JPH11234567A - Ｃｃｄ固体撮像素子の出力回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ソースフォロア回路を複数個縦続接続し
てなるＣＣＤ固体撮像素子の出力回路において、ＣＣＤ
固体撮像素子の消費電力の増加を伴うことなく周波数特
性の向上を図る。 【解決手段】 最終段のソースフォロア回路を、Ｎチャ
ンネルＭＯＳトランジスタＭ_N とＰチャンネルＭＯＳト
ランジスタＭ_P からなるプッシュプル回路で構成してな
る。 【効果】 入力信号の立ち上がり時にはＮチャンネ
ルＭＯＳトランジスタＭ_N がソースフォロアの駆動トラ
ンジスタとして機能し、立ち下がり時にはＰチャンネル
ＭＯＳトランジスタＭ_P がソースフォロアの駆動トラン
ジスタとして機能するので、立ち下がりも立ち上がりと
同様に能動的動作で行うことができ、立ち下がり速度を
消費電流を大きくすることなく速めることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＣＤ固体撮像素
子の水平レジスタにより転送されて来た信号電荷を検出
し、低い出力インピーダンスにインピーダンス変換して
出力する、ソースフォロア回路を複数個縦続接続したＣ
ＣＤ固体撮像素子の出力回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＣＣＤ固体撮像素子は図２に示すような
概略構成を有する。図において、１はイメージエリア
（撮像領域）で、受光素子を縦横に配置し且つ各受光素
子垂直列に対応して垂直転送レジスタが設けられてい
る。２は水平転送レジスタで、各垂直転送レジスタから
垂直転送されてきた信号電荷を水平方向に転送する。Ｆ
Ｄは水平転送レジスタ２の出力端側に設けられたフロー
ティングディフュージョン領域で、所定のリセット電位
にリセットされその後水平転送レジスタ２からの信号電
荷を受け入れて信号電荷に対応した電位になるという動
作を繰り返す。３はその出力回路（出力バッファ回路）
で、図３はその一つの従来例を示すものである。

【０００３】Ｍ１はゲートが上記フローティングディフ
ュージョン領域ＦＤに接続されたＭＯＳトランジスタ
で、初段のソースフォロア回路の駆動トランジスタを成
し、ドレインは電源Ｖ_DD端子に接続されている。Ｍ２は
それに対しての電流供給手段を成すＭＯＳトランジスタ
で、そのゲートは一定電圧Ｖ_GGを受け、ドレインはＭＯ
ＳトランジスタＭ１のソースに、ソースは抵抗Ｒ_SSを介
してアースされている。Ｍ３は次段のソースフォロア回
路の駆動トランジスタを成すＭＯＳトランジスタ、Ｍ４
はその電流供給手段を成すＭＯＳトランジスタトランジ
スタ、Ｍ５は最終段のソースフォロア回路の駆動トラン
ジスタを成すＭＯＳトランジスタ、Ｍ６はその電流供給
手段を成すＭＯＳトランジスタである。尚、これらのト
ランジスタＭ１〜Ｍ６はすべてＮチャンネルＭＯＳトラ
ンジスタで、駆動ＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ３、Ｍ５
がエンハンスメントモード、負荷ＭＯＳトランジスタＭ
２、Ｍ４、Ｍ６がデプレッションモードである。

【０００４】このように、固体撮像素子の水平転送レジ
スタ２により搬送された信号電荷は多段のソースフォロ
ア回路からなる出力回路によりインピーダンス変換され
て外部（固体撮像素子外部）に出力される。尚、出力の
取り出し方法として一般的な方法には、ＦＤＡ（floati
ng diffussion amplifier)法と、ＦＧＡ(floating gate
amplifier) 法があるが、いずれも信号電荷の量に対応
した電位になるフローティングディフュージョン領域
（ＦＤ）或いはフローティングゲート電極の電位をソー
スフォロア回路を用いた出力回路によりインピーダンス
変換して出力するようにしており、その点では変わりが
ない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ＣＣＤ固体
撮像素子の出力回路には、周波数特性の向上を図ること
が要請されており、それも消費電流の増大を伴うことな
く実現することが求められている。この点について詳細
に説明すると次のとおりである。

【０００６】現行のＨＤ（High Definition)ＣＣＤ固体
撮像素子は、水平転送レジスタを２本備えた構成になっ
ており、その駆動周波数は３７M Ｈｚで、出力回路の周
波数特性は例えば１５０ＭＨｚ程度に設定されている。
そして、ＣＣＤ固体撮像素子の出力回路のトータルの消
費電流は例えば約１０ｍＡである。ところで、テレビジ
ョン放送のディジタル化の促進に伴って高画質化の要請
が強くなり、有効走査線数１０８０本のプログレシッブ
スキャンの計画が進んでいるし、また、２本あった水平
転送レジスタを１本に減らして（戻して）ＭＴＦ(modul
ation transferfunction)の改善を図ろうとする動きも
ある。

【０００７】しかし、水平転送レジスタの数を１に減ら
すと、その駆動周波数は３７ＭＨｚの２倍の７４ＭＨｚ
にしなければならなくなり、その結果、出力回路に要求
される周波数特性も現行の２倍の３００ＭＨｚ程度にな
る。これに対して出力回路の電流を増加させることだけ
によって対応しようとすると、ＣＣＤ固体撮像素子の消
費電流が４０ｍＡ程度の大きさになり、現実に許容され
る範囲を大きく逸脱することになるので、実用性が全く
ない。そこで、本願発明者はＣＣＤ固体撮像素子の回路
形式を見直すことにより消費電流の増加を伴うことなく
周波数特性を必要な高さに向上させることを模索した。
以下に、模索の過程を説明する。

【０００８】先ず、ＣＣＤ固体撮像素子の出力回路の周
波数特性の向上を律則するものは何かについて考察し
た。ここで、考察の対象を消費電流の殆どが決まる最終
段のソースフォロア回路だけに絞ることにした。という
のは、出力回路３の初段や、次段は最終段のようにＣＣ
Ｄ固体撮像素子外部にそれ相応の出力電流を供給するわ
けではなく、従って出力電流はきわめて小さくて済む
し、また、その結果として立ち上がり時間、立ち下がり
時間は短くすることが容易であるが、最終段は相当の大
きさの出力電流を外部に送出する必要があるので、消費
電流の殆どを最終段が占めるし、また、その当然の帰結
として高速化が難しく、従って、最終段が消費電流を概
ね決定し、周波数特性を律則することになるからであ
る。

【０００９】図４（Ａ）は従来のＣＣＤ固体撮像素子に
おける最終段のソースフォロア回路を示す。図におい
て、Ｃ_L は負荷であり、負荷はこのように純粋な容量と
みなすことができる。Ｖ_INは入力信号で、略矩形波と考
えて良い。ここで、入力信号Ｖ_INがロウレベルで回路が
定常状態にあるとすると、定常状態における出力もロウ
レベルになる。このとき負荷トランジスタＭ_L （図３の
Ｍ６に相当）に流れる電流をＩｏとし、このときの出力
電圧をＶ_L とする。図４（Ａ）に示す状態から入力信号
Ｖ_IN（今までロウレベルにあった）がハイレベルに切り
換わったときの動作は図４（Ｂ）に示すとおりになる。
このとき最終段への入力電圧は、入力信号Ｖ_INの振幅を
ΔＶとしたとき、Ｖ_B ＋ΔＶとなる。そして、駆動ＭＯ
ＳトランジスタＭ_D （図３のＭ５に相当する。）は飽和
領域で動作している状態になるので、これＭ_D に流れる
電流Ｉは、下記の式数１で表される。

【００１０】

【数１】

【００１１】ここで、Ｌeff ：トランジスタＭ_D の実効
ゲート長、Ｗ：トランジスタＭ_D のゲート幅、ｄox：ゲ
ート酸化膜の膜厚、εox：ゲート酸化膜を成すＳｉＯ₂
の誘電率、Ｎeff ：電子の実効モビリティである。

【００１２】ここで、出力電圧の立ち上がり時間をｔと
すると、Ｃ_L ・ΔＶ＝Ｉ_L ・ｔであることから、ｔ＝
（Ｃ_L ・ΔＶ）Ｉ_L と略言える。即ち、立ち上がり時間
t はＩ_L に反比例するのである。従って、この立ち上が
り時間ｔを短くするには、駆動トランジスタＭ_D の（Ｗ
・Ｎeff ）／（Ｌeff ・ｄox）、即ちｇｍを大きくすれ
ば良いということになる。

【００１３】次に、入力信号Ｖ_INがハイレベルからロウ
レベルへ立ち下がった場合を考察する。この最終段のソ
ースフォロア回路において、入力信号Ｖ_INがハイレベル
で回路が定常状態にあったとすると、出力もハイレベル
になり、負荷ＭＯＳトランジスタＭ_L は定電流源として
動作しているので、このとき該負荷ＭＯＳトランジスタ
Ｍ_L に流れる電流もＩｏである。尚、この時の出力電圧
をＶ_H とする。

【００１４】この状態で入力信号Ｖ_INがハイレベルから
ロウレベルに切り換わったときの動作を図４（Ｃ）に示
す。この時の入力電圧はＶ_B ＋ΔＶ（ΔＶ：入力パルス
の振幅）からＶ_B に戻る。この時負荷容量Ｃ_L に蓄積さ
れていた電荷が電流Ｉ_L の形となって負荷ＭＯＳトラン
ジスタＭ_L を通じて放電して出力電圧はＶ_H からＶ
_L（Ｖ_L ：ロウレベルのときの出力電圧）に遷移する。
そして、上述したように負荷ＭＯＳトランジスタＭ_L は
定電流源であり、そこに流れる電流Ｉｏは或る一定の値
であるので、放電電流Ｉ_L はその定電流Ｉｏを越えるこ
とは不可能である。即ち、Ｉ_L ≦Ｉｏとなり、ｄＶout
／ｄｔ≦Ｉｏ／Ｃ_L となる。

【００１５】従って、立ち下がり時間の短縮をするに
は、ＣＣＤ固体撮像素子の最終段の負荷ＭＯＳトランジ
スタＭ_L に流す電流、即ち定電流源の電流値Ｉｏを大き
くすることが必要であるが、そうすると、当然にＣＣＤ
固体撮像素子の電流値が大きくなってしまうのである。
即ち、従来の図３に示すような出力回路によれば、信号
の立ち上がりに関しては最終段の駆動トランジスタのｇ
ｍを大きくすることにより周波数特性を高めることがで
きるが、立ち下がりに関しての周波数特性は負荷ＭＯＳ
トランジスタＭ_L に流す電流Ｉｏと負荷容量Ｃ_L だけで
決まるスルーレートにより律則され、負荷容量Ｃ_L が一
定であるとすると、電流Ｉｏを増やすことなくして高速
性を向上させることは不可能である。少なくとも、現在
定電流Ｉｏを許容範囲（十数ｍＡ）に止めると、上述し
た水平転送レジスタの１本化に対応することができる周
波数特性を得ることができないのが実状である。

【００１６】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、ソースフォロア回路を複数個縦続接
続してなるＣＣＤ固体撮像素子の出力回路において、Ｃ
ＣＤ固体撮像素子の消費電力の増加を伴うことなく周波
数特性の向上を図ることを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】請求項１のＣＣＤ固体撮
像素子の出力回路は、最終段のソースフォロア回路を、
ＮチャンネルＭＯＳトランジスタとＰチャンネルＭＯＳ
トランジスタからなるプッシュプル回路で構成してなる
ことを特徴とする。

【００１８】従って、請求項１のＣＣＤ固体撮像素子の
出力回路によれば、従来、電流供給ＭＯＳトランジスタ
としてのみ機能し、定電流源としての役割しか果たさな
かったＭＯＳトランジスタをＰチャンネルＭＯＳトラン
ジスタにより構成し、該ＰチャンネルＭＯＳトランジス
タにも入力信号（最終段のソースフォロア回路に対する
入力信号）を印加するようにしたので、入力信号の立ち
上がりのときは従来から駆動トランジスタとしての役割
を果たしていたＮチャンネルＭＯＳトランジスタにソー
スフォロアの駆動トランジスタの機能を果たさせ、立ち
下がり時にはそのＰチャンネルＭＯＳトランジスタにソ
ースフォロアの駆動トランジスタとして機能させること
ができる。従って、立ち下がり時における高速性を、消
費電流を増加させなくてもＰチャンネルＭＯＳトランジ
スタのｇｍを高める事で、高めることができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明ＣＣＤ固体撮像素子の出力
回路は、最終段のソースフォロア回路を、Ｎチャンネル
ＭＯＳトランジスタとＰチャンネルＭＯＳトランジスタ
からなるプッシュプル回路で構成してなる。Ｎチャンネ
ルＭＯＳトランジスタとＰチャンネルＭＯＳトランジス
タを共にデプレッションモードにすると、定常状態にお
いてアイドリング電流を流すことができる。そして、ア
イドリング電流を流すようにすることにより変換効率の
低下を防止し、また、周波数特性を高くすることができ
る。しかし、アイドリング電流を流すようにすることは
絶対に必要であると言うわけではない。上記プッシュプ
ル回路を構成する二つのトランジスタを共にエンファン
スメントモードにするという形態でも本発明を実施する
ことができる。

【００２０】

【実施例】以下、本発明を図示実施例に従って詳細に説
明する。図１は本発明ＣＣＤ固体撮像素子の出力回路の
第１の実施例３ａを示す回路図である。図面において、
Ｍ１はゲートがＣＣＤ固体撮像素子のフローティングデ
ィフュージョン領域ＦＤ（図２参照）に接続されたＭＯ
Ｓトランジスタで、初段のソースフォロア回路の駆動ト
ランジスタを成し、ドレインは電源Ｖ_DD端子に接続され
ている。Ｍ２はそれに対しての電流供給手段を成すＭＯ
Ｓトランジスタで、そのゲートは一定電圧Ｖ_GGを受け、
ドレインはＭＯＳトランジスタＭ１のソースに、ソース
は抵抗Ｒ_SSを介して接地されている。Ｍ３は次段のソー
スフォロア回路の駆動トランジスタを成すＭＯＳトラン
ジスタ、Ｍ４はその電流供給手段を成すＭＯＳトランジ
スタで、そのソースは上記抵抗Ｒ_SSを介して接地され、
ゲートは一定電圧Ｖ_GGを受けている。Ｍ１〜Ｍ４はＮチ
ャンネルＭＯＳトランジスタで、駆動ＭＯＳトランジス
タＭ１、Ｍ３はエンファンスメントモード、負荷ＭＯＳ
トランジスタＭ２、Ｍ４はデプレッションモードのトラ
ンジスタである。

【００２１】Ｍ_N 、Ｍ_P は出力回路の最終段を成すＭＯ
Ｓトランジスタで、Ｍ_N がＮチャンネルＭＯＳトランジ
スタ、Ｍ_P がＰチャンネルＭＯＳトランジスタであり、
共にＭ３、Ｍ４からなる第２段目のソースフォロア回路
の出力信号を受けてプッシュプル動作をする。そして、
アイドリング動作をするように、具体的には、定常状態
でアイドリング電流（例えば１０ｍＡ程度）が流れるよ
うに、ＭＯＳトランジスタＭ_N 、Ｍ_P は共にデプレッシ
ョンモードにされている。

【００２２】このような出力回路によれば、最終段への
入力信号が立ち上がったときはＮチャンネルＭＯＳトラ
ンジスタＭ_N がオンし、ＰチャンネルＭＯＳトランジス
タＭ_P が略オフする（このトランジスタＭ_P がデプレッ
ションモードなので完全にはオフせず若干電流が流れ
る。）。従って、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＭ_N
がエミッタフォロア回路の駆動トランジスタとして機能
し、該トランジスタＭ_Nを通じて出力側（負荷容量）が
充電される。この場合、ＰチャンネルＭＯＳトランジス
タＭ_P が略カットオフするので、従来よりも速く負荷容
量の充電ができ、立ち上がり速度を速めることができ
る。

【００２３】次に、最終段への入力信号が立ち下がった
ときは、逆にＮチャンネルＭＯＳトランジスタＭ_N が略
オフ（このトランジスタＭ_N はデプレッションモードな
ので完全にはオフしない。）し、ＰチャンネルＭＯＳト
ランジスタＭ_P がオンする。従って、このときはＰチャ
ンネルＭＯＳトランジスタＭ_P がこの最終段のソースフ
ォロア回路の駆動トランジスタとして機能し、このトラ
ンジスタＭ_P を通して出力側（負荷容量）が放電され
る。このオンし、飽和状態になるトランジスタＭ_P を通
じて放電できるので、従来の場合よりも顕著に立ち下が
り速度を高めることができる。

【００２４】即ち、従来においては立ち下がりには定電
流手段たる負荷ＭＯＳトランジスタ（能動的動作をしな
いので実質的には受動素子でしかない。）を通じて放電
するしかなかったが、本出力回路３ａによれば、能動的
動作をするＰチャンネルＭＯＳトランジスタＭ_P を通じ
て放電させるようにし、立ち上がり動作のみならず立ち
下がり動作をも能動的動作により為すようにすることが
できるのである。従って、従来における立ち下がり速度
を電流の増大を伴うことなく高めることができなかった
という問題を解決することができる。

【００２５】依って、ＨＤ−ＣＣＤ型固体撮像素子のプ
ログレシブスキャン化の実現が可能となり、ＨＤ−ＣＣ
Ｄ型固体撮像素子において水平転送レジスタの１本化も
可能となるし、また、通常のＣＣＤ固体撮像素子におい
ても低消費電力化に寄与する、或いは消費電力の増大を
伴うこと無く周波数特性（特に立ち下がりの高速性）の
向上を図ることができる。

【００２６】尚、本出力回路は、最終段のＮチャンネル
ＭＯＳトランジスタＭ_N と、ＰチャンネルＭＯＳトラン
ジスタＭ_P を共にデプレッションモードにしてどんなと
きでも最低或る値（例えば１０ｍＡ）のアイドリング電
流を流れるようにしているが、そのようにする理由を次
に述べる。その理由は二つあり、第１の理由は変換効率
の低下を防ぐという理由である。図５（Ａ）はそのプッ
シュプル回路を成すＭＯＳトランジスタＭ_N とＭ_P が共
にエンファンスメントモードであった場合の問題点を示
す回路図である。ここで、その二つのＭＯＳトランジス
タＭ_N 及びＭ_Pが共にエンファンスメントモードであ
り、そのしきい値電圧Ｖｔｈが０．５Ｖであったとし、
電源電圧Ｖ_DDが１０Ｖ、入力信号ＩＮを２Ｖ_P-P の矩形
波であるとする。そして、入力信号がロウレベル（４
Ｖ）になると、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＭ_N が
オフし、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＭ_P がオン
し、出力信号はやはりロウレベルになるが、その出力レ
ベルＯＵＴはＰチャンネルＭＯＳトランジスタＭ_N のゲ
ートよりそのしきい値電圧（０．５Ｖ）分高い４．５Ｖ
となる。逆に、入力信号ＩＮがハイレベル（６Ｖ）にな
ると、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＭ_N がオンし、
ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＭ_P がオフし、出力信
号はやはりハイレベルになりますが、その電位はトラン
ジスタＭ_N のゲートよりも０．５Ｖ低い５．５Ｖにな
る。従って、入力信号の振幅は２Ｖ（６−４Ｖ）である
が、出力信号の振幅は１Ｖ（５．５−４．５Ｖ）と小さ
くなる。つまり、二つのトランジスタＭ_N 、Ｍ_P のしき
い値電圧の和の分出力信号の振幅が入力信号の振幅より
も小さくなる。これは、回路の動作中に二つのトランジ
スタＭ_N、Ｍ_P が共にオフとなる期間が存在するためで
ある。従って、必ず少なくともいずれか一方のトランジ
スタがオンするようにすると、このような変換効率の低
下はおきる。

【００２７】そこで、そのようにする手段として図５
（Ｂ）に示すようにバイアス回路を設けてゲート・ソー
ス間にトランジスタのしきい値電圧Ｖｔｈ以上の電圧
（例えば１Ｖ）を常に印加するようにすることが考えら
れる。しかし、このようにした場合には、このバイアス
回路にも電流が流れ、消費電流が増大する要因になり、
また、前段のソースフォロア回路の負荷が増大し、その
結果、周波数特性の低下という問題が生じるし、また、
素子数の増大にも繋がる。従って、ＣＣＤ固体撮像素子
用の出力回路としては適当ではない。

【００２８】結局、両方のトランジスタＭ_N と、Ｍ_P を
デプレッションモードにしてどんなときでも或る値のア
イドリング電流（例えば１０ｍＡ）以上の電流が常に流
れるようにすることが最適であると言えるのである。

【００２９】常に最低限アイドリング電流が流れるよう
にする第２の理由はソースフォロア回路の周波数特性を
高めるためである。即ち、図５（Ｃ）において模式的に
示すソースフォロア回路の周波数特性ｆｃ（遮断周波
数）は、ｆｃ＝ｇｍ／２πＣ_L（Ｃ_L ：負荷容量）とな
り、そして、そのｇｍは電流Ｉの平方根に比例するの
で、或る程度の電流Ｉを流さないと、ｇｍを高くするこ
とができず、ｇｍを高くすることができなければ周波数
特性を高くすることできないのである。例えば、４００
ＭＨｚ（遮断周波数）程度の周波数特性を得るためには
アイドリング電流として１０ｍＡ程度の電流を流すこと
が必要のようである。

【００３０】但し、上述した各種不利益を甘受するなら
ば、最終段の二つのトランジスタＭＮ、ＭＰを共にエン
ファンスメントモードするようにしても良い。

【００３１】

【発明の効果】請求項１のＣＣＤ固体撮像素子の出力回
路によれば、従来、電流供給ＭＯＳトランジスタとして
のみ機能し、定電流源としての役割しか果たさなかった
ＭＯＳトランジスタをＰチャンネルＭＯＳトランジスタ
により構成し、該ＰチャンネルＭＯＳトランジスタにも
入力信号を印加するようにしたので、入力信号の立ち上
がりのときは従来から駆動トランジスタとしての役割を
果たしていたＮチャンネルＭＯＳトランジスタにソース
フォロアの駆動トランジスタの機能を果たさせ、立ち下
がり時にはそのＰチャンネルＭＯＳトランジスタにソー
スフォロアの駆動トランジスタとして機能させることが
できる。従って、立ち下がり時における高速性を、特に
消費電流を増加させなくてもＰチャンネルＭＯＳトラン
ジスタのｇｍを高めることにより、高めることができ
る。

【００３２】請求項２のＣＣＤ固体撮像素子の出力回路
によれば、最終段を成すＮチャンネルＭＯＳトランジス
タ及びＰチャンネルＭＯＳトランジスタの双方をデプレ
ッションモードにしたので、動作中はどのようなときで
も最低限アイドリング電流が流れるようにすることがで
き、延いては、変換効率の低下、周波数特性の低下が生
じない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明ＣＣＤ固体撮像素子の出力回路の第１の
実施例を示す回路図である。

【図２】固体撮像素子（従来例、本発明を問わず）の概
略構成図である。

【図３】ＣＣＤ固体撮像素子の出力回路の従来例を示す
回路図である。

【図４】（Ａ）〜（Ｃ）は従来例の問題点を説明するた
めの回路図で、（Ａ）はＣＣＤ固体撮像素子の出力回路
の最終段を示し、（Ｂ）は入力電圧が立ち上がったとき
の動作を示し、（Ｃ）は入力電圧が立ち下がったときの
動作を示す。

【図５】（Ａ）〜（Ｃ）はアイドリング電流を流す理由
を説明する回路図である。

【符号の説明】

１・・・ＣＣＤ固体撮像素子、３ａ・・・出力回路、Ｍ
_N ・・・出力回路の最終段を成すＮチャンネルＭＯＳト
ランジスタ、Ｍ_P ・・・出力回路の最終段を成すＰチャ
ンネルＭＯＳトランジスタ。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ソースフォロア回路を複数個縦続接続し
   てなるＣＣＤ固体撮像素子の出力回路において、 最終段のソースフォロア回路を、ＮチャンネルＭＯＳト
   ランジスタとＰチャンネルＭＯＳトランジスタからなる
   プッシュプル回路で構成してなることを特徴とするＣＣ
   Ｄ固体撮像素子の出力回路。
2. 【請求項２】 最終段を構成するＮチャンネルＭＯＳト
   ランジスタとＰチャンネルＭＯＳトランジスタが共に、
   デプレッションモードであることを特徴とする請求項１
   記載のＣＣＤ固体撮像素子の出力回路。