JPH07262631A

JPH07262631A - 光磁気記録媒体及びその再生方法

Info

Publication number: JPH07262631A
Application number: JP5352594A
Authority: JP
Inventors: Toshifumi Kawano; 敏史川野
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1994-03-24
Filing date: 1994-03-24
Publication date: 1995-10-13

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明の目的は、再生磁界を用いることなし
に超解像の効果が得られ、従来の超解像媒体と比べ記録
ビットの長期安定性やドライブの小型化に優れた効果を
得ることができる超解像型の光磁気記録媒体及びその再
生方法を提供することにある。【構成】少なくとも希土類金属と遷移金属よりなる再
生層、切断層、記録層の３層よりなる互いに交換結合し
た磁性層が基板上に設けられており、磁性層は再生光に
よる加熱によって記録層と再生層の間の交換結合力が減
少するかあるいは無くなり、その結果、高温部分におい
て再生層の副格子磁化がその部分の低温時の方向に対し
て反転する光磁気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体及びその
再生方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光磁気記録媒体は、高密度、低コストの
書換え可能な情報記録媒体として実用化されている。特
に希土類金属と遷移金属のアモルファス合金の記録層を
用いた媒体は非常に優れた特性を示している。

【０００３】光磁気ディスクは非常に大容量の記録媒体
であるが、社会の情報量の増大に伴いさらなる大容量化
が望まれている。光ディスクの記録密度は通常の場合、
その再生光のスポットの大きさで決ってしまう。スポッ
トの大きさはレーザーの波長が短いほど小さくすること
ができるため、レーザーの短波長化の検討が進められて
いるが、非常に困難を伴っている。

【０００４】一方、レーザーの波長によって決定される
以上の分解能を色々な工夫によって得ようとする、いわ
ゆる超解像技術の試みが近年行われている。その一つ
に、光磁気ディスクを用い、多層膜間の交換結合力を用
いた超解像(Magnetically induced super resolution、
以下ＭＳＲという)が報告されている。

【０００５】この方式の一つの形態は、保磁力の小さな
再生層、キュリー温度の低いスイッチング層、キュリー
温度、保磁力が高い記録層の互いに交換結合した３層か
らなる媒体を用いる。再生磁界を印加しながら再生光に
より加熱したとき、媒体の高温部で交換結合が切れる。

【０００６】再生層は単独での保磁力が小さいので高温
部では磁化が一様に再生磁界の方向を向き記録ビットが
消去される。この結果、低温部のみが再生され、結果的
に再生範囲が狭くなるため、再生光を絞った場合と同じ
効果が得られ、高密度の記録ビットの再生を行うことが
できる。

【０００７】消去された記録ビットは、媒体温度が低く
なり交換結合が回復したときに、記録層から転写される
ことにより復活する。この方式は、信号を再生光スポッ
トの前部で検出するため、Front aperture detection(F
AD)と呼ばれる。ＦＡＤ方式の欠点として再生時に再生
磁界（Hr）が必要な点が挙げられる。

【０００８】再生磁界は、通常２４０００Ａ／ｍ以上の
磁界が必要であり、再生磁界を印加しつつ再生すること
によって、記録層に記録されたビットが不安定になると
いう欠点があった。また、記録に必要な磁界より大きな
磁界が再生に必要となる可能性もあり、磁気ヘッドを小
型化し、装置を簡略化しようとする際に大きな問題とな
る。

【０００９】特に、磁界変調記録では記録磁界が１００
００Ａ／ｍ以下であることも多く、再生磁界の印加が磁
気ヘッドには大きな負担となる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】我々はこれに対し、先
の出願で、ＦＡＤと同様に記録層、切断層、再生層の交
換結合した３層の磁性層を用いながら、再生光で温度が
上がり、交換結合が切れた際に、記録層と再生層の静磁
的な結合により再生層の副格子磁化が交換結合が強い場
合に対して反転し、これによって超解像が可能となる、
言うなれば静磁結合型超解像が可能であることを示し
た。

【００１１】この方法では、再生磁界が無い状態、ある
いは非常に低い再生磁界において超解像再生が可能であ
る。ところがこういった方法をとる場合、再生層を静磁
界で反転させるために記録層がいわば磁石となり、かな
り大きなな磁化率を有する必要がある。しかし、磁化率
が大きい場合は、記録層の垂直磁気異方性が低下して磁
化の方向が斜めになってしまったり、記録磁区内部に微
小な反転領域が生じたりする。従って、記録層はこの磁
石としての性質と高い垂直磁気異方性という異なった特
性を満たす必要があった。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明では再生時に高温
部を磁化反転させることより、マスクを用いる従来の原
理とは異なる方法で超解像効果をえる媒体において、特
定の磁気特性を持った構成を用いることにより優れた再
生特性を得るものである。本発明の要旨は、少なくとも
希土類金属と遷移金属よりなる再生層、切断層、記録層
の３層よりなる互いに交換結合した磁性層が基板上に設
けられており、再生層、切断層、記録層のキュリー温度
を各々Ｔc1、Ｔc2、Ｔc3としたときに、Ｔc1、Ｔc2、Ｔ
c3は５０℃以上であり、且つ

【００１３】

【数２】Ｔc1＞Ｔc2、Ｔc3＞Ｔc2 という関係を満たし、磁性層は再生光による加熱によっ
てＴc2近傍もしくはそれ以上の温度に加熱された際、記
録層と再生層の間の交換結合力が減少するかあるいは無
くなり、その結果、高温部分において再生層の副格子磁
化がその部分の低温時の方向に対して反転する光磁気記
録媒体であって、ＴC2において再生層が希土類金属の磁
化が優勢である場合は、記録層が遷移金属の磁化が優勢
であり、再生層が遷移金属の磁化が優勢である場合は、
記録層が希土類金属の磁化が優勢であり、Ｔc2における
記録層の体積磁化率が８０emu/cc以上でありかつ室温で
３００emu/cc以下であり、Ｔc2における再生層の体積磁
化率が１５０emu/cc以上でありかつ室温で５００emu/cc
以下であることを特徴とする光磁気記録媒体に存する。

【００１４】Ｔc1、Ｔc2、Ｔc3を５０℃以上と設定した
のは、通常、媒体の使用環境温度がほぼ５０℃以下であ
るためである。記録を再生するべく再生光を照射した
際、媒体の少なくとも再生に関与する層の副格子磁化が
反転を起せば、超解像効果を得る事ができる。我々は先
の出願によってこういった媒体が、再生層、切断層、記
録層の３層の磁性層の構成で実現できることを示した。
以下、その原理を図１〜図３を用いて説明する。

【００１５】再生層１と記録層３が各々希土類金属と遷
移金属のフェリ磁性合金であり、Ｔc2以下の交換結合力
４が強い状態で互いに優勢な副格子磁化が異なる場合、
交換結合力４のため互いの磁化は逆方向を向いて安定し
ている。このような媒体を再生光８により加熱した際、
切断層２のキュリー温度Ｔc2の近傍で記録層３と再生層
１の間の交換結合力４が小さくなるか、あるいは無くな
る。

【００１６】この時、再生層１の磁化に働く力は、記録
層３と再生層１の間の磁化同士の静磁結合５による力が
主である。Ｔc2において、記録層１と再生層３とで優勢
な副格子磁化が異なる場合は、交換結合力４と静磁結合
力５の方向が逆となるため、静磁結合力５によって、再
生層１の副格子磁化はその低温時の交換結合力４が支配
的な状態に対して反転を起こす。

【００１７】すなわちＴc2において記録層３が希土類金
属優勢ならば再生層１を遷移金属優勢とし、記録層３が
遷移金属優勢ならば再生層１を希土類金属優勢とすれば
こういう状態を実現できる。通常の再生の場合、記録磁
区６の間隔を縮めていくと記録方向と消去方向の信号が
互いに打ち消し合い、信号の区別ができなくなくなり信
号レベルが低下してしまう。

【００１８】これに対し、本発明の方法では図２に示す
ように再生している高温部７の副格子磁化が反転してし
まうため、その部分から得られるそのカー回転による信
号も極性が逆になる。従って、図３のように記録磁区６
の高温部７が記録方向の場合信号は周囲の消去部からの
信号と同一の極性となり再生スポット８の内部で両者が
足し合わされることにより大きな信号レベルがとれる。

【００１９】高温部７が消去方向の場合、信号は周囲の
記録部からの信号と同一の極性となりやはり大きな信号
レベルがとれる。また、本発明の方法では磁化反転が再
生スポット８の高温部７でのみ起こるため、再生スポッ
ト８全体が信号に関与してくる従来の方法と比べ、非常
に幅の狭いシャープな再生信号が得られ、微細な記録で
も容易に再生可能である。

【００２０】静磁結合による反転を安定に行うためには
記録層３がＴc2において十分な大きさの記録ビットに応
じた磁界を発生していなくてはならない。このためには
記録層３がある程度以上の磁化を有している必要があ
る。記録層３の体積磁化率はＴc2において８０emu/cc以
上が必要である。しかし室温において記録層３の体積磁
化率が大きすぎる場合は、記録層３内部での微小反転磁
区が生じたり、磁気異方性の低下が起こり再生層１の磁
化を完全に垂直に立たせる事ができなくなるため、体積
磁化率は室温において３００emu/cc以下であることが必
要である。

【００２１】体積磁化率はＴc2において好ましくは１２
０emu/cc以上であり、さらに好ましくは１５０emu/cc以
上である。体積磁化率は室温において好ましくは２５０
emu/cc以下であり、さらに好ましくは２００emu/cc以下
である。ここで言う室温とは、使用環境温度であり、代
表的には２５℃である。

【００２２】一方、再生層１の受ける力は再生層１の磁
化も影響する。従って再生層１もＴc2において有る程度
以上の磁化を持つことが好ましい。Ｔc2における再生層
１の好ましい体積磁化率は１５０emu/cc以上であり、さ
らに好ましくは２００emu/cc以上、特に好ましいのは２
５０emu/cc以上である。一方、室温において磁化が大き
すぎる場合は、記録層３と交換結合を行った場合、垂直
磁気異方性の低い再生層１の影響を受けて記録層３の磁
化が完全に垂直に立たない、あるいは磁化が局所的に反
転を起こすような状況が生じる。

【００２３】室温において再生層１の好ましい体積磁化
率は５００emu/cc以下であり、さらに好ましくは４５０
emu/cc以下、特に好ましくは４００emu/cc以下である。
記録層３がＴc2にいたるまで磁化が希土類金属優勢であ
るような組成では記録磁界依存性等の記録特性が悪化し
てしまう。従って、再生層１を磁化が希土類金属優勢の
組成にしておくことが好ましい組成であり、Ｔc2におい
て再生層１の磁化が希土類金属優勢であるためには再生
層１の補償温度Ｔcompが、

【００２４】

【数３】Ｔcomp＞Ｔc2 であることが好ましい。また、磁化反転を起こすには再
生層１の保磁力Ｈｃがある程度小さい必要がある。しか
し、小さ過ぎる場合は再生信号の劣化が生じるため、Ｔ
c2においてＨｃは２ｋＡ／ｍ以上、４０ｋＡ／ｍ以下で
あることが好ましい。

【００２５】記録層３は安定に記録を蓄えるため、Ｔc2
において８００ｋＡ／ｍ以上の保磁力を有するのが望ま
しい。また、再生層１が希土類金属優勢で温度上昇によ
る磁化の減少に伴って垂直磁気異方性が増加していくよ
うな組成は磁化反転による磁壁エネルギーの増加を小さ
くでき、かつ高温部７で垂直磁気異方性が高いため、再
生信号が大きくとれ好ましい。

【００２６】さらに、こういった組成では図２に示すよ
うに低温部での光磁気信号が小さく再生スポット８周囲
からの信号の漏れ込み（クロストーク）が小さくでき
る。このためには、交換結合が強い室温近傍よりもＴC2
近傍における再生層１のカー回転角が大きいことが条件
となる。再生層１に用いられる物質としては、ＧｄＦｅ
Ｃｏ、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅ、ＧｄＤｙＦｅ、ＧｄＤｙＣ
ｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＣｏ、
ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＣｏ、ＴｂＣ
ｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＣｏ等
の希土類と遷移金属の合金が好ましく用いられる。中で
も、Ｇｄを含有する合金を用いるのがキュリー温度や保
磁力の点から好ましい。

【００２７】キュリー温度としては、２５０℃以上であ
ることが好ましい。ＰｔＣｏや、ＰｔとＣｏの超格子等
の磁性体を単独で、あるいは希土類と遷移金属との合金
との積層で再生層１として用いることもできる。中で
も、保磁力を小さくできるＧｄＦｅＣｏを主体とした合
金が好ましく用いられる。

【００２８】

【数４】Ｇｄx（ＦｅyＣｏ100-y）100-x （いずれも原子％）と表した場合、30≦x≦35、0≦y≦100であることが好ま
しい。ただし、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｍｏ等の添加物を５
原子％以下程度添加しても良い。

【００２９】再生層１の垂直磁気異方性を大きくするに
は、磁性層にある程度の膜応力をもたせて逆磁歪効果に
よる異方性を発生させるのが好ましい。膜応力は大きす
ぎると膜の耐久性に悪影響を与えるため１×１０⁹erg/c
c以上、５×１０⁹erg/cc以下であることが好ましい。再
生層１の膜厚は薄い方が磁化が受ける力が大きくて好ま
しい。しかし、薄すぎる場合、再生信号が小さくなるの
で８ｎｍ以上、５００ｎｍ以下が好ましい。

【００３０】さらに好ましくは、１２ｎｍ以上、３５０
ｎｍ以下である。切断層２は、キュリー温度が再生層や
記録層と比べて小さいものである必要がある。切断層２
のキュリー温度は、１００〜１８０℃程度が好ましい。
切断層２は垂直磁気異方性が高く、再生層の磁化に強い
力を発生させるものが好ましい。

【００３１】切断層２に用いられる物質としては、Ｔｂ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＦｅ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏ等の希土類と遷移金属の合金が好ましい。切
断層２の膜厚は２ｎｍ以上、３０ｎｍ以下であることが
好ましい。記録層３は、安定して記録を蓄えている層で
あるから、再生ビームで劣化しないキュリー温度を有し
ていることが必要である。

【００３２】キュリー温度は、２００〜２８０℃程度が
好ましい。キュリー温度が高すぎると、記録に要するレ
ーザーのパワーが大きくなりすぎてしまう。記録層３
は、高い垂直磁気異方性を持つことも、再生層の磁化に
強い力を与えるために必要である。記録層３を構成する
物質としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ、ＤｙＦｅＣ
ｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ等の希土類と遷移金属の合金が好ましく用いられる。

【００３３】記録層３としては特に垂直磁気異方性の大
きいＴｂＦｅＣｏを主体とした合金が好ましく用いられ
る。中でも、

【００３４】

【数５】Ｔｂx（ＦｅyＣｏ100-y）100-x （いずれも原子％）と表した場合、17≦x≦24、70≦y≦85 であることが好
ましい。ただし、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｍｏ等の添加物を
５原子％以下程度添加しても良い。

【００３５】記録層３の膜厚は１０ｎｍ以上、５０ｎｍ
以下であることが好ましい。記録層３の記録を安定に蓄
えておくには記録層３の保磁力は再生層１の保磁力より
も大きいことが好ましい。記録層３の保磁力は２４０ｋ
Ａ／ｍ以上であることが好ましい。希土類金属と遷移金
属の合金は非常に酸化しやすいため、磁性層の両側に保
護膜を着けた態様をとることが好ましい。

【００３６】保護膜としては、酸化Ｓｉ、酸化Ａｌ、酸
化Ｔａ、酸化Ｔｉ、窒化Ｓｉ、窒化Ａｌ、炭化Ｓｉなど
の単体あるいはそれらの混合物が好ましく用いられる。
保護膜の膜厚は５０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度が好ましい。
基板側の保護膜、即ち基板と磁性層との間となる保護膜
を形成後、保護膜の表面をプラズマエッチングすること
で、次いで設けられる磁性層の磁気異方性を向上させる
ことができる。

【００３７】磁性層の記録層側に直接あるいは保護層を
介して、放熱層としてＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等の単
体、あるいはそれを主体とした合金よりなる高熱伝導物
質を設けることは、再生時の熱分布を安定させるうえで
望ましい構成である。放熱層の膜厚は１０ｎｍ〜１００
ｎｍ程度が好ましい。光変調記録を行う際には、消去の
方向を向いている磁区と記録の方向を向いている磁区と
の形状が異なるため、高温で反転磁区が生じる場合の磁
壁の生成しやすさが記録方向と消去方向で若干異なる。

【００３８】このため、再生時にいずれかの方向に再生
磁界を印加してもよい。特に消去時の磁界印加方向と同
じ方向に印加することが好ましい。ただし再生磁界が記
録層と再生層の間の静磁界と同程度以上の大きさになる
と、再生層の反転に影響を及ぼすため再生磁界は１６０
００Ａ／ｍ以下であることが好ましい。

【００３９】

【実施例】以下に実施例をもって本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の
実施例に限定されるものではない。実施例１〜５、比較例１〜２スパッタリング装置に１．４μｍのトラックピッチの案
内溝を持ったポリカーボネート基板を導入し、５×１０
^-5Ｐａ以下の真空度まで排気を行った。

【００４０】この後、反応性スパッタリングにより、厚
さ８０ｎｍの酸化Ｔａを保護層として基板上に形成し
た。酸化Ｔａ上に、Ｇｄ₃₃（Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀）₆₇よりなる
３０ｎｍの再生層、Ｔｂ₂₀Ｆｅ₈₀よりなる１５ｎｍの切
断層を設け、Ｔｂx（Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀）100-xよりなる４０
ｎｍの記録層を設けた。

【００４１】記録層のＴｂの組成xは第１表の様に変化
させた。その上にＳｉＮよりなる８０ｎｍの保護層を設
けた。再生層、切断層、記録層のキュリー温度を測定し
たところ、再生層が３００℃以上、切断層が１２０℃、
記録層が２４０℃であった。また、再生層は室温におい
ては希土類金属の磁化が優勢であり補償温度は１９０℃
であった。その他の層は室温において遷移金属の磁化が
優勢であった。

【００４２】また、再生層の室温における保磁力はほぼ
零でカー回転角θk1は０．２４ｄｅｇ．体積磁化率は３
８０emu/ccであり、１２０℃においては保磁力は１００
００Ａ／ｍでありカー回転角θk2は０．３４ｄｅｇ．体
積磁化率は２５０emu/ccであった。このようにして作製
したディスクを波長７８０ｎｍ、開口数０．５５の評価
機を用いて光変調記録によりＣＮＲ（狭帯域の信号対雑
音比）の評価を行った。

【００４３】記録条件は線速７ｍ／ｓ、周波数７ＭＨ
ｚ、記録パワー９ｍＷ、記録duty３０％である。再生時
に磁界の印加は行っていない。再生パワーを変えて測定
を行ったところ、再生パワー１．６ｍＷ以上で高温部の
磁区の反転が生じ、超解像が起こった。再生信号には通
常のＦＡＤ超解像で生じるような磁化方向の揃った「マ
スク」に起因する直流バイアス成分は観測されなかっ
た。

【００４４】記録層の磁気特性と再生パワー２．４ｍＷ
でのＣＮＲの評価結果を第１表にまとめた。（記録層の
Ｔｂ組成依存性）実施例１のディスクを再生する際に８
０００Ａ／ｍの再生磁界を消去方向に印加したところ、
再生磁界を印加しない場合と比較して２．４ｄＢＣＮＲ
が増加し４５．５ｄＢが得られた。

【００４５】再生磁界を２００００Ａ／ｍとしたところ
ＣＮＲは３７ｄＢとなった。実施例３のディスクを用い
てクロストークを測定したところ−３４ｄＢであった。実施例６〜１０、比較例３〜４スパッタリング装置に１．４μｍのトラックピッチの案
内溝を持ったポリカーボネート基板を導入し、５×１０
^-5Ｐａ以下の真空度まで排気を行った。

【００４６】この後、反応性スパッタリングにより８０
ｎｍの酸化Ｔａを保護層として基板上に形成した。酸化
Ｔａ上に、Ｇｄx（Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀）1-xよりなる３０ｎｍ
の再生層、Ｔｂ₂₀Ｆｅ₈₀よりなる１５ｎｍの切断層を設
け、Ｔｂ_20.8（Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀）_79.2よりなる４０ｎｍの
記録層を設けた。

【００４７】再生層のＧｄの組成x は第２表の様に変化
させた。最後にＳｉＮよりなる８０ｎｍの保護層を設け
た。再生層、切断層、記録層のキュリー温度を測定した
ところ、再生層が３００℃以上、切断層が１２０℃、記
録層が２４０℃であった。また、再生層は室温において
は希土類金属の磁化が優勢であり補償温度は１９０℃で
あった。

【００４８】その他の層は室温において遷移金属の磁化
が優勢であった。このようにして作製したディスクを波
長７８０ｎｍ、開口数０．５５の評価機を用いてＣＮ比
の評価を行った。記録条件は線速７ｍ／ｓ、周波数７Ｍ
Ｈｚ、記録パワー９ｍＷ、記録duty３０％。再生パワー
を変化させて測定したところ、再生パワー１．６ｍＷ以
上で高温部の磁区の反転が生じ、超解像が起こった。

【００４９】再生時に磁界の印加は行っていない。記録
層の磁気特性と再生パワー２．４ｍＷでのＣＮＲの評価
結果を第２表にまとめた。（再生層のＧｄ組成依存性）
実施例８のディスクを用いてクロストークを測定したと
ころ−３６ｄＢであった。

【００５０】比較例５再生層の組成をＧｄ₂₁（Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀）₇₉とし、記録層
の組成をＴｂ_20.5（Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀）とした以外は実施例
１と同様にしてディスクを作製した。再生層のキュリー
温度３００℃以上であった。再生層、記録層共に室温で
遷移金属優勢であり、補償温度は室温以上には存在しな
かった。再生層の室温における保磁力は３８０００Ａ／
ｍでカー回転角θk1＝０．３３、１２０℃における保磁
力は３２０００Ａ／ｍでカー回転角θk2＝０．３２であ
った。

【００５１】その後、実施例１と同条件で再生磁場を印
加せず再生パワーＰｒ＝２．４ｍＷでＣＮ比を測定した
ところ３５ｄＢであった。消去方向に再生磁場を４００
００Ａ／ｍ印加して再生を行ったところ４９ｄＢが得ら
れた。このとき信号には直流バイアス成分が生じてお
り、高温部での磁化方向が一定となる「マスク」の生成
が確認された。さらに実施例３と同様にしてクロストー
クの測定を行ったところ−２３ｄＢであった。

【００５２】比較例６実施例１で用いたものと同一の基板を用い、保護層とし
て酸化Ｔａを９０ｎｍ、記録層としてＴｂ₂₁（Ｆｅ₉₃Ｃ
ｏ₇）₇₉ を２８ｎｍ、中間層としてＳｉＮを３０ｎｍ、
反射層としてＡｌを４０ｎｍ設けたディスクを作製し
た。その後、実施例１と同条件で再生磁場を印加せず再
生パワーＰｒ＝２．０ｍＷでＣＮ比を測定したところ３
２ｄＢであった。信号の位相の反転は観察されなかっ
た。さらに実施例１と同様にしてクロストークの測定を
行ったところ−２５ｄＢであった。

【００５３】

【表１】

【００５４】

【表２】

【００５５】

【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体及び、その記録
再生方法を用いることによって、再生磁界を用いること
なしに超解像の効果が得られ、従来の超解像媒体と比べ
記録ビットの長期安定性やドライブの小型化に優れた効
果を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録再生方式の説明図

【図２】本発明の光磁気記録媒体の縦断面説明図

【図３】本発明の光磁気記録媒体の平面説明図

【符号の説明】

１再生層２切断層３記録層４交換結合力５静磁結合力６記録磁区７高温部８再生スポット９再生ビーム移動方向１０トラック

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも希土類金属と遷移金属よりな
る再生層、切断層、記録層の３層よりなる互いに交換結
合した磁性層が基板上に設けられており、再生層、切断
層、記録層のキュリー温度を各々Ｔc1、Ｔc2、Ｔc3とし
たときに、Ｔc1、Ｔc2、Ｔc3は５０℃以上であり、且つ【数１】Ｔc1＞Ｔc2、Ｔc3＞Ｔc2 という関係を満たし、磁性層は再生光による加熱によっ
てＴc2近傍もしくはそれ以上の温度に加熱された際、記
録層と再生層の間の交換結合力が減少するかあるいは無
くなり、その結果、高温部分において再生層の副格子磁
化がその部分の低温時の方向に対して反転する光磁気記
録媒体であって、ＴC2において再生層が希土類金属の磁化が優勢である場
合は、記録層が遷移金属の磁化が優勢であり、再生層が
遷移金属の磁化が優勢である場合は、記録層が希土類金
属の磁化が優勢であり、Ｔc2における記録層の体積磁化
率が８０emu/cc以上であり、かつ室温で３００emu/cc以
下であり、Ｔc2における再生層の体積磁化率が１５０em
u/cc以上でありかつ室温で５００emu/cc以下であること
を特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】再生層がＴc2において希土類金属の磁化
が優勢であり、記録層がＴc2において遷移金属の磁化が
優勢である請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】請求項１に記載の光磁気記録媒体を用
い、少なくとも再生部分の一部の再生層の副格子磁化が
反転する強度の再生光を照射し、１６０００Ａ／ｍ以下
の再生磁界を印加するか、あるいは再生磁界を印加しな
い状態で再生を行うことを特徴とする光磁気記録媒体の
再生方法。