JPH11237650A - 光スイッチ - Google Patents
光スイッチInfo
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- JPH11237650A JPH11237650A JP10039002A JP3900298A JPH11237650A JP H11237650 A JPH11237650 A JP H11237650A JP 10039002 A JP10039002 A JP 10039002A JP 3900298 A JP3900298 A JP 3900298A JP H11237650 A JPH11237650 A JP H11237650A
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- Japan
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- optical switch
- optical
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 信号光を全反射の臨界角付近で入射させるこ
とにより、材料の小さな非線形光学応答の変化量で大き
な信号のオンオフ比が得られる光スイッチデバイスの方
式を提供するものである。 【解決手段】 光スイッチは、屈折率がｎ１の第１の媒
体と、第１の媒体に平面で接合し、前記第１の媒体より
も小さな屈折率ｎ２の第２の媒体とからなり、第１の媒
体と第２の媒体の少なくともいずれか一方の屈折率が光
照射により変化し、第１の媒体から第２の媒体への入射
角度をＡｒｃＳｉｎ（ｎ２／ｎ１）で光を導波させるた
めの光入力部と、第１の媒体の反射光をとり出すための
光出力部と、第２の媒体の透過光をとり出すための光出
力部を有する。
とにより、材料の小さな非線形光学応答の変化量で大き
な信号のオンオフ比が得られる光スイッチデバイスの方
式を提供するものである。 【解決手段】 光スイッチは、屈折率がｎ１の第１の媒
体と、第１の媒体に平面で接合し、前記第１の媒体より
も小さな屈折率ｎ２の第２の媒体とからなり、第１の媒
体と第２の媒体の少なくともいずれか一方の屈折率が光
照射により変化し、第１の媒体から第２の媒体への入射
角度をＡｒｃＳｉｎ（ｎ２／ｎ１）で光を導波させるた
めの光入力部と、第１の媒体の反射光をとり出すための
光出力部と、第２の媒体の透過光をとり出すための光出
力部を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信システムに
おいて、光データを高速に切り替えるための光スイッチ
に関するものであり、特に光の全反射特性を利用した光
スイッチに関するものである。
おいて、光データを高速に切り替えるための光スイッチ
に関するものであり、特に光の全反射特性を利用した光
スイッチに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光通信システムの拡大に伴うデー
タ転送の大容量化の需要が高まり、高速に処理が可能な
光スイッチが必要となっている。このような光スイッチ
には高速性以外に効率、高集積化および高信頼性等の諸
特性が要求されている。
タ転送の大容量化の需要が高まり、高速に処理が可能な
光スイッチが必要となっている。このような光スイッチ
には高速性以外に効率、高集積化および高信頼性等の諸
特性が要求されている。
【０００３】米国特許４８２８３６２号明細書に示され
た従来の光制御の全反射を用いた光スイッチでは、交差
導波路の交差付近に屈折率変化が生じる領域を設けた構
成をしており、ファイバを用いて光を照射して透過率の
制御を行っている。
た従来の光制御の全反射を用いた光スイッチでは、交差
導波路の交差付近に屈折率変化が生じる領域を設けた構
成をしており、ファイバを用いて光を照射して透過率の
制御を行っている。
【０００４】また、特開平７−１５２０５３号公報に示
された全反射を用いた光スイッチでは、屈折率を変化さ
せる手段としてエレクトロクロミック材料を使用して電
圧をかけることを用いている。
された全反射を用いた光スイッチでは、屈折率を変化さ
せる手段としてエレクトロクロミック材料を使用して電
圧をかけることを用いている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の光制御の全反射
を用いた光スイッチは、オン状態の信号の強度を大きく
することができないため、大きな屈折率変化が必要であ
った。そのために、大きな非線形材料を用いるか、或い
は強い制御光を用いる必要があるという問題があった。
を用いた光スイッチは、オン状態の信号の強度を大きく
することができないため、大きな屈折率変化が必要であ
った。そのために、大きな非線形材料を用いるか、或い
は強い制御光を用いる必要があるという問題があった。
【０００６】また、エレクトロクロミック材料を用いて
電圧をかける方法では、電気信号の制御が光信号に比べ
て遅いという問題があった。
電圧をかける方法では、電気信号の制御が光信号に比べ
て遅いという問題があった。
【０００７】本発明は、上記従来技術の問題点を解消し
ようとするもので、全反射の臨界角近くで光を入射させ
ることにより、オン状態の信号強度を大きくして、小さ
な屈折率変化でもスイッチ動作が可能な光スイッチを提
供することである。
ようとするもので、全反射の臨界角近くで光を入射させ
ることにより、オン状態の信号強度を大きくして、小さ
な屈折率変化でもスイッチ動作が可能な光スイッチを提
供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、請求項１の発明に係わる全反射型スイッチは、屈
折率がｎ１で光照射により屈折率が変化しうる第１の媒
体と、第１の媒体に平面で接合し屈折率ｎ２が前記第１
の媒体よりも小さな第２の媒体からなり、第１の媒体か
ら第２の媒体への入射角度をＡｒｃＳｉｎ（ｎ２／ｎ
１）で光を導波させる手段と、第２の媒体から光出力を
とり出す手段を有することを特徴とする。
めに、請求項１の発明に係わる全反射型スイッチは、屈
折率がｎ１で光照射により屈折率が変化しうる第１の媒
体と、第１の媒体に平面で接合し屈折率ｎ２が前記第１
の媒体よりも小さな第２の媒体からなり、第１の媒体か
ら第２の媒体への入射角度をＡｒｃＳｉｎ（ｎ２／ｎ
１）で光を導波させる手段と、第２の媒体から光出力を
とり出す手段を有することを特徴とする。
【０００９】請求項２の発明に係わる全反射型スイッチ
は、前記第１の媒体がＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡ
ｓ／ＡｌＧａＡｓ量子井戸、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＧ
ａＡｓ量子井戸の少なくともいずれか１つを含み、前記
第２の媒体がＧａＰ、ＩｎＰを含むものである。
は、前記第１の媒体がＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡ
ｓ／ＡｌＧａＡｓ量子井戸、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＧ
ａＡｓ量子井戸の少なくともいずれか１つを含み、前記
第２の媒体がＧａＰ、ＩｎＰを含むものである。
【００１０】請求項３の発明に係わる全反射型スイッチ
は、前記第１の媒体が半導体ドープのガラスであり、前
記第２の媒体が半導体ドープしていないガラスにより構
成される。
は、前記第１の媒体が半導体ドープのガラスであり、前
記第２の媒体が半導体ドープしていないガラスにより構
成される。
【００１１】請求項４の発明に係わる全反射型スイッチ
は、２つの光スイッチを備え、一方の光出力部と他方の
光入力部を導波路で接続したものである。
は、２つの光スイッチを備え、一方の光出力部と他方の
光入力部を導波路で接続したものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、添付図面により本発明の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【００１３】実施の形態１．図１は本発明の実施の形態
１に係る全反射型光スイッチの光学配置を示す説明図、
図２は実施の形態１に係る反射率の角度依存性を示す説
明図、図３は実施の形態１に係る全反射型光スイッチの
透過率変化の角度依存性を示す説明図である。
１に係る全反射型光スイッチの光学配置を示す説明図、
図２は実施の形態１に係る反射率の角度依存性を示す説
明図、図３は実施の形態１に係る全反射型光スイッチの
透過率変化の角度依存性を示す説明図である。
【００１４】図１において、この実施の形態１のスイッ
チは、屈折率ｎ１の第１の媒体１１と屈折率ｎ１よりも
小さな屈折率ｎ２の第２の媒体１２とが平面状態で接合
されて構成される。第１の媒体１１から第２の媒体１２
へ入射角をθ１でｐ偏光の光を入射させるとき、媒体２
への透過率は次式で表される。
チは、屈折率ｎ１の第１の媒体１１と屈折率ｎ１よりも
小さな屈折率ｎ２の第２の媒体１２とが平面状態で接合
されて構成される。第１の媒体１１から第２の媒体１２
へ入射角をθ１でｐ偏光の光を入射させるとき、媒体２
への透過率は次式で表される。
【００１５】１−｜（ｎ２ｃｏｓθ１−ｎ１ｃｏｓθ
２）／（ ｎ２ｃｏｓθ１−ｎ１ｃｏｓθ２）｜2 ｃｏｓθ２＝（１−ｓｉｎ２θ２）０．５ ｓｉｎθ２＝ｎ１／ｎ２×ｓｉｎθ１ 例として、ｎ１＝１．５、ｎ２＝１．０の場合の透過率
の入射角依存性を図２に示す。図２から明らかなよう
に、臨界角Ａｒｃｓｉｎ（１．０／１．５）＝４１．８
付近で透過率が大きく変化する。
２）／（ ｎ２ｃｏｓθ１−ｎ１ｃｏｓθ２）｜2 ｃｏｓθ２＝（１−ｓｉｎ２θ２）０．５ ｓｉｎθ２＝ｎ１／ｎ２×ｓｉｎθ１ 例として、ｎ１＝１．５、ｎ２＝１．０の場合の透過率
の入射角依存性を図２に示す。図２から明らかなよう
に、臨界角Ａｒｃｓｉｎ（１．０／１．５）＝４１．８
付近で透過率が大きく変化する。
【００１６】そこで、光による屈折率変化を０．００１
とした場合の透過率変化の入射角度依存性は、図３に示
すように、大きい入射角度での全反射では、透過率変化
を示さず、臨界角で大きな値をとる。このことは、光に
よる変調で媒体の屈折率の変化が小さい場合には、臨界
角付近で全反射することによりスイッチの効率を大幅に
改善できることを示している。以上のことはｓ偏光の光
を用いた場合でも同様であり、偏光によらない光スイッ
チとして用いることができる。
とした場合の透過率変化の入射角度依存性は、図３に示
すように、大きい入射角度での全反射では、透過率変化
を示さず、臨界角で大きな値をとる。このことは、光に
よる変調で媒体の屈折率の変化が小さい場合には、臨界
角付近で全反射することによりスイッチの効率を大幅に
改善できることを示している。以上のことはｓ偏光の光
を用いた場合でも同様であり、偏光によらない光スイッ
チとして用いることができる。
【００１７】実施の形態２．図４に示すように、ＩｎＰ
基板４１上に分子線エピタキシー法によりＧａＡｓ層４
２を作製し、信号光入力部としてＧａＡｓ層上に導波路
と結合したＳｉ製の直角プリズム４３を、ＯＦＦ信号光
出力部としてＧａＡｓ層４２に導波路と結合したＳｉ製
の直角プリズム４４を接着すると共に、ＯＮ信号光出力
部としてＩｎＰ基板４１の端面を角度をもって削り、削
り面に導波路と結合した石英の直角プリズム４５を接着
する。制御光４６はレンズまたはファイバによりＧａＡ
ｓ層４２に垂直に照射する。制御光４６を照射しないＯ
ＦＦ状態では、信号光４６はＧａＡｓ層４２とＩｎＰ基
板４１との界面で全反射されＯＦＦ信号出力部４４に出
力され、また、制御光４６を照射するＯＮ状態では、Ｇ
ａＡｓ層４２の屈折率が変化するので信号光４６はＧａ
Ａｓ層４２からＩｎＰ基板４１へ透過してＯＮ信号出力
部４５に出力される。直角プリズム４３の基板面の頂角
を１０°にすると、ＧａＡｓ層４２からＩｎＰ基板４１
への光の入射角は６７．８°となり、ＧａＡｓとＩｎＰ
の屈折率（それぞれ３．５、３．２）から決まる全反射
の臨界角６８．１°に近い値をとる。
基板４１上に分子線エピタキシー法によりＧａＡｓ層４
２を作製し、信号光入力部としてＧａＡｓ層上に導波路
と結合したＳｉ製の直角プリズム４３を、ＯＦＦ信号光
出力部としてＧａＡｓ層４２に導波路と結合したＳｉ製
の直角プリズム４４を接着すると共に、ＯＮ信号光出力
部としてＩｎＰ基板４１の端面を角度をもって削り、削
り面に導波路と結合した石英の直角プリズム４５を接着
する。制御光４６はレンズまたはファイバによりＧａＡ
ｓ層４２に垂直に照射する。制御光４６を照射しないＯ
ＦＦ状態では、信号光４６はＧａＡｓ層４２とＩｎＰ基
板４１との界面で全反射されＯＦＦ信号出力部４４に出
力され、また、制御光４６を照射するＯＮ状態では、Ｇ
ａＡｓ層４２の屈折率が変化するので信号光４６はＧａ
Ａｓ層４２からＩｎＰ基板４１へ透過してＯＮ信号出力
部４５に出力される。直角プリズム４３の基板面の頂角
を１０°にすると、ＧａＡｓ層４２からＩｎＰ基板４１
への光の入射角は６７．８°となり、ＧａＡｓとＩｎＰ
の屈折率（それぞれ３．５、３．２）から決まる全反射
の臨界角６８．１°に近い値をとる。
【００１８】ここで、ＧａＡｓの励起子を光励起した場
合の屈折率変化のパワー依存性は２．６×１０-5（ｃｍ
2／Ｗ）であり、光パルスを１００μｍ径のスポットに
絞って照射した場合の透過率変化のパワー依存性は図５
に示される。このとき、光スイッチ回復時間はＧａＡｓ
膜４２中の励起子の寿命で決まり、２０ｎｓ程度とな
る。
合の屈折率変化のパワー依存性は２．６×１０-5（ｃｍ
2／Ｗ）であり、光パルスを１００μｍ径のスポットに
絞って照射した場合の透過率変化のパワー依存性は図５
に示される。このとき、光スイッチ回復時間はＧａＡｓ
膜４２中の励起子の寿命で決まり、２０ｎｓ程度とな
る。
【００１９】実施の形態３．図６に示すように、石英基
板６１上にスパッタ法によりＣｄＳｅドープのＴｉＯ2
膜６２を作製し、ＴｉＯ2膜６２に信号光入力部として
導波路付きの高屈折率ガラス製の直角プリズム６３、Ｏ
ＦＦ信号光出力部として導波路付きの高屈折率ガラス製
の直角プリズム６４を接着し、ＯＮ信号光出力部として
石英基板６１に導波路付きの高屈折率ガラス製の直角プ
リズム６５を接着する。直角プリズム６３の基板面の頂
角を１２°にすると、ＴｉＯ2層６２から石英基板６１
への光の入射角は３５°となり、ＴｉＯ2と石英の屈折
率（それぞれ２．５５、１．５５）から決まる全反射の
臨界角３４．６°に近い値をとる。
板６１上にスパッタ法によりＣｄＳｅドープのＴｉＯ2
膜６２を作製し、ＴｉＯ2膜６２に信号光入力部として
導波路付きの高屈折率ガラス製の直角プリズム６３、Ｏ
ＦＦ信号光出力部として導波路付きの高屈折率ガラス製
の直角プリズム６４を接着し、ＯＮ信号光出力部として
石英基板６１に導波路付きの高屈折率ガラス製の直角プ
リズム６５を接着する。直角プリズム６３の基板面の頂
角を１２°にすると、ＴｉＯ2層６２から石英基板６１
への光の入射角は３５°となり、ＴｉＯ2と石英の屈折
率（それぞれ２．５５、１．５５）から決まる全反射の
臨界角３４．６°に近い値をとる。
【００２０】ここで、ＴｉＯ2中のＣｄＳｅの励起子を
光励起した場合の屈折率変化のパワー依存性は４．０×
１０-10（ｃｍ2／Ｗ）であり、光パルスを１００μｍ径
のスポットに絞って照射した場合の透過率変化のパワー
依存性は図７に示される。このとき、光スイッチ回復時
間はＣｄＳｅの励起子の寿命で決まり、３０ｐｓ程度と
なる。
光励起した場合の屈折率変化のパワー依存性は４．０×
１０-10（ｃｍ2／Ｗ）であり、光パルスを１００μｍ径
のスポットに絞って照射した場合の透過率変化のパワー
依存性は図７に示される。このとき、光スイッチ回復時
間はＣｄＳｅの励起子の寿命で決まり、３０ｐｓ程度と
なる。
【００２１】実施の形態４．図８に示すように、第１の
光スイッチ８１のＯＮ信号光出力部と第２の光スイッチ
８２の信号光入力部を導波路で結合する。この場合、第
１の光スイッチ８１及び第２の光スイッチ８２は、上記
実施の形態２あるいは３の光スイッチを使用するものと
する。光スイッチ８１の回復時間よりも短いパルス間隔
で信号光を入力する場合には、制御光を照射した時刻
（矢印ａ）以降の光パルスが回復時間までＯＮ信号出力
部から出力される。第２の光スイッチ８２での制御光の
照射時刻を入力パルス列のうちの最初から２番目のパル
ス（矢印ｂ）に調整すると、ＯＦＦ信号出力部にパルス
を１つ（信号３）だけ切り出すことが可能となる。
光スイッチ８１のＯＮ信号光出力部と第２の光スイッチ
８２の信号光入力部を導波路で結合する。この場合、第
１の光スイッチ８１及び第２の光スイッチ８２は、上記
実施の形態２あるいは３の光スイッチを使用するものと
する。光スイッチ８１の回復時間よりも短いパルス間隔
で信号光を入力する場合には、制御光を照射した時刻
（矢印ａ）以降の光パルスが回復時間までＯＮ信号出力
部から出力される。第２の光スイッチ８２での制御光の
照射時刻を入力パルス列のうちの最初から２番目のパル
ス（矢印ｂ）に調整すると、ＯＦＦ信号出力部にパルス
を１つ（信号３）だけ切り出すことが可能となる。
【００２２】また、図９に示すように、第１の光スイッ
チ９１のＯＦＦ信号光出力部と第２の光スイッチ９２の
信号光入力部を導波路で結合する。この場合、第１の光
スイッチ９１及び第２の光スイッチ９２は、上記実施の
形態２あるいは３の光スイッチを使用するものとする。
光スイッチの回復時間よりも短いパルス間隔で信号光を
入力する場合には、制御光を照射した時刻（矢印ｃ）以
降の光パルスは回復時間までＯＦＦ信号出力部から出力
されなくなる。９２での制御光の照射時刻を入力パルス
列のうちの最後から１番目のパルス（矢印ｄ）に調整す
ると、ＯＮ信号出力部にパルスを１つ（信号２）だけ切
り出すことが可能となる。
チ９１のＯＦＦ信号光出力部と第２の光スイッチ９２の
信号光入力部を導波路で結合する。この場合、第１の光
スイッチ９１及び第２の光スイッチ９２は、上記実施の
形態２あるいは３の光スイッチを使用するものとする。
光スイッチの回復時間よりも短いパルス間隔で信号光を
入力する場合には、制御光を照射した時刻（矢印ｃ）以
降の光パルスは回復時間までＯＦＦ信号出力部から出力
されなくなる。９２での制御光の照射時刻を入力パルス
列のうちの最後から１番目のパルス（矢印ｄ）に調整す
ると、ＯＮ信号出力部にパルスを１つ（信号２）だけ切
り出すことが可能となる。
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、全反射の
臨界角で光を入射させる構成を用いることにより、オン
状態の信号強度を大きくすることが可能となり、小さな
屈折率変化でも、光スイッチの動作が可能となる。
臨界角で光を入射させる構成を用いることにより、オン
状態の信号強度を大きくすることが可能となり、小さな
屈折率変化でも、光スイッチの動作が可能となる。
【００２４】ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓ／Ａｌ
ＧａＡｓ量子井戸、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＧａＡｓ量
子井戸の少なくともいずれか１つを屈折率変化層に、Ｇ
ａＰ、ＩｎＰを基板として用いることにより、比較的弱
い制御光でも動作する光スイッチを得ることが可能とな
る。
ＧａＡｓ量子井戸、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＧａＡｓ量
子井戸の少なくともいずれか１つを屈折率変化層に、Ｇ
ａＰ、ＩｎＰを基板として用いることにより、比較的弱
い制御光でも動作する光スイッチを得ることが可能とな
る。
【００２５】半導体ドープのガラスを屈折率変化層に用
い、半導体ドープしていないガラスを基板として用いる
ことにより、回復速度の早い光スイッチを得ることが可
能となる。
い、半導体ドープしていないガラスを基板として用いる
ことにより、回復速度の早い光スイッチを得ることが可
能となる。
【００２６】２つの光スイッチの一方の光出力部と他方
の光入力部を導波路で接続することにより、回復速度の
遅い光スイッチから短いパルスを切り出すことが可能と
なる。
の光入力部を導波路で接続することにより、回復速度の
遅い光スイッチから短いパルスを切り出すことが可能と
なる。
【図１】 本発明の実施の形態１に係る全反射型光スイ
ッチの光学配置を示した説明図である。
ッチの光学配置を示した説明図である。
【図２】 本発明の実施の形態１に係る反射率の角度依
存性を示した説明図である。
存性を示した説明図である。
【図３】 本発明の実施の形態１に係る全反射型光スイ
ッチの透過率変化の角度依存性を示した説明図である。
ッチの透過率変化の角度依存性を示した説明図である。
【図４】 本発明の実施の形態２に係る全反射型光スイ
ッチを示した説明図である。
ッチを示した説明図である。
【図５】 本発明の実施の形態２に係る全反射型光スイ
ッチの制御光のパワー依存性を示した説明図である。
ッチの制御光のパワー依存性を示した説明図である。
【図６】 本発明の実施の形態３に係る全反射型光スイ
ッチを示した説明図である。
ッチを示した説明図である。
【図７】 本発明の実施の形態３に係る全反射型光スイ
ッチの制御光のパワー依存性を示した説明図である。
ッチの制御光のパワー依存性を示した説明図である。
【図８】 本発明の実施の形態４に係る全反射型光スイ
ッチを示した説明図である。
ッチを示した説明図である。
【図９】 本発明の実施の形態４に係る全反射型光スイ
ッチを示した説明図である。
ッチを示した説明図である。
１１ 第１の媒体、１２ 第２の媒体、４１ ＩｎＰ基
板、４２ ＧａＡｓ膜、４３ 信号光入力部のＳｉ製の
直角プリズム、４４ ＯＦＦ信号光出力部のＳｉ製の直
角プリズム、４５ ＯＮ信号光出力部のＳｉ製の直角プ
リズム、４６制御光、６１ 石英基板、６２ ＣｄＳｅ
ドープのＴｉＯ2膜、６３ 信号光入力部の高屈折率ガ
ラス製の直角プリズム、６４ ＯＦＦ信号光出力部の高
屈折率ガラス製の直角プリズム、６５ ＯＮ信号光出力
部の高屈折率ガラス製の直角プリズム、８１ 第１の全
反射型光スイッチ、８２ 第２の全反射型光スイッチ、
９１ 第１の全反射型光スイッチ、９２ 第２の全反射
型光スイッチ。
板、４２ ＧａＡｓ膜、４３ 信号光入力部のＳｉ製の
直角プリズム、４４ ＯＦＦ信号光出力部のＳｉ製の直
角プリズム、４５ ＯＮ信号光出力部のＳｉ製の直角プ
リズム、４６制御光、６１ 石英基板、６２ ＣｄＳｅ
ドープのＴｉＯ2膜、６３ 信号光入力部の高屈折率ガ
ラス製の直角プリズム、６４ ＯＦＦ信号光出力部の高
屈折率ガラス製の直角プリズム、６５ ＯＮ信号光出力
部の高屈折率ガラス製の直角プリズム、８１ 第１の全
反射型光スイッチ、８２ 第２の全反射型光スイッチ、
９１ 第１の全反射型光スイッチ、９２ 第２の全反射
型光スイッチ。
Claims (4)
- 【請求項１】 屈折率がｎ１の第１の媒体と、その第１
の媒体に平面で接合し、前記第１の媒体よりも小さな屈
折率ｎ２の第２の媒体とを備え、光照射により前記第１
の媒体と前記第２の媒体の少なくともいずれか一方の屈
折率が変化する光スイッチであって、 前記第１の媒体から前記第２の媒体への入射角度をＡｒ
ｃＳｉｎ（ｎ２／ｎ１）で光を導波させるための光入力
部と、 第１の媒体の反射光をとり出すための第１の光出力部
と、 第２の媒体の透過光をとり出すための第２の光出力部
と、 を備えることを特徴とする光スイッチ。 - 【請求項２】 前記第１の媒体は、ＧａＡｓ、ＩｎＧａ
Ａｓ、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子井戸、ＩｎＧａＡｓ
／ＩｎＡｌＧａＡｓ量子井戸の少なくともいずれか１つ
を含み、前記第２の媒体はＧａＰ、ＩｎＰを含むことを
特徴とする請求項１記載の光スイッチ。 - 【請求項３】 前記第１の媒体は半導体ドープのガラス
であり、前記第２の媒体は半導体ドープしていないガラ
スであることを特徴とする請求項１記載の光スイッチ。 - 【請求項４】 請求項１の２つの光スイッチを備え、一
方の光スイッチの光出力部と他方の光スイッチの光入力
部を導波路で接続することを特徴とする光スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10039002A JPH11237650A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | 光スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10039002A JPH11237650A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | 光スイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11237650A true JPH11237650A (ja) | 1999-08-31 |
Family
ID=12540927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10039002A Pending JPH11237650A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | 光スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11237650A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020220768A1 (zh) * | 2019-04-30 | 2020-11-05 | 华为技术有限公司 | 常暗光开关和光路选通装置 |
-
1998
- 1998-02-20 JP JP10039002A patent/JPH11237650A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020220768A1 (zh) * | 2019-04-30 | 2020-11-05 | 华为技术有限公司 | 常暗光开关和光路选通装置 |
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