JPH11238244A - 光メモリ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 第１にプローブ光の強度を向上させ、第２に
プローブの位置決めを容易にするとともに、プローブ移
動量のダイナミックレンジを大幅に向上させることがで
きる光メモリ装置を提供する。 【解決手段】 フォトンのトンネル現象により生じるエ
バネッセント光を用いて、光記録媒体４に対する情報の
記録／再生を行う光メモリ装置であって、テーパー状８
の先端部分にエバネッセント光を発生させるスリット型
の開口部９を有する第１のプローブ２と、テーパー状１
０の先端部分にエバネッセント光を発生させるスリット
型の開口部１１を有する第２のプローブ３とを設け、前
記第１及び第２のプローブ２，３を、各々のスリット型
の開口部９，１１が互いに交差する状態で、前記光記録
媒体４を挟んで対向するように配置してなるものであ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、超高密度な情報の
記録／再生が可能なエバネッセント光を利用した光メモ
リ装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】エバネッセント光を利用した光メモリ装
置は、顕微鏡の分野から発展してきたので、まず始め
に、エバネッセント波を利用した顕微鏡の技術から、以
下簡単に説明する。

【０００３】伝播しないエバネッセント波をプローブ光
に用いて、光の波長以下の分解能を実現する光学式ニア
フィールド顕微鏡がある。これは、光学プローブ上にエ
バネッセント波を生じさせ、試料との相互作用によって
生じる場の変化を検出するか、或いは、試料表面上にエ
バネッセント波を生じさせ、光学プローブを近づけてエ
バネッセント波の状態を検出することによって、高分解
能な試料の形状測定を行うものある。

【０００４】光学式ニアフィールド顕微鏡は、エバネッ
セント波が非伝播光であり、波長程度の距離で減衰する
という性質を利用して、試料の表面形状を高い分解能で
計測することができる。また、エバネッセント波は通常
の伝播光では実現できない短い波長の光波である。光波
の波長が短い程、横方向の分解能が高くできるので、光
学式ニアフィールド顕微鏡は、高解像度測定が可能とな
る。

【０００５】エバネッセント波は、高屈折率側から低屈
折率側へ全反射角以上の入射角で光を入射した場合に生
じる。また、波長よりも小さい径のピンホールに光を入
射した時にもピンホール上にエバネッセント波が生じ
る。光学式ニアフィールド顕微鏡は、エバネッセント波
の発生方法によって、二種類に大別することができる。
一方はフォトントンネリング型ニアフィールド顕微鏡
で、他方はピンホール型ニアフィールド顕微鏡である。

【０００６】フォトントンネリング型ニアフィールド顕
微鏡では、高屈折率のチップやカバーガラス等に全反射
角以上で光を入射した場合に生じるエバネッセント波を
用いている。フォトントンネリング型ニアフィールド顕
微鏡は、非走査型及び走査型の両方で実現可能である。

【０００７】非走査型でフォトントンネリング型ニアフ
ィールド顕微鏡を実現した報告がＧｕｅｒｒａによって
なされている（Ｇｕｅｒｒａ：Ａｐｐｌ．Ｏｐｔ．，２
６，３７４１，（１９９０））。これによると、通常の
反射光学顕微鏡を少し改良するだけで、試料を高分解で
直接観察することができる。

【０００８】また、走査型のフォトントンネリング型ニ
アフィールド顕微鏡は、Ｃｏｕｒｊｏｎ（Ｄ．Ｃｏｕｒ
ｊｏｎ，Ｋ Ｓａｒａｙｅｄｄｉｎｅ， ａｎｄ Ｍ．
Ｓｐａｊｅｒ：Ｏｐｔｉｃｓ Ｃｏｍｍｕｎ．，７１，
２３（１９８９））、Ｒｅｄｄｉｃ（Ｒ．Ｃ．Ｒｅｄｄ
ｉｃｋ，Ｒ．Ｊ．Ｗａｒｍａｃｋ，ａｎｄ Ｔ．Ｌ．Ｆ
ｅｒｒｅｌｌ：Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ，３９，７６７
（１９８９））、大津（蒋曙東、冨田直幸、大津元一、
光学、第２０巻、１３４（１９９１））らによって、そ
れぞれ報告されている。

【０００９】ピンホール型ニアフィールド顕微鏡は、波
長より小さいピンホールや波長より小さい面積まで先端
を尖らせた光導波チップに光を入射し、チップ先端に生
じるエバネッセント場を用いている。

【００１０】チップ先端のエバネッセント場のスポット
拡がりは、エバネッセント波の侵入長程度までは、ほと
んど拡がらないことが知られている。従って、ピンホー
ル型ニアフィールド顕微鏡は、スポット走査顕微鏡の形
式を取る。このアイディアは、１９５６年Ｏ’Ｋｅｅｆ
ｅが提案し（Ｊ．Ａ．Ｏ’Ｋｅｅｆｅ：Ｊ．Ｏｐｔ．Ｓ
ｏｃ．Ａｍ．，４５，３５９（１９５６））、１９７２
年にＡｓｈがマイクロ波を用いた実験を行っている
（Ｅ．Ａ．Ａｓｈ ａｎｄ Ｇ．Ｎｉｃｈｏｌｌｓ：Ｎ
ａｔｕｒｅ，２３７，５１０（１９７２））。

【００１１】また、１９８４年頃Ｃｏｒｅｎｅｌｌ大学
のＩｓｓａｃｓｏｎのグループ（Ｅ．Ｂｅｔｚｉｇ，
Ａ．Ｌｅｗｉｓ，Ａ．Ｈａｒｏｏｔｕｎｉａｎ，Ｍ．Ｉ
ｓｓａｃｓｏｎ ａｎｄ Ｅ．Ｋｒａｔｓｃｈｍｅｒ：
Ｂｉｏｐｈｙｓ．Ｊ．，４９，２６９（１９８６））
と、ＩＢＭチューリッヒのＰｏｈｌのグループ（Ｄ．
Ｗ．Ｐｏｈｌ，Ｗ．Ｄｅｎｋ，ａｎｄ Ｍ．Ｌａｚｎ
ｚ：Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，４４，６５１
（１９８４））が独立に実際の装置化と実験等を行っ
た。

【００１２】上述の光学式ニアフィールド顕微鏡では、
表面形状計測における深さ方向の分解能向上には成功し
ているが、横方向の解像度を向上させるのは難しく、あ
まり良い結果は得られていない。これは、従来の光学式
ニアフィールド顕微鏡における光学プローブでは、試料
の相互作用に寄与する光強度の効率が極めて悪く、検出
におけるＳＮ比が低いためである。

【００１３】また、従来のプローブの位置決め装置とし
ては、ピエゾ素子等を用いて微小な位置決めを行ってい
るが、試料が２次元の広がりを持っている場合、図５に
示すように、アクチュエーターやピエゾ素子等のプロー
ブ走査手段１０３によリ、プローブ１０１の先端を試料
面内に沿って正確に位置決めするには高い精度が求めら
れていたが、それぞれのプローブ走査手段１０３は力学
的に独立になっていないので、精度の高い走査が困難で
あった。また、移動量のダイナミックレンジが狭いの
で、大きな試料の測定はできないという問題点があっ
た。

【００１４】一方、光学式情報記録再生装置では光ディ
スクメモリ等の記録密度を向上させることが課題となっ
ている。このためには、記録媒体への書き込み及び読み
出しに用いるプローブ光を小さく集光することが必要で
ある。そこで、プローブ光を小さく集光するために、超
解像現象を利用した光ピックアップが試作されている
（日経エレクトロニクス、第５２８巻、１２４（１９９
１））。超解像現象はプローブ光の干渉を利用して、ス
ポット径を小さくしているが、スポット径の理論限界は
波長の１／２までである。

【００１５】この理論限界から、記録密度を上げるに
は、プローブ光の波長を短くする必要がある。しかし、
現実にはプローブ光の短波長化には限界があり、高密度
化にはオーバーヘッドが存在する。すなわち、従来の光
ピックアップの問題点は、スポット径を波長の１／２程
度までしか小さくできないことである。

【００１６】そこで、上述した光学式ニアフィールド顕
微鏡の手法を用いて、光の波長以下の大きさの領域に信
号を記録することが最近考えられている（例えば、特開
平７−２１５６４号公報参照）が、上記光学式ニアフィ
ールド顕微鏡と同様の問題点により実現されていない。

【００１７】ところで、プローブの先端にエバネッセン
ト波を効率よく発生させる１つの手法として、第５８回
応用物理学会学術講演会講演予稿集１９９７年１０月
（５ａ−Ｌ−５）には、スリット型のプローブを用いた
ミリ波帯近接場顕微鏡が開示されている。これは、プロ
ーブをスリット型とすることで、発生するエバネッセン
ト波のパワーを増大させるというものであり、実験では
ミリ波を用いている。しかしながら、発生するエバネッ
セント波はスリット型であるので、従来の光メモリ装置
のように小さな記録ピットに記録することはできない。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】例えば、特開平７−２
１５６４号公報等にて提案されているような、フォトン
のトンネル現象により生じるエバネッセント波を利用し
て情報の記録／再生を行う所謂Ｐ−ＳＴＭ（フォトン走
査型トンネル顕微鏡）を応用した光メモリ装置（また
は、単にＰ−ＳＴＭでフォトン走査型トンネリングメモ
リとも言う）においては、プローブ光の強度が極めて小
さいため、信頼性の高い情報記録／再生を行うことがで
きないという問題があるとともに、プローブの位置決め
精度、及び移動量を確保するのが困難であるという問題
があった。

【００１９】本発明は、上述したような点に鑑みてなさ
れたものであり、第１にプローブ光の強度を向上させ、
第２にプローブの位置決めを容易にするとともに、プロ
ーブ移動量のダイナミックレンジを大幅に向上させるこ
とができる光メモリ装置を提供することを目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本願請求項１に記載の発
明に係る光メモリ装置は、フォトンのトンネル現象によ
り生じるエバネッセント光を用いて、光記録媒体に対す
る情報の記録／再生を行う光メモリ装置であって、テー
パー状の先端部分にエバネッセント光を発生させるスリ
ット型の開口部を有する第１のプローブと、テーパー状
の先端部分にエバネッセント光を発生させるスリット型
の開口部を有する第２のプローブとを設け、前記第１及
び第２のプローブを、各々のスリット型の開口部が互い
に交差する状態で、前記光記録媒体を挟んで対向するよ
うに配置してなるものである。

【００２１】これによって、第１及び第２のプローブ
を、光記録媒体を挟んだ状態で対向配置しているので、
この第１及び第２のプローブの交点の微小な領域に、パ
ワーの大きいエバネッセント波を集中させることがで
き、プローブ光の強度を向上させることが可能となる。
従って、信頼性の高い情報の記録／再生を保証すること
ができる。

【００２２】本願請求項２に記載の発明に係る光メモリ
装置は、前記請求項１に記載の光メモリ装置において、
前記第１及び第２のプローブを、各々のスリット型の開
口部が互いに直交する状態で対向配置したものである。

【００２３】これによって、前記第１及び第２のプロー
ブを、各々のスリット型の開口部が互いに直交するよう
に対向配置しているので、エバネッセント波の集中領域
（記録ピット）の面積を小さくすることができ、密度の
高い情報の記録／再生を行うことが可能となる。

【００２４】本願請求項３に記載の発明に係る光メモリ
装置は、前記請求項１又は２に記載の光メモリ装置にお
いて、前記第１及び第２のプローブを、各々のスリット
型の開口部から発生するエバネッセント光がトンネリン
グしない程度のギャップを有する状態で対向配置したも
のである。

【００２５】これによって、第１及び第２のプローブ間
の隙間を、エバネッセント波がトンネリングしない程度
のギャップとしているので、２つのプローブ間の中心に
パワーの大きいエバネッセント波を発生させることがで
き、高密度且つ信頼性の高い情報の記録／再生を行うこ
とが可能となる。

【００２６】本願請求項４に記載の発明に係る光メモリ
装置は、前記請求項１乃至３に記載の光メモリ装置にお
いて、前記第１及び第２のプローブには、互いに可干渉
性を有する光がそれぞれ入射してなるものである。

【００２７】これによって、プローブ入射光として、互
いに可干渉性を有する光を使用しているので、第１のプ
ローブと第２のプローブとによって発生したエバネッセ
ント波が互いに干渉し、可干渉性を有さない光を使用す
る場合に比べて、光パワーが増大するため、さらに効率
よくエバネッセント波を発生させることが可能となる。

【００２８】本願請求項５に記載の発明に係る光メモリ
装置は、前記請求項１乃至４に記載の光メモリ装置にお
いて、前記第１及び第２のプローブには、各々のスリッ
ト型の開口部の長手方向と垂直な偏向方向を持つ光を入
射してなるものである。

【００２９】これによって、プローブ入射光の偏向方向
を、各々のスリット型の開口部の長手方向と垂直な方向
としているので、プローブの先端における透過光の発生
を防止し、エバネッセント波のみを発生させることがで
き、上記従来例のように、読み出し（再生）の際に、プ
ローブと光記録媒体との間の距離を正弦波状に変化さ
せ、それに同期して変化する成分のみを取り出す必要が
なくなるため、Ｓ／Ｎの高い情報の記録／再生を行うこ
とが可能となる。

【００３０】本願請求項６に記載の発明に係る光メモリ
装置は、前記請求項１乃至５に記載の光メモリ装置にお
いて、前記第１及び第２のプローブを、それぞれ光記録
媒体に対し、独立して１次元走査させるための走査手段
を設けてなるものである。

【００３１】これによって、第１及び第２のプローブを
走査させるための走査手段を、それぞれ力学的に独立な
１次元走査するものとしているので、互いの走査手段同
士は干渉されず、精度の高いプローブの位置決めが可能
となるとともに、プローブ走査のダイナミックレンジも
２次元走査に比べて向上させることができる。また、２
次元走査手段に比べて機構が単純であるので、コストダ
ウンにもつながる。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の光メモリ装置の第
１実施形態について、図１乃至図３とともに説明する。
ここで、図１は本実施形態の光メモリ装置の概略構成を
示す説明図、図２は本実施形態の光メモリ装置における
プローブを示す概略説明図、図３は本実施形態の光メモ
リ装置における光記録媒体内の記録ピットを示す概略説
明図である。

【００３３】本実施形態の光メモリ装置は、図１に示す
ように、ガラスファイバー等により形成された２つのプ
ローブ２，３と、それぞれのプローブ２，３を走査させ
るプローブ走査手段（図示せず）と、透明基板上にフォ
トクロミック材料等を含む記録層が形成された光記録媒
体４とから構成される。尚、２つのプローブ２，３は、
図２に示すように、先端形状がテーパー状８，１０に形
成されており、その先端にスリット状の開口部９，１１
が設けられている。

【００３４】このような構造のプローブ２，３に入射光
５，６を入射すると、スリット状の開口部９，１１付近
にエバネッセント波が発生する。このエバネッセント波
の存在領域は非常に小さく、波長程度の広がりにしかな
っていない。従って、従来のＣＤ（コンパクトディス
ク）、ＭＤ（ミニディスク）、ＤＶＤ（デジタルビデオ
ディスク）のようにレーザ光を集光レンズを用いた場合
のビームウエスト径よりも格段に小さい記録ピットに記
録可能となる。

【００３５】上述の２つのプローブ２，３は、各々の開
口部９，１１が互いに直交する状態で対向配置されてお
り、各プローブ２，３の開口部９，１１間の隙間は、そ
れぞれのプローブ２，３の開口部９，１１からのエバネ
ッセント波が他方のプローブ３，２に伝播しない限界ま
で近付けている。また、光記録媒体４は、光強度に対し
て反応闇値を有し、前記各プローブ２，３の開口部９，
１１の隙間に挿入可能な厚さであることが要求される。

【００３６】次に、光記録媒体４への記録メカニズムに
ついて、図３とともに説明する。図３は光記録媒体４の
ＸＹ面を表しており、領域１２と領域１３とはそれぞ
れ、第１のプローブ２によるエバネッセント波発生領域
と第２のプローブ３によるエパネッセント波発生領域を
表している。光記録媒体４は、光強変に対して反応閲値
を有しているので、領域１２と領域１３の斜線の部分は
感光せず、領域１２と領域１３の重なる部分１４のみが
感光する。

【００３７】すなわち、２つのプローブ２，３のうち、
どちらか一方によるエパネッセント波パワーでは、光記
録媒体４の材料は変化しないが、他方のプローブ３，２
によるエバネッセント波パワーが加わった状態で、初め
て材料が変化する。尚、ここで言う感光とは、写真技術
における感光のみを表現しているのではなく、材料の光
学定数を変化させたり、光により電子を励起すること等
一般のことを表現するものとする。

【００３８】尚、本実施形態においては、２つのプロー
ブ２，３に入射する入射光５，６の偏光方向を、スリッ
ト状の開ロ部９，１１の長手方向に垂直方向としてい
る。これによって、プローブ２，３の開口部９，１１方
向の電場の振動は発生しないので、開口部９，１１から
は透過光が生じることなく、エバネッセント波のみが発
生することになる。従って、透過光による光記録媒体４
への不要な記録がなされるのを防ぐことができる。

【００３９】次に、プローブ２，３の走査による光記録
材料４の記録ピットヘの位置決めについて説明する。上
述したとおり、本実施形態の光メモリ装置では、第１の
プローブ２と第２のプローブ３とから発生するエバネッ
セント波が交わる領域１２に位置する記録材料部分が記
録ピットとなる。従って、図５とともに上述した従来例
のように、プローブをＸＹ面内で２次元走査する必要は
ない。

【００４０】以上のように、本実施形態の光メモリ装置
においては、それぞれのプローブ２，３を、光記録媒体
４に対して１次元に走査させることによって、ＸＹ面内
の任意の場所に記録ピットを形成することが可能とな
る。また、本実施形態のプローブ走査手段は、力学的に
独立した２つの１次元走査手段により構成しているの
で、精度が高い信頼性のあるプローブ走査を行うことが
可能である。

【００４１】次に、光記録媒体４からの読み出し（再
生）について説明する。光記録媒体４への情報の書き込
み（記録）時は、上述したように、第１のプローブ２及
び第２のプローブ３に同時に入射光５，６を入射させる
が、光記録媒体４から情報を読み出す場合には、２つの
プローブ２，３のうち、どちらか一方のみに読み出し用
の入射光を入射し、他方のプローブで光記録媒体４の記
録ピットからの光を検出すれば良い。

【００４２】尚、第１のプローブ２及び第２のプローブ
３にそれぞれ入射される入射光５，６は、全く独立なも
のでも良いが、同一のレーザ装置より発生された光を分
割して使用することができる。これについて、本発明の
メモリ装置の第２実施形態として、図４とともに説明す
るが、上述した第１実施形態と同一部分には同一符号を
付し、その説明は省略する。ここで、図４は本実施形態
の光メモリ装置の概略構成を示す説明図である。

【００４３】本実施形態においては、図４に示すよう
に、レーザ装置（光源）２１と各々のプローブ２，３と
の間にビームスプリッター２２を設け、このビームスプ
リッター２２によって２分割された分割光を、それぞれ
のプローブ２，３の入射光５，６としている。尚、２３
〜２５はビームスプリッター２２の一方の出力光をプロ
ーブ３の入射口に導光するミラーである。

【００４４】このように構成することで、第１のプロー
ブ２と第２のプローブ３とから発生するエバネッセント
波が、光記録媒体４によって伝播光に変換され、さらに
第１及び第２のプローブ２，３による伝播光は同一光源
２１によるものであるので、光記録媒体４の記録領域１
４において干渉し、さらに記録光パワー強度を強めるこ
とが可能となる。

【００４５】尚、上述した本発明の実施形態において
は、光記録媒体４としてディスク型のものについて説明
したが、この形状に限るものではなく、平面のものであ
れば何でも良い。また、プローブ２，３を走査させるの
ではなく、光記録媒体４を走査させる走査手段を設ける
ことで、光記録媒体４全域にプローブ２，３の先端を走
査するようにしても良いことは明らかである。

【００４６】さらに、上記本発明の実施形態では、第１
及び第２のプローブ２，３として、強度を保持するため
に、テーパー８，１０の先端部分にスリット状の開口部
９，１１を設けたが、スリット状に分布するエバネッセ
ント波を発生させる構造を有するプローブであれば、こ
れも使用することが可能である。エバネッセント波は、
上述した微小開口によるものの他に、回折格子、全反射
によっても発生することが知られている。

【００４７】

【発明の効果】本願請求項１に記載の発明に係る光メモ
リ装置は、上述したような構成としているので、第１及
び第２のプローブを、光記録媒体を挟んだ状態で対向配
置しているので、この第１及び第２のプローブの交点の
微小な領域に、パワーの大きいエバネッセント波を集中
させることができ、プローブ光の強度を向上させること
が可能となる。従って、信頼性の高い情報の記録／再生
を保証することができる。

【００４８】本願請求項２に記載の発明に係る光メモリ
装置は、前記第１及び第２のプローブを、各々のスリッ
ト型の開口部が互いに直交するように対向配置している
ので、エバネッセント波の集中領域の面積を小さくする
ことができ、密度の高い情報の記録／再生を行うことが
可能となる。

【００４９】本願請求項３に記載の発明に係る光メモリ
装置は、第１及び第２のプローブ間の隙間を、エバネッ
セント波がトンネリングしない程度のギャップとしてい
るので、２つのプローブ間の中心にパワーの大きいエバ
ネッセント波を発生させることができ、高密度且つ信頼
性の高い情報の記録／再生を行うことが可能となる。

【００５０】本願請求項４に記載の発明に係る光メモリ
装置は、プローブ入射光として、互いに可干渉性を有す
る光を使用しているので、第１のプローブと第２のプロ
ーブとによって発生したエバネッセント波が互いに干渉
し、可干渉性を有さない光を使用する場合に比べて、光
パワーが増大するため、さらに効率よくエバネッセント
波を発生させることが可能となる。

【００５１】本願請求項５に記載の発明に係る光メモリ
装置は、プローブ入射光の偏向方向を、各々のスリット
型の開口部の長手方向と垂直な方向としているので、プ
ローブの先端における透過光の発生を防止し、エバネッ
セント波のみを発生させることができ、Ｓ／Ｎの高い情
報の記録／再生を行うことが可能となる。

【００５２】本願請求項６に記載の発明に係る光メモリ
装置は、第１及び第２のプローブを走査させるための走
査手段を、それぞれ力学的に独立な１次元走査するもの
としているので、互いの走査手段同士は干渉されず、精
度の高いプローブの位置決めが可能となるとともに、プ
ローブ走査のダイナミックレンジも２次元走査に比べて
向上させることができる。また、２次元走査手段に比べ
て機構が単純であるので、コストダウンにもつながる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光メモリ装置の第１実施形態の概略構
成を示す説明図である。

【図２】本発明の光メモリ装置の第１実施形態における
プローブを示す概略説明図である。

【図３】本発明の光メモリ装置の第１実施形態における
光記録媒体内の記録ピットを示す説明図である。

【図４】本発明の光メモリ装置の第２実施形態の概略構
成を示す説明図である。

【図５】従来の光メモリ装置の概略構成を示す説明図で
ある。

【符号の説明】

２ 第１のプローブ ３ 第２のプローブ ４ 光記録媒体 ５ 第１の入射光 ６ 第２の入射光 ８，１０ テーパー部 ９，１１ 開口部 １２ 第１のプローブによるエバネッセント波発生領域 １３ 第２のプローブによるエバネッセント波発生領域 １４ 記録領域 ２１ レーザ装置 ２２ ビームスプリッタ ２３〜２５ ミラー

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フォトンのトンネル現象により生じるエ
   バネッセント光を用いて、光記録媒体に対する情報の記
   録／再生を行う光メモリ装置であって、 テーパー状の先端部分にエバネッセント光を発生させる
   スリット型の開口部を有する第１のプローブと、 テーパー状の先端部分にエバネッセント光を発生させる
   スリット型の開口部を有する第２のプローブとを設け、 前記第１及び第２のプローブを、各々のスリット型の開
   口部が互いに交差する状態で、前記光記録媒体を挟んで
   対向するように配置したことを特徴とする光メモリ装
   置。
2. 【請求項２】 前記請求項１に記載の光メモリ装置にお
   いて、 前記第１及び第２のプローブは、各々のスリット型の開
   口部が互いに直交する状態で、対向配置されたことを特
   徴とする光メモリ装置。
3. 【請求項３】 前記請求項１又は２に記載の光メモリ装
   置において、 前記第１及び第２のプローブは、各々のスリット型の開
   口部から発生するエバネッセント光がトンネリングしな
   い程度のギャップを有する状態で、対向配置されたこと
   を特徴とする光メモリ装置。
4. 【請求項４】 前記請求項１乃至３に記載の光メモリ装
   置において、 前記第１及び第２のプローブは、互いに可干渉性を有す
   る光がそれぞれ入射されるものであることを特徴とする
   光メモリ装置。
5. 【請求項５】 前記請求項１乃至４に記載の光メモリ装
   置において、 前記第１及び第２のプローブは、各々のスリット型の開
   口部の長手方向と垂直な偏向方向を持つ光が入射される
   ものであることを特徴とする光メモリ装置。
6. 【請求項６】 前記請求項１乃至５に記載の光メモリ装
   置において、 前記第１及び第２のプローブを、それぞれ光記録媒体に
   対し、独立して１次元走査させるための走査手段を設け
   たことを特徴とする光メモリ装置。