JPH11236489A - 封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置Info
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Abstract
樹脂組成物において、成形硬化時の剛性を充分確保で
き、離型トラブル等の成形トラブルが生じにくい封止用
エポキシ樹脂組成物と、これを用いた半導体装置を提供
すること。 【解決手段】 封止用エポキシ樹脂組成物は、ビフェニ
ル型エポキシ樹脂を少なくとも含むエポキシ樹脂と、硬
化剤と、硬化促進剤と、充填材とを含み、さらに、添加
剤として少なくとも1つのシクロ環を有するカルボン酸
の無水物を全樹脂量に対して0.1〜3.0重量%含
む。半導体装置は、半導体素子を上記エポキシ樹脂組成
物で封止してなる。
Description
ンジスター、集積回路等の電気・電子部品や半導体装置
等の保護、封止に使用されるエポキシ樹脂組成物と、こ
れを用いた半導体装置に関する。
等の電気・電子部品や半導体装置などの封止方法として
は、たとえば、エポキシ樹脂やシリコン樹脂等による封
止方法や、ガラス、金属、セラミック等を用いたハーメ
チックシール法が採用されているが、近年では、信頼性
の向上とともに大量生産が可能であり、かつ、コストの
面でメリットのあるエポキシ樹脂を用いた低圧トランス
ファー成形による樹脂封止が主流を占めている。
は、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を基体樹
脂成分とし、その硬化剤としてフェノールノボラック樹
脂を用いたエポキシ樹脂組成物からなる成形材料が一般
的に使用されている。しかしながら、IC、LSI、V
LSI等の電子部品や半導体装置の高密度化、高集積化
に伴って、モールド樹脂の薄肉化のためには、従来のエ
ポキシ樹脂組成物では必ずしも満足に対応することがで
きなくなっている。
は、実装時にデバイス自身が半田に直接浸漬される等、
急激に高温過酷な環境下にさらされるため、パッケージ
クラック等の発生が避けられない事態となっている。す
なわち、成形後の保管中に吸湿された水分が高温にさら
される際に急激に気化膨張し、封止樹脂がこれに耐えき
れずにパッケージにクラックが生じる。
エポキシ樹脂組成物については、耐熱性、密着性等の向
上等の検討がなされ、実際に、これらの特性の改良がな
されてきている。たとえば、ビフェニル骨格を有するビ
フェニル型エポキシ樹脂の使用が検討され、改良がなさ
れてきた。
型エポキシ樹脂を用いた場合、反応架橋密度の低下や水
分による硬化促進剤の失活等が原因で、成形硬化時の剛
性が確保できず、成形トラブル、特に離型トラブルの原
因となっていた。そこで、本発明の課題は、ビフェニル
型エポキシ樹脂を用いたエポキシ樹脂組成物において、
成形硬化時の剛性を充分確保でき、離型トラブル等の成
形トラブルが生じにくい封止用エポキシ樹脂組成物と、
これを用いた半導体装置を提供することにある。
め、本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、下記のこと
を見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、ビフ
ェニル型エポキシ樹脂を用いたエポキシ樹脂組成物に、
添加剤として少なくとも1つのシクロ環を有するカルボ
ン酸の無水物を下記所定量添加すれば、ビフェニル型エ
ポキシ樹脂を用いた従来の封止用エポキシ樹脂組成物と
比べて、ビフェニル型エポキシ樹脂の使用による反応架
橋密度の低下や水分による硬化促進剤の失活等が防止さ
れ、その結果、成形硬化時の剛性が充分確保されて、離
型トラブル等の成形トラブルが生じにくくなるというこ
とである。
樹脂組成物は、下記構造式(1)で示されるビフェニル
骨格を有するビフェニル型エポキシ樹脂を少なくとも含
むエポキシ樹脂と、硬化剤と、硬化促進剤と、充填材と
を必須成分として含有してなる封止用エポキシ樹脂組成
物において、さらに、添加剤として少なくとも1つのシ
クロ環を有するカルボン酸の無水物を全樹脂量に対して
0.1〜3.0重量%含むことを特徴とする。
数1〜5のアルキル基。) 本発明にかかる半導体装置は、半導体素子を本発明の封
止用エポキシ樹脂組成物で封止してなる。
樹脂として用いられるビフェニル型エポキシ樹脂は、前
記構造式(1)で示されるビフェニル骨格を有する。式
(1)中、R1 〜R8 は水素原子または炭素数1〜5の
アルキル基であれば特に限定はされない。
エポキシ樹脂が必ず使用されるが、これ以外のエポキシ
樹脂を併用しても良い。ビフェニル型エポキシ樹脂と併
用可能なエポキシ樹脂は、1分子中に2個以上のエポキ
シ基を持っていれば特に制限はないが、好ましい例とし
ては、下記構造式(2):
するジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、クレゾール
(ノボラック)型エポキシ樹脂、ビスフェノール型(A
型、F型、S型等)エポキシ樹脂、トリフェニルメタン
型エポキシ樹脂、ブロム含有エポキシ樹脂、ナフタレン
環含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、トリグリシ
ジルイソシアヌレート、脂肪族系エポキシ樹脂等が挙げ
られ、これらの中から1種のみまたは2種以上選んで使
用できる。これらの中でもジシクロペンタジエン型エポ
キシ樹脂が、低吸湿性、耐(湿)リフロー性等の点から
特に好ましい。
としては、特に限定はされないが、たとえば、下記構造
式(2−1)で示されるものが挙げられる。
樹脂は、たとえば、大日本インキ化学工業(株)EXA
7200の他、日本化薬(株)から市販されている。前
記ビフェニル型エポキシ樹脂の使用量は、エポキシ樹脂
組成物中の全エポキシ樹脂に対し、20〜100重量%
の割合であることが好ましい。20重量%を下回ると、
耐熱性、密着性等の向上効果が低くなる傾向がある。
ものであれば特に制限はないが、光半導体封止のために
は比較的着色の少ないものが好ましい。好ましい例とし
ては、1分子中にフェノール性水酸基を2個以上有する
もの、たとえば、フェノールノボラック、クレゾールノ
ボラック、フェノールアラルキル、ナフトールアラルキ
ル、トリフェニルメタン型フェノール、その他の各種多
価フェノール化合物などを1種または2種以上用いるこ
とができる。多価フェノール化合物の中でも、下記構造
式(3)で示される骨格を有するフェノールアラルキル
樹脂および下記構造式(4)で示されるテルペン骨格を
有するフェノール樹脂からなる群の中から選ばれた少な
くとも1種を使用することが、低吸湿性、耐(湿)リフ
ロー性等の点で特に好ましい。
は前記構造式(4)のフェノール樹脂の使用割合は、2
0〜100重量%であることが好ましい。20重量%を
下回ると、これらのフェノール樹脂を使用した効果が充
分に得られない恐れがある。
は、エポキシ樹脂1当量に対して硬化剤の当量を0.5
〜1.5の範囲に設定することが好ましく、特に好まし
くは0.7〜1.0である。硬化剤の当量が0.5未満
であれば離型性が悪く、1.5を超えると吸湿が増加
し、信頼性が悪くなる傾向がある。硬化促進剤として
は、エポキシ樹脂と硬化剤の反応を促進させる作用があ
るものであれば特に制限はないが、好ましい例として
は、トリフェニルホスフィン、ジフェニルホスフィン等
の有機ホスフィン類等の有機リン化合物;2−メチルイ
ミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル
−4−メチルイミダゾール等のイミダゾール類;1,8
−ジアザビシクロ〔5,4,0〕ウンデセン−7(「D
BU」とも言う)、ジアザビシクロノナン(「DBN」
とも言う)、トリエタノールアミン、ベンジルジメチル
アミン等の3級アミン化合物;テトラフェニルホスホニ
ウム・テトラフェニルボレート等の有機塩類等を用いる
ことができる。これらは1種のみ用いてもよいし2種以
上併用してもよい。これらの中でも有機リン化合物およ
び/または3級アミン化合物の使用が、耐湿信頼性、耐
(湿)リフロー性等の点で特に好ましい。
成物全体に対して0.25〜5重量%であることが好ま
しい。硬化促進剤の配合量が0.25重量%未満では、
ゲル化時間が遅くなり、硬化不足により作業性を著しく
低下させる傾向がみられ、逆に5重量%を超えると、硬
化が急速に進み、その結果、発熱が大きくなってクラッ
クや発泡、成形トラブルを生じる恐れがあるからであ
る。
樹脂硬化物にクラックを生じにくくさせたりするため
に、充填材が配合される。充填材としては、特に限定す
る訳ではないが、たとえば、溶融シリカ、結晶シリカ、
アルミナ、窒化珪素等の無機充填材等を1種または2種
以上用いることができる。これらの中でも溶融シリカ
が、流動性、耐(湿)リフロー性等の点で好ましい。
0重量%であることが好ましい。本発明の封止用エポキ
シ樹脂組成物には、ビフェニル型エポキシ樹脂の使用に
よる反応架橋密度の低下や水分による硬化促進剤の失活
等を防止して成形硬化時の剛性を充分確保するために、
添加剤として、少なくとも1つのシクロ環を有するカル
ボン酸の無水物が配合される。その具体例としては、特
に限定はされないが、たとえば、テトラヒドロフタル
酸、ヘキサヒドロフタル酸、4−メチルテトラヒドロフ
タル酸、4−メチルヘキサヒドロフタル酸、3−メチル
テトラヒドロフタル酸、コハク酸、ドデセニルコハク
酸、ポリアゼライン酸、エチレングリコールビス(トリ
メリテート)、グリセロールトリス(トリメリテート)
等のカルボン酸の無水物およびその変性物等が挙げられ
る。これらは1種のみ用いても2種以上併用してもよ
い。
無水物の配合量は、エポキシ樹脂組成物の全樹脂量に対
して0.1〜3.0重量%の割合であり、好ましくは
0.3〜1.5重量%、より好ましくは0.5〜1.0
重量%である。0.1重量%未満だと、添加した効果が
充分に得られない恐れがあり、3.0重量%を超える
と、耐湿信頼性が悪化する恐れがある。
への配合時や組成物の保存時等に、その一部が水分と反
応してカルボン酸になっても差し支えない。エポキシ樹
脂組成物による樹脂封止は金型を用いて行うのが、普通
であり、脱型を容易にするために、本発明にかかるエポ
キシ樹脂組成物でも離型剤を配合しておくことが好まし
い。離型剤としては、例えば、天然カルナバ系、高級脂
肪酸、ポリエチレン系ワックスなどを用いることがで
き、1種のみ用いても2種以上併用してもよい。具体的
には、カルナバワックス、ステアリン酸、ステアリン酸
誘導体、モンタン酸、モンタン酸誘導体、カルボキシル
基含有ポリオレフイン等が好ましく用いられる。これら
は1種のみ使用されるほか、2種以上が併用されること
もある。離型剤の配合割合は組成物全体の0.05〜
1.5重量%であることが好ましい。
には、必要に応じて、着色剤、低応力化剤、難燃剤、カ
ップリング剤等が適宜量添加されていてもよい。着色剤
としては、例えばカーボンブラック、酸化チタン等の顔
料等が挙げられる。低応力化剤としては、例えば、シリ
コーンゲル、シリコーンゴム、シリコーンオイル等が挙
げられる。難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモ
ン、ハロゲン化合物、リン化合物等が挙げられる。カッ
プリング剤としては、例えば、γ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメ
トキシシラン等のシランカップリング剤等が挙げられ
る。前記着色剤、低応力化剤、難燃剤、カップリング剤
等はそれぞれ2種類以上を併用することもできる。
各成分をミキサー、ブレンダー等によって均一に混合し
たのち、ロール、ニーダー等によって混練することで製
造することができる。成分の配合順序は特に制限はな
い。本発明のエポキシ樹脂組成物は、より具体的には、
例えば、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、充填材、
カルボン酸の無水物、さらには必要に応じてその他の配
合成分を溶解混合又は溶融混合した後、3本ロール等で
溶融混練し、この混練物を冷却・固化した後、粉砕し、
必要ならタブレット状に打錠することにより製造するこ
とができる。性状が室温で液状の場合は、溶解混合又は
溶融混練までで製造することができる。 (半導体装置の封止)このようにして得られたエポキシ
樹脂組成物は、金型を用い、固形の場合はタブレットを
トランスファー成形することにより、また、液状の場合
はキャスティングやポッティング、印刷等の方式で注
型、硬化させることにより、光半導体装置等の半導体装
置のリードフレームや積層板に搭載した半導体素子を封
止することができる。
および熱伝導性(より高機能の素子および大型素子は発
熱量がより多い)の点で銅や銅合金製のリードフレーム
が、また、熱膨張率の点で42アロイ合金製のリードフ
レームが一般に使用される。これらのリードフレーム
は、金線等のボンディングワイヤーとの接着性が低いた
め、リードフレームのボンディングワイヤーと接続しよ
うとする部分にあらかじめ銀メッキや金メッキを行った
後、ボンディングワイヤーと接続し、接続の信頼性を改
良するようにしている。銅系のリードフレームではニッ
ケルや銀、金のメッキ処理を行うことが多い。
細に説明する。なお、本発明は下記実施例に限定されな
い。 <実施例1〜8および比較例1〜3>表1〜3に示す配
合(配合量の単位は重量基準)でエポキシ樹脂組成物を
製造し、半導体装置の封止を行った。表中、各成分の詳
細は下記の通り。
ェニル骨格を有するビフェニル型エポキシ樹脂(油化シ
ェルエポキシ(株)製、エポキシ当量195、品番YX
4000H)。 エポキシ樹脂B:前記構造式(2−1)のジシクロペン
タジエン型エポキシ樹脂(大日本インキ化学(株)製、
エポキシ当量264、品番HP7200)。
ク型エポキシ樹脂(住友化学(株)製、エポキシ当量1
95、品番ESCN−195XL)。 エポキシ樹脂D:ブロム化エポキシ樹脂(住友化学
(株)製、エポキシ当量400、品番ESB400
T)。 硬化剤A:前記構造式(3)の骨格を有するフェノール
アラルキル樹脂(住金化工(株)製、水酸基当量16
9、品番HE100)。
格を有するフェノール樹脂(油化シェル(株)製、水酸
基当量175、品番MP402FPY)。 硬化剤C:フェノールノボラック樹脂(荒川化学(株)
製、水酸基当量105、品番タマノール)。 カルボン酸無水物:4−メチルヘキサヒドロ無水フタル
酸(新日本理化(株)製、品番リカシッドMH)。
(北興化学(株)製)。 硬化促進剤B:1,8−ジアザビシクロ〔5,4,0〕
ウンデセン−7(サンアプロ(株)製)。 硬化促進剤C:2−フェニルイミダゾール(四国化成工
業(株)製)。 離型剤:天然カルナバワックス。
アル(株)製、品番Sb203−NT)。 顔料:カーボンブラック(三菱マテリアル(株)製、品
番750−B)。 充填材:溶融シリカ(龍森社製)。 カップリング剤:γ−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシラン(信越化学(株)製、品番KBM403E)。
おりであった。 (エポキシ樹脂組成物の製造条件):各成分をミキサ
ー、ブレンダー等によって30分間均一に混合した後、
ロール、ニーダー等によって処理し、次いで冷却固化し
た。その後、粉砕機で粉砕して、封止材料を得た。
成形品について、以下の方法で特性評価試験を行った。 (吸湿率):材料をタブレット化し、トランスファー成
形することにより得られた直径50mm、厚さ3.0m
mの円板状のテストピースを85℃、85%RHの雰囲
気下に72時間放置した時の吸湿率を測定した。 (ショアーD硬度):材料をタブレット化し、トランス
ファー成形することにより得られた直径50mm、厚さ
3.0mmの円板状のテストピースを成形完了後、金型
が開き始めてから20±5秒後にショアーD硬度計(東
洋精機(株)製)で測定した。測定値が70以下になる
と離型不良等の成形トラブルが発生する。 (耐湿リフロー性):金型温度175±5℃、注入時間
(スピード)10秒、加圧(キュアー)時間120秒、
注入圧力60kg/cm2 の成形条件で得られた成形品
を175℃で6時間アフターキュアーすることにより、
60QFP TEG(外径サイズ:15mm×19mm
×厚さ2.4mm)の評価用パッケージを得た。このパ
ッケージを85℃、85%RHの雰囲気下に72時間放
置して吸湿させた後、IRリフロー処理(EIAJ規
格)を行い、実体顕微鏡でクラックの有無を観察した。 (耐湿信頼性):上記耐湿リフロー性処理後のパッケー
ジをPCT:133℃/100%RHの条件下に500
時間放置した時のオープン不良発生数をカウントした。
添加剤として少なくとも1つのシクロ環を有するカルボ
ン酸の無水物を前記所定量含むため、ビフェニル型エポ
キシ樹脂の使用による耐熱性、密着性等の向上の利点を
生かしつつ、反応架橋密度の低下や水分による硬化促進
剤の失活等を防止でき、成形硬化時の剛性を充分確保で
きるので、離型トラブル等の成形トラブルを生じにく
い。
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物で封止してなるもの
であるため、耐熱性、密着性等の性能に優れるととも
に、樹脂封止時に離型トラブル等の成形トラブルを生じ
ることなく製造することができる。
Claims (5)
- 【請求項1】下記構造式(1)で示されるビフェニル骨
格を有するビフェニル型エポキシ樹脂を少なくとも含む
エポキシ樹脂と、硬化剤と、硬化促進剤と、充填材とを
必須成分として含有してなる封止用エポキシ樹脂組成物
において、さらに、添加剤として少なくとも1つのシク
ロ環を有するカルボン酸の無水物を全樹脂量に対して
0.1〜3.0重量%含むことを特徴とする、封止用エ
ポキシ樹脂組成物。 【化1】 (式中、R1 〜R8 は水素原子または炭素数1〜5のア
ルキル基。) - 【請求項2】前記エポキシ樹脂として下記構造式(2)
で示されるジシクロペンタジエン骨格を有するジシクロ
ペンタジエン型エポキシ樹脂をさらに含む、請求項1に
記載の封止用エポキシ樹脂組成物。 【化2】 - 【請求項3】前記硬化剤として、下記構造式(3)で示
される骨格を有するフェノール樹脂および下記構造式
(4)で示される骨格を有するフェノール樹脂からなる
群の中から選ばれた少なくとも1種を少なくとも含む、
請求項1または2に記載の封止用エポキシ樹脂組成物。 【化3】 (式中、nは1〜5の整数。) - 【請求項4】前記硬化促進剤として、有機リン化合物お
よび3級アミン化合物からなる群の中から選ばれた少な
くとも1種を少なくとも含む、請求項1から3までのい
ずれかに記載の封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項5】半導体素子を請求項1から4までのいずれ
かに記載の封止用エポキシ樹脂組成物で封止してなる半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04077898A JP3370271B2 (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | 封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04077898A JP3370271B2 (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | 封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11236489A true JPH11236489A (ja) | 1999-08-31 |
| JP3370271B2 JP3370271B2 (ja) | 2003-01-27 |
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ID=12590098
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04077898A Expired - Fee Related JP3370271B2 (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | 封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3370271B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001234033A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物および光半導体装置 |
| JP2002097252A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 光半導体装置用樹脂組成物及び光半導体装置 |
| JP2008509241A (ja) * | 2004-08-05 | 2008-03-27 | フライズ・メタルズ・インコーポレイテッド | 電子デバイス用の低空孔で非流動性のフラクシングアンダーフィル |
| JP2008285591A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびその硬化体ならびにそれを用いた光半導体装置 |
| JP2012077214A (ja) * | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Namics Corp | エポキシ樹脂組成物及びそれを使用した半導体装置 |
-
1998
- 1998-02-23 JP JP04077898A patent/JP3370271B2/ja not_active Expired - Fee Related
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