JPH11238465A - Female mold for producing thick film pattern, method for producing the same, and method for producing thick film pattern - Google Patents
Female mold for producing thick film pattern, method for producing the same, and method for producing thick film patternInfo
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- JPH11238465A JPH11238465A JP10042131A JP4213198A JPH11238465A JP H11238465 A JPH11238465 A JP H11238465A JP 10042131 A JP10042131 A JP 10042131A JP 4213198 A JP4213198 A JP 4213198A JP H11238465 A JPH11238465 A JP H11238465A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】厚膜パターン形成材料の利用効率の高さを維持
しつつ、基板上に厚膜パターンを精度良く形成するため
の厚膜パターン製造用雌型及びその製造方法及びその雌
型を用いた厚膜パターンの製造方法を提供することにあ
る。
【解決手段】所定の基板10上に形成した所望のパター
ンの雌型20に厚膜パターン形成材料40aを充填し
て、しかるのち雌型20を除去することによって厚膜パ
ターンを製造する方法において、該雌型20を構成する
材料が、セラミック粉末と樹脂との混練物からなり、該
セラミック粉末の含有量が10重量%から90重量%
で、その樹脂の燃焼分解温度が、600℃以下としたも
ので、その樹脂の組成が、紫外線もしくは電子線硬化型
でなる厚膜パターン製造用雌型20とした。サンドブラ
スト法もしくはフォトリソグラフィー法によって雌型2
0を基板10上に形成する厚膜パターン製造用雌型の製
造方法としたものである。
(57) Abstract: A female mold for producing a thick film pattern for accurately forming a thick film pattern on a substrate while maintaining a high use efficiency of a thick film pattern forming material, a method for producing the same, and a method thereof. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a thick film pattern using the female mold. A method for manufacturing a thick film pattern by filling a female mold 20 having a desired pattern formed on a predetermined substrate 10 with a thick film pattern forming material 40a and then removing the female mold 20 is provided. The material constituting the female mold 20 is a kneaded mixture of ceramic powder and resin, and the content of the ceramic powder is from 10% by weight to 90% by weight.
The resin composition had a combustion decomposition temperature of 600 ° C. or lower, and the resin composition was a female mold 20 for producing a thick film pattern, which was of an ultraviolet or electron beam curing type. Female mold 2 by sandblasting or photolithography
0 is a method for manufacturing a female mold for forming a thick film pattern formed on the substrate 10.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばプラズマデ
ィスプレイに用いられる絶縁性もしくは導電性等の厚膜
パターン等の形成方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of forming an insulating or conductive thick film pattern used for a plasma display, for example.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、プラズマディスプレイの製造
工程において、所謂リブと称される幅100μm、高さ
100〜200μm程度の厚膜パターンの形成におい
て、例えば、パターン形成材料である低融点鉛ガラスお
よび無機顔料を所定の樹脂と練り合わせたペーストを所
定のガラス基板上にスクリーン印刷でパターニングし
て、しかる後、これを焼成することにより基板上にリブ
を形成する方法が知られている。2. Description of the Related Art Conventionally, in the process of manufacturing a plasma display, in forming a thick film pattern having a width of about 100 .mu.m and a height of about 100 to 200 .mu.m, for example, a low melting point lead glass which is There has been known a method in which a paste obtained by kneading an inorganic pigment with a predetermined resin is patterned on a predetermined glass substrate by screen printing, and then fired to form ribs on the substrate.
【0003】このスクリーン印刷では、一回の印刷では
所定の膜厚を得ることができず、所定の膜厚を得るため
に印刷を複数回繰り返す必要がある。ところが、スクリ
ーン印刷は版を常に変形させながら印刷するのがその本
質的な原理であって、このため繰り返し印刷を行った場
合、版の不加逆な変形に起因する印刷の位置ずれが発生
しやすい。これらの理由により従来のスクリーン印刷法
は極めて生産効率の悪いものである。In this screen printing, a predetermined film thickness cannot be obtained by one printing, and printing must be repeated a plurality of times in order to obtain a predetermined film thickness. However, the essential principle of screen printing is that printing is performed while the plate is constantly deformed.If printing is performed repeatedly, printing misalignment due to irreversible deformation of the plate occurs. Cheap. For these reasons, the conventional screen printing method is extremely inefficient in production.
【0004】また、スクリーン版の歪みなどの問題から
大面積化が困難であり、かつ印刷に用いられるペースト
の流動性や、スクリーン版の解像度等の問題により線幅
精度が損なわれるという問題点もある。Further, it is difficult to increase the area due to problems such as distortion of the screen plate, and the line width accuracy is impaired due to problems such as the fluidity of the paste used for printing and the resolution of the screen plate. is there.
【0005】これらの問題を解決する方法として、パタ
ーン形成材料を基板上にベタ塗りして、所定のパターン
形状にレジストマスクによりマスキングして研磨材を吹
き付けて余分なパターン形成材料を削り落とすことによ
り所定の厚膜パターンを得る方法、所謂サンドブラスト
法が、例えば特開平4−58438号公報等に提案され
ている。[0005] As a method for solving these problems, a pattern forming material is solid-coated on a substrate, masked into a predetermined pattern shape by a resist mask, and an abrasive is sprayed to scrape off the excess pattern forming material. A method for obtaining a predetermined thick film pattern, a so-called sand blast method, has been proposed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 4-58438.
【0006】しかしながら、この方法は結果として、パ
ターン形成材料の大部分を削り落としてパターン形成す
る方法であり、パターン形成材料の利用効率が低い、す
なわち不経済的なものであった。これは、厚膜パターン
(リブ)形成材の主成分である高価かつ有害な低融点鉛
ガラスの粉末とサンドブラストのための研磨材の混合物
の大部分が廃棄物となるもので、リサイクル(再生利
用)も現実的には困難であるためである。However, as a result, this method is a method in which most of the pattern forming material is shaved off to form a pattern, and the utilization efficiency of the pattern forming material is low, that is, it is uneconomical. This is because most of the mixture of the expensive and harmful low melting point lead glass powder, which is the main component of the thick film pattern (rib) forming material, and the abrasive for sandblasting becomes waste. ) Is also difficult in practice.
【0007】一方、厚膜パターン(リブ)形成材料の利
用効率の高い方法として、例えば(有本他 信学技報
VOL.93 NO.429 p.68[1994])
に提案されているように、上記厚膜パターン(リブ)形
成材料と比較して安価な紫外線硬化樹脂のみからなるパ
ターンの雌型をフォトリソグラフィー法により形成し
て、その雌型の凹部中に厚膜パターン形成材料を充填し
たのち乾燥させ、しかるのち強アルカリ液等で雌型のみ
を除去して、パターン形成材料を焼成することにより、
求める厚膜パターンとする方法がある。On the other hand, as a method of using a thick film pattern (rib) forming material with high utilization efficiency, for example, (Arimoto et al.
VOL. 93 NO. 429 p. 68 [1994])
As described in the above, a female mold of a pattern made of only an ultraviolet curable resin, which is inexpensive compared with the above thick film pattern (rib) forming material, is formed by photolithography, and the thickness of the female mold is reduced in the concave portion of the female mold. After filling the film pattern forming material and then drying, and then removing only the female mold with a strong alkaline solution and the like, and firing the pattern forming material,
There is a method for obtaining a desired thick film pattern.
【0008】しかしながら、上記提案における方法で
は、雌型の除去時における厚膜パターン形成材料は単に
乾燥した状態であるため、雌型の除去時に厚膜パターン
形成材料も剥がれたりすることがあり、これは厚膜パタ
ーンの欠陥の原因となるものであった。However, in the method proposed above, since the material for forming the thick film pattern when the female mold is removed is simply in a dry state, the material for forming the thick film pattern may be peeled off when the female mold is removed. Was a cause of defects in the thick film pattern.
【0009】すなわち、この場合の欠陥の原因はパター
ン形成材料の焼成前に雌型を除去することにある。した
がって、この問題を解決するには、雌型の除去前にパタ
ーン形成材料を焼成する、すなわち雌型を除去せず、厚
膜パターン形成材料をそのまま焼成して、焼成工程と同
一工程においてその雌型を形成する樹脂をその燃焼によ
り消失させれば良いことになるが、この方法の検討結
果、紫外線硬化樹脂のみからなる雌型は焼成中の熱架橋
反応により収縮し、したがって雌型に発生した熱収縮応
力により充填された厚膜パターン形成材料によるパター
ンに破壊が発生するという問題があった。That is, the cause of the defect in this case is to remove the female mold before firing the pattern forming material. Therefore, in order to solve this problem, the pattern forming material is fired before removing the female mold, that is, the thick film pattern forming material is fired as it is without removing the female mold, and the female is formed in the same step as the firing step. The resin forming the mold should be eliminated by its combustion, but as a result of studying this method, the female mold consisting only of the ultraviolet-curing resin shrinks due to the thermal crosslinking reaction during firing, and thus occurs in the female mold. There is a problem that the pattern formed by the filled thick film pattern forming material is broken by heat shrinkage stress.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
技術の問題点を解決するものであり、その課題とすると
ころは、厚膜パターン形成材料の利用効率の高さを維持
しつつ、基板上に厚膜パターンをパターン破壊などがな
く、精度良く形成するための厚膜パターン形成用雌型お
よびその製造方法およびその雌型を用いた厚膜パターン
の製造方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and it is an object of the present invention to maintain a high utilization efficiency of a material for forming a thick film pattern while maintaining a high utilization efficiency. An object of the present invention is to provide a female mold for forming a thick film pattern for accurately forming a thick film pattern thereon without pattern destruction or the like, a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing a thick film pattern using the female mold.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を達成するために、まず請求項1の発明では、所定の基
板上に形成した所望のパターンの雌型に厚膜パターン形
成材料を充填して、しかるのち雌型を除去することによ
って厚膜パターンを製造する方法において、該雌型を構
成する材料が、セラミック粉末と樹脂との混練物からな
り、該セラミック粉末の含有量が10重量%から90重
量%であることを特徴とする厚膜パターン製造用雌型と
したものである。In order to achieve the above object, the present invention first provides a method of forming a thick film pattern forming material on a female mold having a desired pattern formed on a predetermined substrate. In a method for producing a thick film pattern by filling and then removing the female mold, the material constituting the female mold comprises a kneaded product of ceramic powder and resin, and the content of the ceramic powder is 10%. It is a female mold for producing a thick film pattern, characterized in that the content is from 90% by weight to 90% by weight.
【0012】また、請求項2の発明では、前記セラミッ
ク粉末と混練りされる樹脂の燃焼分解温度が、空気中6
00℃以下であることを特徴とする請求項1記載の厚膜
パターン製造用雌型としたものである。According to the second aspect of the present invention, the temperature of combustion decomposition of the resin kneaded with the ceramic powder is 6
The female mold for producing a thick film pattern according to claim 1, wherein the temperature is not higher than 00 ° C.
【0013】また、請求項3の発明では、前記セラミッ
ク粉末と混練りされる樹脂が、紫外線硬化樹脂もしくは
電子線硬化樹脂であることを特徴とする請求項1または
2記載の厚膜パターン製造用雌型としたものである。According to a third aspect of the present invention, the resin kneaded with the ceramic powder is an ultraviolet curable resin or an electron beam curable resin. It is a type.
【0014】また、請求項4の発明では、前記請求項1
または2に記載の厚膜パターン製造用雌型を構成するセ
ラミック粉末と樹脂の混練物を、前記基板上に塗布、乾
燥し、所望の厚膜パターンのネガ型パターンでなり、か
つサンドブラスト耐性を有するレジストマスクを介して
研磨材を吹き付けるサンドブラスト法によって雌型を基
板上に形成することを特徴とする厚膜パターン製造用雌
型の製造方法としたものである。Further, in the invention of claim 4, according to the first aspect,
Or a kneaded product of a ceramic powder and a resin constituting the female mold for producing a thick film pattern according to 2 above, coated and dried on the substrate to form a negative pattern having a desired thick film pattern and having sandblast resistance. A female mold is formed on a substrate by a sand blast method in which an abrasive is sprayed through a resist mask.
【0015】また、請求項5の発明では、前記請求項3
に記載の厚膜パターン製造用雌型を構成するセラミック
粉末と樹脂の混練物を、前記基板上に塗布、乾燥し、所
望の厚膜パターンのネガパターンの開口部を有するフォ
トマスクを介して紫外線もしくは電子線を照射し、未硬
化部分を現像液にて除去するフォトリソグラフィー法に
よって雌型を基板上に形成することを特徴とする厚膜パ
ターン製造用雌型の製造方法としたものである。[0015] According to the invention of claim 5, in claim 3,
A kneaded product of a ceramic powder and a resin constituting a female mold for producing a thick film pattern according to the above is applied on the substrate, dried, and irradiated with ultraviolet light through a photomask having an opening of a negative pattern of a desired thick film pattern. Alternatively, the method is a method of manufacturing a female mold for producing a thick film pattern, wherein a female mold is formed on a substrate by a photolithography method of irradiating an electron beam and removing an uncured portion with a developing solution.
【0016】さらにまた、請求項6の発明では、所定の
基板上に形成した所望のパターンの雌型に厚膜パターン
形成材料を充填して、しかるのち雌型を除去することに
よって厚膜パターンを製造する方法において、前期請求
項1、2または3に記載の厚膜パターン製造用雌型を用
いて、厚膜パターン形成材料充填後、焼成を行い、しか
るのち洗浄することにより厚膜パターン製造用雌型を除
去することを特徴とする厚膜パターンの製造方法とした
ものである。Further, according to the present invention, a thick film pattern forming material is filled in a female mold of a desired pattern formed on a predetermined substrate, and then the female mold is removed to form a thick film pattern. The method for producing a thick film pattern by using the female mold for producing a thick film pattern according to claim 1, 2 or 3, after filling the material for forming a thick film pattern, baking, and then washing. This is a method for producing a thick film pattern, characterized by removing the female mold.
【0017】[0017]
【発明の実施の形態】以上本発明の実施の形態を図面を
用いて説明する。本発明の厚膜パターン製造用雌型は、
図1に示すように、所定の基板(10)上に所望の厚膜
パターンを製造するための雌型(20)であって、該雌
型(20)が、前記基板(10)上に厚膜パターンと略
同じ高さで、厚膜パターンのネガ型として形成されてな
るもので、前記基板(10)上に形成された雌型(2
0)が、セラミック粉末と樹脂との混練物からなり、該
セラミック粉末の含有量が10重量%から90重量%で
あり、さらに前記セラミック粉末と混練りされた樹脂の
燃焼分解温度が、空気中600℃以下であることを特徴
とするものである。Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The female mold for producing a thick film pattern of the present invention is:
As shown in FIG. 1, a female mold (20) for producing a desired thick film pattern on a predetermined substrate (10), wherein the female mold (20) has a thickness on the substrate (10). The same height as the film pattern, formed as a negative of the thick film pattern, and formed on the female mold (2) formed on the substrate (10).
0) is composed of a kneaded product of a ceramic powder and a resin, wherein the content of the ceramic powder is from 10% by weight to 90% by weight, and the combustion decomposition temperature of the resin kneaded with the ceramic powder is in the air. It is characterized by being at most 600 ° C.
【0018】また、請求項4の発明は、上記厚膜パター
ン製造用雌型(20)を構成するセラミック粉末と樹脂
の混練物を、図4に示すように、前記基板(10)上に
塗布、乾燥し、所望の厚膜パターンのネガ型パターンで
なり、かつサンドブラスト耐性を有するレジストマスク
(60)を介して、研磨材を吹き付け、レジストマスク
(60)のレジスト部(60a)以外の部(60b)に
対応する雌型リブ(20)の塗布膜(20a)を除去す
るサンドブラスト法によって、図1に示すような雌型
(20)を基板(10)上に形成する厚膜パターン製造
用雌型(20)の製造方法である。According to a fourth aspect of the present invention, as shown in FIG. 4, a kneaded product of a ceramic powder and a resin constituting the female mold (20) for producing a thick film pattern is coated on the substrate (10). An abrasive is sprayed through a resist mask (60) having a negative pattern of a desired thick film pattern and having a sandblast resistance by drying, and a portion other than the resist portion (60a) of the resist mask (60). A female mold (20) for forming a thick film pattern as shown in FIG. 1 is formed on a substrate (10) by a sand blast method of removing a coating film (20a) of a female rib (20) corresponding to 60b). This is a method for manufacturing the mold (20).
【0019】また、請求項5の発明は、上記厚膜パター
ン製造用雌型(20)を構成するセラミック粉末と紫外
線もしくは電子線で硬化可能な樹脂組成物の混練物を、
図5に示すように、前記基板(10)上に塗布、乾燥
し、所望の厚膜パターンのネガパターンの開口部を有す
るフォトマスク(70)を介して紫外線もしくは電子線
を照射し、フォトマスク(70)の不透明部(70a)
に対応する雌型(20)の未硬化部分(20b)を現像
液にて除去するフォトリソグラフィー法によって、図1
に示すような雌型(20)を基板(10)上に形成する
厚膜パターン製造用雌型(20)の製造方法である。Further, the invention according to claim 5 is characterized in that a kneaded product of a ceramic powder and a resin composition curable by ultraviolet light or electron beam constituting the female mold (20) for producing a thick film pattern is provided.
As shown in FIG. 5, the photomask is applied to the substrate (10), dried, and irradiated with an ultraviolet ray or an electron beam through a photomask (70) having a negative pattern opening of a desired thick film pattern. Opaque part (70a) of (70)
1 is removed by a photolithography method in which an uncured portion (20b) of the female mold (20) corresponding to FIG.
This is a method for manufacturing a female mold (20) for producing a thick film pattern, in which a female mold (20) as shown in FIG. 1 is formed on a substrate (10).
【0020】さらにまた、請求項6の発明は、図1に示
す上記の厚膜パターン製造用雌型(20)の凹部(5
0)に、図2に示すように、厚膜パターン形成材料(4
0a)を充填し、しかるのち前記雌型(20)を除去す
ることにより、図3に示すような厚膜パターン(40)
を基板(10)上に形成する方法である。Further, according to the invention of claim 6, the concave portion (5) of the female mold (20) for manufacturing a thick film pattern shown in FIG.
0), as shown in FIG.
0a), and then removing the female mold (20) to form a thick film pattern (40) as shown in FIG.
Is formed on the substrate (10).
【0021】以下本発明に関わる材料等についてさらに
詳細に説明する。本発明に関わるセラミック粉末として
は、例えばSiO2 、Al2 O3 、SiO、CaO、Z
rO2 、MgO、TiO2 等、の無機酸化物を挙げるこ
とができるが、これに限定するものではない。Hereinafter, the materials and the like according to the present invention will be described in more detail. Examples of the ceramic powder according to the present invention include SiO 2 , Al 2 O 3 , SiO, CaO, Z
Examples include inorganic oxides such as rO 2 , MgO, and TiO 2 , but are not limited thereto.
【0022】上記セラミック粉末の雌型リブ材中に占め
る割合は、10重量%から90重量%が望ましい。それ
は、セラミック粉末の割合が10重量%以下の場合、焼
成過程における雌型の熱収縮応力の緩和が困難であり、
90重量%以上では樹脂との均一な混合が困難であるた
め、実用に耐える雌型を形成することができないためで
ある。The proportion of the ceramic powder in the female rib material is preferably from 10% by weight to 90% by weight. When the proportion of the ceramic powder is 10% by weight or less, it is difficult to relax the heat shrinkage stress of the female mold in the firing process.
If the content is 90% by weight or more, uniform mixing with the resin is difficult, so that a female mold that can withstand practical use cannot be formed.
【0023】また、上記セラミック粉末と混練りする樹
脂としては、例えばプラズマディスプレイに本発明を適
用する場合などで、ソーダライムガラス等を基板として
用いることが多いため、その熱的特性を考慮して、空気
中で600℃以下で分解可能な易焼性の樹脂を用いるこ
とが望ましく、例えばエチルセルロース、ポリメチルメ
タクリレート等が挙げられるが、これに限定するもので
はない。As the resin to be kneaded with the ceramic powder, for example, when the present invention is applied to a plasma display, soda lime glass or the like is often used as a substrate. It is preferable to use an easily flammable resin that can be decomposed in air at 600 ° C. or lower, and examples thereof include ethyl cellulose and polymethyl methacrylate, but are not limited thereto.
【0024】また、上記セラミック粉末と樹脂の混練り
物質を、請求項5の発明のフォトリソグラフィー法によ
る雌型の製造方法に適用する場合、その樹脂組成は紫外
線(UV)もしくは電子線(EB)で硬化性を有する必
要があり、例えば、上記樹脂の混合物およびそれに反応
開始剤等を含有したものなどが挙げられる。In the case where the kneaded substance of the ceramic powder and the resin is applied to the method for producing a female mold by the photolithography method according to the fifth aspect of the present invention, the resin composition may be ultraviolet (UV) or electron beam (EB). And a resin containing a mixture of the above resins and a reaction initiator and the like.
【0025】以上のように本発明では、まず、予め基板
(10)上に形成された厚膜パターン製造用雌型(2
0)に厚膜パターン形成材料(40a)を必要量だけ充
填して所望の厚膜パターン(40)を形成するため、高
価な厚膜パターン形成材料(40a)の利用効率が高く
経済的効果がある。As described above, in the present invention, first, the female mold (2) for manufacturing a thick film pattern formed on the substrate (10) in advance is used.
0) is filled with a required amount of the thick film pattern forming material (40a) to form a desired thick film pattern (40), so that the use efficiency of the expensive thick film pattern forming material (40a) is high and economical effects are obtained. is there.
【0026】また、所定の基板(10)上に形成した厚
膜パターン製造用雌型(20)に厚膜パターン形成材料
(40a)を充填して、しかる後にその雌型(20)を
除去する厚膜パターンの製造方法において、雌型を構成
する材料がセラミック粉末と樹脂との混練物からなるた
め、基板焼成過程で発生する雌型の熱収縮応力はセラミ
ック粉末により緩和され、このため焼成中の厚膜パター
ン形成材料(40a)のパターンの破壊を抑制でき、高
精度の厚膜パターン(40)を製造することができる。A thick film pattern forming material (40a) is filled into a thick film pattern manufacturing female mold (20) formed on a predetermined substrate (10), and then the female mold (20) is removed. In the method of manufacturing a thick film pattern, since the material constituting the female mold is a kneaded product of ceramic powder and resin, the thermal shrinkage stress of the female mold generated during the substrate firing process is alleviated by the ceramic powder, and therefore, during firing. Of the thick film pattern forming material (40a) can be suppressed, and a highly accurate thick film pattern (40) can be manufactured.
【0027】なお、この雌型を構成する材料の一構成要
素であるセラミック粉末は、焼成後も基板(10)上に
残っているが、その結合材となる樹脂が消失しているた
め水洗等によって容易に除去できる。The ceramic powder, which is one component of the material forming the female mold, remains on the substrate (10) even after firing, but since the resin serving as the binder has disappeared, washing with water or the like is performed. Can be easily removed.
【0028】また、サンドブラスト法およびフォトリソ
グラフィー法によるいずれの厚膜パターン製造用雌型
(20)の製造方法においても、廃棄物として樹脂およ
び単一のセラミック粉末のみとすることが可能であり、
雌型材料として再生利用が容易となる。In any of the methods for manufacturing the female mold (20) for producing a thick film pattern by the sandblasting method and the photolithography method, it is possible to use only resin and a single ceramic powder as waste.
Recycling becomes easy as a female material.
【0029】以上より、厚膜パターン形成材料の利用効
率の高さを維持したまま、厚膜パターンを精度良く形成
することができる。As described above, it is possible to form a thick film pattern with high accuracy while maintaining a high use efficiency of the thick film pattern forming material.
【0030】[0030]
【実施例】次に本発明を実施例により、本発明を具体的
に説明する。 〈実施例1〉SiO2 粉末AKP−50(住友化学社
製)45重量部に、エチルセルロース(関東化学社製)
の10%カルビトール溶液12重量部を加え、3本ロー
ルミルで練り合わせてペースト化して雌型形成材料を調
製した。Next, the present invention will be described in detail with reference to examples. <Example 1> SiO 2 powder AKP-50 in (Sumitomo Chemical Co., Ltd.) 45 parts by weight, ethyl cellulose (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.)
Then, 12 parts by weight of a 10% carbitol solution was added, and the mixture was kneaded with a three-roll mill to form a paste, thereby preparing a female mold forming material.
【0031】上記で得られた雌型形成材料を厚さ2.8
mmのガラス基板(10)にブレードコータを用い20
0μm厚に塗布して、100℃の熱風乾燥機にて、40
分間乾燥して雌型(20)形成材料のペースト層とし
た。The above-obtained female mold forming material was applied to a thickness of 2.8.
mm glass substrate (10) using a blade coater.
0 μm thick, and dried with a hot air dryer at 100 ° C.
After drying for a minute, a paste layer of the material for forming the female mold (20) was obtained.
【0032】乾燥後、図4に示すように、この基板(1
0)上の雌型形成材料でなる塗布膜(20a)上にサン
ドブラスト耐性を有するドライフィルムレジストBF−
603(東京応化工業社製)を105℃、2.5kg/
cm2 の条件でラミネートして、その上にピッチ420
μm、幅300μmのストライプパターンの開口部が形
成されたフォトマスクを密着させ、超高圧水銀灯により
300mj/cm2 の露光を行い、しかるのち、0.2
%炭酸ナトリウム水溶液を露光されたドライフィルムレ
ジストにスプレーガンを用いて吹き付けることにより現
像し、ピッチ420μm、幅300μmのレジストのス
トライプパターンをもつレジストマスク(60)とし
た。After drying, as shown in FIG.
0) A dry film resist BF- having a sandblast resistance is formed on the coating film (20a) made of the above-mentioned female mold forming material.
603 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) at 105 ° C and 2.5 kg /
Laminated under the condition of cm 2 , and the pitch 420
A photomask on which a stripe pattern opening having a width of 300 μm and a width of 300 μm is formed is brought into close contact with the photomask, and exposed to 300 mj / cm 2 using an ultra-high pressure mercury lamp.
% Sodium carbonate aqueous solution was sprayed onto the exposed dry film resist using a spray gun to develop a resist mask (60) having a resist stripe pattern having a pitch of 420 μm and a width of 300 μm.
【0033】続いて、図4に示すように、サンドブラス
ト装置を用い、研磨材(Al2O3400番)を吹き付
けレジストマスク(60)のレジスト部(60a)以外
の部(60b)のペースト層を切削除去して、図1に示
すような厚膜パターン形成用雌型リブ(20)をガラス
基板(10)上に形成した。Subsequently, as shown in FIG. 4, an abrasive (Al2O3400) is sprayed using a sandblasting device to cut and remove the paste layer in the portion (60b) of the resist mask (60) other than the resist portion (60a). Then, a female rib (20) for forming a thick film pattern as shown in FIG. 1 was formed on the glass substrate (10).
【0034】上記で形成された雌型(20)の凹部(5
0)にウレタンゴム製のスキージを用いてプラズマディ
スプレイの厚膜パターン(リブ)用ペーストELD−5
06B(奥野製薬工業社製)を充填して乾燥した。The recess (5) of the female mold (20) formed above
0) Paste ELD-5 for thick film pattern (rib) of plasma display using urethane rubber squeegee
06B (manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) and dried.
【0035】このペーストが充填された基板(10)
を、1%水酸化ナトリウム水溶液に浸せきして、レジス
トマスク(60)のレジスト部(60a)を剥離した。
なお、このとき、ドライフィルムレジスト上に付着した
余分なペーストも同時に除去された。これを水洗および
乾燥した後、580℃の焼成炉中で30分間焼成するこ
とによって、厚膜パターン製造用雌型(20)を構成す
る樹脂を分解消失させ、セラミック粉末のみ残るように
した。Substrate (10) filled with this paste
Was immersed in a 1% aqueous solution of sodium hydroxide to remove the resist portion (60a) of the resist mask (60).
At this time, the excess paste attached to the dry film resist was also removed at the same time. After washing and drying, the resin constituting the female mold (20) for producing a thick film pattern was decomposed and disappeared by baking for 30 minutes in a baking furnace at 580 ° C. so that only the ceramic powder remained.
【0036】焼成後、基板を焼成炉から取り出し、水洗
して基板(10)に付着したセラミック粉末を除去する
ことによって、図3に示すような所望の厚膜パターン
(40)をガラス基板(10)上に形成した。After firing, the substrate is taken out of the firing furnace and washed with water to remove the ceramic powder attached to the substrate (10), thereby forming a desired thick film pattern (40) as shown in FIG. ).
【0037】得られたペーストでなる厚膜パターン(4
0)は、焼成による若干の体積減少がみられたが、高さ
180μm、幅100μmの高精度のストライプパター
ンとすることができた。The thick film pattern (4
In 0), although a slight volume reduction was observed due to firing, a highly accurate stripe pattern having a height of 180 μm and a width of 100 μm could be obtained.
【0038】〈実施例2〉SiO2 粉末AKP−50
(住友化学社製)45重量部に、ヒドロキシプロピルセ
ルロース(関東化学社製)の10%カルビトール溶液1
2重量部、ジペンタエリスリトールおよびヘキサアクリ
レート:アニロックスM400(東亜合成社製)2重量
部、2−2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン
0.2重量部を加え、3本ロールミルで練り合わせてペ
ースト化して紫外線硬化性を有する雌型形成材料を調製
した。Example 2 SiO 2 powder AKP-50
(Sumitomo Chemical Co., Ltd.) 45 parts by weight of 10% carbitol solution of hydroxypropyl cellulose (Kanto Chemical Co., Ltd.)
2 parts by weight, dipentaerythritol and hexaacrylate: 2 parts by weight of Anilox M400 (manufactured by Toagosei Co., Ltd.) and 0.2 parts by weight of 2-2-dimethoxy-2-phenylacetophenone were added and kneaded with a three-roll mill to form a paste. A UV-curable female mold-forming material was prepared.
【0039】上記で得られたペーストを厚さ2.8mm
のガラス基板(10)にブレードコータを用い30μm
厚に塗布して、90℃の熱風乾燥機にて、20分間乾燥
して雌型(20)材料のペースト層とした。The paste obtained above was 2.8 mm thick.
30 μm using a blade coater on the glass substrate (10)
It was applied thickly and dried with a hot air drier at 90 ° C. for 20 minutes to obtain a paste layer of the female (20) material.
【0040】続いて、図5に示すように、上記乾燥され
たペースト層に、ピッチ420μm、幅300μmのス
トライプパターンの開口部が形成されたフォトマスク
(70)を密着させて、その上から超高圧水銀灯を用
い、300mJ/cm2 の紫外線露光を行い、しかる後
に、スプレーガンを用い純水を吹き付けて未硬化部分
(20b)のペースト層を除去し、図1に示すようなピ
ッチ420μm、幅300μmの雌型リブ(20)形成
材料によるストライプパターンがガラス基板(10)上
に形成された。Subsequently, as shown in FIG. 5, a photomask (70) in which a stripe pattern opening having a pitch of 420 μm and a width of 300 μm is formed is brought into close contact with the dried paste layer. Using a high-pressure mercury lamp, exposure to ultraviolet light of 300 mJ / cm 2 was performed. Thereafter, pure water was sprayed using a spray gun to remove the paste layer of the uncured portion (20b), and the pitch was 420 μm and the width was as shown in FIG. A stripe pattern of a 300 μm female rib (20) forming material was formed on the glass substrate (10).
【0041】上記で形成された雌型(20)の凹部(5
0)にウレタンゴム製のスキージを用いてプラズマディ
スプレイの電極用銀ペーストNP−4002(ノリタケ
社製)を充填して乾燥し、しかるのち800番の耐水研
磨紙を用い、銀ペーストを充填した雌型リブ(20)の
表面に付着した銀ペーストを研磨して除去し、550℃
の焼成炉中で30分間焼成することによって、厚膜パタ
ーン製造用雌型(20)を構成する樹脂を分解消失さ
せ、セラミック粉末のみ残るようにした。The recess (5) of the female mold (20) formed above
0) was filled with silver paste NP-4002 (produced by Noritake Co., Ltd.) for electrodes of a plasma display using a urethane rubber squeegee, and dried. The silver paste adhering to the surface of the mold rib (20) is removed by polishing, and
The resin constituting the female mold (20) for producing a thick film pattern was decomposed and disappeared by baking in a baking furnace for 30 minutes to leave only the ceramic powder.
【0042】焼成後、基板(10)ごと焼成炉から取り
出し、水洗して基板(10)等に付着したセラミック粉
末を除去することによって、図3に示すような所望の厚
膜パターン(40)をガラス基材(10)上に形成する
ことが出来た。After firing, the substrate (10) is taken out of the firing furnace and washed with water to remove the ceramic powder attached to the substrate (10) and the like, thereby forming a desired thick film pattern (40) as shown in FIG. It could be formed on a glass substrate (10).
【0043】得られた銀ペーストでなる厚膜パターン
(40)は、焼成による若干の体積減少がみられたが、
高さ15μm、幅100μmのストライプパターンとす
ることができた。In the thick film pattern (40) composed of the obtained silver paste, although a slight volume reduction was observed due to firing,
A stripe pattern having a height of 15 μm and a width of 100 μm was obtained.
【0044】[0044]
【発明の効果】本発明は以上の構成であるから、下記に
示す如き効果がある。即ち、本発明の厚膜パターン製造
用雌型を用いた厚膜パターンの形成は、まず、予め基板
上に形成された厚膜パターン製造用雌型に厚膜パターン
形成材料を必要量だけ充填して所望の厚膜パターンを形
成するので、高価な厚膜パターン形成材料の利用効率が
高く経済的効果がある。As described above, the present invention has the following effects. That is, the formation of the thick film pattern using the female mold for manufacturing a thick film pattern of the present invention is performed by first filling a required amount of the material for forming a thick film pattern into the female mold for manufacturing a thick film pattern formed in advance on a substrate. Thus, an expensive thick film pattern forming material can be used with high efficiency and economical effect.
【0045】また、所定の基板上に形成した厚膜パター
ン製造用雌型に厚膜パターン形成材料を充填して、しか
る後に雌型を除去する厚膜パターンの形成方法とし、そ
の雌型を構成する材料がセラミック粉末と樹脂の混練物
からなるので、基板焼成過程で発生する雌型の熱収縮応
力はセラミック粉末により緩和され、このため焼成中の
厚膜パターン形成材料のパターンの破壊を抑制でき、高
精度の厚膜パターンを製造することができる。Further, a method for forming a thick film pattern in which a thick film pattern forming material is filled in a female mold for producing a thick film pattern formed on a predetermined substrate, and thereafter the female mold is removed is provided. Since the material to be formed is composed of a kneaded product of ceramic powder and resin, the thermal shrinkage stress of the female die generated during the substrate firing process is alleviated by the ceramic powder, thereby suppressing the pattern breakage of the thick film pattern forming material during firing. A high-precision thick film pattern can be manufactured.
【0046】また、サンドブラスト法もしくはフォトリ
ソグラフィー法による厚膜パターン製造用雌型の製造方
法としたので、廃棄物として樹脂および単一のセラミッ
ク粉末のみとすることが可能であり、雌型材料として再
生利用が容易となる効果がある。従って本発明は、プラ
ズマディスプレーの如き用途の厚膜パターン形成におい
て、優れた実用上の効果を発揮する。Also, since the method of manufacturing a female mold for producing a thick film pattern by the sandblasting method or the photolithography method is employed, it is possible to use only resin and a single ceramic powder as waste, and to recycle as a female material. This has the effect of facilitating use. Therefore, the present invention exhibits an excellent practical effect in forming a thick film pattern for applications such as plasma display.
【図1】本発明の一実施の形態を示す厚膜パターン製造
用雌型を側断面で表した説明図である。FIG. 1 is an explanatory view showing a female mold for producing a thick film pattern according to an embodiment of the present invention in a side cross section.
【図2】本発明の厚膜パターン製造用雌型に厚膜パター
ン形成材料を充填した形態を側断面で表した説明図であ
る。FIG. 2 is an explanatory view showing a form in which a thick film pattern forming material is filled in a female mold for producing a thick film pattern according to the present invention in a side cross section.
【図3】本発明の厚膜パターンの製造方法で得られた基
板上の厚膜パターンを側断面で表した説明図である。FIG. 3 is an explanatory view showing a thick-film pattern on a substrate obtained by a method of manufacturing a thick-film pattern according to the present invention in a side cross section.
【図4】本発明の厚膜パターン製造用雌型の製造工程の
一部を側断面で表した説明図である。FIG. 4 is an explanatory view showing a part of a manufacturing process of a female mold for manufacturing a thick film pattern according to the present invention in a side cross section.
【図5】本発明の厚膜パターン製造用雌型の他の製造工
程の一部を側断面で表した説明図である。FIG. 5 is an explanatory view showing a part of another manufacturing process of the female mold for manufacturing a thick film pattern according to the present invention in a side cross section.
10‥‥基板 20‥‥厚膜パターン製造用雌型 20a‥‥雌型の塗布膜 20b‥‥未硬化部分 20c‥‥硬化部分 40‥‥厚膜パターン 40a‥‥厚膜パターン形成材料 60‥‥レジストマスク 60a‥‥レジスト部 60b‥‥レジスト部以外の部 70‥‥フォトマスク 70a‥‥フォトマスクの不透明部 10 {substrate 20} female mold for thick film pattern production 20a {female type coating film 20b} uncured portion 20c {cured portion 40} thick film pattern 40a {thick film pattern forming material 60} Resist mask 60a {resist part 60b} part other than resist part 70 {photo mask 70a} opaque part of photo mask
Claims (6)
雌型に厚膜パターン形成材料を充填して、しかるのち雌
型を除去することによって厚膜パターンを製造する方法
において、該雌型を構成する材料が、セラミック粉末と
樹脂との混練物からなり、該セラミック粉末の含有量が
10重量%から90重量%であることを特徴とする厚膜
パターン製造用雌型。1. A method of manufacturing a thick film pattern by filling a female mold having a desired pattern formed on a predetermined substrate with a thick film pattern forming material and then removing the female mold. Characterized in that the material constituting (1) is a kneaded product of ceramic powder and resin, and the content of the ceramic powder is from 10% by weight to 90% by weight.
燃焼分解温度が、空気中600℃以下であることを特徴
とする請求項1記載の厚膜パターン製造用雌型。2. The female mold for producing a thick film pattern according to claim 1, wherein a temperature of combustion decomposition of the resin kneaded with the ceramic powder is 600 ° C. or less in air.
が、紫外線硬化樹脂もしくは電子線硬化樹脂であること
を特徴とする請求項1または2記載の厚膜パターン製造
用雌型。3. The female mold for producing a thick film pattern according to claim 1, wherein the resin kneaded with the ceramic powder is an ultraviolet curable resin or an electron beam curable resin.
ン製造用雌型を構成するセラミック粉末と樹脂の混練物
を、前記基板上に塗布、乾燥し、所望の厚膜パターンの
ネガ型パターンでなり、かつサンドブラスト耐性を有す
るレジストマスクを介して研磨材を吹き付けるサンドブ
ラスト法によって雌型を基板上に形成することを特徴と
する厚膜パターン製造用雌型の製造方法。4. A kneaded product of a ceramic powder and a resin constituting the female mold for producing a thick film pattern according to claim 1 or 2, which is coated on the substrate and dried to obtain a negative mold having a desired thick film pattern. A method for producing a female mold for producing a thick film pattern, comprising: forming a female mold on a substrate by a sandblast method of spraying an abrasive through a resist mask having a pattern and having sandblast resistance.
雌型を構成するセラミック粉末と樹脂の混練物を、前記
基板上に塗布、乾燥し、所望の厚膜パターンのネガパタ
ーンの開口部を有するフォトマスクを介して紫外線もし
くは電子線を照射し、未硬化部分を現像液にて除去する
フォトリソグラフィー法によって雌型を基板上に形成す
ることを特徴とする厚膜パターン製造用雌型の製造方
法。5. A kneaded product of a ceramic powder and a resin constituting the female mold for producing a thick film pattern according to claim 3, which is applied on the substrate and dried to form a negative pattern opening of a desired thick film pattern. A female mold for producing a thick film pattern, wherein a female mold is formed on a substrate by a photolithography method of irradiating an ultraviolet ray or an electron beam through a photomask having a portion and removing an uncured portion with a developing solution. Manufacturing method.
雌型に厚膜パターン形成材料を充填して、しかるのち雌
型を除去することによって厚膜パターンを製造する方法
において、前期請求項1、2または3に記載の厚膜パタ
ーン製造用雌型を用いて、厚膜パターン形成材料充填
後、焼成を行い、しかるのち洗浄することにより厚膜パ
ターン製造用雌型を除去することを特徴とする厚膜パタ
ーンの製造方法。6. A method for producing a thick film pattern by filling a female mold of a desired pattern formed on a predetermined substrate with a thick film pattern forming material and then removing the female mold. Using the female mold for producing a thick film pattern described in 1, 2, or 3, after filling the material for forming a thick film pattern, baking, and then washing, the female mold for producing a thick film pattern is removed. Method for producing a thick film pattern.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10042131A JPH11238465A (en) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | Female mold for producing thick film pattern, method for producing the same, and method for producing thick film pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10042131A JPH11238465A (en) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | Female mold for producing thick film pattern, method for producing the same, and method for producing thick film pattern |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11238465A true JPH11238465A (en) | 1999-08-31 |
Family
ID=12627394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10042131A Pending JPH11238465A (en) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | Female mold for producing thick film pattern, method for producing the same, and method for producing thick film pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11238465A (en) |
-
1998
- 1998-02-24 JP JP10042131A patent/JPH11238465A/en active Pending
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