付け部３２によって機械的に接続されたスペーサ２４
と、スペーサ２４に銀蝋２６によって固着されてペレッ
ト１１にアルミニウム製のワイヤ３４によってそれぞれ
電気的に接続されたゲートリード２７およびドレインリ
ード２８と、ペレット１１、ゲートリード２７の一部お
よびドレインリード２８の一部をスペーサ２４と協働し
て気密封止したキャップ３８とを備えている。

【００１４】ステム２０は熱伝導性および電気伝導性が
良好で、かつ、プレス加工が可能であり、しかも、低価
格の材料である銅が使用されて製造されている。したが
って、ステム２０は高い放熱性能を確保しつつ製造コス
トを低減することができる。マウント１５は熱伝導性お
よび電気伝導性が良好で熱膨張係数がシリコンの近似す
る材料であるＣｕＷが使用されて製造されている。した
がって、マウント１５はペレット１１とステム２０との
間の残留応力を緩和することができるため、当該残留応
力によるペレット１１の損傷等の障害を防止することが
できる。また、マウント１５はステム２０に比べて小さ
く、かつ、平板形状に形成することができるため、銅に
比べて高価な材料であるＣｕＷが使用されても製造コス
トの増加を抑制することができる。

【００１５】マウント１５の表面にはニッケルめっき被
膜１６の上に金めっき被膜１７が被着されており、ステ
ム２０の表面にはニッケルめっき被膜２２が被着されて
いる。したがって、半田付け部３２はマウント１５およ
びステム２０の表面に確実にそれぞれ接着した状態にな
る。そして、半田付け部３２は柔軟性を有するため、マ
ウント１５とステム２０との熱膨張係数差による応力は
吸収されることになり、ペレット１１とステム２０との
熱膨張係数差による応力によってペレット１１が損傷さ
れるのを防止することができる。

【００１６】次に、本発明の一実施形態であるＦＥＴの
製造方法およびその作用効果を図２〜図５について説明
する。そして、この説明により、前記ＦＥＴの構成につ
いての詳細が同時に明らかにされる。

【００１７】図２はペレットがマウントにボンディング
されるペレットボンディング工程を示している。

【００１８】ペレット１１は半導体材料の一例であるシ
リコン（Ｓｉ）が使用されて、図２に示されているよう
に長方形の板形状に形成されており、ＦＥＴ素子を含む
電気回路が作り込まれている。ペレット１１の一主面
（以下、上面とする。）にはゲート用電極パッド１２お
よびドレイン用電極パッド１３が形成されており、下面
にはソース用電極パッド１４が全体的に形成されてい
る。

【００１９】マウント１５はＣｕＷが使用されて、図２
に示されているようにペレット１１に対して大きめに相
似する長方形の板形状に形成されている。ＣｕＷは熱伝
導性および電気導電性に優れ、かつ、ペレット１１の構
成材料であるシリコンに近い熱膨張係数を有する材料で
ある。ＣｕＷは硬くて脆い性質を有するため、プレス加
工が困難である。しかし、マウント１５は単純な長方形
の板形状であるため、ＣｕＷを使用した場合であっても
複雑な切削加工を使用せずに製造することができる。ま
た、ＣｕＷは高価であるが、マウント１５はペレット１
１よりも大きめに形成されているに過ぎないため、Ｃｕ
Ｗの使用量が少なく抑制されることより、製造コストの
増加を抑制することができる。

【００２０】図２（ｂ）に示されているように、マウン
ト１５の表面にはニッケルめっき被膜１６および金めっ
き被膜１７が被着されている。すなわち、表面めっき性
を確保するためのニッケルめっき被膜１６がマウント１
５の表面全体に被着された後に、金−シリコン共晶層を
形成し易くするための金めっき被膜１７が被着されてい
る。ここで、マウント１５はステムに比べて表面積が小
さいため、金の使用量が少なく抑制することができ、製
造コストを低減することができる。

【００２１】ちなみに、マウント１５は単純な長方形の
平板形状であるため、金めっき被膜１７を部分的に被着
することもでき、部分めっき処理することにより、金の
使用量はより一層低減することができる。金めっき被膜
１７がペレット１１の搭載面（以下、上面とする。）だ
けに被着された場合には、下面には銀めっき被膜を被着
してもよい。

【００２２】以上のように構成されたマウント１５には
ペレット１１が金箔１８を介してボンディングされて、
ペレット・マウント組立体１９が製造される。すなわ
ち、ヒートブロック（図示せず）によって約４５０℃に
加熱されたマウント１５の上に金箔１８を介してペレッ
ト１１が押し付けられると、金箔１８とペレット１１の
下面に形成されたソース用電極パッド１４との間に金−
シリコン共晶層（図示せず）が形成されるため、ペレッ
ト１１はマウント１５に機械的かつ電気的に接続された
状態になる。この際、マウント１５の上面には金めっき
被膜１７が被着されているため、金箔１８はマウント１
５に確実に固着された状態になる。金は熱伝導性および
電気伝導性に優れているため、ペレット１１はマウント
１５に熱伝導性および電気伝導性が良好に接続された状
態になる。

【００２３】図３はペレット・マウント組立体およびリ
ード付きスペーサがステムに半田付けされる半田付け工
程を示している。

【００２４】ステム２０は銅が使用されて図３に示され
ているように長方形の板形状に形成されており、その短
辺の長さはマウント１５の短辺よりも充分に長く設定さ
れている。ステム２０の長辺側の両端辺には一対の取付
部２１、２１がＵ字形の切欠き形状に開設されている。
そして、ステム２０の表面にはソルダビリティーを高め
るためのニッケルめっき被膜２２が被着されている。

【００２５】銅は熱伝導性および電気導電性に優れ、か
つ、低価格の材料である。また、銅はプレス加工が容易
であるため、ステム２０および取付部２１はプレス加工
によって一体成形することができ、安価に製造すること
ができる。しかし、銅の熱膨張係数はシリコンの熱膨張
係数の約５倍になるため、ステム２０にペレット１１が
直接ボンディングされると、熱膨張係数差による応力に
よってペレット１１にクラックが発生することがある。

【００２６】リード付きスペーサ２３のスペーサ２４は
アルミナセラミックが使用されて、図３に示されている
ように略正方形の枠板形状に形成されている。スペーサ
２４の外径はステム２０の短辺の長さと略等しく設定さ
れ、内径はマウント１５の長辺の長さよりも大きめに設
定されている。スペーサ２４の両端面にはメタライズ２
５（図１および図４参照）がそれぞれ形成されており、
一方の端面（以下、上面とする。）に形成されたメタラ
イズ２５の上には銀蝋（silver solder。Ｃｕ−Ｚｎ−
Ａｇ系合金を主体とする硬蝋である。）２６が一対、そ
れぞれ固着されている。

【００２７】両銀蝋２６、２６の上には矩形の板形状に
形成されたゲートリード２７およびドレインリード２８
が銀蝋付け（silver soldering ）されている。ゲート
リード２７およびドレインリード２８の構成材料として
は、コバール材や４２アロイ（４２％ニッケル鉄合金）
等の約８５０℃の銀蝋付けの高温下でも軟化しない耐熱
性金属が使用されている。ゲートリード２７およびドレ
インリード２８の表面にはニッケルめっき被膜２９およ
び金めっき被膜３０（図１および図４参照）が被着され
ている。すなわち、表面めっき性を確保するためのニッ
ケルめっき被膜２９が表面全体に被着された後に、銀蝋
付け性とボンディング性を高めるための金めっき被膜３
０が被着されている。

【００２８】以上のように構成されたリード付きスペー
サ２３およびペレット・マウント組立体１９は、前記の
ように構成されたステム２０に蝋付け（brazing ）の一
種である半田付け（soldering ）される。すなわち、約
３５０℃に加熱されたヒートブロック（図示せず）の上
にステム２０が載せられ、ステム２０の上面にはスペー
サ２４の外径よりも若干大きめの略正方形に形成された
半田箔３１が載せられる。続いて、リード付きスペーサ
２３およびペレット・マウント組立体１９が半田箔３１
の上に同心に載せられて擦り付けられる。この半田付け
により、半田付け部３２が形成されるため、スペーサ２
４がステム２０に機械的に接続されるとともに、マウン
ト１５がステム２０に機械的かつ電気的に接続される。

【００２９】この際、ステム２０の表面にはニッケルめ
っき被膜２２が被着されているため、半田付け部３２は
ステム２０に確実に接着する。また、スペーサ２４には
メタライズ２５が被着されているため、半田付け部３２
はスペーサ２４に確実に接着する。したがって、リード
付きスペーサ２３はステム２０に強固に固着された状態
になる。マウント１５の表面には金めっき被膜１７が被
着されているため、半田付け部３２はマウント１５に確
実に接着する。したがって、マウント１５はステム２０
に強固に固着された状態になる。

【００３０】ここで、ステム２０にはニッケルめっき被
膜２１が被着されているだけであるため、高価な金めっ
き被膜を被着する場合に比べて製造コストを低減させる
ことができる。但し、ニッケルめっき被膜２２の上に金
めっき被膜を被着すると、半田付け部３２との接着強度
をより一層高めることができる。金を使用する場合にお
いても、ステム２０が平板形状に形成されていることに
より、部分めっき処理を採用することができるため、全
面に金めっき処理する場合に比べて貴金属である金の使
用量を低減することができ、コストの増加を抑制するこ
とができる。また、部分めっき処理によって貴金属であ
る金の使用量を低減することにより、金めっき被膜の厚
さを低減しなくて済むため、金めっき被膜の厚さ低減に
よる高周波損失の増加を回避することができる。

【００３１】以上のようにして製造されたペレット・マ
ウント組立体とリード付きスペーサとステムとの組立体
（以下、ステム組立体という。）３３には、アルミニウ
ムが使用されたワイヤ３４が図４に示されているように
ボンディングされる。すなわち、ステム組立体３３がボ
ンディングステージ（図示せず）に保持された状態で、
ウエッジ３６に挿通されたアルミニウム線材３５がペレ
ット１１のゲート用電極パッド１２に第１ボンディング
され、続いて、ゲートリード２７が固着された銀蝋２６
に第２ボンディングされる。同様に、ドレイン用電極パ
ッド１３に第１ボンディングされ、続いて、ドレインリ
ード２８に第２ボンディングされる。ちなみに、ゲート
側およびドレイン側において複数本のワイヤ３４がそれ
ぞれ橋絡される。

【００３２】以上のようにしてワイヤボンディングされ
た組立体（以下、ワイヤ組立体という。）３７には、キ
ャップ３８が図５に示されているように被せられて固着
される。すなわち、図５に示されているように、アルミ
ナセラミックが用いられてスペーサ２４の外形と略同一
の略正方形の皿形状に形成されたキャップ３８の開口端
下面にはシーラ３９が溶着されている。キャップ３８は
ワイヤ組立体３７の上にシーラ３９がリード付きスペー
サ２３の上面に当接した状態に載置され、封止炉（図示
せず）を通されて加熱される。加熱溶融されたシーラ３
９が冷却して固化すると、封止部４０が形成されるた
め、リード付きスペーサ２３とキャップ３８とは封着さ
れ、気密封止体４１が形成される。

【００３３】気密封止体４１の内部にはペレット１１、
マウント１５、ワイヤ３４、ゲートリード２７の一部お
よびドレインリード２８の一部が気密封止された状態に
なっている。以上のようにして図５（ｂ）および図１に
示されている前記したＦＥＴ１０が製造されたことにな
る。

【００３４】次に、以上のように製造され前記したよう
に構成されたＦＥＴ１０の放熱作用および効果を説明す
る。

【００３５】例えば、ＦＥＴ１０が無線中継局の高周波
電力増幅ユニットのマザーボードに実装される場合にお
いては、ＦＥＴ１０のステム２０がマザーボードの実装
面に当接されて両取付部２１、２１がねじ止めされる。
ＦＥＴ１０の稼働に伴うペレット１１の発熱は、マウン
ト１５およびステム２０を経由してマザーボードに放熱
されることになる。この際、マウント１５およびステム
２０は熱伝導性が良好なＣｕＷおよび銅によってそれぞ
れ形成されているため、ペレット１１の発熱はマウント
１５およびステム２０を経由してマザーボードに効率よ
く伝播されるため、きわめて効果的に放熱されることに
なる。

【００３６】ここで、ペレット１１はステム２０から突
き出たマウント１５の上面に搭載されているため、ペレ
ット１１の発熱はペレット１１の下面全体からマウント
１５の全体に拡散して伝播され、さらに、マウント１５
の下面全体からステム２０に伝播されてステム２０の全
体に拡散して行く状態になり、放熱効率はきわめて良好
になる。

【００３７】ところで、ペレット１１が固着されたマウ
ント１５は熱膨張係数がシリコンと近似するＣｕＷによ
って形成されているため、ペレット１１とマウント１５
との間には熱膨張係数差による応力は発生しない。した
がって、ペレット１１が当該応力によって損傷される危
険性は未然に回避することができる。

【００３８】他方、マウント１５を構成するＣｕＷとス
テム２０とを構成する銅との間の熱膨張係数差は大きい
が、マウント１５とステム２０とは柔軟性を有する半田
付け部３２によって機械的に接続されているため、両者
間の熱膨張係数差による応力は半田付け部３２の柔軟性
によって吸収することができる。したがって、マウント
１５に固着されたペレット１１にはマウント１５とステ
ム２０との間の熱膨張係数差による応力が作用しないた
め、ペレット１１が当該応力によって損傷されることは
未然に回避することができる。

【００３９】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００４０】例えば、マウントはＣｕＷを使用するに限
らず、ペレットのサイズが小さい場合等においては、焼
鈍加工（フルアニーリング）した銅や銀（ＣｕＷよりは
安価である。）を使用してもよいし、電気抵抗が問題に
ならない場合等においては、モリブデン（Ｍｏ）を使用
してもよい。銅や銀およびモリブデン等はプレス加工が
可能な材料であるため、製造コストをより一層低減させ
ることができる。

【００４１】金めっき被膜はＦＥＴ（半導体装置）の使
用環境によっては、銀めっき被膜に置き換えることがで
きる。

【００４２】スペーサはアルミナセラミックによって形
成するに限らず、その他のセラミック、さらには、樹脂
等の絶縁材料によって形成してもよい。スペーサが樹脂
によって形成された場合には、リードはスペーサに半田
付けによって機械的に接続することができる。

【００４３】ペレットやワイヤ等の封止は気密封止構造
を採用するに限らず、ポッティング成形法やトランスフ
ァ成形法による樹脂封止構造を採用してもよい。

【００４４】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＦＥＴ
の製造技術に適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではなく、半導体ペレットの発熱をステ
ムによって放熱する半導体装置全般に適用することがで
きる。

【００４５】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。

【００４６】半導体ペレットをマウントに固着し、この
マウントをステムに蝋付けすることにより、ステムを形
成する材料として、熱伝導性および電気伝導性が良好
で、かつ、プレス加工が可能であり、しかも低価格の材
料を使用することができるため、高い放熱性能を確保し
つつ製造コストを低減することができる。そして、半導
体ペレットとステムとの間の残留応力を緩和するように
マウントを構成することにより、当該残留応力による半
導体ペレットの損傷等の障害を防止することができる。
また、マウントはステムに比べて小さく、かつ、平板形
状に形成することができるため、高価な材料を使用して
も製造コストの増加を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態であるＦＥＴを示す側面断
面図である。

【図２】本発明の一実施形態であるＦＥＴの製造方法に
おけるペレットボンディング工程を示しており、（ａ）
は分解斜視図、（ｂ）はボンディング後の側面断面図で
ある。

【図３】同じく半田付け工程を示す分解斜視図である。

【図４】同じくワイヤボンディング工程を示しており、
（ａ）は斜視図、（ｂ）はワイヤボンディング後の一部
切断側面図である。

【図５】同じく気密封止体形成工程を示しており、
（ａ）は分解斜視図、（ｂ）は形成後の斜視図である。

【符号の説明】

１０…ＦＥＴ（半導体装置）、１１…ペレット（半導体
ペレット）、１２…ゲート用電極パッド、１３…ドレイ
ン用電極パッド、１４…ソース用電極パッド、１５…マ
ウント、１６…ニッケルめっき被膜、１７…金めっき被
膜、１８…金箔、１９…ペレット・マウント組立体、２
０…ステム、２１…取付部、２２…ニッケルめっき被
膜、２３…リード付きスペーサ、２４…スペーサ、２５
…メタライズ、２６…銀蝋、２７…ゲートリード、２８
…ドレインリード、２９…ニッケルめっき被膜、３０…
金めっき被膜、３１…半田箔、３２…半田付け部、３３
…ステム組立体、３４…ワイヤ、３５…アルミニウム線
材、３６…ウエッジ、３７…ワイヤ組立体、３８…キャ
ップ、３９…シーラ、４０…封止部、４１…気密封止
体。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体素子を含む電気回路が作り込まれ
   た半導体ペレットと、半導体ペレットが固着されたステ
   ムと、ステムの半導体ペレットの外側に固着されたスペ
   ーサと、スペーサに固着されて半導体ペレットに電気的
   に接続されたリードと、半導体ペレットおよびリードの
   一部を封止した封止体とを備えている半導体装置であっ
   て、 前記半導体ペレットがマウントに固着され、このマウン
   トが前記ステムに蝋付けされていることを特徴とする半
   導体装置。
2. 【請求項２】 前記ステムおよび前記マウントの各蝋付
   け面にめっき被膜がそれぞれ被着されており、ステム側
   のめっき被膜の材料がマウント側のめっき被膜の材料よ
   りも卑なる金属材料によって形成されていることを特徴
   とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 前記ステム側がニッケルめっき被膜であ
   り、前記マウント側が金めっき被膜であることを特徴と
   する請求項２に記載の半導体装置。
4. 【請求項４】 前記マウントが前記ステムよりも熱膨張
   係数の小さい材料によって形成されていることを特徴と
   する請求項１、２または３に記載の半導体装置。
5. 【請求項５】 前記ステムが銅により形成され、前記マ
   ウントが銅−タングステン合金により形成されているこ
   とを特徴とする請求項１、２、３または４に記載の半導
   体装置。
6. 【請求項６】 前記半導体ペレットが前記マウントに蝋
   付けされていることを特徴とする請求項１、２、３、４
   または５に記載の半導体装置。
7. 【請求項７】 前記スペーサが前記ステムに蝋付けされ
   ていることを特徴とする請求項１、２、３、４、５また
   は６に記載の半導体装置。
8. 【請求項８】 前記マウントが前記ステムよりも焼鈍加
   工されていることを特徴とする請求項１、２、３、６ま
   たは７に記載の半導体装置。
9. 【請求項９】 請求項１に記載の半導体装置の製造方法
   であって、 前記半導体ペレットが固着されたマウントが前記ステム
   の上に蝋付け材料を介して押し付けられて蝋付けされる
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記スペーサが前記ステムの上の蝋付
    け材料の上に前記マウントと共に押し付けられて蝋付け
    されることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の
    製造方法。